专利摘要

专利摘要

一种共聚物，其包含式(I)的重复单元和至少一种另外的重复单元：其中：Ar1和Ar2各自独立地选自芳基和杂芳基，所述芳基和杂芳基各自独立地是未取代的或取代有一个或多个取代基；每个R独立地是取代基；每个n独立地是0、1或2；每个m独立地是0、1、2或3，并且聚合物的重复单元中的至少一个是部分共轭的重复单元。

权利要求

1.一种共聚物，其包含式(I)的重复单元和至少一种另外的重复单元：

其中：

Ar¹和Ar²各自独立地选自芳基和杂芳基，所述芳基和杂芳基各自独立地是未取代的或取代有一个或多个取代基；

每个R独立地是取代基；

每个n独立地是0、1或2；

每个m独立地是0、1、2或3，并且聚合物的重复单元中的至少之一是部分共轭的重复单元。

2.根据权利要求1的共聚物，其中m和n中的至少一个是1，并且每个R独立地选自如下：

-C_1-20烷基，其中一个或多个不相邻的C原子可以被O、S、NR¹¹、C＝O和COO替换；其中R¹¹是取代基；

-芳基或杂芳基，该芳基或杂芳基可以是未取代的或取代有一个或多个取代基；

-芳基或者杂芳基的支化链或直链，其中每个芳基或杂芳基独立地是未取代的或取代有一个或多个取代基；以及

-可交联基团。

3.根据权利要求1或2的共聚物，其中每个R独立地是C_1-40烃基。

4.根据任一前述权利要求的共聚物，其中n＝2。

5.根据任一前述权利要求的共聚物，其中式(I)的重复单元具有式(II)：

其中R¹每次出现时是取代基；每个y独立地是0、1、2、3或4；并且每个z独立地是0、1、2、3、4或5。

6.根据任一前述权利要求的共聚物，其中式(I)的重复单元是部分共轭的重复单元。

7.根据权利要求6的共聚物，其中式(I)的重复单元具有式(XIV)：

其中R、R¹、Ar²、n和m如权利要求1-5任一个中所定义；y1和y2各自独立地是0或1，条件是y1和y2的至少一个是1；并且每个y3独立地是0、1或2。

8.根据任一前述权利要求的共聚物，其中另外的重复单元是部分共轭的重复单元。

9.根据权利要求8的共聚物，其中所述部分共轭的重复单元是式(IIIa)、(IIIb)或(IIIc)的重复单元：

其中p是1、2或3；q每次出现时独立地是1、2、3或4；w是0、1、2、3或4；并且R³每次出现时独立地是取代基。

10.根据权利要求8的共聚物，其中所述部分共轭的另外的重复单元是式(VIIb)或(VIIc)的重复单元：

其中R³和R⁸每次出现时独立地是取代基。

11.根据权利要求6-10任一项的共聚物，其中式(I)的重复单元不是部分共轭的重复单元。

12.根据任一前述权利要求的共聚物，其中Ar²每次出现时独立地选自如下：未取代的苯基；取代有一个或多个取代基的苯基；和式(XIII)的基团：

其中*代表式(XI I I)的基团与式(I)重复单元的N原子的连接点；R³每次出现时是相同的或不同的并且是取代基；R⁸每次出现时是相同的或不同的并且是取代基；e是0、1、2或3；并且f是0、1、2、3或4。

13.根据任一前述权利要求的共聚物，其中聚合物的至少一个重复单元取代有可交联基团。

14.一种配制物，其包含任一前述权利要求所述的共聚物和至少一种溶剂。

15.一种有机发光器件，该器件包含阳极、阴极、介于阳极和阴极之间的发光层以及介于发光层和阳极之间的空穴传输层，其中所述空穴传输层包含根据权利要求1-12中任一项的共聚物。

16.根据权利要求15的有机发光器件，其中所述发光层包含荧光发光材料。

17.根据权利要求15的有机发光器件，其中所述发光层包含磷光发光材料。

18.形成根据权利要求15-17中任一项的有机发光器件的方法，该方法包含步骤：在阳极上方形成空穴传输层；在空穴传输层上方形成发光层；和在发光层上方形成阴极。

19.根据权利要求18的方法，其中通过在阳极上方沉积根据权利要求8的配制物并且蒸发所述至少一种溶剂形成所述空穴传输层。

20.根据权利要求19的方法，其中在形成发光层之前使所述空穴传输层交联。

说明书

背景

对于在器件诸如有机发光二极管(OLED)、有机光响应器件(特别是有机光伏器件和有机光传感器)、有机晶体管和存储器阵列器件中的应用，含有活性有机材料的电子器件正引起越来越多的关注。含有活性有机材料的器件提供诸如低重量、低功率消耗和柔性的益处。此外，可溶有机材料的使用允许在器件制造中利用溶液加工，例如喷墨印刷或者旋涂。

OLED器件可以包含带有阳极的基底、阴极以及介于阳极和阴极之间的一个或多个有机发光层。

在器件工作期间空穴通过阳极被注入OLED器件并且电子通过阴极被注入器件。OLED器件中存在的发光材料的最高已占分子轨道(HOMO)中的空穴和最低未占分子轨道(LUMO)中的电子结合从而形成激子，所述激子以光的形式释放其能量。在一些器件中也提供空穴传输层，其用于帮助从阳极至发光层的空穴传输。

发光层可以包含半导电主体材料和发光掺杂剂，其中能量从主体材料转移至发光掺杂剂。例如，J.Appl.Phys.65,3610,1989公开了用荧光发光掺杂剂掺杂的主体材料(即，其中通过单重态激子的衰变而发出光的发光材料)。

磷光掺杂剂也是已知的(即，其中通过三重态激子的衰变而发出光的发光掺杂剂)。

US2007/205714公开了包含由具有下式的单体形成的重复单元的共聚物：

WO 2005/049546公开了具有以下结构单位的聚合物：

其中每个Ar独立地是取代的或未取代的芳基；每个Ar”是取代的或未取代的亚芳基；并且Z是多环亚芳基。

本发明的目的是提供一种空穴传输聚合物，该空穴传输聚合物提供高的效率同时维持不使来自发光层的发射猝灭的单线态和三线态能级。

发明概述

在第一方面中，本发明提供包含式(I)的重复单元和至少一种另外重复单元的共聚物：

其中：

Ar¹和Ar²各自独立地选自芳基和杂芳基，所述芳基和杂芳基各自独立地是未取代的或取代有一个或多个取代基；

每个R独立地是取代基；

每个n独立地是0、1或2；

每个m独立地是0、1、2或3，并且聚合物的重复单元中的至少之一是部分共轭的重复单元。

在第二方面中，本发明提供包含第一方面的共聚物和至少一种溶剂的配制物。

在第三方面中，本发明提供一种有机发光器件，该器件包含阳极、阴极、介于阳极和阴极之间的发光层、以及介于发光层和阳极之间的空穴传输层，其中所述空穴传输层包含根据第一方面的共聚物。

