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一种基于量子点敏化的长余辉发光材料及其应用

一种基于量子点敏化的长余辉发光材料及其应用

IPC分类号 : C09K11/00,C09K11/02,C09K11/06,C09K11/66,B82Y20/00,B82Y30/00,B82Y40/00,C08L75/06,C08K13/02,C08K3/30,C08K5/46,C08K5/45,C08J5/18,C09D11/50,C09D11/102,G09F3/02,B42D25/378

申请号
CN202010194863.2
可选规格

    看了又看

  • 专利类型:
  • 法律状态: 有权
  • 公开号: CN111303860B
  • 公开日: 2020-06-19
  • 主分类号: C09K11/00
  • 专利权人: 复旦大学

专利摘要

专利摘要

本发明提供了一种基于量子点敏化的长余辉发光材料及其应用,属于发光材料领域。本实施例提供的基于量子点敏化的长余辉发光材料包括吸光剂,包括量子点以及与量子点能级匹配且配位在量子点表面上的天线分子,用于在激发光的作用下于氧气作用产生单线态氧;光化学缓存剂,用于与单线态氧反应并释放能量;以及发光剂,用于接收能量并发光。本发明所提供的长余辉发光材料可以被太阳光,日光灯等低功率密度的光源激发实现长余辉发光。本发明还提供了长余辉发光材料在柔性薄膜以及在多色可调编码材料中的应用。本发明还提供了长余辉发光材料在生物活体内成像的应用。

权利要求

1.一种基于量子点敏化的长余辉发光材料,其特征在于,包括:

吸光剂,用于在激发光的作用下与氧气作用产生单线态氧,包括量子点以及与所述量子点的能级匹配且配位在所述量子点的表面上的天线分子;

光化学缓存剂,用于与所述单线态氧反应并释放能量;以及

发光剂,用于接收所述能量并发光。

2.根据权利要求1所述的基于量子点敏化的长余辉发光材料,其特征在于:

所述量子点为胶体半导体量子点、钙钛矿量子点、石墨烯量子点、碳量子点或硅量子点中的任意一种或多种。

3.根据权利要求1所述的基于量子点敏化的长余辉发光材料,其特征在于:

所述天线分子为羧基天线分子或巯基天线分子,

所述羧基天线分子为1-芘甲酸、9-蒽甲酸、5-羧基并四苯或9,10-二(4-羧基苯基)蒽中的任意一种或多种,

所述巯基天线分子为1-芘硫醇、9-蒽硫醇、5-巯基并四苯或9,10-二(4-巯基苯基)蒽中的任意一种或多种。

4.根据权利要求3所述的基于量子点敏化的长余辉发光材料,其特征在于:

所述量子点和所述天线分子的摩尔比为1:(1-20000)。

5.根据权利要求1所述的基于量子点敏化的长余辉发光材料,其特征在于:

所述光化学缓存剂为

6.根据权利要求1所述的基于量子点敏化的长余辉发光材料,其特征在于,

所述发光剂为并苯分子类化合物、染料类化合物、配合物类化合物或钙钛矿量子点中的任意一种或多种,

所述并苯分子类化合物为苝和/或9,10-二苯基蒽,

所述染料类化合物为氟硼二吡咯衍生物BDM和/或罗丹明B,

所述配合物类化合物铕配合物、铱配合物或铽配合物中的任意一种或多种。

7.一种基于量子点敏化的长余辉发光材料的应用,用于制备长余辉发光材料的有机溶剂分散液,其特征在于,包括如下步骤:

将权利要求1-6任意一项所述的长余辉发光材料分散在有机溶液中,即得所述有机溶剂分散液。

8.一种基于量子点敏化的长余辉发光材料的应用,用于制备长余辉发光材料的水分散液,其特征在于,包括如下步骤:

