专利摘要

专利摘要

本实用新型提供了一种芯片式磁场发生装置，其特征在于，包括：PCB板、多个列阵安装于所述PCB板上的磁场发生组件、多个与每一所述磁场发生组件对应连接的电源；所述磁场发生组件包括贴合在所述PCB板的第一表面的第一线圈、与所述第一线圈相对应贴合在所述PCB板的第二表面的第二线圈、磁芯，所述磁芯贯穿所述PCB板且设置于所述第一线圈及所述第二线圈中心处，所述第一线圈的内环与所述磁芯的第一端电气连接，所述第二线圈的内环与所述磁芯的第二端电气连接；基于本实用新型，提供了一种体积小、结构简单、操作方便的磁场发生装置，可产生高精度的磁场，且可实现微小尺度的磁场实时调节。

权利要求

1.一种芯片式磁场发生装置，其特征在于，包括：PCB板、多个列阵安装于所述PCB板上的磁场发生组件、多个与每一所述磁场发生组件对应连接的电源；

所述磁场发生组件包括贴合在所述PCB板的第一表面的第一线圈、与所述第一线圈相对应贴合在所述PCB板的第二表面的第二线圈、磁芯，所述磁芯贯穿所述PCB板且设置于所述第一线圈及所述第二线圈中心处，所述第一线圈的内环与所述磁芯的第一端电气连接，所述第二线圈的内环与所述磁芯的第二端电气连接。

2.根据权利要求1所述的一种芯片式磁场发生装置，其特征在于，所述磁场发生组件3*3阵列安装于所述PCB上。

3.根据权利要求1所述的一种芯片式磁场发生装置，其特征在于，所述磁芯为圆柱型磁芯。

4.根据权利要求3所述的一种芯片式磁场发生装置，其特征在于，所述磁芯的直径为5μm。

5.根据权利要求1所述的一种芯片式磁场发生装置，其特征在于，所述第一线圈的内径为10μm，所述第一线圈的外径为20μm。

6.根据权利要求1所述的一种芯片式磁场发生装置，其特征在于，所述第二线圈的内径为10μm，所述第二线圈的外径为20μm。

7.根据权利要求1所述的一种芯片式磁场发生装置，其特征在于，相邻所述磁芯的中心间距离为25μm。

8.根据权利要求1所述的一种芯片式磁场发生装置，其特征在于，所述第一线圈的外环用于连接所述电源的正极，所述第二线圈的外环用于接地。

说明书

技术领域

本实用新型设计磁场发生领域，特别涉及一种芯片式磁场发生装置。

背景技术

磁场作为一种地球环境的重要组成部分，其在科学研究、工程应用领域当中的应用比重越来越大。在有些前沿的基础物理和生物等实验当中，会将磁场作为一种实验的调节，而在现有技术的磁场发生装置中，所产生的磁场精度低，很难实现微小尺度的磁场实时调节，且现有技术的磁场发生装置结构复杂，体积大，操作不方便。

实用新型内容

本实用新提供了一种芯片式磁场发生装置，旨在提供一种体积小、结构简单、操作方便的磁场发生装置，可产生高精度的磁场，且可实现微小尺度的磁场实时调节。

本实用新型实施例提供了一种芯片式磁场发生装置，包括：PCB板、多个列阵安装于所述PCB板上的磁场发生组件、多个与每一所述磁场发生组件对应连接的电源；

所述磁场发生组件包括贴合在所述PCB板的第一表面的第一线圈、与所述第一线圈相对应贴合在所述PCB板的第二表面的第二线圈、磁芯，所述磁芯贯穿所述PCB板且设置于所述第一线圈及所述第二线圈中心处，所述第一线圈的内环与所述磁芯的第一端电气连接，所述第二线圈的内环与所述磁芯的第二端电气连接；

优选地，所述磁场发生组件3*3阵列安装于所述PCB上。

优选地，所述磁芯为圆柱型磁芯

优选地，所述磁芯的直径为5μm。

优选地，所述第一线圈的内径为10μm，所述第一线圈的外径为20μm。

优选地，所述第二线圈的内径为10μm，所述第二线圈的外径为20μm。

优选地，相邻所述磁芯的中心间距离为25μm。

优选地，所述第一线圈的外环用于连接所述电源的正极，所述第二线圈的外环用于接地。

基于本实用新型提供的一种芯片式磁场发生装置，通过在PCB板的第一表面铺设第一线圈，在第二表面铺设于所述第一线圈相对应的第二线圈，用一圆柱型磁芯贯穿所述PCB板并设置于第一线圈和第二线圈的中心处，两个线圈的内环分别连接所述磁芯的两端，以形成磁场发生组件，将磁场组件以3*3方式列阵于PCB板上，第一线圈的外环连接电源，第二线圈的外环接地，使得线圈内通有电流，列阵在所述PCB板上的磁场组件会产生特定的磁场分布，通过调整电流的大小(即调整每一磁场组件的电流大小)，能够对磁场强度和磁场梯度进行比较精准的实时调节，且体积小、结构简单、操作方便。

