IPC分类号 : H01L45/00; C23C14/35
专利摘要
本发明公开了一种用于高速低功耗相变存储器的Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料，为多层复合膜结构，由Ga40Sb60层和Sb层交替沉积复合而成，将Ga40Sb60层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的Ga40Sb60层沉积在前一个交替周期的Sb层上方。本发明的Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料利用超晶格结构中多层界面的夹持效应，减小晶粒尺寸，从而缩短结晶时间，抑制晶化，使材料在提高热稳定性的同时加快相变速度；并且Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料在相变过程中体积改变小，这就保证了相变层与电极材料之间良好的接触，最终提高相变存储器件的稳定性和可靠性。
专利附图
用于高速低功耗相变存储器的Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法专利购买费用说明
Q：办理专利转让的流程及所需资料
A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。
1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2：按规定缴纳著录项目变更手续费。
3：同时提交相关证明文件原件。
4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q：专利转让变更，多久能出结果
A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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