专利摘要

本发明涉及一种三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的发光显示器，包括由后抗真空压硬质平板、前抗真空压硬质平板和透明玻璃框所构成的真空室；在前抗真空压硬质平板上有阳极薄氧化物透射方层、与阳极薄氧化物透射方层相连的阳极长延伸银白层以及制备在阳极薄氧化物透射方层上面的荧光粉层；在后抗真空压硬质平板上有三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构；位于真空室的消气剂和薄消隐壁附属元件。具有阳极电流大、发光灰度可调节性能优异、制作工艺可靠、响应时间短、发光亮度高的优点。

权利要求

1.一种三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的发光显示器，包括真空室和位于真空室内的消气剂和薄消隐壁，所述真空室由后抗真空压硬质平板、前抗真空压硬质平板和透明玻璃框组成，其特征在于：在前抗真空压硬质平板上有阳极薄氧化物透射方层、与阳极薄氧化物透射方层相连的阳极长延伸银白层以及制备在阳极薄氧化物透射方层上面的荧光粉层；在后抗真空压硬质平板上有三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构。

2.根据权利要求1所述的三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的发光显示器，其特征在于：所述后抗真空压硬质平板作为三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的衬底，所述衬底的材料为钠钙玻璃或硼硅玻璃；后抗真空压硬质平板上的印刷的绝缘浆料层形成深黑阻光层；深黑阻光层上的印刷的银浆层形成阴极长延伸银白层；阴极长延伸银白层上的印刷的绝缘浆料层形成阴极全凹坑基下层；阴极全凹坑基下层为类圆台锥体形，阴极全凹坑基下层的下表面为圆形平面、位于阴极长延伸银白层上，阴极全凹坑基下层中心垂直轴线垂直于后抗真空压硬质平板，阴极全凹坑基下层的下表面中心位于阴极全凹坑基下层中心垂直轴线上，阴极全凹坑基下层的上表面为圆形平面、且和阴极全凹坑基下层的下表面相互平行，阴极全凹坑基下层的上表面中心位于阴极全凹坑基下层中心垂直轴线上，阴极全凹坑基下层的上表面面积小于阴极全凹坑基下层的下表面面积，阴极全凹坑基下层圆形上表面的圆半径小于阴极全凹坑基下层圆形下表面的圆半径，阴极全凹坑基下层的外侧面为向阴极全凹坑基下层中心垂直轴线凹陷的弧面形、靠近上表面的部位和阴极全凹坑基下层中心垂直轴线的距离小而远离上表面的部位和阴极全凹坑基下层中心垂直轴线的距离大；阴极全凹坑基下层中存在三角孔，三角孔内印刷的银浆层形成阴极下层直立扩伸层；阴极下层直立扩伸层和阴极长延伸银白层相互连通；阴极全凹坑基下层上的印刷的绝缘浆料层形成阴极全凹坑基中层；阴极全凹坑基中层为类圆台锥体形，阴极全凹坑基中层的下表面为圆形平面、位于阴极全凹坑基下层上表面上，阴极全凹坑基中层的下表面外边缘和阴极全凹坑基下层的上表面外边缘相重合，阴极全凹坑基中层的下表面面积等于阴极全凹坑基下层的上表面面积，阴极全凹坑基中层的下表面圆半径等于阴极全凹坑基下层的上表面圆半径，阴极全凹坑基中层中心垂直轴线垂直于后抗真空压硬质平板，阴极全凹坑基中层中心垂直轴线和阴极全凹坑基下层中心垂直轴线相重合，阴极全凹坑基中层的下表面中心位于阴极全凹坑基中层中心垂直轴线上，阴极全凹坑基中层的上表面为圆形平面、且和阴极全凹坑基中层的下表面相平行，阴极全凹坑基中层的上表面中心位于阴极全凹坑基中层中心垂直轴线上，阴极全凹坑基中层的上表面面积小于阴极全凹坑基中层的下表面面积，阴极全凹坑基中层的圆形上表面圆半径小于阴极全凹坑基中层的圆形下表面圆半径，阴极全凹坑基中层的外侧面为向阴极全凹坑基中层中心垂直轴线凹陷的弧面形、靠近上表面的部位和阴极全凹坑基中层中心垂直轴线的距离小而远离上表面的部位和阴极全凹坑基中层中心垂直轴线的距离大，阴极全凹坑基中层的高度小于阴极全凹坑基中层圆形下表面的圆直径；阴极全凹坑基中层中存在三角孔，三角孔内印刷的银浆层形成阴极中层直立扩伸层；阴极中层直立扩伸层和阴极下层直立扩伸层相互连通；阴极全凹坑基中层上表面上的印刷的绝缘浆料层形成阴极全凹坑基上层；阴极全凹坑基上层为类环三角体形，阴极全凹坑基上层的下表面为圆环形平面、位于阴极全凹坑基中层上表面上，阴极全凹坑基上层的下表面外边缘和阴极全凹坑基中层的上表面外边缘相重合，阴极全凹坑基上层圆环形下表面的外圆半径等于阴极全凹坑基中层的上表面圆半径，阴极全凹坑基上层中心垂直轴线垂直于后抗真空压硬质平板，阴极全凹坑基上层中心垂直轴线和阴极全凹坑基下层中心垂直轴线相重合，阴极全凹坑基上层的下表面中心位于阴极全凹坑基上层中心垂直轴线上，阴极全凹坑基上层的下表面中存在圆形孔、圆形孔中暴露出阴极全凹坑基中层的阴极中层直立扩伸层，阴极全凹坑基上层的内侧面为倾斜的斜坡面、靠近下表面的部位的高度低而远离下表面的部位的高度高，阴极全凹坑基上层的内侧面中心位于阴极全凹坑基上层中心垂直轴线上，阴极全凹坑基上层的外侧面为向阴极全凹坑基上层中心垂直轴线凹陷的弧面形、靠近下表面的部位和阴极全凹坑基上层中心垂直轴线的距离大而远离下表面的部位和阴极全凹坑基上层中心垂直轴线的距离小，阴极全凹坑基上层的外侧面中心位于阴极全凹坑基上层中心垂直轴线上，阴极全凹坑基上层外侧面和阴极全凹坑基上层内侧面的交界线为圆环边；阴极全凹坑基上层内侧面上的印刷的银浆层形成阴极上层斜坡面扩伸层；阴极上层斜坡面扩伸层布满阴极全凹坑基上层的内侧面，阴极上层斜坡面扩伸层的外末端和阴极全凹坑基上层内侧面的外边缘相平齐；阴极上层斜坡面扩伸层和阴极中层直立扩伸层相互连通；阴极上层斜坡面扩伸层上的印刷的绝缘浆料层形成阴极全凹坑基顶层；阴极全凹坑基顶层位于阴极上层斜坡面扩伸层上，阴极全凹坑基顶层中心垂直轴线垂直于后抗真空压硬质平板，阴极全凹坑基顶层中心垂直轴线和阴极全凹坑基下层中心垂直轴线相重合，阴极全凹坑基顶层的上表面为向阴极全凹坑基顶层内部凹陷的曲面、靠近阴极全凹坑基顶层中心垂直轴线的高度低而远离阴极全凹坑基顶层中心垂直轴线的高度高；阴极全凹坑基下层外侧面上的刻蚀的金属层形成阴极曲底转接低层；阴极曲底转接低层布满阴极全凹坑基下层外侧面，阴极曲底转接低层的弧面上端朝向阴极全凹坑基下层上表面方向、且阴极曲底转接低层的弧面上边缘和阴极全凹坑基下层上表面外边缘相平齐，阴极曲底转接低层的弧面上边缘为圆环边，阴极曲底转接低层的弧面下端朝向阴极全凹坑基下层下表面方向、且阴极曲底转接低层的弧面下边缘和阴极长延伸银白层相连接，阴极曲底转接低层的弧面下边缘为圆环边；阴极曲底转接低层和阴极长延伸银白层相互连通；阴极全凹坑基上层外侧面上的刻蚀的金属层形成阴极曲底转接高层；阴极曲底转接高层布满阴极全凹坑基上层外侧面，阴极曲底转接高层的弧面下端朝向阴极全凹坑基上层下表面方向、且阴极曲底转接高层的弧面下边缘为带有向内凹陷尖刺豁口和向外凸起尖刺豁口交替排列的类环形，阴极曲底转接高层的弧面上端朝向远离阴极全凹坑基上层上表面方向、且阴极曲底转接高层的弧面上边缘和阴极上层斜坡面扩伸层外边缘相连接，阴极曲底转接高层的弧面上边缘为圆环边；阴极曲底转接高层和阴极上层斜坡面扩伸层相互连通；深黑阻光层上的印刷的绝缘浆料层形成门极全凹坑基一层；门极全凹坑基一层的下表面为平面、位于深黑阻光层上；门极全凹坑基一层中存在圆形孔，圆形孔中暴露出阴极全凹坑基下层、阴极全凹坑基中层、阴极全凹坑基上层、阴极全凹坑基顶层、阴极曲底转接低层和阴极曲底转接高层；门极全凹坑基一层圆形孔在门极全凹坑基一层上、下表面形成的截面为中空圆面；门极全凹坑基一层上表面的印刷的银浆层形成门极叉角撑电极下层；门极叉角撑电极下层为倾斜的向下凹陷的曲面形，门极叉角撑电极下层的前端朝向门极全凹坑基一层圆形孔方向、而后端朝向远离圆形孔方向，门极叉角撑电极下层的前末端和圆形孔内侧壁相平齐，门极叉角撑电极下层的前端高度低而后端高度高；门极叉角撑电极下层上的印刷的绝缘浆料层形成门极全凹坑基二层；门极全凹坑基二层侧面上的印刷的银浆层形成门极叉角撑电极中后斜面层；门极叉角撑电极中后斜面层为倾斜的坡面形，门极叉角撑电极中后斜面层的前端朝向圆形孔方向、而后端朝向远离圆形孔方向，门极叉角撑电极中后斜面层的前端高度高而后端高度低，门极叉角撑电极中后斜面层的后末端和门极叉角撑电极下层相连接；门极叉角撑电极中后斜面层和门极叉角撑电极下层相互连通；门极全凹坑基二层侧面上的再次印刷的银浆层形成门极叉角撑电极中前斜面层；门极叉角撑电极中前斜面层为倾斜的坡面形，门极叉角撑电极中前斜面层的前端朝向圆形孔方向、而后端朝向远离圆形孔方向，门极叉角撑电极中前斜面层的前端高度低而后端高度高，门极叉角撑电极中前斜面层的前末端和门极叉角撑电极下层相连接；门极叉角撑电极中前斜面层和门极叉角撑电极下层相互连通；门极叉角撑电极下层和门极叉角撑电极中后斜面层上的印刷的绝缘浆料层形成门极全凹坑基三层；门极叉角撑电极下层和门极叉角撑电极中前斜面层上的印刷的绝缘浆料层形成门极全凹坑基四层；门极全凹坑基二层、门极全凹坑基三层和门极全凹坑基四层上的印刷的银浆层形成门极叉角撑电极中上曲面层；门极叉角撑电极中上曲面层为中间部位向下凹陷的曲面形，门极叉角撑电极中后斜面层的前末端和门极叉角撑电极中上曲面层相连接，门极叉角撑电极中前斜面层的后末端和门极叉角撑电极中上曲面层相连接；门极叉角撑电极中前斜面层和门极叉角撑电极中上曲面层相互连通；门极叉角撑电极中后斜面层和门极叉角撑电极中上曲面层相互连通；门极叉角撑电极中上曲面层上的印刷的绝缘浆料层形成门极全凹坑基五层；门极全凹坑基三层、门极全凹坑基四层和门极全凹坑基五层上的印刷的银浆层形成门极叉角撑电极上层；门极叉角撑电极上层为向上凸起的曲面形，门极叉角撑电极上层的前端朝向圆形孔方向、而后端朝向远离圆形孔方向，门极叉角撑电极上层的前末端和圆形孔内侧壁相平齐，门极叉角撑电极上层的中间部位高度高而两端部位高度低，门极叉角撑电极上层的后末端和门极叉角撑电极下层的后末端相连接，门极叉角撑电极中上曲面层的前末端和门极叉角撑电极上层相连接，门极叉角撑电极中上曲面层的后末端和门极叉角撑电极上层相连接；门极叉角撑电极上层和门极叉角撑电极下层相互连通；门极叉角撑电极上层和门极叉角撑电极中上曲面层相互连通；深黑阻光层上的印刷的绝缘浆料层形成门极全凹坑基周围层；门极全凹坑基周围层的下表面为平面、位于深黑阻光层上；门极全凹坑基周围层上的印刷的银浆层形成门极长延伸银白层；门极长延伸银白层和门极叉角撑电极上层的后末端、门极叉角撑电极下层的后末端相连接；门极长延伸银白层和门极叉角撑电极上层相互连通；门极叉角撑电极下层和门极长延伸银白层相互连通；门极叉角撑电极上层上的印刷的绝缘浆料层形成门极全凹坑基六层；碳纳米管制备在阴极曲底转接低层和阴极曲底转接高层上。

