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申请号
专利名称
CN201821604602.8
生长在Ti衬底上的InGaN纳米柱
CN201822256270.5
一种纳米操作装置
CN201822277952.4
基于零维欧姆接触的硅基纳米线量子点的装置
CN201720228736.3
双层异质结构模具
CN201720140545.1
用于制备Au/Au-TiO2纳米管阵列电极材料的真空负压装置
CN201822256318.2
一种纳米连接装置
CN201720082548.4
辉光放电合成纳米粒子的装置
CN201720319018.7
一种碳纳米管电场定向装置
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