专利摘要

波长转换装置和光源装置。一种波长转换装置包括：波长转换元件，该波长转换元件具有入射面和出射面，并且对在入射面上入射的入射光的波长进行转换以生成波长转换后的光，并且从出射面出射波长转换后的光；和天线阵列，该天线阵列包括多个天线，该多个天线形成在该波长转换元件上，并且以与波长转换后的光在波长转换元件中的光学波长大致相等的节距P来排列。

权利要求

1.一种光源装置，该光源装置包括：

激光光源，所述激光光源的发光层是InGaN基半导体，该激光光源被配置为生成入射光；

波长转换元件，该波长转换元件具有平的入射面和平的出射面，所述波长转换元件对在所述入射面上入射的所述入射光的波长进行转换以生成波长转换后的光，并从所述出射面出射所述波长转换后的光，并且所述波长转换元件包括由发光中心是铈的钇铝石榴石YAG:Ce的单相形成的陶瓷荧光材料板；准直光学系统或聚光光学系统，所述准直光学系统或聚光光学系统设置在所述激光光源与所述波长转换元件之间；以及

天线阵列，该天线阵列包括多个天线，该多个天线为形成在所述波长转换元件的所述出射面上的柱状金属突起或锥状金属突起，并且以在从300nm到420nm的范围内的节距来排列，其中，所述多个天线中的每个在所述出射面上彼此分离。

2.根据权利要求1所述的光源装置，其中，当所述多个天线的最大宽度和最大高度是W1和H时，该最大宽度W1和该最大高度H满足关系0.6≤(H/Wl)≤1.4。

3.根据权利要求2所述的光源装置，其中，所述多个天线中的每个天线的所述最大宽度W1是100nm以上。

4.根据权利要求1所述的光源装置，其中，所述多个天线中的每一个由银Ag和铝Al中的任一种形成。

5.根据权利要求1所述的光源装置，其中，所述波长转换元件包括设置在所述陶瓷荧光材料板的侧面上的光反射膜。

6.一种光源装置，该光源装置包括：

激光光源，所述激光光源的发光层是InGaN基半导体，该激光光源被配置为生成入射光；

波长转换元件，该波长转换元件具有平的入射面和平的出射面，所述波长转换元件对在所述入射面上入射的所述入射光的波长进行转换以生成波长转换后的光，并从所述出射面出射所述波长转换后的光，并且所述波长转换元件包括由发光中心是铈的钇铝石榴石YAG:Ce的单相形成的陶瓷荧光材料板；准直光学系统或聚光光学系统，所述准直光学系统或聚光光学系统设置在所述激光光源与所述波长转换元件之间；以及

天线阵列，该天线阵列包括多个天线，该多个天线为形成在所述波长转换元件的所述出射面上的柱状金属突起或锥状金属突起，并且以在从300nm到420nm的范围内的节距来排列，其中，所述多个天线中的每个在所述出射面上彼此分离，

其中，当所述多个天线的最大宽度和最大高度是W1和H时，该最大宽度W1和该最大高度H满足关系0.6≤(H/Wl)≤1.4，

其中，所述多个天线中的每一个由银Ag和铝Al中的任一种形成。

说明书

技术领域

本发明涉及波长转换装置和包括波长转换装置的光源装置。

背景技术

传统上，已知包括发光装置和转换来自发光装置的光的波长的波长转换装置的光源作为获取具有发光色(或光谱)的光的光源。例如，波长转换装置包括作为波长转换元件的荧光材料。通过混合来自发光装置的激发光的颜色和荧光材料的荧光的颜色，可以从光源提取具有期望光谱的光。例如，专利文献1日本特开第2005-33211号专利申请公开了一种光源，该光源包括：具有主光源的芯片；和盖，该盖设置有波长转换材料，该波长转换材料将来自芯片的第一波长的光转换成第二波长的光。

