专利摘要

本发明公开一种用于扇出式圆片级封装的散热构件及制造方法，所述构件包括若干芯片和圆形布线层，所述芯片的正面按矩阵式安置在所述布线层的背面上，所述芯片的背面和侧面以及布线层未被芯片覆盖的背面上包裹有塑封层构成扇出式圆片，所述塑封层对应芯片的背面上还通过设有成方形排列的若干盲孔设置有凸出塑封层背面的导热铜柱。所述方法是：键合支撑圆片、扇出式圆片背面钻孔、扇出式圆片背面沉积铜种子层、铜种子层表面涂光刻胶、光刻胶层曝光和显影、扇出式圆片背面形成导热铜柱、扇出式圆片背面去除光刻胶、扇出式圆片背面去除铜种子层、去除支撑圆片。本发明提高了扇出式圆片级封装器件散热效率，保证了大功率扇出式圆片级封装器件的可靠性。

专利附图

一种用于扇出式圆片级封装的散热构件及制造方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。