专利摘要

本实用新型公开了一种新式的控根补水育苗花盆。包括盆框，所述盆框的内侧通过衬板固定连接有盆壁。该实用新型装置通过设置盆壁上的侧孔利用光照对植物根系生长的抑制作用，防止植物在育苗期产生盘根现象并使植物根系生长时产生较多的分岔，培育出缓苗期更短、根系更加发达的植株种苗，植物的根尖接触到开孔处的光照后将会停止生长，然后在其后侧会产生多条侧根；如此反复，就会在介质内部产生数量庞大的侧根，通过设置海绵条连接底部蓄水盆，利用棉芯的导水性，使其为花盆提供一定的水分，能够有效的解决容器栽培植物根系不发达的缺点，根系可以自由的生长，通过设置海绵条与蓄水盆底部连接为苗期的植物补水，补水持续，不易烂根，生长旺盛。

权利要求

1.一种新式的控根补水育苗花盆，包括盆框(1)，其特征在于：所述盆框(1)的内侧通过衬板(7)固定连接有盆壁(2)，所述盆壁(2)的一侧设置有侧孔(6)，所述盆壁(2)的底侧固定连接有盆底板(8)，所述盆底板(8)的中部设置有底孔(9)，所述盆底板(8)的下端设置有海绵条(3)，所述海绵条(3)的下端设置有蓄水盆(5)。

2.根据权利要求1所述的一种新式的控根补水育苗花盆，其特征在于：所述盆框(1)内侧通过交错的条状的衬板(7)将每一个盆壁(2)均固定在一个平面上，所述盆框(1)采用PVC塑料制作成加厚的框架，所述衬板(7)为PVC塑料制作的薄壁状板架，中间阵列状分布多个的矩形孔。

3.根据权利要求1或2所述的一种新式的控根补水育苗花盆，其特征在于：所述盆壁(2)为四个侧板固定形成的逐渐减少的梯形结构，所述盆壁(2)表端设置有壁沿，通过壁沿挂在衬板(7)设置的矩形孔内，所述盆壁(2)的内侧两端设置有圆形侧孔(6)。

4.根据权利要求1所述的一种新式的控根补水育苗花盆，其特征在于：所述盆底板(8)与盆壁(2)采用一体式压制工艺，并且均为PVC材质，所述盆底板(8)的中部设置有圆形底孔(9)，其底孔(9)正对海绵条(3)条柱中间。

5.根据权利要求1所述的一种新式的控根补水育苗花盆，其特征在于：所述海绵条(3)为矩形条状块体，所述海绵条(3)对应盆底板(8)的数量同量设置，所述海绵条(3)浸入水位线(4)内，水位线(4)不高于海绵条(3)，不与盆底板(8)直接接触。

6.根据权利要求1所述的一种新式的控根补水育苗花盆，其特征在于：所述蓄水盆(5)为椭圆状盆体，其需要定期添水，使其水位能够一直浸润海绵条(3)，所述蓄水盆(5)的底侧设置有排水口，排水口常闭，用于控制水位线(4)的高度。

说明书

技术领域

本实用新型涉及农业的技术领域，特别涉及一种新式的控根补水育苗花盆。

背景技术

农业是利用动植物的生长发育规律，通过人工培育来获得产品的产业，农业属于第一产业，研究农业的科学是农学，农业的劳动对象是有生命的动植物，获得的产品是动植物本身，农业是提供支撑国民经济建设与发展的基础产业。

花盆，种花用的一种器皿，为口大底端小的倒圆台或倒棱台形状，容器栽培植物生长不良与容器栽培的植物的根系受限有很大关系，容器育苗不像大田育苗一样根系可以自由的生长，容器内的根系会盘根使植株发育不好，其次在苗期的补水也是一个问题，水多容易烂根，苗黄，水少，生长萎缩，枯萎。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种新式的控根补水育苗花盆，可以有效解决背景技术中的问题。

为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：

一种新式的控根补水育苗花盆，包括盆框，所述盆框的内侧通过衬板固定连接有盆壁，所述盆壁的一侧设置有侧孔，所述盆壁的底侧固定连接有盆底板，所述盆底板的中部设置有底孔，所述盆底板的下端设置有海绵条，所述海绵条的下端设置有蓄水盆。

进一步地，所述盆框内侧通过交错的条状的衬板将每一个盆壁均固定在一个平面上，所述盆框采用PVC塑料制作成加厚的框架，所述衬板为PVC塑料制作的薄壁状板架，中间阵列状分布多个的矩形孔。

