专利摘要
专利摘要
一种具有扩展的聚焦深度光刻系统对涂布在晶片上的光刻胶进行曝光，所述光刻系统包括：照明子系统；光掩模；以及成像透镜，它具有光瞳面函数以形成所述光掩模的空间图像，所述空间图像邻近于所述光刻胶。所述光瞳面函数提供了扩展的聚焦深度，以使所述系统可在放松的允许偏差、减少的成本和／或增加的处理能力下得到制造或使用。即便是存在聚焦不准或失准时，也能够使用所述系统在集成线路中形成精确的通路。
权利要求
1.一种用于对涂布在晶片上的光刻胶进行曝光的光刻系统，包括：
照明子系统；
光掩模；
成像透镜，它具有光瞳面函数并形成所述光掩模的空间图像，所述空间图像邻近于所述光刻胶并具有扩展的聚焦深度，所述聚焦深度至少是K*λ*f#/2，其中，K大于1.5，f#是所述成像透镜的f值，λ是由所述照明子系统产生的光辐射的波长。
2.如权利要求1所述的光刻系统，所述光掩模被构造成使所述光刻胶记录下来自所述空间图像的所需图案。
3.如权利要求1或2所述的光刻系统，其中，所述光瞳面函数操作以对来自所述光掩模的波前进行编码，从而增加所述聚焦深度。
4.如权利要求1所述的光刻系统，其中，所述K大于2。
5.如权利要求1所述的光刻系统，其中，所述K大于8。
6.如权利要求1所述的光刻系统，所述光瞳面函数包括来自于余弦形式族群或常量分布路径族群的相位函数。
7.如权利要求1所述的光刻系统，所述空间图像在所述聚焦深度上不改变。
8.如权利要求1所述的光刻系统，所述照明子系统包括照明源，所述照明源从选自由不相干的、环形的、四重的、分离的、四极的、CQUEST、QUASAR以及双极的照明源组成的群组。
9.如权利要求8所述的光刻系统，其中，所述光掩模依赖于所述照明的类型。
10.如权利要求8或9所述的光刻系统，其中，所述照明源生成部分相干的照明。
11.如权利要求1所述的光刻系统，其中，所述光刻胶涂层具有曝光门限，所述光瞳面改变所述空间图像以使得所述空间图像的至少一部分在扩展的聚焦深度上处在所述曝光门限之上。
12.如权利要求1所述的光刻系统，其中，所述光瞳面函数包括具有形式为P(r)＝∑airi的相位函数，其中r是成像透镜的半径并且i＝3，4...7；和/或
所述光掩模和所述光瞳面函数被共同优化以便根据图像目标形成所述空间图象；和/或
所述扩展的聚焦深度足以补偿与所述系统的一个或多个组件关联的容许偏差、所述光掩模的卷曲以及晶片的不均匀性。
13.一种用于对涂布在晶片上的光刻胶进行曝光的光刻系统，包括：
照明子系统；
光掩模；
成像透镜，它具有光瞳面函数并形成所述光掩模的空间图像，所述空间图像邻近于所述光刻胶并具有扩展的聚焦深度，所述聚焦深度至少是K*λ*f#/2，其中，K等于1.5，f#是所述成像透镜的f值，λ是由所述照明子系统产生的光辐射的波长。
14.如权利要求13所述的光刻系统，所述光掩模被构造成使所述光刻胶记录下来自所述空间图像的所需图案。
15.如权利要求13或14所述的光刻系统，其中，所述光瞳面函数操作以对来自所述光掩模的波前进行编码，从而增加所述聚焦深度。
16.如权利要求13所述的光刻系统，所述光瞳面函数包括来自于余弦形式族群或常量分布路径族群的相位函数。
17.如权利要求13所述的光刻系统，所述空间图像在所述聚焦深度上不改变。
18.如权利要求13所述的光刻系统，所述照明子系统包括照明源，所述照明源从选自由不相干的、环形的、四重的、分离的、四极的、CQUEST、QUASAR以及双极的照明源组成的群组。
19.如权利要求18所述的光刻系统，其中，所述光掩模依赖于所述照明的类型。
20.如权利要求18或19所述的光刻系统，其中，所述照明源生成部分相干的照明。