发明内容

包括诸如荧光材料这样的波长转换元件的波长转换装置通常有来自波长转换元件的光的颜色和强度不均匀以及光提取效率方面的问题。例如，已在荧光材料中转换波长的光沿全部方向漫射。因为荧光材料的折射率通常较高，所以一部分波长转换后的光由于全反射而不出射到外部，并且在荧光材料中衰减或耗散。例如，作为最常用的类型的白色光源的YAG:Ce荧光材料的折射率近似为1.82。在外部介质是空气时的全反射角近似为30°。大部分光不从荧光材料的内部提取。近年来，通过使用发光二极管、半导体激光器等，可以用高密度和高功率光来容易地照射波长转换装置。然而，波长转换元件由高密度和高功率光进行的激发引起波长转换元件的波长转换效率的劣化(诸如亮度饱和度或温度淬灭)。从而生成颜色不均匀(混色)或强度不均匀。

例如，当照明装置使用来自波长转换装置的波长转换后的光来构造时，设置光学系统(诸如投影透镜)来获取期望的光分布。然而，波长转换后的光的分布是郎伯光分布，其中光从波长转换元件的出射面各向同性地漫射。为了提取大量的光，需要增大投影透镜的尺寸，增大了其重量。这引起整个光源装置的尺寸的增大。

为了解决上述问题而提出本发明。本发明的目的是提供可以抑制颜色不均匀和强度不均匀且实现高水平光提取效率的小型波长转换装置和光源装置。

根据本发明的波长转换装置包括：波长转换元件，该波长转换元件具有入射面和出射面，波长转换元件对在入射面上入射的入射光的波长进行转换以生成波长转换后的光，并从出射面出射波长转换后的光；和天线阵列，该天线阵列包括多个天线，该多个天线形成在波长转换元件上，并且以与波长转换后的光在波长转换元件中的光学波长大致相等的节距来排列。

附图说明

图1是例示了根据第一实施方式的光源装置的构造的示意图；

图2A是根据第一实施方式的光源装置的波长转换装置的剖面图，并且图2B是波长转换装置的顶部平面图；

图3是例示了从根据第一实施方式的光源装置的波长转换装置出射的光的强度与光出射角度之间的关系的图；

图4是例示了根据第一实施方式的光源装置的波长转换装置中的、依赖于天线高度和纵横比的光出射角度与光出射强度之间的关系的图；

图5是示意性例示了根据第一实施方式的光源装置的波长转换装置中的、天线附近的电场增强水平与天线高度和纵横比之间的关系的图；

图6是示意性例示了根据第一实施方式的光源装置的波长转换装置中的、天线附近的电场增强水平与天线高度和纵横比之间的关系的图；

图7是根据第一实施方式的修改例的光源装置的波长转换装置的顶部平面图；

图8是例示了根据第一实施方式的修改例的光源装置的波长转换装置中的、依赖于天线高度和纵横比的光出射角度与光出射强度之间的关系的图；

图9是例示了根据第一实施方式的修改例的光源装置的波长转换装置中的、依赖于天线高度和纵横比的光出射角度与光出射强度之间的关系的图；以及

图10是例示了根据第一实施方式的光源装置的波长转换装置中的、依赖于天线高度和纵横比的出射角度与光出射强度之间的关系的图。

具体实施方式

现在将详细描述本发明的实施方式。

【第一实施方式】

图1是例示了根据第一实施方式的光源装置10的构造的示意图。光源装置10包括光源12、波长转换装置13以及投影透镜14，光源、波长转换装置以及投影透镜都收容在外壳11中。在该实施方式中，光源12是例如半导体激光器的激光光源。光源12生成一次光L1。波长转换装置13接收一次光L1，执行波长转换，并且生成含有波长未被转换的透过光和波长转换后的光的二次光L2。投影透镜14将二次光L2的光分布变换成期望的形式，并且生成照明光L3。照明光L3被提取到外壳11的外部。