将权利要求1-6任意一项所述的长余辉发光材料包裹在转水相包裹材料中得到水分散发光材料,再将所述水分散发光材料可分散在水相中,即得所述水分散液,

其中,所述转水相包裹材料为牛血清蛋白、两亲性聚乙二醇或卵磷脂中的任意一种或多种。

9.一种基于量子点敏化的长余辉发光材料的应用,用于制备含有长余辉发光材料的柔性薄膜,其特征在于,包括如下步骤:

将权利要求1-6任意一项所述的长余辉发光材料填充在柔性聚合物薄膜中,即得所述柔性薄膜。

10.一种基于量子点敏化的长余辉发光材料的应用,用于制备含有权利要求1-5任意一项所述的长余辉发光材料的多色可调编码材料,其特征在于,所述发光剂为至少两种发射波长不同钙钛矿量子点。

说明书

技术领域

本发明涉及发光材料领域,具体涉及一种基于量子点敏化的长余辉发光材料及其应用。

背景技术

长余辉发光材料的发光原理属于光致发光,即当去除激发光源后激发态能量以光的形式缓慢释放并呈现出持久发光(寿命大于0.1s)的现象。相比于传统荧光材料,在激发光停止激发后,长余辉材料仍然具有持续发光的能力,这一特性使得长余辉材料被广泛的用夜间照明指示,能量储存,生物成像和生物示踪等领域。

传统长余辉材料都必须用高能量的紫外线、甚至X-射线激发,而紫外线或X-射线都需要较大的能量并且具有一定的危险性,这大大限制了长余辉材料的应用。近几年,Pu课题组发展了基于单线态氧激发的长余辉材料,该材料利用光敏剂作用下产生的单线态氧分子激活诱导长余辉发光。而该类材料通常选用有机小分子或者配合物作为光敏剂,这大大限制了激发波长的选择性,尤其在近红外光区域,其激发效率依然较低。

半导体量子点作为一种广泛应用的发光纳米材料,由于具有制备方法简单,摩尔消光系数大,吸收光谱宽,发光效率高,发射光波长随粒径变化连续可调等众多优点,近二十年来在检测、成像、LED等领域都被广泛的应用和研究。更为重要的是,半导体量子点可以被大范围波长内的低功率激发光激发,因此发展一种基于半导体敏化的长余辉材料可以很好得解决长余辉材料高能短波长激发光激发的问题。但目前基于半导体敏化的长余辉材料在构建上仍然面临很多挑战,主要由于很难将量子点的能量高效传导出。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而进行的,目的在于提供一种基于量子点敏化的长余辉发光材料及应用,本发明所提供的长余辉发光材料的激发光源选择性广,可以被太阳光、日光灯等低功率光源激发,且可以通过选用不同的量子点和与其能级匹配的天线分子(antenna molecules)作为光敏部分来选择不同的激发光源,其中天线分子起协助能量传导的作用。

本发明提供了一种基于量子点敏化的长余辉发光材料,具有这样的特征,包括:吸光剂,用于在激发光的作用下与氧气作用产生单线态氧,包括量子点以及与量子点能级匹配且配位在量子点表面的天线分子,所述天线分子是量子点的天线分子;光化学缓存剂,用于与单线态氧反应并释放能量;以及发光剂,用于接收能量并发光。

在本发明提供的基于量子点敏化的长余辉发光材料中,还可以具有这样的特征:激发光的波长为200nm-1000nm。

在本发明提供的基于量子点敏化的长余辉发光材料中,还可以具有这样的特征:量子点为胶体半导体量子点(CdSe、CdS、Ag2S、CuInS2、AgInS2、PbS、ZnSe、CdSe/CdS、CdSe/ZnS、Ag2Se、CuInSe2、AgInSe2、PbSe、InP)、钙钛矿量子点(CsPbCl3、CsPbClBr2、CsPbBr3、CsPbBrI2、CsPbI3、CH3NH2PbCl3、CH3NH2PbBr3、CH3NH2PbI3)、石墨烯量子点、碳量子点或硅量子点中的任意一种或多种。

