专利摘要

专利摘要

本实用新型公开了一种高光谱成像仪异常目标检测装置，包括频率采集电路、限波降噪电路和运放发射电路，频率采集电路采集控制终端接收的模拟信号频率，限波降噪电路运用电容C3‑电容C5和电阻R5‑电阻R7以及三极管Q1、三极管Q2组成限波电路限制信号波形，同时运用三极管Q5、三极管Q6组成推挽电路防止信号失真，利用三极管Q5、三极管Q6的性质防止信号交越失真，运用二极管D2、二极管D3和电容C2组成降噪电路降低信号噪声比，保证信号的稳定性，最后运放发射电路运用运放器AR1同相放大信号，经信号发射器E1发送至控制终端内，控制终端接收的模拟信号频率实时监测，信号调节后转换为显示模块中异常目标显示的触发信号。

权利要求

1.一种高光谱成像仪异常目标检测装置，包括控制终端、信号传输模块、显示模块和信息采集模块，所述信息采集模块采集图像信号，经信号传输模块发送至控制终端，控制终端处理图像信息并控制显示模块显示高光谱图像，其特征在于，还包括频率采集电路、限波降噪电路和运放发射电路，所述频率采集电路采集控制终端接收的模拟信号频率，所述限波降噪电路运用电容C3-电容C5和电阻R5-电阻R7以及三极管Q1、三极管Q2组成限波电路限制信号波形，同时运用三极管Q5、三极管Q6组成推挽电路防止信号失真，并且运用二极管D2、二极管D3和电容C2组成降噪电路降低信号噪声比，最后运放发射电路运用运放器AR1同相放大信号，经信号发射器E1发送至控制终端内，为显示模块的异常目标显示触发信号；

所述限波降噪电路包括三极管Q1，三极管Q1的基极接电阻R6、电容C4的一端，三极管Q1的集电极接三极管Q2的基极和电阻R2的一端，三极管Q1的发射极接地，三极管Q2的集电极接电阻R2的另一端和三极管Q5、三极管Q6的基极以及电源+5V，三极管Q5的集电极接电源+5V，三极管Q5的发射极接三极管Q6的发射极和电阻R3的一端，三极管Q6的集电极接地，电容C4的另一端接电阻R5、电容C5的一端，电阻R5的另一端接地，电阻R6的另一端接电阻R7、电容C3的一端，电容C3的另一端接地，电阻R7的另一端接电容C5的另一端和三极管Q2的发射极、电阻R4的一端，电阻R4的另一端接二极管D2的正极、电容C2的一端，二极管D2的负极接二极管D3的负极，二极管D3的正极接电容C2的另一端和电阻R3的另一端。

2.如权利要求1所述一种高光谱成像仪异常目标检测装置，其特征在于，所述运放发射电路包括运放器AR1，运放器AR1的同相输入端接二极管D3的正极，运放器AR1的反相输入端接电阻R8、电阻R9的一端，电阻R8的另一端接地，电阻R9的另一端接运放器AR1的输出端和电阻R10的一端，电阻R10的另一端接信号发射器E1。

3.如权利要求1所述一种高光谱成像仪异常目标检测装置，其特征在于，所述频率采集电路包括型号为SJ-ADC的频率采集器J1，频率采集器J1的电源端接电源+5V，频率采集器J1的接地端接地，频率采集器J1输出端接稳压管D1的负极和电阻R1的一端，稳压管D1的正极接地，电阻R1的另一端接电容C1的一端、三极管Q1的基极，电容C1的另一端接地。

说明书

技术领域

本实用新型涉及电路技术领域，特别是涉及一种高光谱成像仪异常目标检测装置。

背景技术

目前，一种高光谱成像仪异常目标检测装置，包括控制终端、信号传输模块、显示模块和信息采集模块，所述信息采集模块采集图像信号，经信号传输模块发送至控制终端，控制终端处理图像信息并控制显示模块显示高光谱图像，高光谱成像仪异常目标信号也即是信号频率异常，因此需要对高光谱成像仪异常目标信号实时监测，便于触发异常目标显示。

