专利摘要

本发明公开了一种手机，包括：第一SIM卡卡槽，第一SIM卡卡槽设置第一数据连接端，在NFC智能卡插入第一SIM卡卡槽时，第一数据连接端与NFC智能卡的数据传输引脚连接；第二SIM卡卡槽，第二SIM卡卡槽设置有第二数据连接端，在NFC智能卡插入第二SIM卡卡槽时，第二数据连接端与NFC智能卡的数据传输引脚连接；NFC控制芯片，包括第三数据连接端，第三数据连接端分别与第一数据连接端和第二数据连接端连接，在NFC智能卡插入第一SIM卡卡槽与第二SIM卡卡槽中的任一者时，NFC控制芯片通过第三数据连接端以及数据传输引脚与NFC智能卡进行数据传输。通过以上方式，实现在NFC智能卡插入手机的第一SIM卡卡槽与第二SIM卡卡槽中的任一者时，均能保证NFC智能卡正常工作。

说明书

技术领域

本发明涉及手机近距离无线通讯技术领域，特别是涉及一种手机。

背景技术

NFC(Near Field Communication，近距离无线通讯技术)越来越普及于人们日常生活当中，用户利用NFC能够方便快捷地进行近距离的无线通讯，通常用于小额的电子支付，例如公交卡。手机作为人们日常随身携带的通讯工具，将NFC功能集成在手机上，能够大大地提升用户体验使用NFC的功能。

现有技术的NFC功能手机设置有双SIM卡卡槽，SIM卡卡槽与SIM卡和NFC智能卡尺寸配合，可以容置SIM卡和NFC智能卡，在插入SIM卡和NFC智能卡至对应的SIM卡卡槽时，既可利用SIM卡进行电话通信加密(或解密)，又可利用NFC智能卡作卡模拟，以利用NFC芯片读取NFC智能卡内的数据。

而在现有技术中，往往会双SIM卡卡槽中，设置一个SIM卡卡槽对应于SIM卡，并设置另外一个SIM卡卡槽对应于NFC智能卡，而当用户不小心将NFC智能卡插入至对应于SIM卡的SIM卡卡槽内时，手机将不能识别该NFC智能卡，从而造成用户的使用不便。

因此，亟需提供一种手机，以解决现有技术的NFC功能手机在NFC智能卡插入至双SIM卡卡槽中对应于SIM卡的卡槽内时NFC智能卡不能正常工作的问题。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种手机，以解决上述技术问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种手机，包括：第一SIM卡卡槽，第一SIM卡卡槽设置第一数据连接端，在NFC智能卡插入第一SIM卡卡槽时，第一数据连接端与NFC智能卡的数据传输引脚连接；第二SIM卡卡槽，第二SIM卡卡槽设置有第二数据连接端，在NFC智能卡插入第二SIM卡卡槽时，第二数据连接端与NFC智能卡的数据传输引脚连接；NFC控制芯片，包括第三数据连接端，第三数据连接端分别与第一数据连接端和第二数据连接端连接，在NFC智能卡插入第一SIM卡卡槽与第二SIM卡卡槽中的任一者时，NFC控制芯片通过第三数据连接端以及数据传输引脚与NFC智能卡进行数据传输。其中，第一SIM卡卡槽进一步设置有第一电源输入端，第二SIM卡卡槽进一步设置有第二电源输入端，手机进一步包括：电源管理芯片，电源管理芯片包括：第一电源输出端，第一电源输出端与第一电源输入端连接，在手机正常工作时向第一SIM卡卡槽提供第一供电电压，并在手机关机时停止向SIM卡卡槽提供第一供电电压；第二电源输出端，第二电源输出端与第二电源输入端连接，在手机正常工作时向第二SIM卡卡槽提供第一供电电压，并在手机关机时停止向第二SIM卡卡槽提供第一供电电压。

其中，电源管理芯片进一步包括控制电压输出端，电源管理芯片在手机正常工作时输出控制电压，并在手机关机时停止输出控制电压，手机进一步包括：低压差线性稳压器，用于输出第二供电电压；第一受控开关以及第二受控开关，第一受控开关的第一端和第二受控开关的第一端与低压差线性稳压器连接，以获取第二供电电压，第一受控开关的第二端与第一电源输入端连接，第二受控开关的第二端与第二电源输入端连接，第一受控开关的第三端和第二受控开关的第三端与控制电压输出端连接，第一受控开关的第三端在获取到控制电压时，断开第一受控开关的第一端与第一受控开关的第二端，在没有获取到控制电压时，连接第一受控开关的第一端与第一受控开关的第二端，第二受控开关的第三端在获取到控制电压时，断开第二受控开关的第一端与第二受控开关的第二端，在没有获取到控制电压时，连接第二受控开关的第一端与第二受控开关的第二端。