附图说明

图1是本实用新型实施例提供的一种芯片式磁场发生装置第一表面示意图；

图2是本实用新型实施例提供的一种芯片式磁场发生装置第二表面示意图。

具体实施方式

为使本实用新型实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施方式中的附图，对本实用新型实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本实用新型一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本实用新型中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本实用新型保护的范围。因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施方式。基于本实用新型中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本实用新型保护的范围。

以下结合附图对本实用新型的具体实施例做详细说明。

本实用新型公开了本实用新型提供了一种芯片式磁场发生装置，旨在提供一种体积小、结构简单、操作方便的磁场发生装置，可产生高精度的磁场，且可实现微小尺度的磁场实时调节。

请参阅图1及图2，本实用新型实施例提供了一种芯片式磁场发生装置，包括：PCB板1、多个列阵安装于所述PCB板1上的磁场发生组件、多个与每一所述磁场发生组件对应连接的电源；

所述磁场发生组件包括贴合在所述PCB板1的第一表面5的第一线圈2、与所述第一线圈2相对应贴合在所述PCB板1的第二表面6的第二线圈4、磁芯3，所述磁芯3贯穿所述PCB板1且设置于所述第一线圈2及所述第二线圈4中心处，所述第一线圈2的内环与所述磁芯3的第一端电气连接，所述第二线圈4的内环与所述磁芯3的第二端电气连接；

需要说明的是，每一所述磁场发生组件都对应连接有一个所述电源，用于独立控制每一所述磁场组件，当每一所述磁场发生组件都通以适当的电流时(即第一线圈2和第二线圈4及磁芯3内通有适当电流)，在各个所述磁场发生组件表面附近空间会产生特定磁场分布，通过调整各个所述磁场发生组所独立施加的电流可以对局部的磁场强度和磁场梯度进行比较精准的实时调节。

在本实施例中，所述磁场发生组件可以3*3阵列安装于所述PCB上。

需要说明的是，所述磁场发生组件还可以是2*2或4*4列阵安装于所述PCB板1上，可以根据实际情况对应敷设所述磁场发生组件，以产生特定的磁场分布，这里不做具体限定，但这些方案均在本实用新型的保护范围内。

在本实施例中，所述磁芯3可以为圆柱型磁芯3。

需要说明的是，在其他实施例中，所述磁芯3的还可以是其他形状的磁芯3，例如长方体，用于贯穿所述PCB板1并连接所述第一线圈2及所述第二线圈4的内环，可以根据实际情况对应旋转所述磁芯3的形状，这里不做具体限定，但这些方案均在本实用新型的保护范围内。

在本实施例中，所述磁芯3的直径可以为5μm。

需要说明的是，在其他实施例中，所述磁芯3的直径可以为4μm或6μm，可以根据实际情况对应设置所述磁芯3直径的大小，这里不做具体限定，但这些方案均在本实用新型的保护范围内。

在本实施例中，所述第一线圈2的内径可以为10μm，所述第一线圈2的外径可以为20μm，但不仅限于此。

在本实施例中，所述第二线圈4的内径可以为10μm，所述第二线圈4的外径可以为20μm，但不仅限于此。

需要说明的是，所述第一线圈2的内径和外径与所述第二线圈4的内径和外径的大小相同，使得列阵敷设在所述PCB板1上的磁场发生组件产生特定磁场。

在本实施例中，相邻所述磁芯3的中心间距离可以为25μm。

需要说明的是，相邻所述磁芯3的中心间距离是在x或y方向相邻的磁芯3中心间的距离,当然，在其他实施例中，相邻所述磁芯3的中心间距离可以为24μm或26μm，这里不做具体限定，但这些方案均在本实用新型的保护范围内。

在本实施例中，所述第一线圈2的外环用于连接所述电源的正极，所述第二线圈4的外环用于接地。

需要说明的是，在其他实施例中，也可以用所述第一线圈2的外环接地，用所述第二线圈4的外环连接于所述电源正极，使得所述第一线圈2、所述磁球及所述第二线圈4通有电流，使得所述磁场发生组件产生特定的磁场。

基于本实用新型提供的一种芯片式磁场发生装置，通过在PCB板的第一表面铺设第一线圈，在第二表面铺设于所述第一线圈相对应的第二线圈，用一圆柱型磁芯贯穿所述PCB板并设置于第一线圈和第二线圈的中心处，两个线圈的内环分别连接所述磁芯的两端，以形成磁场发生组件，将磁场组件以3*3方式列阵于PCB板上，第一线圈的外环连接电源，第二线圈的外环接地，使得线圈内通有电流，列阵在所述PCB板上的磁场组件会产生特定的磁场分布，通过调整电流的大小(即调整每一磁场组件的电流大小)，能够对磁场强度和磁场梯度进行比较精准的实时调节，且体积小、结构简单、操作方便。

以上仅是本实用新型的优选实施方式，本实用新型的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本实用新型思路下的技术方案均属于本实用新型的保护范围。

一种芯片式磁场发生装置专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。