3.根据权利要求2所述的三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的发光显示器，其特征在于：所述三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的固定位置为后抗真空压硬质平板；阴极曲底转接低层为金属银、镍、钼、铜、铝、铬或锡；阴极曲底转接高层为金属银、镍、钼、铜、铝、铬或锡。

4.根据权利要求1所述的三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的发光显示器的制作方法，其特征在于包括以下步骤：

1)后抗真空压硬质平板的制作：对平面钠钙玻璃进行划割，形成后抗真空压硬质平板；

2)深黑阻光层的制作：在后抗真空压硬质平板上印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成深黑阻光层；

3)阴极长延伸银白层的制作：在深黑阻光层上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极长延伸银白层；

4)阴极全凹坑基下层的制作：在阴极长延伸银白层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成阴极全凹坑基下层；

5)阴极下层直立扩伸层的制作：在阴极全凹坑基下层三角孔内印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极下层直立扩伸层；

6)阴极全凹坑基中层的制作：在阴极全凹坑基下层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成阴极全凹坑基中层；

7)阴极中层直立扩伸层的制作：在阴极全凹坑基中层三角孔内印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极中层直立扩伸层；

8)阴极全凹坑基上层的制作：在阴极全凹坑基中层上表面上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成阴极全凹坑基上层；

9)阴极上层斜坡面扩伸层的制作：在阴极全凹坑基上层内侧面上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极上层斜坡面扩伸层；

10)阴极全凹坑基顶层的制作：在阴极上层斜坡面扩伸层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成阴极全凹坑基顶层；

11)阴极曲底转接低层的制作：在阴极全凹坑基下层外侧面上制备出一个金属镍层，刻蚀后形成阴极曲底转接低层；

12)阴极曲底转接高层的制作：在阴极全凹坑基上层外侧面上制备出一个金属镍层，刻蚀后形成阴极曲底转接高层；

13)门极全凹坑基一层的制作：在深黑阻光层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极全凹坑基一层；

14)门极叉角撑电极下层的制作：在门极全凹坑基一层上表面印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极叉角撑电极下层；

15)门极全凹坑基二层的制作：在门极叉角撑电极下层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极全凹坑基二层；

16)门极叉角撑电极中后斜面层的制作：在门极全凹坑基二层侧面上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极叉角撑电极中后斜面层；

17)门极叉角撑电极中前斜面层的制作：在门极全凹坑基二层侧面上的再次印刷的银浆层形成门极叉角撑电极中前斜面层；

18)门极全凹坑基三层的制作：在门极叉角撑电极下层和门极叉角撑电极中后斜面层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极全凹坑基三层；

19)门极全凹坑基四层的制作：在门极叉角撑电极下层和门极叉角撑电极中前斜面层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极全凹坑基四层；