在第四方面中，本发明提供形成根据第三方面的有机发光器件的方法，该方法包括步骤：在阳极上方形成空穴传输层；在空穴传输层上方形成发光层；和在发光层上方形成阴极。

附图说明

现在将参考附图更详细地描述本发明，其中：

图1说明了根据本发明实施方案的OLED；

图2是示例性绿色OLED器件和对比的绿色OLED的外部量子效率相对于电压的坐标图；以及

图3是图2的示例性绿色OLED和对比的绿色OLED的亮度相对于时间的坐标图。

发明详述

图1说明了根据本发明实施方案的OLED 100。

OLED 100包含阳极101、阴极107、介于阳极和阴极之间的发光层105以及介于阳极101和发光层105之间的空穴传输层103。该器件承载于基底109上，例如玻璃或塑料。

可以在阳极101和阴极107之间提供一个或多个另外的层，例如电子传输层、空穴阻挡层和电子阻挡层。该器件可以含有多于一个发光层。优选地，空穴注入层和空穴传输层两者都存在。

示例性的器件结构包括：

阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/阴极

阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极。

优选地，发光层105与空穴传输层103接触。阴极107可以与发光层105接触或与其间隔开，例如通过电子传输层间隔开。

菲二胺重复单元

本发明的聚合物包含式(I)的重复单元

其中Ar¹和Ar²、R、n和m如上文所述。

可以提供取代基R以增强聚合物的溶解性；改变聚合物的电子特性，例如通过吸取或施予电子，或改变聚合物的玻璃转变温度。取代基R可以是可交联基团，在形成包含该共聚物的层之后可使所述可交联基团交联从而使包含共聚物的层不溶。

任选地，n是至少1，和/或至少一个m是1。在一种任选的配置中，n＝2并且每个m＝0。

示例性的取代基R可以选自如下：

-C_1-20烷基，其中可以用O、S、NR¹¹、C＝O和COO替换一个或多个不相邻的C原子，其中R¹¹是取代基；

-可以是未取代的或取代有一个或多个取代基的芳基或杂芳基；

-芳基或杂芳基的支化链或直链，其中每个芳基或杂芳基独立地是未取代的或取代有一个或多个取代基；以及

-可交联基团，例如包含双键的基团如乙烯基或丙烯酸酯基团；或者苯并环丁烯基团。

芳基或杂芳基取代基R任选地是苯基。苯基的示例性直链是联苯基和三联苯基。苯基的示例性支化链是3,5-二苯基苯。

在R含有一个或多个芳基或杂芳基的情形中，芳基或杂芳基的任选的取代基可以选自C_1-20烷基，其中一个或多个不相邻的C原子可以被O、S、NR¹¹、C＝O和COO替换，其中R¹¹是取代基。示例性的R¹¹取代基包括C_1-20烷基。

任选地，每个R独立地是C_1-40烃基，例如C_1-20烷基，可以是未取代的或取代有一个或多个C_1-20烷基的苯基；以及可以是未取代的或取代有一个或多个C_1-20烷基的苯基的支化链或直链。

任选地，Ar¹和Ar²各自是苯基。任选地，式(I)的重复单元具有式(I I)：

其中R¹每次出现时是取代基；每个y独立地是0、1、2、3或4；并且每个z独立地是0、1、2、3、4或5。

任选地，每个y是0。

任选地，每个z独立地是0、1、2或3。

一个或两个Ar²可以是多环芳族基团或杂芳族基团。与具有单环基团Ar²的重复单元相比，由此类多环基团提供的延伸共轭可以增加重复单元的稳定性。任选地，一个或两个基团Ar²是芴。在该情形中，式(I)的重复单元可以具有式(XIII)：

其中Ar¹、R、m和n如上文所述；R³每次出现时是相同的或不同的并且是取代基；R⁸每次出现时是相同的或不同的并且是取代基；e是0、1、2或3；并且f是0、1、2、3或4。

任选地，式(XIII)的Ar¹是苯基，其可以是未取代的或取代有一个或多个取代基R¹。

示例性的取代基R³和R⁸可以选自参照式(VII)所述的取代基。

式(XIII)的重复单元的芴基Ar²可以各自独立地通过任何位置连接至N。在优选的实施方案中，一个或两个芴基Ar²通过它们的2位连接。

本文中描述的任何重复单元的示例性取代基R¹可以选自

-C_1-20烷基，其中一个或多个不相邻的C原子可以被O、S、NR¹¹、C＝O和COO替换，其中R¹¹是取代基；

-可以是未取代的或取代有一个或多个取代基的芳基或杂芳基；

-芳基或杂芳基的支化链或直链，其中每个芳基或杂芳基独立地是未取代的或取代有一个或多个取代基。

任选地，每个R¹(当存在时)独立地是C_1-40烃基，任选地C_1-20烷基。

式(I)的重复单元可以是部分共轭的重复单元，在该情形中所述一个或多个另外的重复单元可以包含或可以不包含一个或多个部分共轭的重复单元。

式(I)的示例性部分共轭的重复单元具有式(XIV)：

其中R、R¹、Ar²、n和m如上文所述；y1和y2各自独立地是0或1，条件是y1和y2的至少一个是1；并且每个y3独立地是0、1或2。

式(I)的重复单元适当地直接结合至邻近的共聚重复单元的芳族或杂芳族基团。与式(XIV)重复单元的连接位置邻近存在取代基R¹在基团R1所结合的苯基和苯基所结合的邻近共聚重复单元的芳基或杂芳基之间产生扭曲，从而在两个重复单元之间产生扭曲，这限制两个重复单元之间的共轭程度。

式(I)的重复单元可以形成本发明共聚物的重复单元的0.5-75mol％，任选地1-50mol％，任选地1-40mol％。

在图1的器件中，在OLED的空穴传输层中提供本发明的聚合物。在其它的配置中，可以提供本发明的聚合物作为发光层的发光材料或在发光层中提供空穴传输材料与单独的发光材料结合。

通过凝胶渗透色谱法测量的本文所述聚合物的聚苯乙烯当量数均分子量(Mn)在约1×10³至1×10⁸的范围内，且优选在1×10⁴至5×10⁶的范围内。本文所述聚合物的聚苯乙烯当量重均分子量(Mw)可以为1×10³至1×10⁸，且优选为1×10⁴至1×10⁷。