实用新型内容

针对上述情况，为克服现有技术之缺陷，本实用新型之目的在于提供一种高光谱成像仪异常目标检测装置，具有构思巧妙、人性化设计的特性，能够对控制终端接收的模拟信号频率实时监测，对信号调节后转换为显示模块中异常目标显示的触发信号。

其解决的技术方案是，一种高光谱成像仪异常目标检测装置，包括控制终端、信号传输模块、显示模块和信息采集模块，所述信息采集模块采集图像信号，经信号传输模块发送至控制终端，控制终端处理图像信息并控制显示模块显示高光谱图像，还包括频率采集电路、限波降噪电路和运放发射电路，所述频率采集电路采集控制终端接收的模拟信号频率，所述限波降噪电路运用电容C3-电容C5和电阻R5- 电阻R7以及三极管Q1、三极管Q2组成限波电路限制信号波形，同时运用三极管Q5、三极管Q6组成推挽电路防止信号失真，并且运用二极管D2、二极管D3和电容C2组成降噪电路降低信号噪声比，最后运放发射电路运用运放器AR1同相放大信号，经信号发射器E1发送至控制终端内，为显示模块的异常目标显示触发信号；

所述限波降噪电路包括三极管Q1，三极管Q1的基极接电阻R6、电容C4的一端，三极管Q1的集电极接三极管Q2的基极和电阻R2的一端，三极管Q1的发射极接地，三极管Q2的集电极接电阻R2的另一端和三极管Q5、三极管Q6的基极以及电源+5V，三极管Q5的集电极接电源+5V，三极管Q5的发射极接三极管Q6的发射极和电阻R3的一端，三极管Q6的集电极接地，电容C4的另一端接电阻R5、电容C5的一端，电阻R5的另一端接地，电阻R6的另一端接电阻R7、电容C3的一端，电容C3的另一端接地，电阻R7的另一端接电容C5的另一端和三极管 Q2的发射极、电阻R4的一端，电阻R4的另一端接二极管D2的正极、电容C2的一端，二极管D2的负极接二极管D3的负极，二极管D3的正极接电容C2的另一端和电阻R3的另一端。

由于以上技术方案的采用，本实用新型与现有技术相比具有如下优点；

1.运用电容C3-电容C5和电阻R5-电阻R7以及三极管Q1、三极管Q2组成限波电路限制信号波形，利用电容C3-电容C5和电阻R5-电阻R7组成选频电路筛选单一频率信号，同时运用三极管Q1、三极管 Q2放大信号，提高信号峰值，通过滤除信号异常频率，实现限波的作用；

2.运用三极管Q5、三极管Q6组成推挽电路防止信号失真，利用三极管Q5、三极管Q6的性质防止信号交越失真，并且运用二极管D2、二极管D3和电容C2组成降噪电路降低信号噪声比，进一步保证信号的稳定性，运用运放器AR1同相放大信号，经信号发射器E1发送至控制终端内，为显示模块的异常目标显示触发信号，触发显示模块显示异常目标。

附图说明

图1为本实用新型一种高光谱成像仪异常目标检测装置的限波降噪电路图。

图2为本实用新型一种高光谱成像仪异常目标检测装置的频率采集电路图。

图3为本实用新型一种高光谱成像仪异常目标检测装置的运放发射电路图。

具体实施方式

有关本实用新型的前述及其他技术内容、特点与功效，在以下配合参考附图1至图3对实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。以下实施例中所提到的结构内容，均是以说明书附图为参考。

实施例一，一种高光谱成像仪异常目标检测装置，包括控制终端、信号传输模块、显示模块和信息采集模块，所述信息采集模块采集图像信号，经信号传输模块发送至控制终端，控制终端处理图像信息并控制显示模块显示高光谱图像，还包括频率采集电路、限波降噪电路和运放发射电路，所述频率采集电路采集控制终端接收的模拟信号频率，所述限波降噪电路运用电容C3-电容C5和电阻R5-电阻R7以及三极管Q1、三极管Q2组成限波电路限制信号波形，同时运用三极管Q5、三极管Q6组成推挽电路防止信号失真，并且运用二极管D2、二极管D3和电容C2组成降噪电路降低信号噪声比，最后运放发射电路运用运放器AR1同相放大信号，经信号发射器E1发送至控制终端内，为显示模块的异常目标显示触发信号；

