专利摘要

专利摘要

本发明涉及一种化合物氟硼酸钡和氟硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为BaBOF3，分子量为221.15，采用固相合成法或真空封装法制成；该晶体的化学式为BaBOF3，分子量为221.15，属于单斜晶系，空间群为P21，晶胞参数为a=4.6145(17)Å，b=4.3671(16)Å，c=7.905(3)Å，β=105.519(6)°，单胞体积为153.49(10)Å3，晶体的粉末倍频效应约为KH2PO4(KDP)的1.0倍，紫外吸收边短于190nm，采用熔体法，高温熔液法，真空封装法，水热法或室温溶液法生长晶体，该晶体的化学稳定性好，可作为紫外、深紫外非线性光学晶体在全固态激光器中获得应用。

权利要求

1.一种氟硼酸钡非线性光学晶体，其特征在于该晶体的化学式为BaBOF3，分子量为221.15，属于单斜晶系，空间群为P21，晶胞参数为a = 4.6145(17) Å，b = 4.3671(16) Å，c = 7.905(3) Å，β=105.519(6) °，单胞体积为153.49(10) Å3。

2.一种如权利要求1所述的氟硼酸钡非线性光学晶体的制备方法，其特征在于采用熔体法，高温熔液法，真空封装法，水热法或室温溶液法生长晶体；

所述熔体法生长氟硼酸钡非线性光学晶体的具体操作按下列步骤进行：

a、将含Ba化合物、含B化合物和含F化合物按摩尔比Ba:B:F＝1:1:3混合均匀，装入铂金坩埚，置于马弗炉中升温至500-650 ℃，恒温24-120小时，即得到化合物BaBOF3多晶粉末，所述含Ba化合物为BaF2、Ba(OH)2、BaCO3、Ba(NO3)2、Ba(HCO3)2或Ba(BF4)2；含B化合物为H3BO3、B2O3、Ba(BF4)2；含F为化合物BaF2或Ba(BF4)2；

b、将步骤a制备的化合物BaBOF3多晶粉末装入铂金坩埚，置于马弗炉中，升温至550-750℃，恒温10-120小时，得到混合熔体；

c、将步骤b得到的混合熔体以温度0.1-2 ℃/h的速率缓慢降至350 ℃，再以温度5-10℃/h的速率快速降温至室温，得到BaBOF3籽晶；

d、采用提拉法在化合物熔体中生长晶体：将步骤c得到的籽晶固定于籽晶杆上，从步骤b制得的混合熔体的上方下籽晶，通过晶体生长控制仪施加2-20 rpm的晶转，以1-10 mm/天的速度提拉籽晶，同时以温度0.1-10 ℃/h的速率降温，待晶体生长停止后，即得到BaBOF3非线性光学晶体；

或用泡生法在化合物熔体中生长晶体：将步骤c得到的籽晶固定于籽晶杆上，从步骤b制得的熔体上方下籽晶，以温度0.1-10 ℃/h的速率降温，使晶体生长5-15小时，缓慢提升晶体但不脱离液面继续生长，如此重复，待晶体生长停止后，即得到BaBOF3非线性光学晶体；

或用坩埚下降法在化合物熔体中生长晶体：将步骤c制备的籽晶放在坩埚底部，再将步骤a制备的化合物BaBOF3多晶放入坩埚中，然后将铂金坩埚密封，将生长炉温度升至550-750 ℃，恒温10-120小时，调整坩埚位置使籽晶微熔，然后以1-10 mm/天的速度降低坩埚，同时，保持生长温度不变，或以最快速度温度3 ℃/h的降温速率降至350℃，待生长结束后，再以5-10 ℃/h的速率快速降至室温，即得到BaBOF3非线性光学晶体；

所述高温熔液法生长氟硼酸钡非线性光学晶体的具体操作按下列步骤进行：

a、将含Ba化合物、含B化合物和含F化合物按摩尔比Ba:B:F＝1:1:3混合均匀，装入铂金坩埚，置于马弗炉中升温至500-650 ℃，恒温24-120小时，即得到化合物BaBOF3多晶粉末，所述含Ba化合物为BaF2、Ba(OH)2、BaCO3、Ba(NO3)2、Ba(HCO3)2或Ba(BF4)2；含B化合物为H3BO3、B2O3、Ba(BF4)2；含F化合物为BaF2或Ba(BF4)2；

b、将步骤a得到的化合物BaBOF3多晶粉末与助熔剂按摩尔比1:0.1-6混合均匀，再装入铂金坩埚中，升温至550-750 ℃，恒温5-120小时，得到混合熔液；所述助溶剂为H3BO3、B2O3、PbO或PbF2；

c、制备籽晶：将步骤b得到的混合熔液置于单晶炉中，以温度0.1-2 ℃/h的速率缓慢降至350 ℃，再以温度5-10 ℃/h的速率快速降温至室温，得到BaBOF3籽晶；

d、生长晶体：将步骤c得到的籽晶固定于籽晶杆上，从步骤b制得的混合熔液的上方下籽晶，通过晶体生长控制仪施加2-20 rpm的晶转，以温度0.1-3 ℃/h的速率降温，待晶体生长停止后，即得到BaBOF3非线性光学晶体；