本文所述的聚合物适宜地为非晶态(amorphous)聚合物。

共聚重复单元

发明的聚合物含有式(I)的重复单元和至少一种共聚重复单元。所述共聚重复单元可以选自部分共轭的共聚重复单元和完全共轭的共聚重复单元。共聚重复单元可以含有芳族或杂芳族基团，所述芳族或杂芳族基团直接连接至本发明的重复单元的Ar¹，或连接至其它共聚重复单元的芳族或杂芳族基团。

本发明的共聚物的部分共轭的共聚重复单元可以是共轭至邻近重复单元的重复单元，但其中重复单元的共轭程度是有限的。

所述部分共轭重复单元可以是具有一个或多个取代基的重复单元，使得所述部分共轭重复单元扭曲到邻近重复单元的平面之外，或者使得所述部分共轭重复单元含有内部扭曲。

通过提供沿聚合物骨架的扭曲，沿骨架的芳族或杂芳族基团之间p-轨道重叠的程度是有限的。

部分共轭的重复单元可以是1,3-连接的或1,2-连接的亚苯基重复单元。将理解的是在1,3-连接的或1,2-连接的亚苯基重复单元的任意一侧上的邻近芳族或杂芳族重复单元之间的共轭程度将小于由1,4-连接的亚苯基重复单元提供的共轭程度。

任选地，部分共轭的重复单元是式(IIIa)、(IIIb)或(IIIc)的重复单元：

其中p是1、2或3；q每次出现时独立地是1、2、3或4；w是0、1、2、3或4；并且R³每次出现时独立地是取代基。

当存在时，各R³可独立地选自以下:

-烷基，任选地C_1-20烷基，其中一个或多个非邻近C原子可被任选取代的芳基或杂芳基、O、S、取代的N、C＝O或COO替换，并且一个或多个H原子可被F替换；

-芳基和杂芳基基团，所述芳基和杂芳基基团可以是未取代的或取代有一个或多个取代基，优选为取代有一个或多个C_1-20烷基的苯基；

-芳基或杂芳基基团的直链或支化链，每个所述基团可独立地被取代，例如式-(Ar³)_r的基团，其中各Ar³独立地为芳基或杂芳基并且r为至少2，优选苯基的支化链或直链，每个所述苯基可以是未取代的或取代有一个或多个C_1-20烷基；和

-可交联基团，例如包含双键的基团如乙烯基或丙烯酸酯基团，或者苯并环丁烯基团。

在R³包含芳基或杂芳基、或者芳基或杂芳基的直链或支化链的情况下，所述芳基或杂芳基或者每个芳基或杂芳基可取代有一个或多个选自以下的取代基R⁷：烷基，例如C_1-20烷基，其中一个或多个非邻近C原子可被O、S、取代的N、C＝O和-COO-替换，并且该烷基的一个或多个H原子可被F替换；氟；硝基和氰基；

取代的N(当存在时)可以是–NR⁹-，其中每个R⁹独立地选自烷基，优选为C_1-20烷基；和芳基或杂芳基，优选为苯基，任选地取代有一个或多个C_1-20烷基。

可交联基团可以直接结合至重复单元或者可通过间隔基团例如C_1-20烷基从其间隔开，其中该C_1-20烷基的一个或多个非相邻C原子可以被O、S、C＝O或COO替换。

优选地，各个R³(当存在时)独立地选自C_1-40烃基，并且更优选地选自：C_1-20烷基；未取代的苯基；取代有一个或多个C_1-20烷基的苯基；苯基的直链或支化链，其中各苯基可以是未取代的或取代有一个或多个取代基；以及可交联基团。

式(IIIa)的特别优选的重复单元具有下式：

上式的取代基R³与该重复单元的连接位置邻近，这可引起重复单元与邻近重复单元之间的空间位阻，从而导致重复单元相对于一个或两个邻近重复单元扭曲到平面外。

p为2或3时的示例性重复单元包括以下：

示例性的重复单元具有下式：

上式的两个R³基团可以在它们所键合的苯基环之间引起空间位阻，从而导致两个苯基环相对于彼此扭曲从而产生在重复单元内的内部扭曲。

不希望受任何理论约束，据认为部分共轭重复单元的存在允许沿聚合物骨架的电导率而不允许可引起从发光层发射的光的猝灭或红移的高共轭程度。

另一类共聚重复单元为任选取代的芴重复单元，例如式(VII)的重复单元:

其中R³每次出现时是相同的或不同的并且是如参照式(I I I)所述的取代基，并且其中两个基团R³可以连接形成未取代的或取代的环；R⁸是取代基；并且d是0、1、2或3。

芴重复单元的芳族碳原子可以是未取代的，或可以取代有一个或多个取代基R⁸。示例性的取代基R⁸是烷基例如C_1-20烷基，其中一个或多个非邻近C原子可以被O、S、NH或取代的N、C＝O和-COO-、任选取代的芳基、任选取代的杂芳基、烷氧基、烷硫基(alkylthio)、氟、氰基和芳基烷基替换。特别优选的取代基包括C_1-20烷基和取代或未取代的芳基，例如苯基。对于芳基而言，任选的取代基包括一个或多个C_1-20烷基。

取代的N(当存在时)可以为-NR⁵-，其中R⁵为C_1-20烷基；未取代的苯基；或取代有一个或多个C_1-20烷基的苯基。

式(VII)的重复单元可以是所述共聚物中存在的完全共轭的重复单元，或者可以形成所述共聚物的一个或多个部分共轭的重复单元。

可以通过以下方式限制跨式(VII)的重复单元的共轭程度以形成部分共轭的重复单元：(a)通过3-和/或6-位置连接重复单元以限制跨该重复单元的共轭程度，和/或(b)在邻近该连接位置的一个或多个位置上用一个或多个取代基R⁸取代所述重复单元以产生与邻近的一个或多个重复单元的扭曲，例如在3-和6-位置之一或两者上带有取代基R⁸(例如C_1-20烷基取代基)的2,7-连接的芴。

式(VII)的重复单元可以是式(VIIa)的完全共轭的2,7-连接的重复单元：

式(VII)的重复单元可以是式(VIIb)的部分共轭的3,6-连接的重复单元：

式(VII)的重复单元可以是式(VIIc)的部分共轭的3,6-连接的重复单元：

一个或两个R³基团可以是可交联的基团，其直接连接至芴单元或通过上文所述的间隔基团从其间隔开。

在WO 2012/104579中公开了优选类别的式(III)重复单元，通过引用将其内容并入本文中。

另一种示例性的共聚重复单元具有式(VIII)：

其中R³、R⁸和d如参考上文的式(III)和(VII)所述。任一个R³基团可连接至任何其它R³基团从而形成环。如此形成的环可以是未取代的或取代有一个或多个取代基，任选地一个或多个C_1-20烷基。

