专利摘要
本发明提供一种Sn20Sb80/Si多层相变薄膜材料，其为多层复合膜结构，由Sn20Sb80层和Si层交替沉积复合而成，将一层Sn20Sb80层和一层Si层作为一个交替周期，后一个交替周期的Sn20Sb80层沉积在前一个交替周期的Si层上方；所述Sn20Sb80层是以Sn20Sb80靶材通过磁控溅射法得到，所述Si层是以Si靶材通过磁控溅射法得到；所述Sn20Sb80/Si多层相变薄膜材料的结构用通式[Sn20Sb80(a)/Si(b)]x表示，其中a为单层Sn20Sb80层的厚度，a＝1nm～50nm；b为单层Si层的厚度，b＝1nm～50nm，x为Sn20Sb80层和Si层的交替周期数，x为正整数。本发明提供的Sn20Sb80/Si多层相变薄膜材料能够改善现有存储器的热稳定性和操作功耗。
专利附图
Sn20Sb80/Si多层相变薄膜材料及其制备方法专利购买费用说明
Q：办理专利转让的流程及所需资料
A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。
1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2：按规定缴纳著录项目变更手续费。
3：同时提交相关证明文件原件。
4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q：专利转让变更，多久能出结果
A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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