专利摘要

专利摘要

本实用新型公开了一种用于种植屋面与女儿墙交接处的缓冲带结构，包括种植屋面和女儿墙；所述种植屋面的上端设有隔离墙，所述隔离墙位于女儿墙的内侧，所述隔离墙和女儿墙之间设有集水导流沟，所述集水导流沟的底端设有均匀分布的排水通道，所述隔离墙的上端设有均匀分布的出水槽，具备由出水槽、集水导流沟和排水通道组成的直接导流方式和由出水孔、集水导流沟和排水通道等组成的间接导流方式，能够快速的对种植屋面与女儿墙交接处的积水进行导流，避免积水对植物所产生的不良影响，通过隔离墙和过滤填充层的配合使用，有效避免间接渗透、过滤导流方式所需材料可能对种植土壤造成的不良影响，保证植物的正常生长。

权利要求

1.一种用于种植屋面与女儿墙交接处的缓冲带结构,其特征在于：包括种植屋面(1)和女儿墙(5)；所述种植屋面(1)的上端设有隔离墙(3)，所述隔离墙(3)位于女儿墙(5)的内侧，所述隔离墙(3)和女儿墙(5)之间设有集水导流沟(4)，所述集水导流沟(4)的底端设有均匀分布的排水通道(8)，所述隔离墙(3)的上端设有均匀分布的出水槽(9)，所述隔离墙(3)的底端设有均匀分布的出水孔(10)，所述种植屋面(1)和隔离墙(3)的交接处设有均匀分布的阻泥瓦片(2)，后端阻泥瓦片(2)的前端扣接在前端阻泥瓦片(2)的后端上方，所述阻泥瓦片(2)和隔离墙(3)之间设有过滤填充层(6)，所述种植屋面(1)的上端面设有锯末层(11)，所述锯末层(11)的厚度不超过10毫米，所述锯末层(11)的上端设有种植地(7)，所述种植地(7)的高度小于出水槽(9)的高度，所述锯末层(11)和种植地(7)均位于隔离墙(3)的内侧。

2.根据权利要求1所述一种用于种植屋面与女儿墙交接处的缓冲带结构，其特征在于：所述种植屋面(1)的高度从中间至边缘依次减小。

3.根据权利要求1所述一种用于种植屋面与女儿墙交接处的缓冲带结构，其特征在于：所述集水导流沟(4)的高度从中间至两端依次升高。

4.根据权利要求1所述一种用于种植屋面与女儿墙交接处的缓冲带结构，其特征在于：所述排水通道(8)的一端和集水导流沟(4)相连通，所述排水通道(8)的另一端和外在输水管道相连通。

5.根据权利要求1所述一种用于种植屋面与女儿墙交接处的缓冲带结构，其特征在于：所述过滤填充层(6)包括砂层(61)和碎石层(62)，所述砂层(61)位于碎石层(62)的上端，所述碎石层(62)的厚度大于出水孔(10)的高度。

说明书

技术领域

本实用新型涉及建筑结构技术领域，具体涉及一种用于种植屋面与女儿墙交接处的缓冲带结构。

背景技术

随着社会的进步，社会的发展，绿色植被的破坏，环境问题日益突出，为了改善环境，种植屋面成为了受到越来越多人关注和使用的方式，然而种植屋面和女儿墙交界处的排水是一种急需解决的问题，目前，常见的方式时在种植屋面与女儿墙交接处设置相应的缓冲地带，然而，目前的缓冲地带为了避免积水，经常在缓冲地带添加其他结构层数，从而方便水体流动避免积水，这种方式存在着一定的缺陷，通过渗透、过滤对水体进行导流，耗时长，并不能及时的大量将种植地中积水排出，另外渗透、过滤所需要的材料直接铺设于种植地的下方，很可能对种植地的土壤状况造成影响，进而影响植物的正常生长。

实用新型内容

本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种用于种植屋面与女儿墙交接处的缓冲带结构，具有快速处理种植屋面和女儿墙交接处的积水；避免间接渗透、过滤导流层对种植土地造成不良影响等优点，详见下文阐述。

为实现上述目的，本实用新型提供了以下技术方案：

本实用新型提供的一种用于种植屋面与女儿墙交接处的缓冲带结构，包括种植屋面和女儿墙；所述种植屋面的上端设有隔离墙，所述隔离墙位于女儿墙的内侧，所述隔离墙和女儿墙之间设有集水导流沟，所述集水导流沟的底端设有均匀分布的排水通道，所述隔离墙的上端设有均匀分布的出水槽，所述隔离墙的底端设有均匀分布的出水孔，所述种植屋面和隔离墙的交接处设有均匀分布的阻泥瓦片，后端阻泥瓦片的前端扣接在前端阻泥瓦片的后端上方，所述阻泥瓦片和隔离墙之间设有过滤填充层，所述种植屋面的上端面设有锯末层，所述锯末层的厚度不超过10毫米，所述锯末层的上端设有种植地，所述种植地的高度小于出水槽的高度，所述锯末层和种植地均位于隔离墙的内侧。