在本发明提供的基于量子点敏化的长余辉发光材料中,还可以具有这样的特征:量子点的粒径分布为1.5nm-20nm。

在本发明提供的基于量子点敏化的长余辉发光材料中,还可以具有这样的特征:量子点的天线分子为羧基天线分子或巯基天线分子,羧基天线分子为1-芘甲酸(PCA)、9-蒽甲酸(9-ACA)、5-羧基并四苯(TCA)或9,10-二(4-羧基苯基)蒽(ADPA)中的任意一种或多种,巯基天线分子为1-芘硫醇、9-蒽硫醇、5-巯基并四苯或9,10-二(4-巯基苯基)蒽中的任意一种或多种。

在本发明提供的基于量子点敏化的长余辉发光材料中,还可以具有这样的特征:量子点和天线分子的摩尔比为1:(1-20000),优选地,量子点和天线分子的摩尔比1:(1-10000),再优选地,量子点和天线分子的摩尔比为1:(10-1000);更优选地,量子点和天线分子的摩尔比为1:(10-500);更优选地,量子点和天线分子的摩尔比为1:(10-50)。

在本发明提供的基于量子点敏化的长余辉发光材料中,还可以具有这样的特征:光化学缓存剂为

在本发明提供的基于量子点敏化的长余辉发光材料中,还可以具有这样的特征:发光剂为并苯分子类化合物、染料类化合物、配合物类化合物或钙钛矿量子点中的任意一种或多种,并苯分子类化合物为苝和/或9,10-二苯基蒽,染料类化合物为氟硼二吡咯衍生物BDM和/或罗丹明B,配合物类化合物铕配合物、铱配合物或铽配合物中的任意一种或多种。

在本发明还提供一种基于量子点敏化的长余辉发光材料的应用,具有这样的特征:用于制备长余辉发光材料的有机溶剂分散液,包括如下步骤:将长余辉发光材料分散在有机溶液中,即得有机溶剂分散液,有机溶剂为乙醇,甲醇,乙腈,甲苯,四氢呋喃,N,N-二甲基甲酰胺,二甲基亚砜中的任意一种或多种。

在本发明还提供一种基于量子点敏化的长余辉发光材料的应用,具有这样的特征:用于制备长余辉发光材料的水分散液,包括如下步骤:将长余辉发光材料包裹在转水相包裹材料中得到水分散发光材料,再将水分散发光材料可分散在水相中,即得水分散液,其中,转水相包裹材料为牛血清蛋白、两亲性聚乙二醇或卵磷脂中的任意一种或多种。优选地,水分散发光材料的粒径为120nm-160nm。

在本发明还提供一种基于量子点敏化的长余辉发光材料的应用,具有这样的特征:用于制备含有长余辉发光材料的柔性薄膜,其特征在于,包括如下步骤:将长余辉发光材料填充在柔性聚合物薄膜中,即得柔性薄膜。优选地,柔性聚合物薄膜的材质为聚乙烯醇、聚丙烯或聚氨酯中的任意一种或多种。

在本发明还提供一种基于量子点敏化的长余辉发光材料的应用,具有这样的特征:用于制备含有长余辉发光材料的多色可调编码材料,其特征在于,发光剂为至少两种发射波长不同钙钛矿量子点。

在本发明还提供一种基于量子点敏化的长余辉发光材料的在生物体内成像的应用。

发明的作用与效果

根据本发明提供的一种基于量子点敏化的长余辉发光材料,长余辉发光材料由吸光剂、光化学缓存剂和发光剂构成。其中吸光剂包括量子点和与量子点能级匹配的羧基天线分子,所以长余辉发光材料能够在激发光作用下,量子点的激发态能量通过羧基天线分子传递并与氧气反应产生单线态氧,光化学缓存剂与单线态氧反应将能量缓慢释放给发光剂,从而使发光剂实现长余辉发光。