式(VIII)的重复单元可以具有式(VIIIa)或(VIIIb)：

式(VIII)的示例性重复单元具有以下结构，其中芳族碳原子可以各自独立地是未取代的或用取代基R⁸取代，并且其中环戊基可以各自独立地是未取代的或者取代有一个或多个取代基，例如一个或多个C_1-20烷基：

可以如参考式(VII)所述那样控制式(VIII)的重复单元的共轭以提供完全共轭或部分共轭的重复单元。

聚合物可以包含式(IV)的共聚重复单元：

其中Ar⁴、Ar⁵和Ar⁶各自独立地是芳基或杂芳基，并且可以各自独立地是未取代的或取代有上文所述的一个或多个取代基R³，任选地C_1-20烷基；t每次出现时独立地是至少1，任选地1、2或3；并且X是N或CR²，其中R²是H或取代基，优选地H或C_1-10烷基。

优选地，式(IV)的Ar⁴、Ar⁵和Ar⁶各自是苯基，每个苯基任选地且独立地取代有一个或多个C_1-20烷基。

优选地，至少一个X是N。在一个优选的实施方案中，所有3个基团X是N。

如果所有3个基团X是CR²，那么Ar¹、Ar²和Ar³的至少一个优选地是包含N的杂芳族基团。

式(IV)的Ar⁶优选地是苯基，并且任选地取代有一个或多个C_1-20烷基或可交联基团。

式(IV)的优选重复单元是2,4,6-三苯基-1,3,5-三嗪，其中苯基是未取代的或取代有一个或多个C_1-20烷基。

该聚合物可以含有1-50mol％的部分共轭的重复单元。

该聚合物可以含有1-50mol％、任选地1-30mol％的除式(I)重复单元和部分共轭重复单元以外的重复单元。

发光层

发光层105可以含有一种或多种合适的发光材料，包括小分子、树枝状和聚合的发光材料。发光材料可以是荧光的或磷光的。发光层105可以基本上由所述一种或多种发光材料组成，或可以包含一个或多个另外的材料。另外的材料可以选自主体材料以及(在荧光发光层的情形中)为了从荧光发光材料接受三线态激子的三线态接受材料，用以猝灭三线态激子或促进三线态-三线态湮灭和延迟荧光。示例性的添加材料是WO 2012/086671中所述的聚合物，通过引用将其内容并入本文中。

发光层的发光材料包括红色、绿色和蓝色发光材料，它们各自可以是荧光的或磷光的。

蓝色发光材料可以具有峰值在400-490nm、任选地420-490nm范围内的光致发光光谱。

绿色发光材料可以具有峰值在大于490nm直至580nm范围内、任选地大于490nm直至540nm范围内的光致发光光谱。

红色发光材料可以任选地在其光致发光光谱内具有大于580nm直至630nm、任选地585-625nm的峰值。

当用于形成空穴传输层时，可以选择本发明聚合物的最低单线态和/或三线态激发态能级以便避免从发光层的发光材料的发射的猝灭。最低单线态和三线态激发态能级可以分别为：比发光层的荧光发射体的最低单线态激发态能级或者发光层的磷光发射体的最低三线激发态能级低不超过0.1eV，任选地相同或更高。可以根据聚合物的期望的能级选择部分共轭的重复单元的量。

示例性的磷光发光材料包括包含式(IX)的取代或未取代络合物的金属络合物：

ML¹_qL²_rL³_s

(IX)

其中M是金属；L¹、L²和L³各自是配位基团；q是整数；r和s各自独立地是0或整数；以及(a.q)+(b.r)+(c.s)的和等于M上的可用配位点的数目，其中a是L¹上的配位点的数目，b是L²上的配位点的数目并且c是L³上的配位点的数目。优选地a、b和c各自是1、2或3，优选地1或2。在优选的实施方案中，a、b和c各自是2。L¹、L²和L³可以是相同的，或者L¹、L²和L³的至少一个不同于L¹、L²和L³中的其它。

重元素M引发强烈的自旋轨道耦合从而允许快速的系统间蹿跃(cross ing)以及从三重态或更高态的发射。合适的重金属M包括d-区金属，特别是第2行和第3行中的那些金属，即39到48号元素和72到80号元素，特别是钌、铑、钯、铼、锇、铱、铂和金。特别优选铱。

示例性的配体L¹、L²和L³包括碳或氮的供体，例如卟啉或式(X)的二齿配体：

其中Ar¹⁰和Ar¹¹可以相同或不同，并且独立地选自取代或未取代的芳基或杂芳基；X¹和Y¹可以相同或不同，并且独立地选自碳或氮；并且Ar¹⁰和Ar¹¹可以稠合在一起。其中X¹是碳并且Y¹是氮的配体是优选的，特别是其中Ar¹⁰为单环或仅为N和C原子的稠合杂芳族的配体，例如吡啶基或异喹啉，并且Ar¹¹为单环或稠合芳族，例如苯基或萘基。

为实现红光发射，Ar¹⁰可选自苯基、芴和萘基，以及Ar¹¹选自喹啉、异喹啉、噻吩和苯并噻吩。

为实现绿光发射，Ar¹⁰可选自苯基或芴。Ar¹¹可以为吡啶。

为实现蓝光发射，Ar¹⁰可以是苯基并且Ar¹¹可以为咪唑、三唑或四唑。

二齿配体的实例如下所示：

其中R¹³每次出现时是H或C_1-20烷基。

Ar¹⁰和Ar¹¹各自可带有一个或多个取代基。这些取代基中的两个或更多个可连接形成环，例如芳族环。

适合与d区元素一起使用的其它配体包括二酮化物(diketonate)，特别是乙酰丙酮化物(acac)；三芳基膦和吡啶，它们各自可以被取代。

示例性的取代基包括基团R³，如上文关于式(III)所述。特别优选的取代基包括：氟或三氟甲基，它们可用于使络合物的发射蓝移，例如WO 02/45466、WO 02/44189、US 2002-117662和US 2002-182441中所公开的；烷基或烷氧基，例如C_1-20烷基或烷氧基，其可以是如JP 2002-324679中所公开的；咔唑，当用作发光材料时，其可用于辅助空穴传输到络合物，例如WO 02/81448中所公开的；和树突(dendron)，其可用于获得或增强金属络合物的溶液加工性，例如WO 02/66552中所公开的。