其中，手机进一步包括电池，电池分别与电源管理芯片以及低压差线性稳压器连接，以同时向电源管理芯片以及低压差线性稳压器供电。

其中，第一受控开关包括第一P型MOS管和第二P型MOS管，第一P型MOS管的栅极连接第二P型MOS管的栅极，第一P型MOS管的源极连接第二P型MOS管的源极，第一P型MOS管的漏极为第一受控开关的第一端，第一P型MOS管的栅极与第二P型MOS管的栅极的连接点作为第一受控开关的第三端，第二P型MOS管的漏极为第一受控开关的第二端。

其中，第二受控开关包括第三P型MOS管和第四P型MOS管，第三P型MOS管的栅极连接第四P型MOS管的栅极，第三P型MOS管的源极连接第四P型MOS管的源极，第三P型MOS管的漏极为第二受控开关的第一端，第三P型MOS管的栅极与第四P型MOS管的栅极的连接点作为第二受控开关的第三端，第四P型MOS管的漏极为第二受控开关的第二端。

其中，手机进一步包括第一电阻，第一电阻的第一端与控制电压输出端连接，第一电阻的第二端与第一受控开关的第三端和第二受控开关的第三端连接。

其中，手机进一步包括第二电阻，第二电阻的第一端与控制电压输出端连接，第二电阻的第二端接地。

本发明的有益效果是：区别于现有技术，本发明的手机在NFC智能卡插入手机的第一SIM卡卡槽与第二SIM卡卡槽中的任一者时，均能保证NFC智能卡正常工作。

附图说明

图1是本发明手机的优选实施例的电路结构示意图。

具体实施方式

首先请参见图1，图1是本发明手机的优选实施例的电路结构示意图。如图1所示，根据本发明实施例的手机10包括第一SIM卡卡槽11、第二SIM卡卡槽、第一受控开关13、第二受控开关14、电源管理芯片15、低压差线性稳压器16、NFC控制芯片17、电池18、第一电阻R1、第二电阻R2以及电容C1。

其中，第一SIM卡卡槽11设置有第一数据连接端112，在NFC智能卡(图未示)插入第一SIM卡卡槽时，第一数据连接端112与NFC智能卡的数据传输引脚连接。第二SIM卡卡槽12设置有第二数据连接端122，在NFC智能卡插入第二SIM卡卡槽12时，第二数据连接端122与NFC智能卡的数据传输引脚连接。

NFC控制芯片17包括第三数据连接端171，第三数据连接端171分别与第一数据连接端112和第二数据连接端122连接，在NFC智能卡插入至第一SIM卡卡槽11与第二SIM卡卡槽12中的任一者时，NFC控制芯片通过第三数据连接端171以及NFC智能卡的数据传输引脚与NFC智能卡进行数据传输。在本实施例中，第三数据连接端171为NFC控制芯片17的SWP端口。

在本实施例中，由于NFC控制芯片17的第三数据连接端171与第一数据连接端112和第二数据连接端122连接，因此，在NFC智能卡插入至第一SIM卡卡槽11与第二SIM卡卡槽12中的任一者时，NFC控制芯片均的第三数据连接端171均可与NFC智能卡的数据传输引脚连接，从而与NFC智能卡进行通信。

在本实施例中，第一SIM卡卡槽11进一步设置有第一电源输入端111，以在NFC智能卡(图未示)插入第一SIM卡卡槽11时通过第一电源输入端111向插入至第一SIM卡卡槽11的NFC智能卡供电。第二SIM卡卡槽12设置进一步有第二电源输入端121，以在NFC智能卡(图未示)插入第二SIM卡卡槽12时通过第二电源输入端121向插入至第二SIM卡卡槽12的NFC智能卡供电。