根据本发明提供的一种基于量子点敏化的长余辉发光材料,因为量子点和有机小分子存在三线态传能,而本发明中选用量子点与其匹配的羧基天线分子作为吸光剂,有效地将量子点自身的三线态能量传导出,并传递给氧气从而产生单线态氧来将能量缓慢释放给发光剂,使发光剂实现长余辉发光。所以本发明在激发光的选择上具有很好的可调控性,可选用不同的量子点及与其能级匹配的天线分子作为吸光剂达到调控效果。

附图说明

图1是本发明的实施例中基于量子点敏化的长余辉发光材料的发光原理图;

图2是本发明的实施例2中不同发射波长的PbS量子点的余辉光谱图;

图3是本发明的实施例2中不同温度下合成的PbS量子点的透射电子显微镜表征图;

图4是本发明的实施例2中发射波长为962nm的PbS量子点与5-TCA配位后透射电子显微镜表征图;

图5是本发明的实施例2中在室温下分散在甲苯溶液中的长余辉材料的余辉衰减图;

图6是本发明的实施例2的长余辉材料与对比例的长余辉材料的发光强度对比图;

图7是本发明的实施例4中牛血清蛋白包裹的长余辉发光材料透射电子显微镜表征图;

图8是本发明的实施例4中牛血清蛋白包裹后的长余辉发光材料的余辉光谱图;以及

图9是本发明的实施例5中牛血清蛋白包裹后的长余辉发光材料成像图。

具体实施方式

为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,以下结合实施例及附图对本发明作具体阐述。

<实施例1>

一种基于量子点敏化的长余辉发光材料,该发光材料采用如下通式表示:

吸光剂(量子点)@(天线分子)||光化学缓存剂||发光剂(发光分子)

图1是本发明的实施例中基于量子点敏化的长余辉发光材料的发光原理图。

如图1所示,本发明基于量子点敏化的长余辉发光材料的发光原理如下:利用量子点和天线分子之间三线态能量的有效传递,在200nm-1000nm范围内的光激发下,将供体量子点的激发态能量通过天线分子传递,与氧气发生反应产生单线态氧,并与光化学缓存剂发生化学反应,将能量储存在化学键上,缓慢得释放给发光物质并实现400nm-1000nm范围内的发射。本发明具有的显著特性是由于单线态氧与光化学缓存剂反应后的能量储存在化学键上,能量缓慢释放的过程使发光体持续得到能量并缓慢放出光子,这个过程使其具备了长余辉发光的特性。

在本实施例中,量子点选自胶体半导体量子点(CdSe,CdSe/ZnS,CdSe/CdS,CsPbBrI2,CuInS2,PbS)、钙钛矿量子点(CsPbBr3,CsPbBrI2,CsPbI3)或碳量子点(CQDs)中的一种。

天线分子选自羧基天线分子,1-芘甲酸(PCA)、9-蒽甲酸(9-ACA)、5-羧基并四苯(5-TCA)或9,10-二(4-羧,基苯基)蒽(ADPA)中的一种,分子式如下:

选用上述不同的量子点以及和量子点能级匹配的羧基天线分子以及采用的激发光源的波长如表1所示。

表1量子点、羧基天线分子以及激发光源的波长对照表

量子点种类-发射波长羧基天线分子激发光波长CQDs-445nmPCA365nm3-520nm]]>PCA450nmCdSe-540nmPCA450nmCdSe/ZnS-570nm9-ACA450nmCdSe/CdS-614nm9-ACA532nm2-620nm]]>9-ACA532nm3-680nm]]>ADPA635nmCuInS2-700nmADPA635nmPbS-(950-1200)nm5-TCA808nm

值得说明得是,根据实际需求,与量子点能级匹配的天线分子还可选择巯基天线分子。

<实施例2>

一种基于量子点敏化的长余辉发光材料,将PbS量子点与5-TCA配位作为吸光剂,其中,PbS量子点作为量子点,5-TCA作为天线分子;光化学缓存剂为 发光剂为Eu配合物,具体结构式为