所述真空封装法生长氟硼酸钡非线性光学晶体的具体操作按下列步骤进行：

a、将含Ba化合物、含B化合物和含F化合物按摩尔比Ba:B:F＝1:1:3混合均匀，装入铂金坩埚，置于马弗炉中升温至500-650 ℃，恒温24-120小时，即得到化合物BaBOF3多晶粉末，所述含Ba化合物为BaF2、Ba(OH)2、BaCO3、Ba(NO3)2、Ba(HCO3)2或Ba(BF4)2；含B化合物为H3BO3、B2O3、Ba(BF4)2；含F化合物为BaF2或Ba(BF4)2；

b、将步骤a得到的化合物BaBOF3多晶粉末与助熔剂按摩尔比0-1:0.1-6混合均匀，装入石英管中，高温密封后置于马弗炉中，升温至550-700 ℃，恒温5-120小时，然后以温度0.1-3 ℃/h的速率降温至350 ℃，再以温度5-10℃/h的速率快速降温至室温，即得到BaBOF3非线性光学晶体，所述助溶剂为H3BO3、B2O3、PbO或PbF2；

所述水热法生长氟硼酸钡非线性光学晶体的具体操作按下列步骤进行：

a、将含Ba化合物、含B化合物和含F化合物按摩尔比Ba:B:F＝1:1:3混合均匀，装入铂金坩埚，置于马弗炉中升温至500-650 ℃，恒温24-120小时，即得到化合物BaBOF3多晶粉末，所述含Ba化合物为BaF2、Ba(OH)2、BaCO3、Ba(NO3)2、Ba(HCO3)2或Ba(BF4)2；含B化合物为H3BO3、B2O3、Ba(BF4)2；含F化合物为BaF2或Ba(BF4)2；

b、将步骤a得到的化合物BaBOF3多晶粉末置入去离子水中溶解，将不完全溶解的混合物在温度60 ℃超声波处理，使其充分混合溶解，用HF和Ba(OH)2调节pH值为8-11；

c、将步骤b得到的混合溶液转入到干净、无污染的体积为100 mL的高压反应釜的内衬中，并将反应釜旋紧密封；

d、将高压反应釜放置在恒温箱内，升温至150-350 ℃，恒温5-8天，再以温度5-20 ℃/天的降温速率降至室温，即得到BaBOF3非线性光学晶体；

所述室温溶液法生长氟硼酸钡非线性光学晶体，具体操作按下列步骤进行：

a、将含Ba化合物、含B化合物和含F化合物按摩尔比Ba:B:F＝1:1:3混合均匀，装入铂金坩埚，置于马弗炉中升温至500-650 ℃，恒温24-120小时，即得到化合物BaBOF3多晶粉末，所述含Ba化合物为BaF2、Ba(OH)2、BaCO3、Ba(NO3)2、Ba(HCO3)2或Ba(BF4)2；含B化合物为H3BO3、B2O3、Ba(BF4)2；含F化合物为BaF2或Ba(BF4)2；

b、将步骤a得到的化合物BaBOF3多晶粉末放入洗干净的玻璃容器中，加入20-100 mL去离子水，然后超声波处理使充分混合溶解，用HF和Ba(OH)2调节pH值为8-11，用滤纸过滤得到混合溶液；

c、将步骤b得到的混合溶液置于干净的玻璃容器中，用称量纸封口，放在无晃动、无污染、无空气对流的静态环境中，将封口扎若干个小孔用以调节水溶液中水的蒸发速率，在室温下静置5-20天；

d、待步骤c中的溶液在容器底部长出晶体颗粒，直至晶体颗粒大小不再有明显变化，即得到籽晶；

e、选择步骤d中质量较好的籽晶，将其悬挂于步骤b制得的混合溶液中，在室温下静置生长10-30天，即得到BaBOF3非线性光学晶体。

3.一种如权利要求1所述的氟硼酸钡非线性光学晶体在制备Nd: YAG激光器所输出的1064 nm的基频光进行2倍频、3倍频、4倍频、5倍频的谐波光输出的用途。

4.一种如权利要求1所述的氟硼酸钡非线性光学晶体在制备产生低于200 nm的深紫外倍频光输出中的用途。

5.一种如权利要求1所述的化合物氟硼酸钡非线性光学晶体在制备倍频发生器、上或下频率转换器或光参量振荡器中的用途。

说明书

技术领域

本发明涉及一种化合物氟硼酸钡BaBOF3和氟硼酸钡BaBOF3非线性光学晶体及制备方法和用途。

背景技术

紫外(UV)或深紫外(DUV)非线性光学(NLO)材料在激光频率转换、光刻、半导体光刻等方面起着重要的作用。由于能够产生相干的UV或DUV光，因此在过去的几十年中，科学家们发明了一些UV和DUV波段的NLO晶体，包括β-BaB2O4(BBO)，LiB3O5(LBO)，CsB3O5(CBO)，CsLiB6O10(CLBO)，KBe2BO3F2(KBBF)，K3B6O10Cl(KBOC)等。众所周知，目前唯一实用化的深紫外非线性光学晶体是我国科学家发明的(KBBF)晶体，该晶体具有层状生长习性，生长大尺寸晶体困难，一定程度上限制了其应用。各国科学家仍旧在极力关注着各类新型非线性光学晶体的探索和研究，不仅注重晶体的光学性能和机械性能，而且越来越重视晶体的制备特性。