外壳11设置有用于固定波长转换装置13的开口和用于固定投影透镜14的开口。波长转换装置13设置在光源12的光出射部与投影透镜14之间。波长转换装置13和投影透镜14沿着一次光L1的光轴来设置。

图2A是波长转换装置13的剖面图。图2B是波长转换装置13的顶部平面图。并且，图2A是沿着图2B的线V-V截取的剖面图。如图2A例示，波长转换装置13包括：波长转换元件20，该波长转换元件包括荧光材料板21和光反射膜22；和天线阵列30，该天线阵列包括被形成在波长转换元件20上的多个天线31。

首先将给出波长转换元件20的描述。波长转换元件20包括：入射面S1，一次光L1在该入射面上入射；和出射面S2，二次光L2从该出射面出射。在该实施方式中，荧光材料板21具有平板形状。主表面中的一个是入射面S1，并且另一个主表面是出射面S2。具体地，一次光L1在作为荧光材料板21的主表面中的一个的、波长转换元件20的入射面S1上入射，并且从作为荧光材料板21的另一个主表面的、波长转换元件20的出射面S2出射。

从波长转换元件20的出射面S2出射的二次光L2含有：波长转换后的光L21，该波长转换后的光的波长已经被波长转换元件20转换；和已经透过波长转换元件20的透过光(即，波长未被转换的一次光)L22。具体地，波长转换元件20转换已在入射面S1上入射的一次光L1的一部分的波长，并且生成波长转换后的光L21。

在以下描述中，一次光L1有时被称为到波长转换元件20中的入射光。换言之，波长转换元件20包括入射面S1和出射面S2。同样，波长转换元件20被构造为转换已在入射面S1上入射的入射光L1的波长，生成波长转换后的光L21，并且从出射面S2出射波长转换后的光L21和透过光L22。在该实施方式中，波长转换元件20被设置为使得其入射面S1垂直于入射光L1的光轴。

在该实施方式中，荧光材料板21是由发光中心是铈的钇铝石榴石(YAG:Ce)的单相形成的陶瓷荧光材料板。光源12是发光层是InGaN基半导体的半导体激光器。在该实施方式中，一次光L1是具有近似450nm波长的蓝光。波长转换后的光L21是具有近似460至750nm波长的黄光，并且二次光L2是作为黄光和蓝光的混合物的白光。优选的是，荧光材料板21具有40至200μm的厚度T，以执行光的稳定白化。

光反射膜22设置在荧光材料板21的侧面上。光反射膜22例如是形成在荧光材料板21的侧面上的白色涂料材料膜。光反射膜22可以用光吸收膜(诸如黑色涂料材料)来代替。

在下文，将给出天线阵列30的描述。在该实施方式中，天线阵列30包括多个天线31，该多个天线形成在波长转换元件20的出射面S2上，并且以与波长转换后的光L21在波长转换元件20中的光学波长大致相等的节距P来排列。多个天线31中的每一个在该实施方式中为柱状或锥状金属突起。在该实施方式中，多个天线31中的每一个具有圆柱形状，并且包括在Au(金)、Ag(银)、Cu(铜)、Pt(铂)、Pd(钯)、Al(铝)、Ni(镍)等的可见光区域中具有等离子体频率的材料、或含有这些物质的合金或层压材料。

在该实施方式中，天线31各具有几乎相等的天线高度(H)和天线宽度(或直径)W1。当天线31具有柱形状或锥形状时，天线宽度W1提及天线31的最大宽度。在该实施方式中，多个天线31以正方形格子形状以节距P排列在波长转换元件20的出射面S2上。具有阵列宽度W2的天线阵列30以正方形形成在出射面S2的中心部分处。