图2是本发明的实施例2中不同发射波长的PbS量子点的余辉光谱图。

如图2所示,发射峰在951nm-1026nm的PbS量子点均可作为吸光剂用于本实施例的长余辉发光材料或发光体系,实现长余辉发光,其中962nm发射的PbS量子点余辉光的发光强度最高,这与962nm发射的PbS量子点的三线态能级与5-TCA天线分子能级匹配较好有关,因此敏化效果最好,所以在本实施例中PbS量子点选用发射峰为962nm的PbS量子点。

制备粒径不同的发射峰为962nm的PbS量子点的方法如下:将双(三甲基硫化硅)前驱液在60℃-200℃温度下快速注入油酸铅前驱物中,可获得粒径分布为2nm-10nm的PbS量子点。

图3是本发明的实施例2中不同温度下合成的PbS量子点的透射电子显微镜表征图。

如图3所示,通过电子显微镜分别表征了85℃、90℃、95℃、100℃、105℃和110℃下合成的PbS量子点的形貌,并统计了粒径,从电子显微镜表征结果可以看出,在85℃、90℃、95℃、100℃、105℃和110℃下合成的PbS量子点粒径分别为2.3nm(图3a)、2.5nm(图3b)、2.6nm(图3c)、2.7nm(图3d)、2.8nm(图3e)和2.9nm(图3f),这些量子点都较为分散,粒径也较为均一。

在本实施例中,量子点采用发射峰为962nm粒径为2.5nm的PbS量子点。

图4是本发明的实施例2中发射波长为962nm的PbS量子点与5-TCA配位后透射电子显微镜表征图。

制备PbS量子点与5-TCA配位的吸光剂的方法如下:取1.365mg5-TCA至5mL甲苯中制备1mM的5-TCA甲苯溶液,取100μL PbS(40mg/mL)溶液中至5-TCA溶液中进行配体交换,室温下于旋转混合器中搅拌2小时。在混合物中加入10mL丙酮,16500rpm离心10min后,将所得上清液丢弃,再将残留物分散在5mL甲苯中。上述离心过程重复2-3次,即得到PbS/5-TCA溶液。最后,将PbS/5-TCA溶液储存在黑暗处。

图4是本发明的实施例2中发射波长为962nm的PbS量子点与5-TCA配位后透射电子显微镜表征图。

如图4所示,PbS配位上5-TCA分子后粒径基本不变,且分散性依旧较好。值得说明的是,由于量子点表面有许多位置可供天线分子配位,且溶液中留存部分天线分子,因此量子点和5-TCA的摩尔比可以在1:(1-20000)间进行调控。

本实施例提供的基于量子点敏化的长余辉发光材料的制备方法如下:取上述PbS/5-TCA溶液1mL(甲苯溶液),加入1.5mg光化学缓存剂,加入3mg Eu配合物,混合液在旋转混合器中搅拌1分钟,即得。在808nm激光器的作用下,激光开启2s后关闭,在发射波长为614nm处可实现长余辉发光。在别的实施例中,也可根据材料性质或者应用场景的需要,选用其他有机溶剂,比如选自乙醇,甲醇,乙腈,甲苯,四氢呋喃,N,N-二甲基甲酰胺或二甲基亚砜等。

图5是本发明的实施例2中在室温下分散在甲苯溶液中的长余辉材料的余辉衰减图。

如图5所示,在室温下通过监测614nm发射处的动力学衰减曲线,可得到该条件下余辉的余辉发光时间约为25s。通过改变测试温度,如在温度为-13℃下,该体系的发光时间可达140s,因此在温度改变的情况下,该体系的余辉衰减时间会发生相应变化,在温度为-13℃-40℃的变化范围内长余辉发光时间可实现7s-140s的改变。