本发明在此前的研究中，发明了化合物氟硼酸钡非线性光学晶体及其制备方法和用途(专利申请号：201010231415.1)，化合物氟硼酸钡和氟硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途(专利申请号：201110258171.0)，化合物氟硼酸铵NH4B4O6F和氟硼酸铵NH4B4O6F非线性光学晶体(专利申请号：201611128283.3)，化合物氟硼酸铷和氟硼酸铷非线性光学晶体及制备方法和用途(专利申请号：201710215347.1)，化合物氟硼酸铯和氟硼酸铯非线性光学晶体及制备方法和用途(专利申请号：201710215337.8)化合物氟硼酸钠和氟硼酸钠双折射晶体及制备方法和用途(专利申请号：201610932882.4)，化合物氟硼酸铯铷和氟硼酸铯铷非线性光学晶体及制备方法和用途(专利申请号：201710845438.3)，以及化合物氟硼酸铯钾和氟硼酸铯钾非线性光学晶体及制备方法和用途(专利申请号：201710845730.5)七个相关专利。本发明与以上七个专利的主要区别在于，氟硼酸钡BaBOF3中Ba离子与硼-氧氟阴离子框架以Ba-F离子键连接，结构的成键作用力不同，导致结构和生长习性完全不同，氟硼酸钡BaBOF3既可以在密闭体系生长也可以在开放体系稳定生长，生长工艺关键参数和晶体性能均与前六个晶体不同。特别说明一下，本发明与此前的氟硼酸钡(专利申请号：201010231415.1和专利申请号：201110258171.0)在结构上存在明显的差异。专利申请号为201010231415.1的氟硼酸钡的分子式为Ba4B11O20F，分子量为1007.27，晶体属正交晶系，空间群Cmc21，晶胞参数为 单胞体积为 专利申请号为201110258171.0的氟硼酸钡的分子式为Ba3B6O11F2，分子量690.88，晶体属单斜晶系，空间群P21，晶胞参数为 β＝101.351(4)°，单胞体积为 上述两例氟硼酸钡与本发明的氟硼酸钡属于完全不同的化合物。

发明内容

本发明目的在于，提供一种化合物氟硼酸钡，该化合物的化学式为BaBOF3，分子量为221.15，采用固相反应法或真空封装法制备。

本发明的另一个目的在于，提供氟硼酸钡BaBOF3非线性光学晶体，该晶体的化学式为BaBOF3，分子量为221.15。其晶体结构属于单斜晶系，空间群为P21，晶胞参数为 β＝105.519(6)°，单胞体积为

本发明再一个目的在于，提供氟硼酸钡BaBOF3非线性光学晶体的制备方法，采用熔体法，高温熔液法，真空封装法，水热法或室温溶液法生长晶体。

本发明又一个目的在于，提供氟硼酸钡BaBOF3非线性光学晶体的用途。

本发明所述的一种化合物氟硼酸钡，该化合物的化学式为BaBOF3，分子量为221.15，采用固相合成法或真空封装法制成。

所述化合物氟硼酸钡的制备方法，采用固相合成法或真空封装法制备，具体操作按下列步骤进行：

所述固相合成法制备化合物氟硼酸钡：

将含Ba化合物、含B化合物和含F化合物按摩尔比Ba:B:F＝1:1:3混合均匀，装入铂金坩埚，置于马弗炉中升温至310-650℃，恒温24-120小时，即得到化合物BaBOF3，所述含Ba化合物为BaF2、Ba(OH)2、BaCO3、Ba(NO3)2、Ba(HCO3)2或Ba(BF4)2；含B化合物为H3BO3、B2O3、Ba(BF4)2；含F化合物为BaF2或Ba(BF4)2；

所述真空封装法制备化合物氟硼酸钡：

将含Ba化合物、含B化合物和含F化合物按摩尔比Ba:B:F＝1:5:3混合均匀，装入石英管中，将石英管抽真空，真空度达到1×10-3Pa，高温密封后置于马弗炉中，以温度5-10℃/h的速率升温至310-650℃，恒温24-120小时，即得到化合物BaBOF3，所述含Ba化合物为BaF2、Ba(OH)2、BaCO3、Ba(NO3)2、Ba(HCO3)2或Ba(BF4)2；含B化合物为H3BO3、B2O3、Ba(BF4)2；含F化合物为BaF2或Ba(BF4)2。

一种氟硼酸钡非线性光学晶体，该晶体的化学式为BaBOF3，分子量为221.15，属于单斜晶系，空间群为P21，晶胞参数为 β＝105.519(6)°，单胞体积为

所述氟硼酸钡非线性光学晶体的制备方法，采用熔体法，高温熔液法，真空封装法，水热法或室温溶液法生长晶体；

所述熔体法生长氟硼酸钡非线性光学晶体，具体操作按下列步骤进行：

a、将含Ba化合物、含B化合物和含F化合物按摩尔比Ba:B:F＝1:1:3混合均匀，装入铂金坩埚，置于马弗炉中升温至310-650℃，恒温24-120小时，即得到化合物BaBOF3多晶粉末，所述含Ba化合物为BaF2、Ba(OH)2、BaCO3、Ba(NO3)2、Ba(HCO3)2或Ba(BF4)2；含B化合物为H3BO3、B2O3、Ba(BF4)2；含F化合物为BaF2或Ba(BF4)2；

b、将步骤a制备的化合物BaBOF3多晶粉末装入铂金坩埚，置于马弗炉中，升温至550-750℃，恒温10-120小时，得到混合熔体；

c、将步骤b得到的混合熔体以温度0.1-2℃/h的速率缓慢降至310℃，再以温度5-10℃/h的速率快速降温至室温，得到BaBOF3籽晶；

d、采用提拉法在化合物熔体中生长晶体：将步骤c得到的籽晶固定于籽晶杆上，从步骤b制得的混合熔体的上方下籽晶，通过晶体生长控制仪施加2-20rpm的晶转，以1-10mm/天的速度提拉籽晶，同时以温度0.1-10℃/h的速率降温，待晶体生长停止后，即得到BaBOF3非线性光学晶体；

或用泡生法在化合物熔体中生长晶体：将步骤c得到的籽晶固定于籽晶杆上，从步骤b制得的熔体的上方下籽晶，以温度0.1-10℃/h的速率降温，使晶体生长5-15小时，缓慢提升晶体但不脱离液面继续生长，如此重复，待晶体生长停止后，即得到BaBOF3非线性光学晶体；