在该实施方式中，天线宽度W1是150±20nm，并且阵列宽度W2是6mm。YAG:Ce荧光材料的折射率近似为1.82，并且荧光材料出射具有460nm至750nm波长的光。从而，光学波长由(光出射波长/折射率)来计算，并且天线节距P优选在从250nm至420nm的范围内。因为YAG:Ce荧光材料的光出射强度在500nm或更大的波长区域内较高，所以天线节距P的范围优选地被设置为300nm至420nm。

当用光照射天线阵列30的各个天线31时，电场强度由于天线31表面上的局部化表面等离子体谐振而在天线31附近增大。通过将天线31的设置节距P设置为近似于波长转换后的光L21的光学波长，由于各个相邻天线31的局部化表面等离子体谐振而借助光学衍射引起谐振。电场强度的进一步增大发生，并且波长转换后的光L21的光提取效率提高。在该说明书中，近似于波长转换后的光L21在波长转换元件20中的光学波长例如为在荧光材料板21中的荧光材料的发光波长带的50nm内的波长带宽。

从而放大来自波长转换元件20的波长转换后的光L21，并且光以窄角形式(即，低展度)分布并从天线阵列30出射。具体地，天线阵列30增强波长转换元件20中的光，并且使出射二次光L2(波长转换后的光L21)的方向变窄。

图3是例示了来自波长转换装置13的波长转换后的光L21的光出射角度与光出射强度(或照度)之间的关系的示意图。图3是例示了在从天线阵列30的中心到波长转换元件20的出射面S2的法线方向(正面方向)的角度被设置为0°且与出射面S2平行的方向的角度被设置为90°时波长转换后的光L21的强度分布的视图。波长转换装置13在强度分布方面与波长转换装置100和波长转换装置200进行比较。波长转换装置100的构造与波长转换装置13的构造相同，除了前者不具有天线阵列30。波长转换装置200具有与波长转换装置100的强度分布相同的强度分布、与波长转换装置13的全光通量相同的全光通量以及普通的郎伯光分布。

如图3例示，在近似60°以下，该实施方式的波长转换装置13的强度高于作为比较例的波长转换装置100的强度。从波长转换装置13的强度分布来计算的全光通量比波长转换装置100的强度分布高近似两倍。具体地，大量的光从波长转换元件20提取并沿几乎垂直于出射面S2的方向行进。这是由于使用前面提及的局部化表面等离子体谐振和光学衍射的、天线阵列30的天线作用(即，增强强度出射和窄角出射)而引起。波长转换装置13的全光通量与波长转换装置200的全光通量相同。然而，前者的强度在近似45°以下高于后者的强度，并且比在正面方向(0°，即，法线方向)上高两倍。

因为波长转换装置13具有以纳米(或亚细微米)节距排列的多个天线31，所以借此，波长转换后的光L21可以以窄角形式(或低展度)来分布，并且以高的光提取效率来提取。如在本实施方式的情况下，激光光源用作生成一次光L1的光源13。通过利用激光光源的窄角光分布和高输出特性，一次光L1和二次光L2(换言之，分别为波长转换后的光L21和透过光L22)可以在光分布和强度分布方面匹配。由此，可以提供可以抑制颜色不均匀和强度不均匀且实现高光提取效率的波长转换装置13和光源装置10。

图4是例示了在天线高度在50nm至250nm之间变化时波长转换装置13的光出射角度与光强度之间的关系的视图。为了创建图4的设置，Al用作天线阵列30的材料，并且生产具有不同天线高度H的五个波长转换装置13，使得高度H以增量50nm增大。在出射面S2的法线方向(0°)与平行于出射面S2的方向(90°)之间，光学检测器设置在不同的位置处，以在相应角度测量光强度。这里，来自光源13的一次光L1的波长为近似445nm，并且天线阵列30被生产为使得天线节距P近似为400nm，并且天线宽度W1近似为150nm。虽然在附图中未例示，但准直光学系统设置在光源12与波长转换装置13之间。所测量的光强度在极坐标上标绘。