发光的树枝状聚合物(dendrimer)可包含结合到一个或多个树突的发光核心，其中每个树突包含分支点和两个或更多个树枝状分支。优选地，树突至少部分地共轭，并且分支点和树枝状分支中的至少之一包含芳基或杂芳基基团，例如苯基基团。在一种设置中，分支点基团和分支基团都是苯基，并且每个苯基可独立地取代有一个或多个取代基，例如烷基或烷氧基。

树突可以具有任选地取代的式(XI)

其中BP表示用于连接到核心的分支点，并且G₁代表第一代分支基团。

树突可以是第一、第二、第三或更高代树突。G₁可被两个或更多个第二代分支基团G₂取代，如此继续，如在任选取代的式(XIa)中：

其中u为0或1；如果u为0则v为0，或者如果u为1则v可以是0或1；BP表示用于连接到核心的分支点，并且G₁、G₂和G₃代表第一代、第二代和第三代树突分支基团。在一个优选实施方案中，BP和G₁、G₂…G_n各自为苯基，并且每个苯基BP、G₁、G₂…G_n-1为3,5-连接的苯基。

优选的树突是式(XIb)的取代或未取代的树突:

其中*代表树突至核心的连接点。

BP和/或任何基团G可以取代有一个或多个取代基，例如一个或多个C_1-20烷基或烷氧基基团。

可以在具有主体材料的发光层中提供磷光发光材料。主体材料具有的最低三线态激发态能级比与其一起使用的材料的最低三线态激发态能级低不超过0.1eV，且优选地至少相同或更高。

该磷光发光材料可以与主体聚合物物理混合或可与其共价结合。磷光发光材料可被提供在主体聚合物的侧链、主链或端基中。当在聚合物侧链中提供磷光材料时，该磷光材料可以直接结合到聚合物的骨架或通过间隔基团与其间隔开，例如C_1-20烷基间隔基团，其中一个或多个非邻近C原子可用O或S替换。

发光材料可以是有机荧光材料的任何形式，包括(但不限于)小分子、树枝状和聚合的荧光材料。

发光聚合物可以是包含发光重复单元的发光均聚物，或者其可以是包含发光重复单元和另外的重复单元诸如在例如WO 00/55927中所公开的空穴传输和/或电子传输重复单元的共聚物。可将每个重复单元提供在聚合物的主链或侧链中。

发光聚合物可含有在聚合物骨架中的重复单元，其共轭在一起。

发光聚合物可含有芳基胺重复单元，例如式(XII)的重复单元：

其中Ar⁸和Ar⁹每次出现时独立地选自取代或未取代的芳基或者杂芳基，g大于或等于1，优选地1或2，R¹³是H或者取代基，优选地取代基，并且c和d各自独立地是1、2或者3。

R¹³(当g>1时其每次出现时可以是相同的或不同的)优选地选自：烷基例如C_1-20烷基，Ar¹²，Ar¹²基团的支化链或直链，或者直接结合到式(XII)的N原子或通过间隔基团与其间隔开的可交联单元，其中Ar¹²每次出现时独立地是任选取代的芳基或杂芳基。示例性的间隔基团是C_1-20烷基、苯基和苯基-C_1-20烷基。

在式(XII)的重复单元中Ar⁸、Ar⁹和Ar¹²(如果存在的话)的任一个可以通过直接键或二价连接原子或基团连接至Ar⁸、Ar⁹和Ar¹²中的另一个。优选的二价连接原子和基团包括O、S；取代的N；和取代的C。

可以用一个或多个取代基取代Ar⁸、Ar⁹和Ar¹²(如果存在的话)的任一个。示例性的取代基是取代基R¹²，其中每个R¹²可独立地选自：

-取代的或未取代的烷基，任选地C_1-20烷基，其中一个或多个不相邻的C原子可以被任选取代的芳基或杂芳基、O、S、取代的N、C＝O或-COO-替换，并且一个或多个H原子可以被F替换；以及

-直接连接至芴单元或通过间隔基团从其间隔开的可交联基团，例如包含双键的基团如乙烯基或丙烯酸酯基团，或苯并环丁烯基团。

优选的式(XI I)重复单元具有式1-3：

发光聚合物可以含有一种、两种或更多种不同的式(XII)重复单元。

在一种任选的配置中，连接至两个N原子的中央Ar⁹基团(例如在式1中)是亚苯基，其可以是未取代的或取代有一个或多个取代基R¹²。

在另一个任选的配置中，式1的中心Ar⁹基团是多环芳族，其可以是未取代的或取代有一个或多个取代基R¹⁰。示例性的多环芳族基团是萘、苝、蒽和芴。这些多环芳族基团的每一个可以取代有一个或多个取代基R¹²。两个取代基R¹²可连接形成取代或未取代的环。

任选地，Ar⁸是苯基，该苯基可以是未取代的或取代有一个或多个取代基R¹²。

任选地，连接至式(XI I)重复单元的仅一个N原子的Ar⁹基团是苯基，其可以是未取代的或取代有一个或多个取代基R¹²。

式(XI I)的R¹³优选地是烃基，优选C_1-20烷基、苯基(其是未取代的或取代有一个或多个C_1-20烷基)、或者苯基的支化链或直链，其中每个所述苯基是未取代的或取代有一个或多个C_1-20烷基。

任选地，R¹³是Ar¹²例如苯基，或者是-(Ar¹²)_r，其中r是至少2，并且其中基团-(Ar¹²)_r形成芳族或杂芳族基团的直链或支化链，例如3,5-二苯基苯，其中每个苯基可以取代有一个或多个取代基R¹⁰，如一个或多个C_1-20烷基。在WO 2010/001982中描述了该类型的重复单元，通过引用将其内容并入本文中。

任选地，c、d和g各自是1并且Ar⁸和Ar⁹是通过氧原子连接从而形成吩噁嗪环的苯基。

胺重复单元可以提供空穴传输和/或发光功能。示例性的发光胺重复单元包括式(XIIa)的蓝色荧光发光重复单元和式(XIIb)的绿色发光重复单元：

式(XIIa)和(XIIb)的重复单元可以是未取代的，或者式(XIIb)重复单元的环中的一个或多个可取代有一个或多个取代基R¹⁵，优选一个或多个C_1-20烷基。

可以在具有一种或多种共聚重复单元的共聚物中提供胺重复单元，并且其可以形成发光共聚物的重复单元的0.5mol％至约50mol％，任选地约1-25mol％，任选地约1-10mol％。