进一步地，所述盆壁为四个侧板固定形成的逐渐减少的梯形结构，所述盆壁表端设置有壁沿，通过壁沿挂在衬板设置的矩形孔内，也可取出，所述盆壁的内侧两端设置有圆形侧孔。

进一步地，所述盆底板与盆壁采用一体式压制工艺，并且均为PVC材质，所述盆底板的中部设置有圆形底孔，其底孔正对海绵条条柱中间。

进一步地，所述海绵条为矩形条状块体，所述海绵条对应盆底板的数量同量设置，所述海绵条浸入水位线内，水位线不高于海绵条，不与盆底板直接接触。

进一步地，所述蓄水盆为椭圆状盆体，其需要定期添水，使其水位能够一直浸润海绵条，所述蓄水盆的底侧设置有排水口，排水口常闭，用于控制水位线的高度。

与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：

1.该实用新型装置通过设置盆壁上的侧孔利用光照对植物根系生长的抑制作用，防止植物在育苗期产生盘根现象并使植物根系生长时产生较多的分岔，培育出缓苗期更短、根系更加发达的植株种苗，植物的根尖接触到开孔处的光照后将会停止生长，然后在其后侧会产生多条侧根；产生的侧根在接触到开孔处的光照后又会停止生长，又会产生许多侧根；如此反复，就会在介质内部产生数量庞大的侧根；

2.该实用新型装置通过设置海绵条连接底部蓄水盆，利用棉芯的导水性，使其为花盆提供一定的水分，时刻保持花盆内土壤的湿润，又不会造成水份过多，土壤含水量太大造成的烂根情况，解决育苗花盆在育苗期间需要给幼苗重复浇水的问题；

3.该实用新型装置能够有效的解决容器栽培植物根系不发达的缺点，根系可以自由的生长，通过设置海绵条与蓄水盆底部连接为苗期的植物补水，补水持续，不易烂根，生长旺盛。

附图说明

图1为本实用新型整体结构示意图。

图2为本实用新型整体结构俯视图。

图3为本实用新型盆底板结构放大图。

图中：1、盆框；2、盆壁；3、海绵条；4、水位线；5、蓄水盆；6、侧孔；7、衬板；8、盆底板；9、底孔。

具体实施方式

为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。

如图1-3所示，一种新式的控根补水育苗花盆，包括盆框1，所述盆框1的内侧通过衬板7固定连接有盆壁2，所述盆壁2的一侧设置有侧孔6，所述盆壁2的底侧固定连接有盆底板8，所述盆底板8的中部设置有底孔9，所述盆底板8的下端设置有海绵条3，所述海绵条3的下端设置有蓄水盆5。

其中，所述盆框1内侧通过交错的条状的衬板7将每一个盆壁2均固定在一个平面上，所述盆框1采用PVC塑料制作成加厚的框架，所述衬板7为PVC塑料制作的薄壁状板架，中间阵列状分布多个的矩形孔，通过设置盆框1能够有效的作为整个穴盘式花盆的外部固定框架，起到稳固整个花盆的作用，并且便于握持移动。

其中，所述盆壁2为四个侧板固定形成的逐渐减少的梯形结构，所述盆壁2表端设置有壁沿，通过壁沿挂在衬板7设置的矩形孔内，也可取出，所述盆壁2的内侧两端设置有圆形侧孔6，能够取出的盆壁2便于栽培植物育苗成活后，能够方便移植，并且其外壁设置的侧孔6便于通过光照抑制植物根系生长，防止植物在育苗期产生盘根现象并使植物根系生长时产生较多的分岔，从而提高其根系发达。

其中，所述盆底板8与盆壁2采用一体式压制工艺，并且均为PVC材质，所述盆底板8的中部设置有圆形底孔9，其底孔9 正对海绵条3条柱中间，通过盆底板8能够有效的与海绵条3接触，底侧的底孔9渗透入水流滋润土壤和栽培植物根系。

其中，所述海绵条3为矩形条状块体，所述海绵条3对应盆底板8的数量同量设置，所述海绵条3浸入水位线4内，水位线 4不高于海绵条3，不与盆底板8直接接触，通过设置海绵条3 既可以持续补水，也能避免水分过度导致的烂根情况。

其中，所述蓄水盆5为椭圆状盆体，其需要定期添水，使其水位能够一直浸润海绵条3，所述蓄水盆5的底侧设置有排水口，排水口常闭，用于控制水位线4的高度，能够持续的保持水位线4使其海绵条3能够持续吸水，滋润根系，解决补水问题。

需要说明的是，本实用新型为一种新式的控根补水育苗花盆，

使用步骤：培植人员取出蓄水盆5，放入海绵条3，在往蓄水盆5其中倒入水流，直到水流的水位线4接触到海绵条3一半位置，取出盆框1，在其衬板7中矩形孔放入盆壁2和盆底板8(共同称作盆体)，通过盆壁2上的壁沿与衬板7相固定，在其中移栽入带有土壤的栽培植物，将其放到海绵条3上，盆底板8与海绵条3接触放置，完成整个布置，栽培植物根系透过底孔9与海绵吸收水分维持生长，并且植物根系生长透过侧孔6被光线抑制，使其滋生更多的侧根系，从而提高其根系发达，这些侧根都是产生在栽培介质的内部，有着非常好的水肥吸收吸收环境，能够便于移植。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

一种新式的控根补水育苗花盆专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。