或用坩埚下降法在化合物熔体中生长晶体：将步骤c制备的籽晶放在坩埚底部，再将步骤a制备的化合物BaBOF3多晶放入坩埚中，然后将铂金坩埚密封，将生长炉温度升至550-750℃，恒温10-120小时，调整坩埚位置使籽晶微熔，然后以1-10mm/天的速度降低坩埚，同时，保持生长温度不变，或以最快速度3℃/h的降温速率降至350℃，待生长结束后，再以温度5-10℃/h的速率快速降至室温，即得到BaBOF3非线性光学晶体；

所述高温熔液法生长氟硼酸钡非线性光学晶体，具体操作按下列步骤进行：

a、将含Ba化合物、含B化合物和含F化合物按摩尔比Ba:B:F＝1:1:3混合均匀，装入铂金坩埚，置于马弗炉中升温至310-650℃，恒温24-120小时，即得到化合物BaBOF3多晶粉末，所述含Ba化合物为BaF2、Ba(OH)2、BaCO3、Ba(NO3)2、Ba(HCO3)2或Ba(BF4)2；含B化合物为H3BO3、B2O3、Ba(BF4)2；含F化合物为BaF2或Ba(BF4)2；

b、将步骤a得到的化合物BaBOF3多晶粉末与助熔剂按摩尔比1:0.1-6混合均匀，再装入铂金坩埚中，升温至550-750℃，恒温5-120小时，得到混合熔液；所述助溶剂为H3BO3、B2O3、PbO或PbF2；

c、制备籽晶：将步骤b得到的混合熔液置于单晶炉中，以温度0.1-2℃/h的速率缓慢降至350℃，再以温度5-10℃/h的速率快速降温至室温，得到BaBOF3籽晶；

d、生长晶体：将步骤c得到的籽晶固定于籽晶杆上，从步骤b制得的混合熔液的上方下籽晶，通过晶体生长控制仪施加2-20rpm的晶转，以温度0.1-3℃/h的速率降温，待晶体生长停止后，即得到BaBOF3非线性光学晶体；

所述真空封装法生长氟硼酸钡非线性光学晶体，具体操作按下列步骤进行：

a、将含Ba化合物、含B化合物和含F化合物按摩尔比Ba:B:F＝1:1:3混合均匀，装入铂金坩埚，置于马弗炉中升温至310-650℃，恒温24-120小时，即得到化合物BaBOF3多晶粉末，所述含Ba化合物为BaF2、Ba(OH)2、BaCO3、Ba(NO3)2、Ba(HCO3)2或Ba(BF4)2；含B化合物为H3BO3、B2O3、Ba(BF4)2；含F化合物为BaF2或Ba(BF4)2；

b、将步骤a得到的化合物BaBOF3多晶粉末与助熔剂按摩尔比0-1:0.1-6混合均匀，装入石英管中，高温密封后置于马弗炉中，升温至550-700℃，恒温5-120小时，然后以温度0.1-3℃/h的速率降温至350℃，再以温度5-10℃/h的速率快速降温至室温，即得到BaBOF3非线性光学晶体，所述助溶剂为H3BO3、B2O3、PbO或PbF2；

所述水热法生长氟硼酸钡非线性光学晶体，具体操作按下列步骤进行：

a、将含Ba化合物、含B化合物和含F化合物按摩尔比Ba:B:F＝1:1:3混合均匀，装入铂金坩埚，置于马弗炉中升温至310-650℃，恒温24-120小时，即得到化合物BaBOF3多晶粉末，所述含Ba化合物为BaF2、Ba(OH)2、BaCO3、Ba(NO3)2、Ba(HCO3)2或Ba(BF4)2；含B化合物为H3BO3、B2O3、Ba(BF4)2；含F化合物为BaF2或Ba(BF4)2；

b、将步骤a得到的化合物BaBOF3多晶粉末置入去离子水中溶解，将不完全溶解的混合物在温度60℃超声波处理，使其充分混合溶解，用HF和Ba(OH)2调节pH值为8-11；

c、将步骤b得到的混合溶液转入到干净、无污染的体积为100mL的高压反应釜的内衬中，并将反应釜旋紧密封；

d、将高压反应釜放置在恒温箱内，升温至150-350℃，恒温5-8天，再以温度5-20℃/天的降温速率降至室温，即得到BaBOF3非线性光学晶体；

所述室温溶液法生长氟硼酸钡非线性光学晶体，具体操作按下列步骤进行：

a、将含Ba化合物、含B化合物和含F化合物按摩尔比Ba:B:F＝1:5:3混合均匀，装入铂金坩埚，置于马弗炉中升温至310-650℃，恒温24-120小时，即得到化合物BaBOF3多晶粉末，所述含Ba化合物为BaF2、Ba(OH)2、BaCO3、Ba(NO3)2、Ba(HCO3)2或Ba(BF4)2；含B化合物为H3BO3、B2O3、Ba(BF4)2；含F化合物为BaF2或Ba(BF4)2；

b、将步骤a得到的化合物BaBOF3多晶粉末放入洗干净的玻璃容器中，加入20-100mL去离子水，然后超声波处理使充分混合溶解，用HF和Ba(OH)2调节pH值为8-11，用滤纸过滤得到混合溶液；

c、将步骤b得到的混合溶液置于干净的玻璃容器中，用称量纸封口，放在无晃动、无污染、无空气对流的静态环境中，将封口扎若干个小孔用以调节水溶液中水的蒸发速率，在室温下静置5-20天；