并且，电源管理芯片15包括第一电源输出端151、第二电源输出端152、控制电压输出端153以及电源输入端154。第一电源输出端151与第一电源输入端111连接，以在手机10正常工作时向第一SIM卡卡槽11提供第一供电电压，并在手机10关机时停止向第一SIM卡卡槽11提供第一供电电压。第二电源输出端152与第二电源输入端121连接，以在手机10正常工作时向第二SIM卡卡槽12提供第一供电电压，并在手机10关机时停止向第二SIM卡卡槽12提供第一供电电压。控制电压输出端153在手机10正常工作时输出控制电源，并在手机10关机时停止输出控制电压。

低压差线性稳压器16(Low Dropout Regulator，LDO)用于提供第二供电电压，其包括IN端口、EN端口、OUT端口以及接地端口，低压差线性稳压器16的接地端口接地。在本实施例中，低压差线性稳压器16的OUT端口输出的第二供电电压的最大电压值优选为1.8V。

NFC控制芯片17进一步包括SIMMVCC端口以及VDHF端口。其中，NFC控制芯片17的SIMVCC端口连接低压差线性稳压器16的EN端口，以在手机10靠近读卡器(图未示)时产生使能电压，使得低压差线性稳压器16在使能电压的控制下输出第二供电电压。NFC控制芯片17的VDHF端口连接电容C1的一端，电容C1的另一端接地。在手机10靠近读卡器时，手机10具有卡模拟功能，读卡器会发出一个13.56MHz的磁场，此时NFC控制芯片17感应到该磁场并且在NFC控制芯片17的VDHF端口会产生一个2.5V的电压。在本实施例中，NFC控制芯片17优选为PN544芯片，VDHF端口产生的电压在NFC智能卡作为卡模拟功能时为NFC控制芯片17供电，在NFC控制芯片17从VDHF端口获取2.5V的电压后，NFC控制芯片17的SIMVCC端口产生使能电压为1.8V，并向低压差线性稳压器16的EN端口提供5mA的电流。

并且，手机10中设置有电池18，电池18分别与电源管理芯片15的电源输入端154以及低压差线性稳压器16的IN端口连接，以同时向电源管理芯片15以及低压差线性稳压器16供电。在本实施例中，电池18为电源管理芯片15提供的最低电压为手机10设定的最小关机电压，为低压差线性稳压器16供电的最小电压为2.6V。

因此，在手机10靠近读卡器时，NFC控制芯片17从VDHF端口获取2.5V的电压，并产生1.8V的使能电压至低压差线性稳压器16的EN端口，使得低压差线性稳压器16从OUT端口输出第二供电电压。

并且，请进一步参见图1，第一受控开关13包括第一端131、第二端132以及第三端133。第二受控开关14包括第一端141、第二端142以及第三端143。其中，第一受控开关13的第一端131和第二受控开关14的第一端141与低压差线性稳压器16的OUT端连接以获取第二供电电压。第一受控开关13的第三端133和第二受控开关14的第三端143与控制电压输出端153连接。第一受控开关13的第二端132与第一电源输入端111连接，第二受控开关14的第二端142与第二电源输入端121连接。

其中，在手机10正常工作时，第一受控开关13的第三端133和第二受控开关14的第三端143从控制电压输出端153获取控制电压，第一受控开关13的第一端131与第一受控开关的第二端132断开连接，第二受控开关14的第一端141与第二受控开关的第二端142断开连接，此时，第一SIM卡卡槽11通过第一电源输入端111以及第一电源输出端151从电源管理芯片15获取第一供电电压，第二SIM卡卡槽12过第二电源输入端121以及第一电源输出端152从电源管理芯片15获取第一供电电压。

而在手机10处于关机状态时，电源管理芯片15停止工作，并停止输出控制电压和第一供电电压，在手机10靠近读卡器时，低压差线性稳压器16获取使能信号，通过OUT端口提供第二供电电压。第一受控开关13的第三端133和第二受控开关14的第三端143停止从控制电压输出端153获取控制电压，此时，第一受控开关13的第一端131与第一受控开关13的第二端132连接在一起，因此，第一SIM卡卡槽11通过第一电源输入端111、第一受控开关13的第二端132以及第一受控开关13的第一端131从低压差线性稳压器16的OUT端获取第二供电电压。同理，第二SIM卡卡槽12通过第二电源输入端121、第二受控开关14的第二端142以及第二受控开关14的第一端141从低压差线性稳压器16的OUT端获取第二供电电压。