20)门极叉角撑电极中上曲面层的制作：在门极全凹坑基二层、门极全凹坑基三层和门极全凹坑基四层上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极叉角撑电极中上曲面层；

21)门极全凹坑基五层的制作：在门极叉角撑电极中上曲面层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极全凹坑基五层；

22)门极叉角撑电极上层的制作：在门极全凹坑基三层、门极全凹坑基四层和门极全凹坑基五层上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极叉角撑电极上层；

23)门极全凹坑基周围层的制作：在深黑阻光层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极全凹坑基周围层；

24)门极长延伸银白层的制作：在门极全凹坑基周围层上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极长延伸银白层；

25)门极全凹坑基六层的制作：在门极叉角撑电极上层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极全凹坑基六层；

26)三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的清洁：对三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；

27)碳纳米管层的制作：将碳纳米管制备在阴极曲底转接低层和阴极曲底转接高层上，形成碳纳米管层；

28)碳纳米管层的处理：对碳纳米管层进行后处理，改善其场发射特性；

29)前抗真空压硬质平板的制作：对平面钠钙玻璃进行划割，形成前抗真空压硬质平板；

30)阳极薄氧化物透射方层的制作：对覆盖于前抗真空压硬质平板表面的锡铟氧化物膜层进行刻蚀，形成阳极薄氧化物透射方层；

31)阳极长延伸银白层的制作：在前抗真空压硬质平板上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极长延伸银白层；

32)荧光粉层的制作：在阳极薄氧化物透射方层上印刷荧光粉，经烘烤工艺后形成荧光粉层；

33)显示器器件装配：将消气剂安装固定在前抗真空压硬质平板的非显示区域；然后，将前抗真空压硬质平板、后抗真空压硬质平板、透明玻璃框和薄消隐壁装配到一起，用夹子固定；

34)显示器器件封装：对已经装配的显示器器件进行封装工艺形成成品件。

5.根据权利要求4所述的三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的发光显示器的制作方法，其特征在于：所述步骤31中，在前抗真空压硬质平板的非显示区域印刷银浆，经过烘烤之后，最高烘烤温度：150ºC，最高烘烤温度保持时间：5分钟，放置在烧结炉中进行烧结，最高烧结温度：532 ºC，最高烧结温度保持时间：10分钟。

6.根据权利要求4所述的三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的发光显示器的制作方法，其特征在于：所述步骤32中，在前抗真空压硬质平板的阳极薄氧化物透射方层上印刷荧光粉，然后放置在烘箱中进行烘烤，最高烘烤温度：135ºC，最高烘烤温度保持时间：8分钟,。

7.根据权利要求4所述的三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的发光显示器的制作方法，其特征在于：所述步骤34中，对已装配的显示器器件进行如下的封装工艺：将显示器器件放入烘箱中进行烘烤；放入烧结炉中进行烧结；在排气台上进行器件排气、封离；在烤消机上对消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域、纳米科学与技术领域、集成电路科学与技术领域、微电子科学与技术领域、真空科学与技术领域以及光电子科学与技术领域的相互交叉领域，涉及到平面场发射发光显示器的制作，具体涉及到碳纳米管阴极的平面场发射发光显示器的制作，特别涉及到一种三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的发光显示器及其制作工艺。

背景技术

碳纳米管是一种半导体材料，在真空环境下，仅需外加的高电场强度就能够进行发射电子。在充分利用这一现象的基础上，碳纳米管被成功应用于场发射发光显示器中，成为了优秀的冷阴极。在制作工艺方面，由于丝网印刷工艺的引入，使得制作大面积的、图案化的碳纳米管层变得很容易，这更加极大促进了场发射发光显示器的研究进展。在三极结构的场发射发光显示器中，由于门极和碳纳米管阴极的距离更小，故而门极工作电压也更低，这十分有助于降低场发射发光显示器的功率损耗、减小场发射发光显示器的驱动电路费用。但是，随着门极结构的加入，场发射发光显示器的制作变得有些复杂，还存在着大量悬而未决的技术难题。例如，其一，门极和碳纳米管阴极的制作问题。门极主要是用于调控电子发射的，而碳纳米管阴极主要是进行电子发射的，这是两种截然不同的结构，其制作工艺也大不相同。门极结构的制作工艺和碳纳米管阴极的制作工艺会相互影响，在严重情况下后续工序会直接导致前续已制作的结构失效。因而，如何解决这两种结构的相互影响问题，还需要进行综合研发。其二，碳纳米管层的电子发射效率问题。在碳纳米管层中，能够有效进行场电子发射的碳纳米管的数量并不多，有的碳纳米管发射电子数量很少，还有的碳纳米管根本就不发射电子，这样，就造成碳纳米管阴极的电子发射效率非常低下；同时再加之碳纳米管的制作面积小等因素，故而碳纳米管阴极不足以提供足够的电子，那么场发射发光显示器也就无法获得足够的电流。如何让碳纳米管阴极提供更多的阴极电子呢，这需要仔细考虑。其三，门极调控问题。当在门极上施加适当电压后，或者是碳纳米管更本就不发射电子，或者是碳纳米管虽然进行了电子发射、但其发射电子数量的多少并不受门极电压的调制，这都是门极功能失效的具体体现。如何制作具有更好调控性能的门极，还需要进行认真研究。此外，场发射发光显示器的制作费用要低，过高的、或者过于昂贵的场发射发光显示器，是无法走向显示市场并适应实际产品需求的。

发明内容

发明目的：本发明的目的在于克服上述发光显示器中存在的缺陷和不足而提供一种阳极电流大的、发光灰度可调节性能优异的、制作工艺可靠的、响应时间短的、发光亮度高的带有三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的发光显示器的显示器制作及其制作工艺。

技术方案：为解决上述技术问题，本发明提供的三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的发光显示器，包括由后抗真空压硬质平板、前抗真空压硬质平板和透明玻璃框所构成的真空室；在前抗真空压硬质平板上有阳极薄氧化物透射方层、与阳极薄氧化物透射方层相连的阳极长延伸银白层以及制备在阳极薄氧化物透射方层上面的荧光粉层；在后抗真空压硬质平板上有三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构；位于真空室的消气剂和薄消隐壁附属元件。