作为优选，所述种植屋面的高度从中间至边缘依次减小。

作为优选，所述集水导流沟的高度从中间至两端依次升高。

作为优选，所述排水通道的一端和集水导流沟相连通，所述排水通道的另一端和外在输水管道相连通。

作为优选，所述过滤填充层包括砂层和碎石层，所述砂层位于碎石层的上端，所述碎石层的厚度大于出水孔的高度。

有益效果在于：具备由出水槽、集水导流沟和排水通道组成的直接导流方式和由出水孔、集水导流沟和排水通道等组成的间接导流方式，能够快速的对种植屋面与女儿墙交接处的积水进行导流，避免积水对植物所产生的不良影响，通过隔离墙和过滤填充层的配合使用，有效避免间接渗透、过滤导流方式所需材料可能对种植土壤造成的不良影响，保证植物的正常生长。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型的正视图；

图2是本实用新型图1的立体图。

附图标记说明如下：1、种植屋面；2、阻泥瓦片；3、隔离墙；4、集水导流沟；5、女儿墙；6、过滤填充层；61、砂层；62、碎石层；7、种植地；8、排水通道；9、出水槽；10、出水孔；11、锯末层。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本实用新型的技术方案进行详细的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所得到的所有其它实施方式，都属于本实用新型所保护的范围。

参见图1-图2所示，本实用新型提供了一种用于种植屋面与女儿墙交接处的缓冲带结构，包括种植屋面1和女儿墙5；种植屋面1的上端设有隔离墙3，通过隔离墙3有效减少种植地7泥土在直接导流过程中流失，隔离墙3位于女儿墙5的内侧，隔离墙3和女儿墙5之间设有集水导流沟4，通过集水导流沟4实现对积水的快速导流，集水导流沟4的底端设有均匀分布的排水通道8，隔离墙3的上端设有均匀分布的出水槽9，通过出水槽9快速排出位于种植地7表面的积水，隔离墙3的底端设有均匀分布的出水孔10，出水孔10保证间接渗透、过滤式排水方式的正常进行，种植屋面1和隔离墙3的交接处设有均匀分布的阻泥瓦片2，后端阻泥瓦片2的前端扣接在前端阻泥瓦片2的后端上方，通过阻泥瓦片2有效减少种植地7泥土在水渗透过程流失，阻泥瓦片2和隔离墙3之间设有过滤填充层6，过滤填充层6对间接导流方式中水分进行过滤，进一步避免种植地7可能发生的土壤流失，种植屋面1的上端面设有锯末层11，锯末层11的厚度不超过10毫米，锯末层11的上端设有种植地7，锯末层11不仅具有保暖作用、同时降解后可作为植物生长所需养料，锯末层11阻水性能低保证间接导流方式的正常进行，种植地7的高度小于出水槽9的高度，种植地7的高度小于出水槽9的高度可缓解土壤流失，锯末层11和种植地7均位于隔离墙3的内侧。

种植屋面1的高度从中间至边缘依次减小，保证间接导流方式的有效进行。

集水导流沟4的高度从中间至两端依次升高，减少积水与女儿墙5和种植屋面1连接处的接触，避免可能发生的水体渗透。

排水通道8的一端和集水导流沟4相连通，排水通道8的另一端和外在输水管道相连通，通过排水通道8实现对积水的快速排出。

过滤填充层6包括砂层61和碎石层62，砂层61位于碎石层62的上端，碎石层62的厚度大于出水孔10的高度，通过过滤填充层6中的砂层61和碎石层62对间接导流方式中水分进行过滤，进一步避免种植地7可能发生的土壤流失。

采用上述结构，通过出水槽9、集水导流沟4和排水通道8的配合使用，实现对积水的快速直接导流，通过出水孔10、集水导流沟4和排水通道8的配合使用，实现对积水的间接导流，同时可以通过隔离墙3和过滤填充层6的配合使用，可以有效避免间接导流中可能出现的土壤流失。

本实用新型有益效果在于：具备由出水槽9、集水导流沟4和排水通道8组成的直接导流方式和由出水孔10、集水导流沟4和排水通道8等组成的间接导流方式，能够快速的对种植屋面1与女儿墙5交接处的积水进行导流，避免积水对植物所产生的不良影响，通过隔离墙3和过滤填充层6的配合使用，有效避免间接渗透、过滤导流方式所需材料可能对种植土壤造成的不良影响，保证植物的正常生长。

以上，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

一种用于种植屋面与女儿墙交接处的缓冲带结构专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。