专利摘要

专利摘要

本实用新型公开了一种半导体加工硅晶片消除静电吸附设备，包括壳体，所述壳体的顶部靠近左侧处设有螺纹杆，所述壳体的顶部设有顶板，所述壳体的顶部靠近左侧处与顶板的底部靠近左侧处均固定连接有第一轴承，所述螺纹杆的底端插接在相邻第一轴承的内腔，通过螺纹杆、螺纹套、顶板、电机外壳、连接杆、限位管、限位杆、静电消除器、导线、接地线等部件之间的相互配合，使装置可以与硅晶片充分接触，具有静电消除效果好等特点,通过推板、定位板、往复凸轮、转轴、驱动电机、滑块、限位套、固定杆、连接块、伺服电机、固定板等部件之间的相互配合，使装置自动进行上料操作，具有提高工作效率等特点。

权利要求

1.一种半导体加工硅晶片消除静电吸附设备，包括壳体(1)，其特征在于：所述壳体(1)的顶部靠近左侧处设有螺纹杆(2)，所述壳体(1)的顶部设有顶板(4)，所述壳体(1)的顶部靠近左侧处与顶板(4)的底部靠近左侧处均固定连接有第一轴承，所述螺纹杆(2)的底端插接在相邻第一轴承的内腔，所述螺纹杆(2)的顶端贯穿相邻第一轴承的内腔，且延伸至顶部，所述顶板(4)的底部靠近右侧处设有限位机构(26)，所述顶板(4)的底部设有静电消除器(9)，所述静电消除器(9)的左右两侧均固定连接有连接杆(6)，位于左侧的所述连接杆(6)的左端与螺纹套(3)的右侧固定连接，所述壳体(1)的内腔靠近中间处固定连接有固定板(25)，所述固定板(25)的后侧设有往复凸轮(17)，所述往复凸轮(17)的前后两端均固定连接有转轴(18)，所述壳体(1)的内腔后侧与固定板(25)上均固定连接有第二轴承，位于后侧的所述转轴(18)的后端插接在相邻第二轴承的内腔，位于前侧的所述转轴(18)的前端贯穿相邻第二轴承的内腔，且延伸至其前侧，所述往复凸轮(17)上开设有滑槽，所述滑槽的内腔设有滑块(20)，所述滑块(20)的顶部贯穿滑槽的内腔，且延伸至其顶部，并固定连接有限位套(21)，所述限位套(21)的顶部固定连接有连接块(23)，所述壳体(1)的顶部靠近右侧处开设有开槽，所述连接块(23)的顶部贯穿相邻开槽的内腔，且延伸至其顶部，并固定连接有推板(15)，所述推板(15)的左侧固定连接有定位板(16)。

2.如权利要求1所述的一种半导体加工硅晶片消除静电吸附设备，其特征在于：所述限位机构(26)包括限位杆(8)，所述限位杆(8)的顶端与顶板(4)的底部固定连接，所述限位杆(8)的底端与壳体(1)的顶部固定连接，所述限位杆(8)的外壁套设有限位管(7)，所述限位管(7)的左侧与相邻的连接杆(6)的右端固定连接。

3.如权利要求1所述的一种半导体加工硅晶片消除静电吸附设备，其特征在于：所述顶板(4)的顶部靠近左侧处固定连接有电机外壳(5)，所述电机外壳(5)的内腔顶部固定连接有伺服电机(24)，所述伺服电机(24)的电机轴与螺纹杆(2)的顶端固定连接。

4.如权利要求1所述的一种半导体加工硅晶片消除静电吸附设备，其特征在于：所述静电消除器(9)的右侧固定连接有导线(10)，所述导线(10)的右端固定连接有接地线(11)。

5.如权利要求1所述的一种半导体加工硅晶片消除静电吸附设备，其特征在于：所述固定板(25)的前侧设有驱动电机(19)，所述驱动电机(19)的底部与壳体(1)的内腔底部固定连接，所述驱动电机(19)的电机轴与相邻转轴(18)的前端固定连接。

6.如权利要求1所述的一种半导体加工硅晶片消除静电吸附设备，其特征在于：所述限位套(21)的内腔设有固定杆(22)，所述固定杆(22)的前后两端均贯穿限位套(21)的内腔，并分别与壳体(1)的内腔侧壁和固定板(25)固定连接。

7.如权利要求1所述的一种半导体加工硅晶片消除静电吸附设备，其特征在于：所述壳体(1)的顶部靠近前侧处设有基座(12)，所述基座(12)的顶部固定连接陶瓷片(13)，所述陶瓷片(13)的顶部设有硅晶片(14)。

一种半导体加工硅晶片消除静电吸附设备专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。