具体地，所述的三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的衬底材料为玻璃，可以为钠钙玻璃、硼硅玻璃，也就是后抗真空压硬质平板；后抗真空压硬质平板上的印刷的绝缘浆料层形成深黑阻光层；深黑阻光层上的印刷的银浆层形成阴极长延伸银白层；阴极长延伸银白层上的印刷的绝缘浆料层形成阴极全凹坑基下层；阴极全凹坑基下层为类圆台锥体形，阴极全凹坑基下层的下表面为圆形平面、位于阴极长延伸银白层上，阴极全凹坑基下层中心垂直轴线垂直于后抗真空压硬质平板，阴极全凹坑基下层的下表面中心位于阴极全凹坑基下层中心垂直轴线上，阴极全凹坑基下层的上表面为圆形平面、且和阴极全凹坑基下层的下表面相互平行，阴极全凹坑基下层的上表面中心位于阴极全凹坑基下层中心垂直轴线上，阴极全凹坑基下层的上表面面积小于阴极全凹坑基下层的下表面面积，阴极全凹坑基下层圆形上表面的圆半径小于阴极全凹坑基下层圆形下表面的圆半径，阴极全凹坑基下层的外侧面为向阴极全凹坑基下层中心垂直轴线凹陷的弧面形、靠近上表面的部位和阴极全凹坑基下层中心垂直轴线的距离小而远离上表面的部位和阴极全凹坑基下层中心垂直轴线的距离大；阴极全凹坑基下层中存在三角孔，三角孔内印刷的银浆层形成阴极下层直立扩伸层；阴极下层直立扩伸层和阴极长延伸银白层相互连通；阴极全凹坑基下层上的印刷的绝缘浆料层形成阴极全凹坑基中层；阴极全凹坑基中层为类圆台锥体形，阴极全凹坑基中层的下表面为圆形平面、位于阴极全凹坑基下层上表面上，阴极全凹坑基中层的下表面外边缘和阴极全凹坑基下层的上表面外边缘相重合，阴极全凹坑基中层的下表面面积等于阴极全凹坑基下层的上表面面积，阴极全凹坑基中层的下表面圆半径等于阴极全凹坑基下层的上表面圆半径，阴极全凹坑基中层中心垂直轴线垂直于后抗真空压硬质平板，阴极全凹坑基中层中心垂直轴线和阴极全凹坑基下层中心垂直轴线相重合，阴极全凹坑基中层的下表面中心位于阴极全凹坑基中层中心垂直轴线上，阴极全凹坑基中层的上表面为圆形平面、且和阴极全凹坑基中层的下表面相平行，阴极全凹坑基中层的上表面中心位于阴极全凹坑基中层中心垂直轴线上，阴极全凹坑基中层的上表面面积小于阴极全凹坑基中层的下表面面积，阴极全凹坑基中层的圆形上表面圆半径小于阴极全凹坑基中层的圆形下表面圆半径，阴极全凹坑基中层的外侧面为向阴极全凹坑基中层中心垂直轴线凹陷的弧面形、靠近上表面的部位和阴极全凹坑基中层中心垂直轴线的距离小而远离上表面的部位和阴极全凹坑基中层中心垂直轴线的距离大，阴极全凹坑基中层的高度小于阴极全凹坑基中层圆形下表面的圆直径；阴极全凹坑基中层中存在三角孔，三角孔内印刷的银浆层形成阴极中层直立扩伸层；阴极中层直立扩伸层和阴极下层直立扩伸层相互连通；阴极全凹坑基中层上表面上的印刷的绝缘浆料层形成阴极全凹坑基上层；阴极全凹坑基上层为类环三角体形，阴极全凹坑基上层的下表面为圆环形平面、位于阴极全凹坑基中层上表面上，阴极全凹坑基上层的下表面外边缘和阴极全凹坑基中层的上表面外边缘相重合，阴极全凹坑基上层圆环形下表面的外圆半径等于阴极全凹坑基中层的上表面圆半径，阴极全凹坑基上层中心垂直轴线垂直于后抗真空压硬质平板，阴极全凹坑基上层中心垂直轴线和阴极全凹坑基下层中心垂直轴线相重合，阴极全凹坑基上层的下表面中心位于阴极全凹坑基上层中心垂直轴线上，阴极全凹坑基上层的下表面中存在圆形孔、圆形孔中暴露出阴极全凹坑基中层的阴极中层直立扩伸层，阴极全凹坑基上层的内侧面为倾斜的斜坡面、靠近下表面的部位的高度低而远离下表面的部位的高度高，阴极全凹坑基上层的内侧面中心位于阴极全凹坑基上层中心垂直轴线上，阴极全凹坑基上层的外侧面为向阴极全凹坑基上层中心垂直轴线凹陷的弧面形、靠近下表面的部位和阴极全凹坑基上层中心垂直轴线的距离大而远离下表面的部位和阴极全凹坑基上层中心垂直轴线的距离小，阴极全凹坑基上层的外侧面中心位于阴极全凹坑基上层中心垂直轴线上，阴极全凹坑基上层外侧面和阴极全凹坑基上层内侧面的交界线为圆环边；阴极全凹坑基上层内侧面上的印刷的银浆层形成阴极上层斜坡面扩伸层；阴极上层斜坡面扩伸层布满阴极全凹坑基上层的内侧面，阴极上层斜坡面扩伸层的外末端和阴极全凹坑基上层内侧面的外边缘相平齐；阴极上层斜坡面扩伸层和阴极中层直立扩伸层相互连通；阴极上层斜坡面扩伸层上的印刷的绝缘浆料层形成阴极全凹坑基顶层；阴极全凹坑基顶层位于阴极上层斜坡面扩伸层上，阴极全凹坑基顶层中心垂直轴线垂直于后抗真空压硬质平板，阴极全凹坑基顶层中心垂直轴线和阴极全凹坑基下层中心垂直轴线相重合，阴极全凹坑基顶层的上表面为向阴极全凹坑基顶层内部凹陷的曲面、靠近阴极全凹坑基顶层中心垂直轴线的高度低而远离阴极全凹坑基顶层中心垂直轴线的高度高；阴极全凹坑基下层外侧面上的刻蚀的金属层形成阴极曲底转接低层；阴极曲底转接低层布满阴极全凹坑基下层外侧面，阴极曲底转接低层的弧面上端朝向阴极全凹坑基下层上表面方向、且阴极曲底转接低层的弧面上边缘和阴极全凹坑基下层上表面外边缘相平齐，阴极曲底转接低层的弧面上边缘为圆环边，阴极曲底转接低层的弧面下端朝向阴极全凹坑基下层下表面方向、且阴极曲底转接低层的弧面下边缘和阴极长延伸银白层相连接，阴极曲底转接低层的弧面下边缘为圆环边；阴极曲底转接低层和阴极长延伸银白层相互连通；阴极全凹坑基上层外侧面上的刻蚀的金属层形成阴极曲底转接高层；阴极曲底转接高层布满阴极全凹坑基上层外侧面，阴极曲底转接高层的弧面下端朝向阴极全凹坑基上层下表面方向、且阴极曲底转接高层的弧面下边缘为带有向内凹陷尖刺豁口和向外凸起尖刺豁口交替排列的类环形，阴极曲底转接高层的弧面上端朝向远离阴极全凹坑基上层上表面方向、且阴极曲底转接高层的弧面上边缘和阴极上层斜坡面扩伸层外边缘相连接，阴极曲底转接高层的弧面上边缘为圆环边；阴极曲底转接高层和阴极上层斜坡面扩伸层相互连通；深黑阻光层上的印刷的绝缘浆料层形成门极全凹坑基一层；门极全凹坑基一层的下表面为平面、位于深黑阻光层上；门极全凹坑基一层中存在圆形孔，圆形孔中暴露出阴极全凹坑基下层、阴极全凹坑基中层、阴极全凹坑基上层、阴极全凹坑基顶层、阴极曲底转接低层和阴极曲底转接高层；门极全凹坑基一层圆形孔在门极全凹坑基一层上、下表面形成的截面为中空圆面；门极全凹坑基一层上表面的印刷的银浆层形成门极叉角撑电极下层；门极叉角撑电极下层为倾斜的向下凹陷的曲面形，门极叉角撑电极下层的前端朝向门极全凹坑基一层圆形孔方向、而后端朝向远离圆形孔方向，门极叉角撑电极下层的前末端和圆形孔内侧壁相平齐、不向圆形孔突出，门极叉角撑电极下层的前端高度低而后端高度高；门极叉角撑电极下层上的印刷的绝缘浆料层形成门极全凹坑基二层；门极全凹坑基二层侧面上的印刷的银浆层形成门极叉角撑电极中后斜面层；门极叉角撑电极中后斜面层为倾斜的坡面形，门极叉角撑电极中后斜面层的前端朝向圆形孔方向、而后端朝向远离圆形孔方向，门极叉角撑电极中后斜面层的前端高度高而后端高度低，门极叉角撑电极中后斜面层的后末端和门极叉角撑电极下层相连接；门极叉角撑电极中后斜面层和门极叉角撑电极下层相互连通；门极全凹坑基二层侧面上的再次印刷的银浆层形成门极叉角撑电极中前斜面层；门极叉角撑电极中前斜面层为倾斜的坡面形，门极叉角撑电极中前斜面层的前端朝向圆形孔方向、而后端朝向远离圆形孔方向，门极叉角撑电极中前斜面层的前端高度低而后端高度高，门极叉角撑电极中前斜面层的前末端和门极叉角撑电极下层相连接；门极叉角撑电极中前斜面层和门极叉角撑电极下层相互连通；门极叉角撑电极下层和门极叉角撑电极中后斜面层上的印刷的绝缘浆料层形成门极全凹坑基三层；门极叉角撑电极下层和门极叉角撑电极中前斜面层上的印刷的绝缘浆料层形成门极全凹坑基四层；门极全凹坑基二层、门极全凹坑基三层和门极全凹坑基四层上的印刷的银浆层形成门极叉角撑电极中上曲面层；门极叉角撑电极中上曲面层为中间部位向下凹陷的曲面形，门极叉角撑电极中后斜面层的前末端和门极叉角撑电极中上曲面层相连接，门极叉角撑电极中前斜面层的后末端和门极叉角撑电极中上曲面层相连接；门极叉角撑电极中前斜面层和门极叉角撑电极中上曲面层相互连通；门极叉角撑电极中后斜面层和门极叉角撑电极中上曲面层相互连通；门极叉角撑电极中上曲面层上的印刷的绝缘浆料层形成门极全凹坑基五层；门极全凹坑基三层、门极全凹坑基四层和门极全凹坑基五层上的印刷的银浆层形成门极叉角撑电极上层；门极叉角撑电极上层为向上凸起的曲面形，门极叉角撑电极上层的前端朝向圆形孔方向、而后端朝向远离圆形孔方向，门极叉角撑电极上层的前末端和圆形孔内侧壁相平齐、不向圆形孔突出，门极叉角撑电极上层的中间部位高度高而两端部位高度低，门极叉角撑电极上层的后末端和门极叉角撑电极下层的后末端相连接，门极叉角撑电极中上曲面层的前末端和门极叉角撑电极上层相连接，门极叉角撑电极中上曲面层的后末端和门极叉角撑电极上层相连接；门极叉角撑电极上层和门极叉角撑电极下层相互连通；门极叉角撑电极上层和门极叉角撑电极中上曲面层相互连通；深黑阻光层上的印刷的绝缘浆料层形成门极全凹坑基周围层；门极全凹坑基周围层的下表面为平面、位于深黑阻光层上；门极全凹坑基周围层上的印刷的银浆层形成门极长延伸银白层；门极长延伸银白层和门极叉角撑电极上层的后末端、门极叉角撑电极下层的后末端相连接；门极长延伸银白层和门极叉角撑电极上层相互连通；门极叉角撑电极下层和门极长延伸银白层相互连通；门极叉角撑电极上层上的印刷的绝缘浆料层形成门极全凹坑基六层；碳纳米管制备在阴极曲底转接低层和阴极曲底转接高层上。