d、待步骤c中的溶液在容器底部长出晶体颗粒，直至晶体颗粒大小不再明显变化，得到籽晶；

e、选择步骤d中质量较好的籽晶，将其悬挂于步骤b制得的混合溶液中，在室温下静置生长10-30天，即得到BaBOF3非线性光学晶体。

所述氟硼酸钡非线性光学晶体在制备Nd:YAG激光器所输出的1064nm的基频光进行2倍频、3倍频、4倍频、5倍频的谐波光输出的用途。

所述氟硼酸钡非线性光学晶体在制备产生低于200nm的深紫外倍频光输出中的用途。

所述化合物氟硼酸钡非线性光学晶体在制备倍频发生器、上或下频率转换器或光参量振荡器中的用途。

本发明所述氟硼酸钡非线性光学晶体的制备方法，在制备过程中所用的容器为铂金坩埚，铱坩埚，陶瓷坩埚，石英管，锥形瓶，烧杯，内衬为聚四氟乙烯内衬或装有铂金套管的不锈钢内衬的水热釜。当容器为石英管时，密封之前需要抽真空，避免反应过程中原料挥发使石英管炸裂。当容器为锥形瓶或烧杯，须先用酸将容器清洗干净，再用去离子水润洗，晾干。

本发明所述的氟硼酸钡非线性光学晶体的制备方法，在制备过程中所用的电阻炉为马弗炉或干燥箱。

采用本发明所述的氟硼酸钡非线性光学晶体的制备方法，通过该方法获得尺寸为厘米级的BaBOF3非线性光学晶体，使用大尺寸坩埚或容器，并延长晶体的生长周期，则可获得相应大尺寸的非线性光学晶体BaBOF3，在该BaBOF3非线性光学晶体的生长中晶体易长大透明无包裹，具有生长速度快，成本低，容易获得大尺寸晶体等优点。

采用本发明所述的氟硼酸钡非线性光学晶体的制备方法，获得的大尺寸BaBOF3非线性光学晶体，根据晶体的结晶学数据，将晶体毛胚定向，按所需角度、厚度和截面尺寸切割晶体，将晶体的通光面抛光，即可作为非线性光学器件使用，该BaBOF3非线性光学晶体具有透光波段达深紫外区，物化性能稳定，不易潮解，易于加工和保存等优点。

附图说明

图1为本发明化合物BaBOF3的粉末XRD谱图；

图2为本发明BaBOF3晶体的结构图；

图3为本发明BaBOF3晶体制作的非线性光学器件的工作原理图，其中1为激光器，2为发出光束，3为BaBOF3晶体，4为出射光束，5为滤波片。

具体实施方式

以下结合实施例对本发明做进一步描述。需要说明的是，下述实施例不能作为对本发明保护范围的限制，任何在本发明基础上做出的改进都不违背本发明精神。本发明所用原料或设备，如无特殊说明，均是商业上可以购买得到的。

实施例1

制备化合物：

按反应式：6BaF2+2B2O3→4BaBOF3+2BaO，采用固相反应法合成化合物BaBOF3：

将BaF2，B2O3按摩尔比3:1混合均匀，装入铂金坩埚，置于马弗炉中升温至500℃，恒温48小时，即得到化合物BaBOF3的多晶粉末。

实施例2

制备化合物：

按反应式：3Ba(BF4)2+B2O3→3BaBOF3+5BF3，采用固相反应法合成化合物BaBOF3：

将Ba(BF4)2，B2O3按摩尔比3:1混合均匀，装入铂金坩埚，置于马弗炉中升温至500℃，恒温48小时，即得到化合物BaBOF3的多晶粉末。

实施例3

制备化合物：

按反应式：3Ba(BF4)2+2H3BO3→3BaBOF3+BF3+3H2O，采用固相反应法合成化合物BaBOF3：

将Ba(BF4)2，H3BO3按摩尔比3:2混合均匀，装入铂金坩埚，置于马弗炉中升温至550℃，恒温24小时，即得到化合物BaBOF3的多晶粉末。

实施例4

制备化合物：

按反应式：3BaF2+2H3BO3→2BaBOF3+BaO+3H2O，采用固相反应法合成化合物BaBOF3：

将BaF2，H3BO3按摩尔比3:2混合均匀，装入铂金坩埚，置于马弗炉中升温至550℃，恒温24小时，即得到化合物BaBOF3的多晶粉末。

实施例5

制备化合物：

按反应式：Ba(OH)2+3Ba(BF4)2→BaBOF3+3BaF2+5BF3+H2O，采用固相反应法合成化合物BaBOF3：

将Ba(OH)2，Ba(BF4)2按摩尔比1:3混合均匀，装入铂金坩埚，置于马弗炉中升温至310℃，恒温120小时，即得到化合物BaBOF3的多晶粉末。

实施例6

制备化合物：

按反应式：Ba(HCO3)2+Ba(BF4)2→BaBOF3+BaF2+BF3+H2O+CO2，采用固相反应法合成化合物BaBOF3：

将Ba(HCO3)2，Ba(BF4)2按摩尔比1:1混合均匀，装入铂金坩埚，置于马弗炉中升温至550℃，恒温72小时，即得到化合物BaBOF3的多晶粉末。

实施例7

制备化合物：

按反应式：BaCO3+Ba(BF4)2→BaBOF3+BaF2+BF3+CO2，采用固相反应法合成化合物BaBOF3：

将BaCO3，Ba(BF4)2按摩尔比1:1混合均匀，装入铂金坩埚，置于马弗炉中升温至600℃，恒温72小时，即得到化合物BaBOF3的多晶粉末。

实施例8

制备化合物：

按反应式：Ba(NO3)2+Ba(BF4)2→BaBOF3+BaF2+BF3+N2O5，采用固相反应法合成化合物BaBOF3：

将Ba(NO3)2，Ba(BF4)2按摩尔比1:1混合均匀，装入铂金坩埚，置于马弗炉中升温至650℃，恒温72小时，即得到化合物BaBOF3的多晶粉末。

实施例9

制备化合物：

按反应式：6BaF2+2B2O3→4BaBOF3+2BaO，采用真空封装法合成化合物BaBOF3：

将BaF2，B2O3按摩尔比3:1混合均匀，装入Φ40mm的石英管中，将石英管抽真空，真空度达到1×10-3Pa，高温密封后置于马弗炉中，以温度10℃/h的速率升温至600℃，恒温24小时，即得到化合物BaBOF3的多晶粉末。