<对比例>

一种长余辉发光材料,将PbS量子点作为吸光剂且不含有任何天线分子;光化学缓存剂为 发光剂为Eu配合物,具体结构式为

制备方法为将PbS量子点溶液1mL(甲苯溶液),加入1.5mg光化学缓存剂,加入3mgEu配合物,混合液在旋转混合器中搅拌1分钟即得长余辉发光材料。(与实施例2中制备的区别仅在于不加天线分子5-TCA,即100μL PbS(40mg/mL)分散在5mL甲苯溶液中)

采用808nm激光器,分别照射实施例2中的基于量子点敏化的长余辉发光材料和本对比例提供的长余辉发光材料,激光开启2s后关闭,即可测得两个发光体系的发光强度。

图6是本发明的实施例2的长余辉材料与对比例的长余辉材料的发光强度对比图。

如图6所示,羧基天线分子5-TCA参与配位后,整个体系的余辉强度显著增加。

<实施例3>

一种长余辉发光柔性聚合物薄膜,原料包括PbS量子点、5-羧基并四苯(5-TCA)、光化学缓存剂、Eu配合物、亚甲基双(4-环几基异氰酯)和聚酯多元醇。其中,PbS量子点、光化学缓存剂以及Eu配合物与实施例2中选用的PbS量子点、光化学缓存剂以及Eu配合物相同。

本实施例提供的长余辉发光柔性聚合物薄膜的制备方法为:

S1,配制长余辉发光材料的甲苯溶液,其中,PbS量子点的浓度为1×10-6mol/L,5-TCA的浓度为3×10-4mol/L,光化学缓存剂的浓度为5×10-3mol/L,发光剂的浓度为5×10-3mol/L;

S2,向长余辉发光材料的甲苯溶液中加入亚甲基双(4-环几基异氰酯)和聚酯多元醇(长余辉发光材料的甲苯溶液、亚甲基双(4-环几基异氰酯)和聚酯多元醇的质量比为(1-5):1:2,在本实施例中为3:1:2),在混合仪中搅拌5分钟,并除去气泡放在50℃烘箱中避光烘干制得长余辉发光柔性聚合物薄膜。

本实施例提供的长余辉发光柔性聚合物薄膜在照明显示、防伪等领域都有很好的应用。

<实施例4>

一种长余辉发光材料的水分散纳米体系,原料包括PbS量子点、5-羧基并四苯(5-TCA)、光化学缓存剂、Eu配合物、液体石蜡、水以及牛血清蛋白。其中,PbS量子点、光化学缓存剂以及Eu配合物与实施例2中选用的PbS量子点、光化学缓存剂以及Eu配合物相同。

本实施例提供的长余辉发光材料的水分散纳米体系的制备方法如下:

向1mL PbS/5-TCA溶液(配置方法及浓度与实施例2中的PbS/5-TCA溶液相同)中加入1.5mg光化学缓存剂和3mg Eu配合物,得到长余辉发光材料,将长余辉发光材料溶解在0.17g液体石蜡中,混匀使其基本溶解在液体石蜡中,再加入0.03g牛血清蛋白以及10g水,超声均质处理20min,将得到的纳米体系在均质仪中均质处理,1000rpm离心处理5min,去掉上清液,沉淀用去离子水分散得到PbS量子点敏化的牛血清蛋白包裹的水分散长余辉发光材料。

图7是本发明的实施例4中牛血清蛋白包裹的长余辉发光材料透射电子显微镜表征图。

如图7所示,本实施例提供的PbS量子点敏化的牛血清蛋白包裹的长余辉发光材料中的水分散材料的粒径为120nm-160nm,从该电镜图中可以看出牛血清蛋白包覆的纳米粒子成球形,且分散性较好。