计算各个波长转换装置13的天线31的纵横比(H/W1)，并且图4中描述了结果。天线被生产为使得天线宽度W1大致为150nm，并且实际天线宽度W1使用SEM图像来测量。天线高度H使用探针式台阶仪来测量，并且确认在各天线阵列30中实现目标天线高度H(50nm、100nm、150nm、200nm以及250nm)。

如图4例示，具有天线阵列30的所有五个波长转换装置13的强度大于没有天线阵列30的波长转换装置100的强度。天线高度H在从100至200nm范围内(纵横比在从近似0.6至1.4范围内)的三个波长转换装置13具有大于具有除了前面提及的天线高度H之外的天线高度H的波长转换装置的强度分布的强度分布。前面提及的三个波长转换装置13具有类似的窄角出射的强度分布。

接着将给出天线阵列30的更优选构造的描述。图5是有限元法用于模拟波长转换装置13的天线阵列30附近的电场增强(|E|²/|E₀|²)的视图。模拟对于以下情况来进行：天线宽度W1是150nm，并且天线高度H是10nm、50nm、100nm、150nm、200nm、250nm以及300nm(纵横比在从0.07至2.00的范围内)。如在示例的情况下，YAG:Ce荧光材料、Al以及空气分别用作荧光材料板21、天线阵列30以及外部介质。电场增强(|E|²/|E₀|²)通过以下方式来计算：将没有天线31的波长转换装置100的电场强度设置为E₀，并且将具有天线31的波长转换装置13的电场强度设置为E。

图5例示了波长转换后的光L21的剩余量随着(由于局部化表面等离子体谐振由天线阵列30捕获的)荧光材料板21的电场增强(|E|²/|E₀|²)的增大而增大，并且提高波长转换效率。因为空气中的电场增强导致阻碍波长转换后的光L21和透过光L22的提取的反射成分的增大，所以空气中的电场增强优选地较小。可以确认电场增强在50nm或更高的天线高度H时发生在荧光材料板21中。当天线高度H是100nm以上时，在荧光材料板21表面上的天线31端部处的极附近观察到特别高的电场增强。已经发现空气中的电场增强在天线高度H为50nm和200nm或更高时较高。

图6是例示了天线31的纵横比(即，天线高度H/天线宽度W1)与在前面提及的模拟中计算地、荧光材料板21中的电场增强(|E|²/|E₀|²)的水平和天线阵列30的反射率之间的关系的视图。图6的下横轴表示天线高度H，并且上横轴表示纵横比。

图6的右纵轴表示电场增强(|E|²/|E₀|²)的水平，并且左纵轴表示天线阵列30的反射率。荧光材料板21中的电场增强水平对于天线阵列30的极附近的区域来计算，这特别大幅影响波长转换效率和光提取效率。具体地，电场增强的水平对于从荧光材料板21的表面到离表面50nm的深度的、荧光材料板21的区域来调查。天线阵列30的反射率从空气中电场增强的水平的积分值来计算。

如图6例示，天线阵列30的极附近的电场增强水平(具体地，波长转换装置13的波长转换效率和光提取效率)还与天线31的纵横比相关。具体地，如图6例示，当天线宽度W1为150nm且天线高度H在从50nm至200nm范围内时，天线31的电场增强(|E|²/|E₀|²)水平远高于1.0。由此，可以看到天线阵列30的电场增强效果。

图6例示了50nm的天线高度或0.33的纵横比(H/W1)时的电场增强水平和反射率与200nm的天线高度或1.33的纵横比(H/W1)时的电场增强水平和反射率相同。然而，在如图4中可以看到的示例中，由具有200nm的天线高度H的波长转换装置13实现的电场增强水平或光提取效率高于由具有50nm的天线高度H的波长转换装置13实现的电场增强水平或光提取效率。这可能是因为如图5例示，天线31端部处的极附近集中的电场增强水平在天线高度H是200nm时比在天线高度H是50nm时更大。具体地，天线31的极附近的高电场增强水平的(局部)集中可能有助于使用光衍射提高光提取效率。在前述结果的基础上，天线高度H的优选范围在100nm至200nm之间。