将含Ba化合物、含B化合物和含F化合物按摩尔比Ba:B:F＝1:5:3混合均匀，装入石英管中，将石英管抽真空，真空度达到1×10-3Pa，高温密封后置于马弗炉中，以温度5-10℃/h的速率升温至310-650℃，恒温24-120小时，即得到化合物BaBOF3，所述含Ba化合物为BaF2、Ba(OH)2、BaCO3、Ba(NO3)2、Ba(HCO3)2或Ba(BF4)2；含B化合物为H3BO3、B2O3、Ba(BF4)2；含F化合物为BaF2或Ba(BF4)2。

实施例10

制备化合物：

按反应式：3Ba(BF4)2+B2O3→3BaBOF3+5BF3，采用真空封装法合成化合物BaBOF3：

将3Ba(BF4)2，B2O3按摩尔比3:1混合均匀，装入Φ40mm的石英管中，将石英管抽真空，真空度达到1×10-3Pa，高温密封后置于马弗炉中，以温度10℃/h的速率升温至600℃，恒温24小时，即得到化合物BaBOF3的多晶粉末。

实施例11

制备化合物：

按反应式：3BaF2+2H3BO3→2BaBOF3+BaO+3H2O，采用真空封装法合成化合物BaBOF3：

将BaF2，H3BO3按摩尔比3:2混合均匀，装入Φ40mm的石英管中，将石英管抽真空，真空度达到1×10-3Pa，高温密封后置于马弗炉中，以温度5℃/h的速率升温至500℃，恒温72小时，即得到化合物BaBOF3的多晶粉末。

实施例12

制备化合物：

按反应式：3Ba(BF4)2+2H3BO3→3BaBOF3+BF3+3H2O，采用真空封装法合成化合物BaBOF3：

将Ba(BF4)2，H3BO3按摩尔比3:2混合均匀，装入Φ40mm的石英管中，将石英管抽真空，真空度达到1×10-3Pa，高温密封后置于马弗炉中，以温度5℃/h的速率升温至500℃，恒温72小时，即得到化合物BaBOF3的多晶粉末。

实施例13

制备化合物：

按反应式：Ba(OH)2+3Ba(BF4)2→BaBOF3+3BaF2+5BF3+H2O，采用真空封装法合成化合物BaBOF3：

将Ba(OH)2，Ba(BF4)2按摩尔比1:3混合均匀，装入Φ40mm的石英管中，将石英管抽真空，真空度达到1×10-3Pa，高温密封后置于马弗炉中，以温度8℃/h的速率升温至350℃，恒温72小时，即得到化合物BaBOF3的多晶粉末。

实施例14

制备化合物：

按反应式：Ba(HCO3)2+Ba(BF4)2→BaBOF3+BaF2+BF3+H2O+CO2，采用真空封装法合成化合物BaBOF3：

将Ba(HCO3)2，Ba(BF4)2按摩尔比1:1混合均匀，装入Φ40mm的石英管中，将石英管抽真空，真空度达到1×10-3Pa，高温密封后置于马弗炉中，以温度5℃/h的速率升温至600℃，恒温96小时，即得到化合物BaBOF3的多晶粉末。

实施例15

制备化合物：

按反应式：BaCO3+Ba(BF4)2→BaBOF3+BaF2+BF3+CO2，采用真空封装法合成化合物BaBOF3：

将BaCO3，Ba(BF4)2按摩尔比1:1混合均匀，装入Φ40mm的石英管中，将石英管抽真空，真空度达到1×10-3Pa，高温密封后置于马弗炉中，以温度10℃/h的速率升温至650℃，恒温120小时，即得到化合物BaBOF3的多晶粉末。

实施例16

制备化合物：

按反应式：Ba(NO3)2+Ba(BF4)2→BaBOF3+BaF2+BF3+N2O5，采用真空封装法合成化合物BaBOF3：

将Ba(NO3)2，Ba(BF4)2按摩尔比1:1混合均匀，装入Φ40mm的石英管中，将石英管抽真空，真空度达到1×10-3Pa，高温密封后置于马弗炉中，以温度5℃/h的速率升温至580℃，恒温96小时，即得到化合物BaBOF3的多晶粉末。

实施例17

制备化合物：

按反应式：3Ba(BF4)2+B2O3→3BaBOF3+5BF3，采用固相反应法合成化合物BaBOF3：

将Ba(BF4)2，B2O3按摩尔比3:1混合均匀，装入高压水热釜，置于马弗炉中升温至350℃，恒温48小时，即得到化合物BaBOF3的多晶粉末。

实施例18

制备化合物：

按反应式：3Ba(BF4)2+2H3BO3→3BaBOF3+BF3+3H2O，采用固相反应法合成化合物BaBOF3：

将Ba(BF4)2，H3BO3按摩尔比3:2混合均匀，装入高压水热釜，置于马弗炉中升温至350℃，恒温24小时，即得到化合物BaBOF3的多晶粉末。

实施例19

熔体法生长BaBOF3非线性光学晶体：

按照实施例1制备的化合物BaBOF3多晶粉末装入铂金坩埚，置于马弗炉中，升温至750℃，恒温10小时，得到混合熔体；

将得到的混合熔体以温度0.1℃/h的速率缓慢降至310℃，再以温度5℃/h的速率快速降温至室温，得到BaBOF3籽晶；

采用提拉法生长晶体：将得到的籽晶固定于籽晶杆上，从装有制得的混合熔体的上方下籽晶，通过晶体生长控制仪施加2rpm的晶转，以1mm/天的速度提拉籽晶，以温度0.1℃/h的速率降温，待晶体生长停止后，即得到尺寸为10mm×12mm×9mm的BaBOF3非线性光学晶体。