具体地，所述的三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的固定位置为后抗真空压硬质平板；阴极曲底转接低层可以为金属银、镍、钼、铜、铝、铬、锡；阴极曲底转接高层可以为金属银、镍、钼、铜、铝、铬、锡。

本发明同时提出带有三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的发光显示器的制作工艺，包括以下步骤：

1)后抗真空压硬质平板的制作：对平面钠钙玻璃进行划割，形成后抗真空压硬质平板；

2)深黑阻光层的制作：在后抗真空压硬质平板上印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成深黑阻光层；

3)阴极长延伸银白层的制作：在深黑阻光层上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极长延伸银白层；

4)阴极全凹坑基下层的制作：在阴极长延伸银白层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成阴极全凹坑基下层；

5)阴极下层直立扩伸层的制作：在阴极全凹坑基下层三角孔内印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极下层直立扩伸层；

6)阴极全凹坑基中层的制作：在阴极全凹坑基下层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成阴极全凹坑基中层；

7)阴极中层直立扩伸层的制作：在阴极全凹坑基中层三角孔内印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极中层直立扩伸层；

8)阴极全凹坑基上层的制作：在阴极全凹坑基中层上表面上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成阴极全凹坑基上层；

9)阴极上层斜坡面扩伸层的制作：在阴极全凹坑基上层内侧面上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极上层斜坡面扩伸层；

10)阴极全凹坑基顶层的制作：在阴极上层斜坡面扩伸层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成阴极全凹坑基顶层；

11)阴极曲底转接低层的制作：在阴极全凹坑基下层外侧面上制备出一个金属镍层，刻蚀后形成阴极曲底转接低层；

12)阴极曲底转接高层的制作：在阴极全凹坑基上层外侧面上制备出一个金属镍层，刻蚀后形成阴极曲底转接高层；

13)门极全凹坑基一层的制作：在深黑阻光层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极全凹坑基一层；

14)门极叉角撑电极下层的制作：在门极全凹坑基一层上表面印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极叉角撑电极下层；

15)门极全凹坑基二层的制作：在门极叉角撑电极下层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极全凹坑基二层；

16)门极叉角撑电极中后斜面层的制作：在门极全凹坑基二层侧面上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极叉角撑电极中后斜面层；

17)门极叉角撑电极中前斜面层的制作：在门极全凹坑基二层侧面上的再次印刷的银浆层形成门极叉角撑电极中前斜面层；

18)门极全凹坑基三层的制作：在门极叉角撑电极下层和门极叉角撑电极中后斜面层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极全凹坑基三层；

19)门极全凹坑基四层的制作：在门极叉角撑电极下层和门极叉角撑电极中前斜面层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极全凹坑基四层；

20)门极叉角撑电极中上曲面层的制作：在门极全凹坑基二层、门极全凹坑基三层和门极全凹坑基四层上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极叉角撑电极中上曲面层；

21)门极全凹坑基五层的制作：在门极叉角撑电极中上曲面层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极全凹坑基五层；

22)门极叉角撑电极上层的制作：在门极全凹坑基三层、门极全凹坑基四层和门极全凹坑基五层上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极叉角撑电极上层；

23)门极全凹坑基周围层的制作：在深黑阻光层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极全凹坑基周围层；

24)门极长延伸银白层的制作：在门极全凹坑基周围层上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极长延伸银白层；

25)门极全凹坑基六层的制作：在门极叉角撑电极上层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极全凹坑基六层；

26)三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的清洁：对三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；

27)碳纳米管层的制作：将碳纳米管制备在阴极曲底转接低层和阴极曲底转接高层上，形成碳纳米管层；

28)碳纳米管层的处理：对碳纳米管层进行后处理，改善其场发射特性；

29)前抗真空压硬质平板的制作：对平面钠钙玻璃进行划割，形成前抗真空压硬质平板；

30)阳极薄氧化物透射方层的制作：对覆盖于前抗真空压硬质平板表面的锡铟氧化物膜层进行刻蚀，形成阳极薄氧化物透射方层；

31)阳极长延伸银白层的制作：在前抗真空压硬质平板上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极长延伸银白层；

32)荧光粉层的制作：在阳极薄氧化物透射方层上印刷荧光粉，经烘烤工艺后形成荧光粉层；

33)显示器器件装配：将消气剂安装固定在前抗真空压硬质平板的非显示区域；然后，将前抗真空压硬质平板、后抗真空压硬质平板、透明玻璃框和薄消隐壁装配到一起，用夹子固定；

34)显示器器件封装：对已经装配的显示器器件进行封装工艺形成成品件。

具体地，所述步骤31中，在前抗真空压硬质平板的非显示区域印刷银浆，经过烘烤(最高烘烤温度：150ºC，最高烘烤温度保持时间：5分钟)之后，放置在烧结炉中进行烧结(最高烧结温度：532 ºC，最高烧结温度保持时间：10分钟)。

具体地，所述步骤32中，在前抗真空压硬质平板的阳极薄氧化物透射方层上印刷荧光粉，然后放置在烘箱中进行烘烤(最高烘烤温度：135ºC，最高烘烤温度保持时间：8分钟)。

具体地，所述步骤34中，对已装配的显示器器件进行如下的封装工艺：将显示器器件放入烘箱中进行烘烤；放入烧结炉中进行烧结；在排气台上进行器件排气、封离；在烤消机上对消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