图8是本发明的实施例4中牛血清蛋白包裹后的长余辉发光材料的余辉光谱图。

如图8所示,本实施例提供的PbS量子点敏化的牛血清蛋白包裹的长余辉发光材料在水分散的体系中仍具有很好的余辉发光性能。

<实施例5>

将实施例4提供的水分散长余辉纳米体系材料应用于生物成像,在小鼠皮下注射30μL水分散长余辉纳米体系材料,用功率密度为10mW/cm2的波长为808nm激光照射2s后关闭激光,收集信号。

图9是本发明的实施例5中牛血清蛋白包裹后的长余辉发光材料成像图。

如图9所示,该余辉材料在活体上可被检测到,这为实现零背景小动物活体成像提供了可能,大大提高了成像信噪比。

<实施例6>

一种基于多色钙钛矿发光材料的可调长余辉多通道编码材料,其原料包括:发射波长为962nm的PbS量子点配合5-羧基并四苯分子(5-TCA)制得的吸光剂(制备方法与实施例2中的吸光剂的制备方法相同)、光化学缓存剂、CsPbI3量子点(发射波长690nm)、CsPbBr3量子点(发射波长520nm)以及CsPbCl3量子点(发射波长400nm)。其中,光化学缓存剂与实施例2相同。

本实施例提供的基于多色钙钛矿发光材料的可调长余辉多通道编码材料的制备方法为将各原料按比例混合均匀,经离心后除去上清液,即得。本实施例的各原料重量比为CsPbI3:CsPbBr3:CsPbCl3:光化学缓存剂:PbS/5-TCA=60:40:30:15:10。

本实施例提供的编码材料与聚二甲基硅氧烷油墨混匀,并通过印刷,打印,印章,笔刷等方式以一定的图案印到包装盒、产品等物体表面上,固化以后形成防伪标志。

本实施例提供的编码材料与油墨混匀,分别以有序的方式印刷在纸张,玻璃,金属或者塑料等材质表面,从而将不同的信息写入,而用激发光和不同的滤光片对信息进行读出。另外,借助不同的光敏剂可以实现不同激发光响应的多色发光,且由于光化学缓存剂在长余辉发光过程是消耗型的,所以可以应用于可擦除的信息存储与零试错文件加密,并且该加密方式在信息读取过程中即开始擦除,可有效防止他人通过暴力试错获取密码,提高了信息存储的安全性。

实施例的作用与效果

根据实施例提供的一种基于量子点敏化的长余辉发光材料,长余辉发光材料由吸光剂、光化学缓存剂和发光剂构成,其中吸光剂包括量子点和与量子点能级匹配的羧基天线分子,所以长余辉发光材料能够在激发光作用下,量子点的激发态能量通过羧基天线分子传递并与氧气反应产生单线态氧,光化学缓存剂与单线态氧反应将能量缓慢释放给发光剂,从而使发光剂实现长余辉发光。

根据实施例提供的一种基于量子点敏化的长余辉发光材料,因为量子点和有机小分子存在三线态传能,而实施例中选用量子点与其匹配的羧基天线分子作为吸光剂,有效地将量子点自身的三线态能量传导出,并传递给氧气从而产生单线态氧来将能量缓慢释放给发光剂,使发光剂实现长余辉发光。所以实施例在激发光的选择上具有很好的可调控性,可选用不同的量子点及与其能级匹配的天线分子作为吸光剂达到调控效果。

根据实施例提供的一种基于多色钙钛矿发光材料的可调长余辉多通道编码材料,因为使用了CsPbI3、CsPbBr3以及CsPbCl3三种钙钛矿量子点作为发光剂,所以能够实现红绿蓝三色发射。

上述实施方式为本发明的优选案例,并不用来限制本发明的保护范围。

一种基于量子点敏化的长余辉发光材料及其应用专利购买费用说明

专利买卖交易资料

Q:办理专利转让的流程及所需资料

A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。

1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2:按规定缴纳著录项目变更手续费。

3:同时提交相关证明文件原件。

4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q:专利转让变更,多久能出结果

A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。

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