实施例20

熔体法生长BaBOF3非线性光学晶体：

按照实施例3制备的化合物BaBOF3多晶粉末装入铂金坩埚，置于马弗炉中，升温至550℃，恒温120小时，得到混合熔体；

将得到的混合熔体以温度2℃/h的速率缓慢降至350℃，再以温度10℃/h的速率快速降温至室温，得到BaBOF3籽晶；

采用提拉法生长晶体：将得到的籽晶固定于籽晶杆上，从装有制得的混合熔体的上方下籽晶，通过晶体生长控制仪施加20rpm的晶转，以10mm/天的速度提拉籽晶，以温度10℃/h的速率降温，待晶体生长停止后，即得到尺寸为12mm×10mm×8mm的BaBOF3非线性光学晶体。

实施例21

熔体法生长BaBOF3非线性光学晶体：

按照实施例2制备的化合物BaBOF3多晶粉末装入铂金坩埚，置于马弗炉中，升温至700℃，恒温100小时，得到混合熔体；

将得到的混合熔体以温度1.5℃/h的速率缓慢降至350℃，再以温度8℃/h的速率快速降温至室温，得到BaBOF3籽晶；

采用泡生法生长晶体：将得到的籽晶固定于籽晶杆上，从装有制得的混合熔体的上方下籽晶，以温度0.1℃/h的速率降温，使晶体生长5小时，缓慢提升晶体但不脱离液面，继续生长，如此重复三次，即得到尺寸为11mm×10mm×9mm的BaBOF3非线性光学晶体。

实施例22

熔体法生长BaBOF3非线性光学晶体：

按照实施例4制备的化合物BaBOF3多晶粉末装入铂金坩埚，置于马弗炉中，升温至700℃，恒温24小时，得到混合熔体；

将得到的混合熔体以温度1℃/h的速率缓慢降至350℃，再以温度6℃/h的速率快速降温至室温，得到BaBOF3籽晶；

采用泡生法生长晶体：将得到的籽晶固定于籽晶杆上，从装有制得的混合熔体的上方下籽晶，以温度10℃/h的速率降温，使晶体生长15小时，缓慢提升晶体但不脱离液面，继续生长，如此重复三次，即得到尺寸为15mm×13mm×10mm的BaBOF3非线性光学晶体。

实施例23

熔体法生长BaBOF3非线性光学晶体：

按照实施例5制备的化合物BaBOF3多晶粉末装入铂金坩埚，升温至700℃，恒温10小时，得到混合熔体；

将得到的混合熔体以温度2℃/h的速率缓慢降至350℃，再以温度5℃/h的速率快速降温至室温，得到BaBOF3籽晶；

采用坩埚下降法在化合物熔体中生长晶体：将得到的籽晶放在坩埚底部，再将实施例5制备的化合物BaBOF3多晶粉末放入坩埚中，然后将铂金坩埚密封，将生长炉温度升至750℃，恒温10小时，调整坩埚位置使籽晶微熔，然后以1mm/天的速度降低坩埚，以温度3℃/h的降温速率降至350℃，待生长结束后，再以温度10℃/h的速率快速降至室温，即得到尺寸为13mm×11mm×10mm的BaBOF3非线性光学晶体。

实施例24

熔体法生长BaBOF3非线性光学晶体：

按照实施例6制备的化合物BaBOF3多晶粉末装入铂金坩埚，升温至730℃，恒温60小时，得到混合熔体；

将得到的混合熔体以温度1.5℃/h的速率缓慢降至350℃，再以温度5℃/h的速率快速降温至室温，得到BaBOF3籽晶；

采用坩埚下降法在化合物熔体中生长晶体：将得到的籽晶放在坩埚底部，再将实施例6制备的化合物BaBOF3多晶粉末放入坩埚中，然后将铂金坩埚密封，将生长炉温度升至550℃，恒温120小时，调整坩埚位置使籽晶微熔，然后以10mm/天的速度降低坩埚，同时，保持生长温度不变，待生长结束后，再以温度10℃/h的速率快速降至室温，即得到尺寸为11mm×10mm×9mm的BaBOF3非线性光学晶体。

实施例25

高温熔液法生长BaBOF3非线性光学晶体：

按照实施例8制备的化合物BaBOF3多晶粉末与助熔剂B2O3按摩尔比1:0.1混合均匀，装入铂金坩埚中，升温至750℃，恒温5小时，得到混合熔液；

制备籽晶：将得到的混合熔液置于单晶炉中，以温度0.1℃/h的速率缓慢降至350℃，再以温度5℃/h的速率快速降温至室温，得到BaBOF3籽晶；

生长晶体：将得到的籽晶固定于籽晶杆上，从装有制得的混合熔液的上方下籽晶，通过晶体生长控制仪施加2rpm的晶转，以温度0.1℃/h的速率降温，待晶体生长停止后，即得到尺寸为12mm×10mm×8mm的BaBOF3非线性光学晶体。

实施例26

高温熔液法生长BaBOF3非线性光学晶体：

按照实施例9制备得到的化合物BaBOF3多晶粉末与助熔剂H3BO3按摩尔比1:6混合均匀，装入铂金坩埚中，升温至730℃，恒温52小时，得到混合熔液；

制备籽晶：将得到的混合熔液置于单晶炉中，以温度1℃/h的速率缓慢降至350℃，再以8℃/h的速率快速降温至室温，得到BaBOF3籽晶；

生长晶体：将得到的籽晶固定于籽晶杆上，从装有制得的混合熔液的上方下籽晶，通过晶体生长控制仪施加10rpm的晶转，以温度1℃/h的速率降温，待晶体生长停止后，即得到尺寸为12mm×11mm×10mm的BaBOF3非线性光学晶体。