有益效果：本发明具备以下显著的进步：

首先，在所述的三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构中，将三线交叉角支撑银弧门极和全凹坑面曲底阴极进行了集成化制作。在制作过程中，充分考虑到了交叉角支撑银弧门极和全凹坑面曲底阴极两种结构的特点，并进行了集成化制作，这样，既确保了这两种结构能够顺利的被制作，同时还能够将两种结构制作工艺的影响降低到最小程度。同时，将碳纳米层的制备工艺作为最后一道工序，既保证能成功制备出碳纳米管层，又能让碳纳米管层免于受到污染和损害，从而能形成场发射发光显示器的优质冷阴极。通过这些采取的措施，十分有助于提升场发射发光显示器的制作成功率、增大场发射发光显示器的阳极电流、减小场发射发光显示器的制作费用、改善场发射发光显示器的发光亮度。

其次，在所述的三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构中，碳纳米管制作在了阴极曲底转接低层和阴极曲底转接高层上。阴极曲底转接低层的弧面上边缘和弧面下边缘均为圆环边，具有很大的电极边沿；同时，阴极曲底转接高层的弧面上边缘为圆环边、弧面下边缘为带有向内凹陷尖刺豁口和向外凸起尖刺豁口交替排列的类环形，也具有非常大的电极边沿；而碳纳米管就是制备在阴极曲底转接低层和阴极曲底转接高层上。这样，一方面，可以充分利用场发射发光显示器中特有的“边缘电场增强”现象，处于电极边沿位置的碳纳米管能够获得更大的电场强度，从而发射出更多的阴极电子；另一方面，碳纳米管的制作面积被有效扩大了，能够有更多的碳纳米管参与到场电子发射中，使得场发射发光显示器能够获得更大的工作电流。这对于提高场发射发光显示器的发光亮度、改善场发射发光显示器的发光灰度可调节性、增大场发射发光显示器的阳极电流，都是十分有益的。

第三，在所述的三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构中，制作了三线交叉角支撑银弧门极。在三线交叉角支撑银弧门极中，门极叉角撑电极上层和门极叉角撑电极下层主要负责对碳纳米管层的场电子发射进行电压调控；而门极叉角撑电极中前斜面层、门极叉角撑电极中后斜面层和门极叉角撑电极中上曲面层则是起协助作用，一方面能够辅助门极叉角撑电极上层和门极叉角撑电极下层对碳纳米管层的电子发射进行调控，另一方面则是使得门极电势更加顺利的、更加快速的传递。这样，在门极长延伸银白层上施加适当电压后，碳纳米管层表面就会迅速形成强大电场强度，迫使碳纳米管进行大量电子发射；况且，碳纳米管层所发射的电子数量能够随着门极电压的变化而变化，这就体现了三线交叉角支撑银弧门极的强度调控功能。这有助于进一步改善场发射发光显示器的发光灰度可调节性、进一步缩短场发射发光显示器的响应时间。

此外，在三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构制作过程中，采用的制作工艺都是常规制作工艺，不牵涉特殊的制作材料，也不涉及特定的制作设备，再加之可靠且可行的制作工序，从而能够极大降低场发射发光显示器的制作费用。

除了上面所述的本发明解决的技术问题、构成技术方案的技术特征以及由这些技术方案的技术特征所带来的优点外，本发明的三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的发光显示器所能解决的其他技术问题、技术方案中包含的其他技术特征以及这些技术特征带来的优点，将结合附图做出进一步详细的说明。

附图说明

图1是本发明实施例中单个三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的纵向结构示意图；

图2是本发明实施例中三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的横向结构示意图；

图3是本发明实施例中三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的发光显示器的结构示意图；

图中：后抗真空压硬质平板1、深黑阻光层2、阴极长延伸银白层3、阴极全凹坑基下层4、阴极下层直立扩伸层5、阴极全凹坑基中层6、阴极中层直立扩伸层7、阴极全凹坑基上层8、阴极上层斜坡面扩伸层9、阴极全凹坑基顶层10、阴极曲底转接低层11、阴极曲底转接高层12、门极全凹坑基一层13、门极叉角撑电极下层14、门极全凹坑基二层15、门极叉角撑电极中后斜面层16、门极叉角撑电极中前斜面层17、门极全凹坑基三层18、门极全凹坑基四层19、门极叉角撑电极中上曲面层20、门极全凹坑基五层21、门极叉角撑电极上层22、门极全凹坑基周围层23、门极长延伸银白层24、门极全凹坑基六层25、碳纳米管层26、前抗真空压硬质平板27、阳极薄氧化物透射方层28、、阳极长延伸银白层29、荧光粉层30、消气剂31、透明玻璃框32。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进行进一步说明，但本发明并不局限于本实施例。

本实施例的三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的发光显示器如图1、图2和图3所示，包括由后抗真空压硬质平板1、前抗真空压硬质平板27和透明玻璃框32所构成的真空室；在前抗真空压硬质平板27上有阳极薄氧化物透射方层28、与阳极薄氧化物透射方层28相连的阳极长延伸银白层29以及制备在阳极薄氧化物透射方层28上面的荧光粉层30；在后抗真空压硬质平板1上有三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构；位于真空室的消气剂31和薄消隐壁附属元件。

三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构包括后抗真空压硬质平板1、深黑阻光层2、阴极长延伸银白层3、阴极全凹坑基下层4、阴极下层直立扩伸层5、阴极全凹坑基中层6、阴极中层直立扩伸层7、阴极全凹坑基上层8、阴极上层斜坡面扩伸层9、阴极全凹坑基顶层10、阴极曲底转接低层11、阴极曲底转接高层12、门极全凹坑基一层13、门极叉角撑电极下层14、门极全凹坑基二层15、门极叉角撑电极中后斜面层16、门极叉角撑电极中前斜面层17、门极全凹坑基三层18、门极全凹坑基四层19、门极叉角撑电极中上曲面层20、门极全凹坑基五层21、门极叉角撑电极上层22、门极全凹坑基周围层23、门极长延伸银白层24、门极全凹坑基六层25和碳纳米管层26部分。

