专利摘要

本发明提供一种掺钴非晶碳膜/硅光伏器件及其制备方法。该方法以N型硅(n-Si)基片作为衬底，衬底上表面预设两片区域，在其中一片区域，采用脉冲激光沉积方法制备钴掺杂的非晶碳（a-C:Co）膜，然后采用真空热蒸发方法在该碳膜上蒸镀（Ag）层；在另一片区域，直接用真空热蒸发方法将Ag层蒸镀于该区域的n-Si基片上，制备得本器件。经测试，本器件显示出良好的光伏特性，室温下最好，当温度在270K(-3℃)以上时，温度对光伏效应的影响很小，具有受环境温度影响小，工作稳定度高的优点。本器件还易于回收重复利用；其非晶碳膜的抗腐蚀及耐磨损性能好，可与建筑物表面材料结合，大大节省安装空间；且取用材料价格低廉、制备工艺简洁，无污染物产生，有利于环境保护。

专利附图

掺钴非晶碳膜/硅光伏器件的制备方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。