所述限波降噪电路运用电容C3-电容C5和电阻R5-电阻R7以及三极管Q1、三极管Q2组成限波电路限制信号波形，利用电容C3-电容C5 和电阻R5-电阻R7组成选频电路筛选单一频率信号，同时运用三极管 Q1、三极管Q2放大信号，提高信号峰值，通过滤除信号异常频率，实现限波的作用，同时运用三极管Q5、三极管Q6组成推挽电路防止信号失真，利用三极管Q5、三极管Q6的性质防止信号交越失真，并且运用二极管D2、二极管D3和电容C2组成降噪电路降低信号噪声比，进一步保证信号的稳定性，三极管Q1的基极接电阻R6、电容C4的一端，三极管Q1的集电极接三极管Q2的基极和电阻R2的一端，三极管 Q1的发射极接地，三极管Q2的集电极接电阻R2的另一端和三极管Q5、三极管Q6的基极以及电源+5V，三极管Q5的集电极接电源+5V，三极管Q5的发射极接三极管Q6的发射极和电阻R3的一端，三极管Q6的集电极接地，电容C4的另一端接电阻R5、电容C5的一端，电阻R5的另一端接地，电阻R6的另一端接电阻R7、电容C3的一端，电容C3的另一端接地，电阻R7的另一端接电容C5的另一端和三极管Q2的发射极、电阻R4的一端，电阻R4的另一端接二极管D2的正极、电容C2的一端，二极管D2的负极接二极管D3的负极，二极管D3的正极接电容C2的另一端和电阻R3的另一端。

实施例二，在实施例一的基础上，所述运放发射电路运用运放器 AR1同相放大信号，经信号发射器E1发送至控制终端内，为显示模块的异常目标显示触发信号，触发显示模块显示异常目标，运放器 AR1的同相输入端接二极管D3的正极，运放器AR1的反相输入端接电阻R8、电阻R9的一端，电阻R8的另一端接地，电阻R9的另一端接运放器AR1的输出端和电阻R10的一端，电阻R10的另一端接信号发射器E1。

实施例三，在实施例二的基础上，所述频率采集电路选用型号为 SJ-ADC的频率采集器J1采集控制终端接收的模拟信号频率，频率采集器J1的电源端接电源+5V，频率采集器J1的接地端接地，频率采集器J1输出端接稳压管D1的负极和电阻R1的一端，稳压管D1 的正极接地，电阻R1的另一端接电容C1的一端、三极管Q1的基极，电容C1的另一端接地。

本实用新型具体使用时，一种高光谱成像仪异常目标检测装置，包括频率采集电路、限波降噪电路和运放发射电路，所述频率采集电路采集控制终端接收的模拟信号频率，所述限波降噪电路运用电容 C3-电容C5和电阻R5-电阻R7以及三极管Q1、三极管Q2组成限波电路限制信号波形，利用电容C3-电容C5和电阻R5-电阻R7组成选频电路筛选单一频率信号，同时运用三极管Q1、三极管Q2放大信号，提高信号峰值，通过滤除信号异常频率，实现限波的作用，同时运用三极管Q5、三极管Q6组成推挽电路防止信号失真，利用三极管Q5、三极管Q6的性质防止信号交越失真，并且运用二极管D2、二极管D3和电容C2组成降噪电路降低信号噪声比，进一步保证信号的稳定性，最后运放发射电路运用运放器AR1同相放大信号，经信号发射器E1发送至控制终端内，为显示模块的异常目标显示触发信号。

以上所述是结合具体实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型具体实施仅局限于此；对于本实用新型所属及相关技术领域的技术人员来说，在基于本实用新型技术方案思路前提下，所作的拓展以及操作方法、数据的替换，都应当落在本实用新型保护范围之内。

一种高光谱成像仪异常目标检测装置专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。