示例性的共聚重复单元包括但不限于芴、亚苯基、茚并芴、菲和二氢菲重复单元。发光聚合物的共聚重复单元可以包括上述共聚重复单元(III)、(VII)和(VIII)中的一种或多种；菲重复单元；萘重复单元；蒽重复单元和苝重复单元。这些重复单元各自可以通过这些单元的芳族碳原子中的任何两个连接至邻近的重复单元。具体的示例性连接包括9,10-蒽；2,6-蒽；1,4-萘；2,6-萘；2,7-菲和2,5-苝。这些重复单元各自可以是取代的或未取代的，例如取代有一个或多个C_1-40烃基。

聚合物合成

制备如本文所述的共轭聚合物(包括空穴传输和发光共轭的聚合物)的优选方法包括“金属嵌插”，其中使金属络合物催化剂的金属原子嵌插在单体的芳基或杂芳基与离去基团之间。示例性的金属嵌插方法是如例如WO 00/53656中所述的Suzuki聚合，以及如例如以下文献中所述的Yamamoto聚合：T.Yamamoto，“Electrically Conducting And Thermally Stable π-Conjugated Poly(arylene)s Prepared by Organometallic Processes"，Progress in Polymer Science 1993，17，1153-1205。在Yamamoto聚合的情形中，使用镍络合物催化剂；在Suzuki聚合的情形中，使用钯络合物催化剂。

例如，在通过Yamamoto聚合来合成线性聚合物中，使用具有两个反应性卤素基团的单体。类似地，根据Suzuki聚合，至少一个反应性基团是硼衍生基团例如硼酸或硼酸酯，并且其它反应性基团是卤素。优选的卤素为氯、溴和碘，最优选溴。

因此将意识到本申请通篇所说明的重复单元可衍生自带有合适离去基团的单体。同样地，可以通过合适的离去基团的反应将端基或侧基结合到聚合物。

Suzuki聚合可以用来制备区域规则的(regioregular)、嵌段的和无规的共聚物。具体地，当一个反应性基团为卤素且另一个反应性基团为硼衍生基团时，可以制备均聚物或无规共聚物。作为替代，当第一单体的两个反应性基团均为硼并且第二单体的两个反应性基团均为卤素时，可以制备嵌段或区域规则(特别是AB)的共聚物。

作为卤化物的替代，能够参与金属插嵌的其它离去基团包括：甲苯磺酸酯(tosylate)、甲磺酸酯(mesylate)和三氟甲磺酸酯(triflate)。

空穴注入层

可由导电性有机材料或无机材料形成的导电性空穴注入层，其可提供于如图1所示的OLED的阳极101和空穴传输层103之间以辅助从阳极到一层或多层半导体聚合物中的空穴注入。掺杂的有机空穴注入材料的实例包括任选取代的、掺杂的聚(乙烯二氧噻吩)(PEDT)，尤其是用下列掺杂的PEDT：电荷平衡聚酸(polyacid)，如EP 0901176和EP 0947123中所公开的聚苯乙烯磺酸酯(PSS)、聚丙烯酸或氟化磺酸，例如 如US 5723873和US 5798170中公开的聚苯胺；和任选取代的聚噻吩或聚(噻吩并噻吩)。导电性无机材料的实例包括过渡金属氧化物，如Journal of Physics D：Applied Physics(1996)，29(11)，2750-2753中所公开的VOx、MoOx和RuOx。

阴极

阴极107选自于具有容许电子注入OLED的发光层内的功函数的材料。其它因素会影响阴极的选择，例如在阴极与发光材料之间的有害相互作用的可能性。阴极可以由单一材料例如铝层构成。作为替代，其可以包含多种导电材料如金属，例如低功函数材料和高功函数材料的双层，例如WO 98/10621中公开的钙和铝。阴极可以包含单质钡，如在WO 98/57381、Appl.Phys.Lett.2002,81(4),634和WO 02/84759中所公开的。阴极可在器件的有机层与一个或多个导电阴极层之间包含金属化合物(特别是碱金属或碱土金属的氧化物或氟化物)的薄(例如1-5nm)层，以协助电子注入，例如在WO 00/48258中公开的氟化锂；如在Appl.Phys.Lett.2001,79(5),2001中公开的氟化钡；以及氧化钡。为了提供电子向器件内的高效注入，阴极优选地具有小于3.5eV、更优选地小于3.2eV、最优选地小于3eV的功函数。金属的功函数可以参见例如Michaelson，J.Appl.Phys.48(11)，4729，1977。

阴极可以是不透明的或透明的。透明阴极对于有源矩阵器件是特别有利的，因为穿过此类器件中的透明阳极的发射光至少部分地被位于发光像素下方的驱动电路阻挡。透明阴极包含电子注入材料的层，该层足够薄以致是透明的。通常，该层的横向导电性由于其薄度(thinness)而将是低的。在这种情况下，电子注入材料层与较厚的透明导电材料层例如铟锡氧化物结合使用。

将理解的是，透明阴极器件不需要具有透明阳极(当然，除非需要完全透明的器件)，并且因此可以用反射材料层例如铝层代替或补充用于底部发光器件的透明阳极。在例如GB 2348316中公开了透明阴极器件的实例。

包封

有机光电子器件往往对水分和氧气敏感。因此，基底优选地具有用于防止水分和氧气侵入器件内的良好阻隔性。基底通常为玻璃，但是可以使用替代性的基底，特别是在器件的柔性为期望的情况下。例如，基底可以包含一个或多个塑料层，例如交替的塑料和电介质阻挡层的基底，或者薄玻璃和塑料的层叠体。

可以用包封材料(未示出)包封器件以防止水分和氧气侵入。合适的包封材料包括玻璃片，具有合适的阻隔性质的膜，如二氧化硅、一氧化硅、氮化硅、或聚合物与介电材料的交替叠层，或气密性容器。在透明阴极器件的情况下，可沉积透明包封层如一氧化硅或二氧化硅达到微米级的厚度，但在一个优选的实施方案中，该层的厚度在20-300nm范围内。用于吸收可能渗透穿过基底或包封材料的任何大气水分和/或氧气的吸收材料可被设置在基底和包封材料之间。

配制物加工

适用于形成本发明聚合物的层的配制物可以由聚合物和一种或多种合适的溶剂形成。

适合于溶解本发明的组合物(特别是含有含烷基取代基的聚合物的组合物)的溶剂，包括用一个或多个C_1-10烷基或C_1-10烷氧基取代的苯，例如甲苯、二甲苯和甲基苯甲醚。