实施例27

高温熔液法生长BaBOF3非线性光学晶体：

按照实施例10制备得到的化合物BaBOF3多晶粉末与助熔剂PbO按摩尔比1:4混合均匀，装入铂金坩埚中，升温至600℃，恒温5小时，得到混合熔液；

制备籽晶：将得到的混合熔液置于单晶炉中，以温度1.5℃/h的速率缓慢降至350℃，再以温度10℃/h的速率快速降温至室温，得到BaBOF3籽晶；

生长晶体：将得到的籽晶固定于籽晶杆上，从装有制得的混合熔液的上方下籽晶，通过晶体生长控制仪施加10rpm的晶转，以温度1℃/h的速率降温，待晶体生长停止后，即得到尺寸为11mm×11mm×10mm的BaBOF3非线性光学晶体。

实施例28

高温熔液法生长BaBOF3非线性光学晶体：

按照实施例11制备得到的化合物BaBOF3多晶粉末与助熔剂PbF2按摩尔比1:3混合均匀，再装入铂金坩埚中，升温至600℃，恒温120小时，得到混合熔液；

制备籽晶：将得到的混合熔液置于单晶炉中，以温度2℃/h的速率缓慢降至350℃，再以温度10℃/h的速率快速降温至室温，得到BaBOF3籽晶；

生长晶体：将得到的籽晶固定于籽晶杆上，从装有制得的混合熔液的上方下籽晶，通过晶体生长控制仪施加15rpm的晶转，以温度0.2℃/h的速率降温，待晶体生长停止后，即得到尺寸为14mm×12mm×11mm的BaBOF3非线性光学晶体。

实施例29

真空封装法生长BaBOF3非线性光学晶体：

按照实施例11制备得到的化合物BaBOF3多晶粉末装入Φ40mm的石英管中，将石英管抽真空，真空度达到1×10-3Pa，高温密封后置于马弗炉中，升温至650℃，恒温5小时，然后以温度0.1℃/h的速率降温至350℃，再以温度8℃/h的速率快速降温至室温，即得到尺寸为4mm×3mm×2mm的BaBOF3非线性光学晶体。

实施例30

真空封装法生长BaBOF3非线性光学晶体：

按照实施例1制备得到的化合物BaBOF3多晶粉末与助溶剂H3BO3按摩尔比1:6混合均匀，装入Φ40mm的石英管中，将石英管抽真空，真空度达到1×10-3Pa，高温密封后置于马弗炉中，升温至550℃，恒温50小时，然后以温度2℃/h的速率降温至350℃，再以温度10℃/h的速率快速降温至室温，即得到尺寸为4mm×2mm×2mm的BaBOF3非线性光学晶体。

实施例31

真空封装法生长BaBOF3非线性光学晶体：

按照实施例1制备得到的化合物BaBOF3多晶粉末与助溶剂B2O3按摩尔比1:1混合均匀，装入Φ40mm的石英管中，将石英管抽真空，真空度达到1×10-3Pa，高温密封后置于马弗炉中，升温至705℃，恒温120小时，然后以温度1℃/h的速率降温至350℃，再以温度8℃/h的速率快速降温至室温，即得到尺寸为5mm×3mm×3mm的BaBOF3非线性光学晶体。

实施例32

真空封装法生长BaBOF3非线性光学晶体：

按照实施例1制备得到的化合物BaBOF3多晶粉末与助溶剂PbO按摩尔比1:2混合均匀，装入Φ40mm的石英管中，将石英管抽真空，真空度达到1×10-3Pa，高温密封后置于马弗炉中，升温至600℃，恒温48小时，然后以温度1.5℃/h的速率降温至350℃，再以温度5℃/h的速率快速降温至室温，即得到尺寸为4mm×3mm×3mm的BaBOF3非线性光学晶体。

实施例33

真空封装法生长BaBOF3非线性光学晶体：

按照实施例1制备得到的化合物BaBOF3多晶粉末与助溶剂PbF2按摩尔比1:4混合均匀，装入Φ40mm的石英管中，将石英管抽真空，真空度达到1×10-3Pa，高温密封后置于马弗炉中，升温至580℃，恒温96小时，然后以温度0.2℃/h的速率降温至350℃，再以温度5℃/h的速率快速降温至室温，即得到尺寸为5mm×4mm×3mm的BaBOF3非线性光学晶体。

实施例34

水热法生长氟硼酸钡非线性光学晶体：

按照实施例4制备得到的化合物BaBOF3多晶粉末置入去离子水中溶解，将不完全溶解的混合物在温度60℃超声波处理，使其充分混合溶解；用HF和Ba(OH)2调节pH值为8；

将得到的混合溶液转入到干净、无污染的体积为100mL的高压反应釜的内衬中，并将反应釜旋紧密封；

将高压反应釜放置在恒温箱内，升温至150℃，恒温8天，再以温度5℃/天的降温速率降至室温；即得到尺寸为3mm×3mm×2mm的BaBOF3非线性光学晶体。

实施例35

水热法生长氟硼酸钡非线性光学晶体：

按照实施例8制备得到的化合物BaBOF3多晶粉末置入去离子水中溶解，将不完全溶解的混合物在温度60℃超声波处理，使其充分混合溶解；用HF和Ba(OH)2调节pH值为11；

将得到的混合溶液转入到干净、无污染的体积为100mL的高压反应釜的内衬中，并将反应釜

化合物氟硼酸钡和氟硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。