三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的衬底材料为玻璃，可以为钠钙玻璃、硼硅玻璃，也就是后抗真空压硬质平板1；后抗真空压硬质平板1上的印刷的绝缘浆料层形成深黑阻光层2；深黑阻光层2上的印刷的银浆层形成阴极长延伸银白层3；阴极长延伸银白层3上的印刷的绝缘浆料层形成阴极全凹坑基下层4；阴极全凹坑基下层4为类圆台锥体形，阴极全凹坑基下层4的下表面为圆形平面、位于阴极长延伸银白层3上，阴极全凹坑基下层4中心垂直轴线垂直于后抗真空压硬质平板1，阴极全凹坑基下层4的下表面中心位于阴极全凹坑基下层4中心垂直轴线上，阴极全凹坑基下层4的上表面为圆形平面、且和阴极全凹坑基下层4的下表面相互平行，阴极全凹坑基下层4的上表面中心位于阴极全凹坑基下层4中心垂直轴线上，阴极全凹坑基下层4的上表面面积小于阴极全凹坑基下层4的下表面面积，阴极全凹坑基下层4圆形上表面的圆半径小于阴极全凹坑基下层4圆形下表面的圆半径，阴极全凹坑基下层4的外侧面为向阴极全凹坑基下层4中心垂直轴线凹陷的弧面形、靠近上表面的部位和阴极全凹坑基下层4中心垂直轴线的距离小而远离上表面的部位和阴极全凹坑基下层4中心垂直轴线的距离大；阴极全凹坑基下层4中存在三角孔，三角孔内印刷的银浆层形成阴极下层直立扩伸层5；阴极下层直立扩伸层5和阴极长延伸银白层3相互连通；阴极全凹坑基下层4上的印刷的绝缘浆料层形成阴极全凹坑基中层6；阴极全凹坑基中层6为类圆台锥体形，阴极全凹坑基中层6的下表面为圆形平面、位于阴极全凹坑基下层4上表面上，阴极全凹坑基中层6的下表面外边缘和阴极全凹坑基下层4的上表面外边缘相重合，阴极全凹坑基中层6的下表面面积等于阴极全凹坑基下层4的上表面面积，阴极全凹坑基中层6的下表面圆半径等于阴极全凹坑基下层4的上表面圆半径，阴极全凹坑基中层6中心垂直轴线垂直于后抗真空压硬质平板1，阴极全凹坑基中层6中心垂直轴线和阴极全凹坑基下层4中心垂直轴线相重合，阴极全凹坑基中层6的下表面中心位于阴极全凹坑基中层6中心垂直轴线上，阴极全凹坑基中层6的上表面为圆形平面、且和阴极全凹坑基中层6的下表面相平行，阴极全凹坑基中层6的上表面中心位于阴极全凹坑基中层6中心垂直轴线上，阴极全凹坑基中层6的上表面面积小于阴极全凹坑基中层6的下表面面积，阴极全凹坑基中层6的圆形上表面圆半径小于阴极全凹坑基中层6的圆形下表面圆半径，阴极全凹坑基中层6的外侧面为向阴极全凹坑基中层6中心垂直轴线凹陷的弧面形、靠近上表面的部位和阴极全凹坑基中层6中心垂直轴线的距离小而远离上表面的部位和阴极全凹坑基中层6中心垂直轴线的距离大，阴极全凹坑基中层6的高度小于阴极全凹坑基中层6圆形下表面的圆直径；阴极全凹坑基中层6中存在三角孔，三角孔内印刷的银浆层形成阴极中层直立扩伸层7；阴极中层直立扩伸层7和阴极下层直立扩伸层5相互连通；阴极全凹坑基中层6上表面上的印刷的绝缘浆料层形成阴极全凹坑基上层8；阴极全凹坑基上层8为类环三角体形，阴极全凹坑基上层8的下表面为圆环形平面、位于阴极全凹坑基中层6上表面上，阴极全凹坑基上层8的下表面外边缘和阴极全凹坑基中层6的上表面外边缘相重合，阴极全凹坑基上层8圆环形下表面的外圆半径等于阴极全凹坑基中层6的上表面圆半径，阴极全凹坑基上层8中心垂直轴线垂直于后抗真空压硬质平板1，阴极全凹坑基上层8中心垂直轴线和阴极全凹坑基下层4中心垂直轴线相重合，阴极全凹坑基上层8的下表面中心位于阴极全凹坑基上层8中心垂直轴线上，阴极全凹坑基上层8的下表面中存在圆形孔、圆形孔中暴露出阴极全凹坑基中层6的阴极中层直立扩伸层7，阴极全凹坑基上层8的内侧面为倾斜的斜坡面、靠近下表面的部位的高度低而远离下表面的部位的高度高，阴极全凹坑基上层8的内侧面中心位于阴极全凹坑基上层8中心垂直轴线上，阴极全凹坑基上层8的外侧面为向阴极全凹坑基上层8中心垂直轴线凹陷的弧面形、靠近下表面的部位和阴极全凹坑基上层8中心垂直轴线的距离大而远离下表面的部位和阴极全凹坑基上层8中心垂直轴线的距离小，阴极全凹坑基上层8的外侧面中心位于阴极全凹坑基上层8中心垂直轴线上，阴极全凹坑基上层8外侧面和阴极全凹坑基上层8内侧面的交界线为圆环边；阴极全凹坑基上层8内侧面上的印刷的银浆层形成阴极上层斜坡面扩伸层9；阴极上层斜坡面扩伸层9布满阴极全凹坑基上层8的内侧面，阴极上层斜坡面扩伸层9的外末端和阴极全凹坑基上层8内侧面的外边缘相平齐；阴极上层斜坡面扩伸层9和阴极中层直立扩伸层7相互连通；阴极上层斜坡面扩伸层9上的印刷的绝缘浆料层形成阴极全凹坑基顶层10；阴极全凹坑基顶层10位于阴极上层斜坡面扩伸层9上，阴极全凹坑基顶层10中心垂直轴线垂直于后抗真空压硬质平板1，阴极全凹坑基顶层10中心垂直轴线和阴极全凹坑基下层4中心垂直轴线相重合，阴极全凹坑基顶层10的上表面为向阴极全凹坑基顶层10内部凹陷的曲面、靠近阴极全凹坑基顶层10中心垂直轴线的高度低而远离阴极全凹坑基顶层10中心垂直轴线的高度高；阴极全凹坑基下层4外侧面上的刻蚀的金属层形成阴极曲底转接低层11；阴极曲底转接低层11布满阴极全凹坑基下层4外侧面，阴极曲底转接低层11的弧面上端朝向阴极全凹坑基下层4上表面方向、且阴极曲底转接低层11的弧面上边缘和阴极全凹坑基下层4上表面外边缘相平齐，阴极曲底转接低层11的弧面上边缘为圆环边，阴极曲底转接低层11的弧面下端朝向阴极全凹坑基下层4下表面方向、且阴极曲底转接低层11的弧面下边缘和阴极长延伸银白层3相连接，阴极曲底转接低层11的弧面下边缘为圆环边；阴极曲底转接低层11和阴极长延伸银白层3相互连通；阴极全凹坑基上层8外侧面上的刻蚀的金属层形成阴极曲底转接高层12；阴极曲底转接高层12布满阴极全凹坑基上层8外侧面，阴极曲底转接高层12的弧面下端朝向阴极全凹坑基上层8下表面方向、且阴极曲底转接高层12的弧面下边缘为带有向内凹陷尖刺豁口和向外凸起尖刺豁口交替排列的类环形，阴极曲底转接高层12的弧面上端朝向远离阴极全凹坑基上层8上表面方向、且阴极曲底转接高层12的弧面上边缘和阴极上层斜坡面扩伸层9外边缘相连接，阴极曲底转接高层12的弧面上边缘为圆环边；阴极曲底转接高层12和阴极上层斜坡面扩伸层9相互连通；深黑阻光层2上的印刷的绝缘浆料层形成门极全凹坑基一层13；门极全凹坑基一层13的下表面为平面、位于深黑阻光层2上；门极全凹坑基一层13中存在圆形孔，圆形孔中暴露出阴极全凹坑基下层4、阴极全凹坑基中层6、阴极全凹坑基上层8、阴极全凹坑基顶层10、阴极曲底转接低层11和阴极曲底转接高层12；门极全凹坑基一层13圆形孔在门极全凹坑基一层13上、下表面形成的截面为中空圆面；门极全凹坑基一层13上表面的印刷的银浆层形成门极叉角撑电极下层14；门极叉角撑电极下层14为倾斜的向下凹陷的曲面形，门极叉角撑电极下层14的前端朝向门极全凹坑基一层13圆形孔方向、而后端朝向远离圆形孔方向，门极叉角撑电极下层14的前末端和圆形孔内侧壁相平齐、不向圆形孔突出，门极叉角撑电极下层14的前端高度低而后端高度高；门极叉角撑电极下层14上的印刷的绝缘浆料层形成门极全凹坑基二层15；门极全凹坑基二层15侧面上的印刷的银浆层形成门极叉角撑电极中后斜面层16；门极叉角撑电极中后斜面层16为倾斜的坡面形，门极叉角撑电极中后斜面层16的前端朝向圆形孔方向、而后端朝向远离圆形孔方向，门极叉角撑电极中后斜面层16的前端高度高而后端高度低，门极叉角撑电极中后斜面层16的后末端和门极叉角撑电极下层14相连接；门极叉角撑电极中后斜面层16和门极叉角撑电极下层14相互连通；门极全凹坑基二层15侧面上的再次印刷的银浆层形成门极叉角撑电极中前斜面层17；门极叉角撑电极中前斜面层17为倾斜的坡面形，门极叉角撑电极中前斜面层17的前端朝向圆形孔方向、而后端朝向远离圆形孔方向，门极叉角撑电极中前斜面层17的前端高度低而后端高度高，门极叉角撑电极中前斜面层17的前末端和门极叉角撑电极下层14相连接；门极叉角撑电极中前斜面层17和门极叉角撑电极下层14相互连通；门极叉角撑电极下层14和门极叉角撑电极中后斜面层16上的印刷的绝缘浆料层形成门极全凹坑基三层18；门极叉角撑电极下层14和门极叉角撑电极中前斜面层17上的印刷的绝缘浆料层形成门极全凹坑基四层19；门极全凹坑基二层15、门极全凹坑基三层18和门极全凹坑基四层19上的印刷的银浆层形成门极叉角撑电极中上曲面层20；门极叉角撑电极中上曲面层20为中间部位向下凹陷的曲面形，门极叉角撑电极中后斜面层16的前末端和门极叉角撑电极中上曲面层20相连接，门极叉角撑电极中前斜面层17的后末端和门极叉角撑电极中上曲面层20相连接；门极叉角撑电极中前斜面层17和门极叉角撑电极中上曲面层20相互连通；门极叉角撑电极中后斜面层16和门极叉角撑电极中上曲面层20相互连通；门极叉角撑电极中上曲面层20上的印刷的绝缘浆料层形成门极全凹坑基五层21；门极全凹坑基三层18、门极全凹坑基四层19和门极全凹坑基五层21上的印刷的银浆层形成门极叉角撑电极上层22；门极叉角撑电极上层22为向上凸起的曲面形，门极叉角撑电极上层22的前端朝向圆形孔方向、而后端朝向远离圆形孔方向，门极叉角撑电极上层22的前末端和圆形孔内侧壁相平齐、不向圆形孔突出，门极叉角撑电极上层22的中间部位高度高而两端部位高度低，门极叉角撑电极上层22的后末端和门极叉角撑电极下层14的后末端相连接，门极叉角撑电极中上曲面层20的前末端和门极叉角撑电极上层22相连接，门极叉角撑电极中上曲面层20的后末端和门极叉角撑电极上层22相连接；门极叉角撑电极上层22和门极叉角撑电极下层14相互连通；门极叉角撑电极上层22和门极叉角撑电极中上曲面层20相互连通；深黑阻光层2上的印刷的绝缘浆料层形成门极全凹坑基周围层23；门极全凹坑基周围层23的下表面为平面、位于深黑阻光层2上；门极全凹坑基周围层23上的印刷的银浆层形成门极长延伸银白层24；门极长延伸银白层24和门极叉角撑电极上层22的后末端、门极叉角撑电极下层14的后末端相连接；门极长延伸银白层24和门极叉角撑电极上层22相互连通；门极叉角撑电极下层14和门极长延伸银白层24相互连通；门极叉角撑电极上层22上的印刷的绝缘浆料层形成门极全凹坑基六层25；碳纳米管制备在阴极曲底转接低层11和阴极曲底转接高层12上。