如图6例示，优选的是，天线31的天线宽度W1和天线高度H满足关系0.6≤(H/Wl)≤1.4。因为电场增强水平最大且反射率最小，所以纵横比1是特别优选的。这可以是因为当天线31的纵横比是1时，由由于各个相邻天线31的局部化表面等离子体谐振而产生的光衍射引起的谐振最大，并且荧光材料板21中的电场增强水平增大并在天线31的极附近集中。

换言之，波长转换装置13的波长转换效率和光提取效率依赖于天线31的纵横比。通过基于该纵横比(H/W1)优化天线31的构造，可以实现高水平的波长转换效率和光提取效率。

当光源装置10用作照明装置时，优选的是，用于天线31中的材料在要使用的荧光材料的发光波长范围内具有局部化表面等离子体谐振的等离子体频率。鉴于前述内容，优选的是，使用YAG:Ce荧光材料的天线31由Ag(银)或Al(铝)形成。

在该实施方式中，已经描述天线31被排列为正方形格子形式的情况，但天线31的排列不限于该形式。天线31可以以特定节距且以例如三角形、六角形或矩形格子的形式来排列。例如，在矩形格子形式下(即，当天线31在波长转换元件20的出射面S2上的多个方向(例如，正交于彼此的x和y方向)上具有不同节距P和Q时)，节距P和Q优选地等于波长转换元件20中的二次光L2的近似光波长。

图7是根据前面提及的实施方式的修改例的光源装置10A的波长转换装置13A的顶部平面图。如图7例示，波长转换装置13A具有天线阵列30A，该天线阵列包括以节距P以三角形格子设置的多个天线31A。天线31A如在该修改例的情况下可以被排列为三角形格子形式。在该修改示例中，天线31A沿所有三个方向以节距P来排列。

图8至图10例示了波长转换装置13或13A的光分布，其中，天线节距P在各情况中不同。图8例示了在波长转换装置13A具有三角形格子形式的天线31A且节距P为350nm时的光分布。图9例示了在波长转换装置13A具有三角形格子形式的天线31A且节距P为400nm时的光分布。图10例示了在波长转换装置13具有正方形格子形式的天线31且节距P为350nm时的光分布。在各情况下，波长转换装置13或13A以与前面提及的实施方式或其修改例的构造相同的构造来生产，除了天线排列和节距P。在各情况下，光分布的形式不同，但波长转换效率和光提取效率在所有情况下在0.6≤(H/Wl)≤1.4范围内较高。已经确认这两种效率在H/W1＝1适用时最优选。

当天线宽度W1小于100nm时，该宽度对于可见光太小，因此无法期望波长转换效率的足够增大。天线宽度W1优选地大于或等于100nm。更优选地，天线宽度W1与节距P之间的关系由0.3P≤Wl≤0.7P来表示。当天线宽度W1小于上述范围时，由于天线阵列30而产生的散射横截面较小，并且无法获取足够强的局部化表面等离子体谐振。当天线宽度W1大于上述范围时，天线阵列30在出射面S2上的占有面积增大。更大百分比的入射光L1和波长转换后的光L2被天线阵列30吸收，并且光提取效率降低。

在该实施方式中，已经描述荧光材料板21由单相钇铝石榴石(YAG:Ce)形成的情况。然而，荧光材料板21可以例如介质为含有荧光材料颗粒的玻璃或树脂的板。前面提及的荧光材料板21的形状仅是一个示例。已经描述将光反射膜22设置在荧光材料板21侧面上的情况。然而，不需要根据所需的光分布设置光反射膜22。例如，除了该实施方式中描述的白色涂料材料之外，光学多层反射膜、金属反射膜或其组合可以用于形成反射元件。