特别优选的溶液沉积技术包括印刷和涂覆技术，例如旋涂和喷墨印刷。

旋涂特别适合于其中发光层的图案化为不必要的器件—例如用于照明应用或简单的单色分段显示器。

喷墨印刷特别适合于高信息内容的显示器，尤其是全色显示器。可通过如下方式来喷墨印刷器件：在第一电极上方提供图案化的层，和限定用于印刷一种颜色(单色器件的情况)或多种颜色(多色的情况，尤其是全色器件)的凹坑(well)。图案化的层典型地是被图案化以限定凹坑的光刻胶层，例如EP 0880303中所述。

作为凹坑的替代，可将墨印刷到图案化层内限定的沟道中。具体而言，可将光刻胶图案化以形成沟道，与凹坑不同的是，所述沟道在多个像素上方延伸并且可在沟道末端封闭或开放。

其它溶液沉积技术包括浸涂、辊筒印刷和丝网印刷。

可以使用本发明聚合物的配制物形成空穴传输层103以形成聚合物的未交联层，随后使聚合物的可交联取代基交联以使空穴传输层103不溶于用以形成器件的上覆层的溶剂中。可以提供可交联基团作为式(I)重复单元的取代基和/或作为共聚重复单元的取代基。

实施例

单体实施例1

根据以下反应方案制备单体实施例1：

(2)的合成—将苯胺(0.62mol)、1-溴-4-丁基-2,6-二甲苯(0.25mol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.005mol)、三-叔丁基鏻四氟硼酸盐(0.02mol)和叔丁醇钠(0.6mol)在甲苯(1.5L)中的混合物加热至回流持续20小时。在水相加工(aqueous work up)和通过柱色谱法的纯化之后，以89％的产率得到(2)。

(4)的合成—将甲苯(600ml)中的2,7-二溴-9,10-二辛基菲(0.045mol)、(2)0.11mol的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.9mmol)和三-叔丁基鏻四氟硼酸盐(3.6mmol)和叔戊醇钠(0.10mol)加热至回流持续20小时。在水相加工和通过柱色谱法的纯化之后，以66％的产率得到(4)。

(5)的合成—通过氯仿(260ml)中的NBS(2.28当量)和二甲基甲酰胺(115ml)的作用使化合物(4)(29mmol)溴化。用水和甲醇猝灭反应。通过柱色谱法和再结晶进行(4)的纯化直到达到期望的纯度。得到70％的产率。

单体实施例2

(2)的合成

向1(180g,0.3211mol)和4-丁基-2,6-二甲基苯胺(125.3g,0.7066mol)在1800ml甲苯(无水)中的溶液添加固体的双(二亚苄基丙酮)钯(0)(1.47g,0.0016mol)和三-叔丁基鏻四氟硼酸盐(0.90g 0.0024mol)。然后用氮气喷射混合物，接着作为固体分批添加叔丁醇钠(92.6g,0.9635mol)。将最终的混合物喷射另外10分钟并且缓慢加热至回流以及加热直到通过TLC看不到起始材料。在水相加工和通过柱色谱法纯化之后得到(2)(235g，98％产率)。

(3)的合成

向(2)(50g,66.4mmol)和5-溴-间二甲苯(27ml,199mmol)在800ml的甲苯(无水)中的溶液添加固体的双(二亚苄基丙酮)钯(0)(1.82g,2mmol)和三-叔丁基鏻四氟硼酸盐(1.73g,6mmol)。然后用氮气喷射混合物，接着作为固体分批添加叔丁醇钠(25.5g g,266mmol)。将最终的混合物喷射林外10分钟并且缓慢加热至回流并且加热直到通过TLC看不到起始材料。在水相加工和通过柱色谱法纯化之后得到红色油形式的(3)。

(4)的合成

用氮气喷射(3)(28.91g,30.07mmol)在220ml的氯仿(无水)中的溶液持续20分钟，随后冷却至-40℃。将N-溴代琥珀酰亚胺(10.44g,58.63mmol)在200ml的N,N-二甲基甲酰胺(无水)中的溶液逐滴添加至反应混合物。使反应混合物温热至室温并且通过HPLC检查转化。按照需要添加另外的小份NBS以实现二溴化物的最佳转化而不形成三溴化物。在水相加工之后通过反复的再结晶纯化白色固体从而得到单体实施例2(28g，通过HPLC在99.46％(83％产率))。

单体实施例3

(3)的合成

将(2)(70g,198.83mmol)在THF(1400mL)中的溶液冷却至低于-60℃并且逐滴添加正丁基锂的溶液(91mL在己烷中的2.5M溶液，228.65mmol)。在添加完成之后搅拌混合物持续另外1小时并且温热至-40和-50℃之间。然后逐滴添加丁基碘(45.5mL,398mmol)并且使反应温热至室温并且搅拌过夜。在水相加工、通过用甲苯/乙腈洗脱的氧化硅和彻底干燥之后，得到棕色油形式的(3)(98％产率)。

(4)的合成

在氮气下向3(20g,45.56mmol)、Pd₂(dba)₃和2-(二环己基磷基)联苯的混合物添加THF(80mL)并且用氮气喷射溶液持续10分钟。向溶液逐滴添加在THF中的LiN(SiMe₃)₂(68.3mL的1M溶液，68.33mmol)。在添加完成后将反应混合物加热至回流持续3小时并且然后冷却至10℃并逐滴添加2M HCl(125mL)，随后10％NaOH溶液(102mL)。用甲苯(200mL)和乙腈(100mL)稀释该混合物。在水相加工和在硅胶上通过色谱法纯化后得到棕色固体形式的4(11.8g,89％产率)。

6的合成

在氮气氛下将1,4-二溴-2,5-二乙基苯(130g,445.19mmol)在环戊基甲醚(CPME)(1950mL)中的溶液冷却至<-65℃的内部温度，在30分钟内逐滴添加正丁基锂(207mL,516.4mmol)。然后使反应混合物缓慢温热至-25℃的内部温度并且在30分钟内逐滴添加三甲基氯硅烷(68mL,534mmol)。用水(390mL)猝灭反应并使其经受水相加工，随后通过用甲苯/乙腈洗脱的硅胶通道进行纯化。溶剂的蒸发产生无色油形式的6(127g，99％产率)。

7的合成

制备4(20.6g,77.6mmol)、tBu₃PHBF₄(0.471g,1.622mmol)、Pd₂(dba)₃(0.707g,0.772mmol)和甲苯(164mL)的溶液并且用氮气喷射混合物持续10分钟，接着添加固体的tBuONa(11.13g,115.87mmol)。在氮气下向其逐滴添加6(21.10g,74mmol)在甲苯(207mL)中的溶液。在添加完成后，将反应混合物加热至60℃持续4小时。使反应混合物冷却至室温并添加己烷(410mL)。在水相加工后使有机相通过氧化硅，用甲苯/乙腈洗脱并且去除挥发物。使该材料再次溶解于甲苯/己烷(2:1)中并且通过氧化硅塞，用甲苯/己烷(2:1)洗脱。去除挥发物提供红色油形式的7(34.3g,98.7％产率)。