因此，无论在手机10正常工作，抑或是手机10处于关机状态，只要手机10靠近读卡器，第一SIM卡卡槽11以及第二SIM卡卡槽12均可获得稳定的电源输入，并且，由于NFC控制芯片17的第三数据连接端171与第一数据连接端112和第二数据连接端122连接，因此，在NFC智能卡插入至第一SIM卡卡槽11与第二SIM卡卡槽12中的任一者时，NFC控制芯片的第三数据连接端171均可与NFC智能卡的数据传输引脚连接，从而实现无论手机10处于正常工作或关机状态下，NFC控制芯片均可与NFC智能卡进行通信，以保证手机10在任何状态下均可实现卡模拟功能。

请进一步参见图1，在本发明的优选实施例中，手机10进一步设置有第一电阻R1以及第二电阻R2，第一电阻R1的第一端191与控制电压输出端153连接，第一电阻R1的第二端192与第一受控开关13的第三端133和第二受控开关14的第三端143连接，第二电阻R2的第一端193与控制电压输出端153连接，第二电阻R2的第二端194接地。第一电阻R1可起到限流保护的作用，而第二电阻R2的电阻值设置为大于100kΩ，可避免控制电压输出端15漏电流过大。

值得注意的是第一受控开关13和第二受控开关14可由现有技术中各种受控开关模块实现，如继电器，模拟开关等。而在本发明的优选实施例中第一受控开关13和第二受控开关14可均由双MOS管反接串联组成。

其中，第一受控开关13包括第一P型MOS管M1和第二P型MOS管M2。第一P型MOS管M1的栅极连接第二P型MOS管M2的栅极，第一P型MOS管M1的源极连接第二P型MOS管M2的源极。第一P型MOS管M1的漏极为第一受控开关13的第一端131，第一P型MOS管M1的栅极与第二P型MOS管M2的栅极的连接点作为第一受控开关13的第三端133，第二P型MOS管M2的漏极为第一受控开关13的第二端132。

第二受控开关14包括第三P型MOS管M3和第四P型MOS管M4，第三P型MOS管M3的栅极连接第四P型MOS管M4的栅极，第三P型MOS管M3的源极连接第四P型MOS管M4的源极。第三P型MOS管M3的漏极为第二受控开关14的第一端141，第三P型MOS管M3的栅极与第四P型MOS管M4的栅极的连接点作为第二受控开关14的第三端143，第四P型MOS管M4的漏极为第二受控开关14的第二端142。

其中，第一受控开关13的工作原理如下：第一P型MOS管M1的漏极和源极之间可等效为一寄生二极管D1，因此，在第一P型MOS管M1的栅极无论有没有获取到控制电压的情况下，只要低压差线性稳压器16的OUT端输出第二工作电压，该第二工作电压均可通过第一P型MOS管M1的漏极和源极传输至第二P型MOS管M2的源极。因此，在第二P型MOS管M2的源极电压为第二工作电压的前提下，只要第二P型MOS管M2的栅极电压比第二工作电压小，即满足栅级和源极电压之差小于0V时，就可以使得第二P型MOS管的漏极和源极导通，故在电源管理芯片停止输出控制电压，使得第二P型MOS管M2的栅极电压不能获取控制电压时，第二P型MOS管M2的栅极电压为0V，此时，第二P型MOS管的漏极和源极导通，使得第二P型MOS管M2的漏极可输出第二工作电压至第一SIM卡卡插槽以及第二SIM卡卡槽。

同样地，第二受控开关14的工作原理与第一受控开关13一致，于此不再赘述。

由于上述的双MOS管具有更低的导通电阻，其一般为0.2欧姆左右，非常适合NFC智能卡对电源的要求，因此，在本发明的优选实施例中，优选采用上述的双MOS管作为受控开关。

值得注意的是，在本实施例中，采用了两个受控开关(即第一受控开关13和第二受控开关14)以及两个SIM卡卡槽(即第一SIM卡卡槽11和第二SIM卡卡槽12)的技术方案作出阐述，但，在本发明的其他实施例中，只要低压差线性稳压器16以及电源管理芯片15的性能允许，也可设置两个以上的受控开关和SIM卡卡槽，本发明对其数量不作具体限定，本领域技术人员在领会本发明思想后均可作出相应扩展。

因此，通过以上所介绍的技术方案，本发明提供了一种手机，其在NFC智能卡插入手机的第一SIM卡卡槽与第二SIM卡卡槽中的任一者时，均能保证NFC智能卡正常工作。

以上仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

一种手机专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。