在该实施方式中，波长转换装置13的入射面S1被构造为使得露出荧光材料板21。然而，入射面S1的构造不限于前面提及的构造。例如，为了提高一次光L1入射到荧光材料板21中的效率，可以在荧光材料板21的入射面S1的表面上形成防反射膜(AR涂层)或不均匀结构。天线阵列30将波长转换后的光L21以窄角辐射到入射面S1的侧。具体地，光分布与图5中例示的光分布相同的波长转换后的光L21从出射面S2辐射到入射面S1，出射面S2是对称表面。可以在入射面S1上形成透过一次光L1且选择性地反射被引导到入射面S1的波长转换后的光L21的光学多层反射膜(二向色镜)，使得可以进一步提高波长转换装置13的效率。

在该实施方式中，已经描述了光源12是激光光源的情况，但光源12不限于激光光源。例如，光源12可以为发光二极管。各种类型的光学系统(诸如准直和聚光光学系统)可以设置在光源12与波长转换装置13之间。通过设置并组合光学系统，一次光L1的光分布可以被形成为期望的形状。还可以提高一次光L1到荧光材料板21中的入射的效率，并且还可以使得二次光L2(透过光L22)的光分布尽可能地与波长转换后的光L21的光分布相同，以进一步减轻颜色不均匀。前面提及的光源装置10的构造仅是一个示例。光源装置10可以不必具有投影透镜14，并且可以在外壳11上具有用于将二次光L2提取到外部的开口。

在该实施方式中，天线阵列30形成在荧光材料板21的出射面S2上，但天线阵列30可以形成在入射面S1的侧上。然而，优选的是将天线阵列30形成在出射面S2上。具体地，天线阵列30部分反射并吸收一次光L1(透过光L22)。当天线阵列30形成在入射面S1上时，一次光L1在入射在荧光材料板21上之前被部分反射并吸收，并且光源装置10的效率降低。如在实施方式的情况下，优选的是天线阵列30形成在荧光材料板21的出射面S2上，使得一次光L1的波长被充分转换，并且二次光L2经由出射面S2和天线阵列30来辐射。

为了使天线阵列30免于损坏并提高其形状的稳定性，天线阵列30和出射面S2可以被保护膜(诸如氧化膜)覆盖。例如，当Al用于天线阵列30中时，借助于加热并被使得放置于含有氧气的大气中，氧化膜(Al₂O₃)可以容易地形成在天线31的表面上。所形成氧化膜的厚度为1nm或更小，并且可以在不不利地影响天线阵列30的光学特性的情况下形成保护膜。

在该实施方式中，入射面S1是与荧光材料板21的出射面S2相对的表面，但荧光材料板21的任意表面可以为入射面S1。具体地，一次光L1可以在荧光材料板21的任意表面(诸如侧面、入射面S1或出射面S2或其多个表面)上入射。在任意情况下，在出射面S2的法线上设置光源装置10或投影透镜14的开口。单个表面可以用作入射面S1和出射面S2这两者。在这种情况下，优选的是在与荧光材料板21的入射面S1和出射面S2相对的表面上形成反射膜。

如上所述，在该实施方式中，波长转换装置13包括：波长转换元件20，该波长转换元件具有入射面S1和出射面S2，并且通过转换在入射面S1上入射的入射光L1的波长来生成波长转换后的光L21，并且从出射面S2出射波长转换后的光L21；和天线阵列30，该天线阵列包括多个天线31，该多个天线形成在波长转换元件20上，并且以与波长转换后的光L21在波长转换元件20中的光学波长大致相等的节距P来排列。可以提供可以抑制颜色和强度不均匀并以低展度实现高水平的光提取效率的光源装置10和波长转换装置13。

本申请基于日本第2016-144215号专利申请，在此以引证的方式将该申请并入。

波长转换装置和光源装置专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。