专利摘要
本发明属于存储器技术领域，具体涉及一种阻变存储器及其制备方法。本发明提供的制备方法，包括以下步骤：在底电极上沉积阻变材料，形成非晶态阻变层；在所述非晶态阻变层上制备纳米管阵列，形成屏蔽层；对形成所述屏蔽层的整体结构进行氧气等离子强化退火处理，将所述非晶态阻变层转为高结晶阵列区；去除所述屏蔽层，并在所述高结晶阵列区的表面制备顶电极，得到阻变存储器。实施例结果表明，本发明提供的阻变存储器稳定性得到显著改善，500次阻变循环后，存储窗口大小的最大变化约为‑1.7％，3000次阻变循环后，存储窗口大小的最大变化约为‑6.3％，显示了较好的稳定性。
专利附图
一种阻变存储器及其制备方法专利购买费用说明
Q：办理专利转让的流程及所需资料
A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。
1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2：按规定缴纳著录项目变更手续费。
3：同时提交相关证明文件原件。
4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q：专利转让变更，多久能出结果
A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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