9的合成

在氮气氛下向8(15.563g,27.77mmol)、tBu₃PHBF₄和Pd₂(dba)₃的混合物添加7(28.7g,61.1mmol)在甲苯(271mL)中的溶液并且用氮气喷射产生的溶液持续10分钟。向溶液添加固体的叔戊醇钠(9.175g,83.31mmol)并且将混合物加热至50℃持续4小时，在此之后使它冷却至室温。将己烷(280mL)添加至反应混合物并且执行水相加工。去除挥发物提供棕色油，将其再次溶解于甲苯/己烷中并且通过氧化硅塞，用另外的甲苯/己烷洗脱。去除挥发物并将油再次溶解于己烷中。逐滴添加乙醇以提供黄色粘性固体的沉淀物。将该沉淀物用甲醇和与母液结合的洗液洗涤，导致另外的小份黄色固体。将两份黄色固体结合并再次溶解于己烷中，并用活性碳处理产生的棕色溶液一级通过celite过滤以提供棕黄色的溶液。重复该过程并去除挥发物以提供黄色油形式的9，其在静置后凝固为黄色固体。使该黄色固体通过从己烷/乙醇/甲醇再结晶三次进一步纯化从而以75％的产率提供黄色固体形式的9。

单体实施例3的合成

向维持在-10℃和-20℃之间的9(28g,20.92mmol)在二氯甲烷(280mL)中的溶液添加吡啶(5mL,62.8mmol)，随后以4份添加苄基三甲基三溴化铵(16.319g,41.85mmol)，且在每次添加之间搅拌2小时。在搅拌的最后时期将反应混合物倒入甲醇(1400mL)并过滤混合物。用甲醇洗涤滤液并经由通过用甲苯/己烷(1:4)洗脱的氧化硅纯化淡黄色固体，随后由己烷/乙醇/甲醇(1:2:0.7)反复再结晶从而以93％的产率提供单体实施例3。

聚合物

通过下示单体以表1和表2中提供量的按WO 00/53656中所述的Suzuki聚合制备聚合物：

其中“OCT”是正辛基。

表1

在聚合物实施例2和5中，分别通过单体6(单体实施例2)和单体11(单体实施例3)的聚合形成的式(I)重复单元提供部分共轭的重复单元。

在聚合物实施例1、3和4中通过单体1(扭曲的亚苯基重复单元)或单体8(扭曲的芴重复单元)的聚合形成的重复单元提供部分共轭的重复单元。

蓝色荧光器件实施例

制备具有以下结构的蓝色有机发光器件：

ITO/HIL/HTL/LE/阴极，

其中ITO是氧化铟锡阳极；HIL是空穴注入层；HTL是空穴传输层；LE是发光层；并且阴极包含与发光层接触的金属氟化物层和银层及铝层。

为了形成器件，使用紫外/臭氧清洗带有ITO的基底。通过旋涂可购自Plextronics,Inc的空穴注入材料的水性配制物来形成空穴注入层。通过旋涂表1的聚合物实施例并且通过加热使聚合物交联形成空穴传输层。通过旋涂蓝色荧光发光聚合物形成发光层，该聚合物通过如WO 00/53656中所述的Suzuki聚合形成并且包含式(VIIa)的芴重复单元、式(VIIIa)的重复单元和式(XII)的胺重复单元和添加聚合物。通过蒸镀金属氟化物的第一层至约2nm的厚度、铝的第二层至约100nm的厚度和银的第三层至约100nm的厚度形成阴极。

绿色磷光器件实施例

按器件实施例1中所述制备绿色器件，区别在于用组成为主体聚合物(60重量％)和绿色磷光发射体1(40重量％)的绿色磷光发光层代替所述蓝色荧光发光层。

通过式(IIIa)的烷基取代亚苯基重复单元和式(IV)的三苯基三嗪重复单元的如WO 00/53656中所述的Suzuki聚合来制备主体聚合物：

绿色磷光发射体1具有以下结构：

表2中提供了蓝色荧光器件的结果，其中T95和T80代表器件亮度分别下降至1000cd/m2的初始亮度的95％和80％所用的时间。

含有示例性聚合物的器件的T95和T80值高于含有比较聚合物的器件。CIE(x,y)颜色坐标和外部量子效率(EQE)是相似的。

表2-荧光蓝色器件结果

表3中提供了绿色磷光器件的结果，其中T90和T50代表器件亮度分别地下降至24000cd/m2的初始亮度的90％和50％所用的时间。

含有示例性聚合物的器件的T90和T50值高于含有比较聚合物的器件。

聚合物实施例2和5(其中式(I)重复单元是扭曲的)的T50值高于聚合物实施例3和4(其中共聚重复单元提供沿聚合物骨架的扭曲)的T50值。

表3-磷光绿色器件结果(1)

绿色磷光器件结果(2)

表3中所示的结果显示对于含有聚合物实施例4和比较聚合物4A的器件的更高的寿命和可比较的效率和颜色。

聚合物实施例4和比较聚合物4A都含有衍生自单体8的部分共轭的芴重复单元，但只有聚合物实施例4含有式(I)的重复单元。

如上所述制备绿色磷光器件。制备器件实例1，其中使用聚合物实施例4形成空穴传输层，并且制备比较器件，其中使用比较聚合物4B形成空穴传输层。

在表4中示出结果。比较聚合物4B的确含有式(I)的重复单元，但不含部分共轭的重复单元。

聚合物实施例4、比较例4A和比较例4B的结果证明改善的性能不是通过单一重复单元的存在或不存在实现的，而是通过式(I)重复单元和部分共轭重复单元的结合而实现的。

表4

绿色磷光器件结果(3)

如上所述制备绿色磷光器件。制备器件实施例2，其中使用聚合物实施例1形成空穴传输层，并且制备比较器件2，其中使用比较聚合物1形成空穴传输层。

参照图2，在高于约2.5V的电压下器件实施例2的外部量子效率高于比较器件2的外部量子效率。

参照图3，器件实施例2的半寿命(在恒定电流下器件的亮度下降至初始亮度的50％所用的时间)高于比较器件2的半寿命。

虽然关于具体的示例性实施方案描述了本发明，然而应意识到在不偏离下列权利要求所述的本发明范围的情况下，本文所公开的特征的各种修改、改变和/或组合对本领域技术人员而言将是明显的。

聚合物和器件专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。