三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的固定位置为后抗真空压硬质平板1；阴极曲底转接低层11可以为金属银、镍、钼、铜、铝、铬、锡；阴极曲底转接高层12可以为金属银、镍、钼、铜、铝、铬、锡。

本实施例的带有三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的发光显示器的制作工艺包括以下步骤：

1)后抗真空压硬质平板的制作：对平面钠钙玻璃进行划割，形成后抗真空压硬质平板；

2)深黑阻光层的制作：在后抗真空压硬质平板上印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成深黑阻光层；

3)阴极长延伸银白层的制作：在深黑阻光层上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极长延伸银白层；

4)阴极全凹坑基下层的制作：在阴极长延伸银白层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成阴极全凹坑基下层；

5)阴极下层直立扩伸层的制作：在阴极全凹坑基下层三角孔内印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极下层直立扩伸层；

6)阴极全凹坑基中层的制作：在阴极全凹坑基下层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成阴极全凹坑基中层；

7)阴极中层直立扩伸层的制作：在阴极全凹坑基中层三角孔内印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极中层直立扩伸层；

8)阴极全凹坑基上层的制作：在阴极全凹坑基中层上表面上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成阴极全凹坑基上层；

9)阴极上层斜坡面扩伸层的制作：在阴极全凹坑基上层内侧面上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极上层斜坡面扩伸层；

10)阴极全凹坑基顶层的制作：在阴极上层斜坡面扩伸层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成阴极全凹坑基顶层；

11)阴极曲底转接低层的制作：在阴极全凹坑基下层外侧面上制备出一个金属镍层，刻蚀后形成阴极曲底转接低层；

12)阴极曲底转接高层的制作：在阴极全凹坑基上层外侧面上制备出一个金属镍层，刻蚀后形成阴极曲底转接高层；

13)门极全凹坑基一层的制作：在深黑阻光层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极全凹坑基一层；

14)门极叉角撑电极下层的制作：在门极全凹坑基一层上表面印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极叉角撑电极下层；

15)门极全凹坑基二层的制作：在门极叉角撑电极下层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极全凹坑基二层；

16)门极叉角撑电极中后斜面层的制作：在门极全凹坑基二层侧面上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极叉角撑电极中后斜面层；

17)门极叉角撑电极中前斜面层的制作：在门极全凹坑基二层侧面上的再次印刷的银浆层形成门极叉角撑电极中前斜面层；

18)门极全凹坑基三层的制作：在门极叉角撑电极下层和门极叉角撑电极中后斜面层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极全凹坑基三层；

19)门极全凹坑基四层的制作：在门极叉角撑电极下层和门极叉角撑电极中前斜面层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极全凹坑基四层；

20)门极叉角撑电极中上曲面层的制作：在门极全凹坑基二层、门极全凹坑基三层和门极全凹坑基四层上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极叉角撑电极中上曲面层；

21)门极全凹坑基五层的制作：在门极叉角撑电极中上曲面层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极全凹坑基五层；

22)门极叉角撑电极上层的制作：在门极全凹坑基三层、门极全凹坑基四层和门极全凹坑基五层上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极叉角撑电极上层；

23)门极全凹坑基周围层的制作：在深黑阻光层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极全凹坑基周围层；

24)门极长延伸银白层的制作：在门极全凹坑基周围层上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极长延伸银白层；

25)门极全凹坑基六层的制作：在门极叉角撑电极上层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极全凹坑基六层；

26)三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的清洁：对三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；

27)碳纳米管层的制作：将碳纳米管制备在阴极曲底转接低层和阴极曲底转接高层上，形成碳纳米管层；

28)碳纳米管层的处理：对碳纳米管层进行后处理，改善其场发射特性；

29)前抗真空压硬质平板的制作：对平面钠钙玻璃进行划割，形成前抗真空压硬质平板；

30)阳极薄氧化物透射方层的制作：对覆盖于前抗真空压硬质平板表面的锡铟氧化物膜层进行刻蚀，形成阳极薄氧化物透射方层；

31)阳极长延伸银白层的制作：在前抗真空压硬质平板上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极长延伸银白层；具体是在前抗真空压硬质平板的非显示区域印刷银浆，经过烘烤(最高烘烤温度：150ºC，最高烘烤温度保持时间：5分钟)之后，放置在烧结炉中进行烧结(最高烧结温度：532 ºC，最高烧结温度保持时间：10分钟)。

32)荧光粉层的制作：在阳极薄氧化物透射方层上印刷荧光粉，经烘烤工艺后形成荧光粉层；具体是在前抗真空压硬质平板的阳极薄氧化物透射方层上印刷荧光粉，然后放置在烘箱中进行烘烤(最高烘烤温度：135ºC，最高烘烤温度保持时间：8分钟)。

33)显示器器件装配：将消气剂安装固定在前抗真空压硬质平板的非显示区域；然后，将前抗真空压硬质平板、后抗真空压硬质平板、透明玻璃框和薄消隐壁装配到一起，用夹子固定；

34)显示器器件封装：对已经装配的显示器器件进行如下的封装工艺：将显示器器件放入烘箱中进行烘烤；放入烧结炉中进行烧结；在排气台上进行器件排气、封离；在烤消机上对消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的发光显示器专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。