申请号
专利名称
CN202122070924.7
一种半导体生产制造用光刻机
CN200410002076.4
光致抗蚀剂脱除剂
CN201380042336.8
含有具有多核苯酚的酚醛清漆树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物
CN201380040983.5
抗蚀剂下层膜形成用组合物
CN200810049815.3
彩色图六色分色印刷方法
CN200810239368.8
一种挂网图像角点检测的方法及装置
CN200510000588.1
一种分色页面描述灰度光栅化的方法
CN201580055292.1
包含具有亚芳基的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
CN200410101653.5
一种用于凹印制版的无缝混合网点挂网方法
CN200410101652.0
一种用于打印机的线圆形网点的生成方法
CN200610054952.7
防护胶膜框架
CN202010355155.2
一种用于超分辨光刻精密掩模的智能校正装置控制系统
CN201810645227.X
一种采用压缩感知技术的光源掩模优化方法
CN201810915435.7
一种复合材料相位板的飞秒激光双光子加工与制作方法
CN202010355153.3
一种基于暗场莫尔条纹的对准检测与控制的超分辨光刻装置
CN200610024251.9
一种制作相变存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺
CN201410050204.6
显影液的浓度调节方法、调制装置和显影液
CN201710296453.7
一种涡旋数目可控的环形涡旋阵列掩模板的设计方法
CN201911212302.4
对准误差测量方法及装置
CN201610937977.5
EUV光刻用防尘薄膜组件中适宜的接着剂以及用该接着剂的防尘薄膜组件
CN201280033067.4
包含含有脂环式骨架的咔唑树脂的形成抗蚀剂下层膜的组合物
CN201580059713.8
制造图案化基底的方法
CN202022803641.4
一种曝光机用真空定位装置
CN202020803584.7
一种具有断电保护装置的光刻设备
CN201380011378.5
高密合性抗蚀剂下层膜形成用组合物
CN201911078891.1
非水溶性光致聚合组合物、材料及应用
CN201280035516.9
含钛和硅的光刻用薄膜形成用组合物
CN201610274519.8
实现液滴自驱动的梯度润湿表面的制备方法及其设备
CN202022053235.0
一种接近接触式光刻真空曝光工件台装置
CN201910193576.7
一种光掩膜版及曝光系统
CN200710102553.8
防护薄膜组件及防护薄膜组件剥离装置
CN201510490978.5
一种掩模板及在同一硅片上加工多种深度结构的方法
CN201210372124.3
用于非平整衬底晶圆级纳米压印的复合软模具及制造方法
CN201010600735.X
整片晶圆纳米压印的装置和方法
CN201210050571.7
一种大面积纳米压印光刻的装置和方法
CN201210049910.X
用于蓝宝石衬底图形化的纳米压印装置及方法
CN201110266251.0
一种整片晶圆纳米压印光刻机
CN201210050010.7
一种适用于非平整衬底晶圆级纳米压印的装置和方法
CN201110266266.7
一种用于整片晶圆纳米压印自适应承片台
CN201610283114.0
一种低成本精密芯片模具光刻掩膜的制备方法