21.如权利要求13所述的光刻系统，其中，所述光刻胶涂层具有曝光门限，所述光瞳面改变所述空间图像以使得所述空间图像的至少一部分在扩展的聚焦深度上处在所述曝光门限之上。
22.如权利要求13所述的光刻系统，其中，所述光瞳面函数包括具有形式为P(r)＝∑airi的相位函数，其中r是成像透镜的半径并且i＝3，4...7；和/或
所述光掩模和所述光瞳面函数被共同优化以便根据图像目标形成所述空间图象；和/或
所述扩展的聚焦深度足以补偿与所述系统的一个或多个组件关联的容许偏差、所述光掩模的卷曲以及晶片的不均匀性。
23.一种用于为光刻系统构建光掩模的方法，包括：
选择用于改变由所述光刻系统成像到晶片上的波前的相位函数；
将所需的最终图像缩放一系统放大倍数，从而生成物体掩模；
基于所述光刻系统对所述物体掩模进行的模拟成像，确定预计的空间图像；
将所述预计的空间图像应用到光刻胶模型以确定预计的曝光图案；
量化所述预计曝光图案和一所需曝光图案之间的差异；
如果所述差异不满足设计目标，则改变以下之一或多个：(a)所述相位函数、(b)所述光刻系统的光学规格、及(c)所述物体掩模，并重复所述确定、应用和量化的步骤，直到所述差异满足所述设计目标为止；以及
如果所述差异满足所述设计目标，则利用所述物体掩模构建用于在所述光刻系统中使用的所述光掩模。
24.如权利要求23所述的方法，还包括在所述将所需的最终图像缩放一系统放大倍数、从而生成物体掩模的步骤之后，根据所述光掩模的工艺性来量化所述物体掩模。
25.如权利要求23或24所述的方法，所述确定预计的空间图像的步骤包括：使用与所述光刻系统的成像相关联的相干度。
26.如权利要求23所述的方法，所述量化差异的步骤包括确定所述光刻系统的分辨率；所述量化差异的步骤包括确定所述光刻系统的聚焦深度和/或估计所述光掩模的工艺性。
27.如权利要求26所述的方法，所述设计目标将所述聚焦深度定为K*λ*f#/2，其中，K大于或等于1.5，f#是所述光刻系统的成像透镜的f值，λ是由所述光刻系统的照明源所产生的光辐射的波长。
28.如权利要求23所述的方法，所述选择相位函数的步骤包括：从相位函数族群中选择相位函数。
29.如权利要求28所述的方法，所述相位函数族群包括余弦形式族群和常量分布路径族群中的一个或多个。
30.如权利要求23所述的方法，所述设计目标利用有限数目的幅度阶跃和/或有限数目的相位阶跃来定出所述光掩模；和/或所述设计目标包括最大化的分辨率、增大视场、增加处理能力和/或包括通路深度和宽度。
31.如权利要求23所述的方法，所述改变步骤包括利用空间滤波。
32.如权利要求23所述的方法，所述选择所述相位函数的步骤包括：选择具有形式为P(r)＝∑anrn的相位函数，其中，n＝3，4，...7，|r|≤1，并且an＝[11.3908 -4.0017 -6.1467 7.6237 -3.9481]。
33.如权利要求23所述的方法，所述选择所述相位函数的步骤包括：选择具有形式为P(r)＝∑anrn的相位函数，其中，n＝1，2，...9，|r|≤1，并且an＝[4.6967，-2.7162，1.7921-0.7771，-0.5688，-1.3528，0.8717，0.2985，0.0236]。
34.一种用于增加光刻系统中的聚焦深度的装置，包括：
光学器件，用于将光掩模或遮光模成像到具有曝光门限的光刻记录媒介上；
光瞳面函数，它改变所述光刻成像系统的空间图像，以使得所述空间图像的一部分在扩展的聚焦深度上处在所述光刻记录媒介的记录门限之上，所述光瞳面函数通过影响所述光学器件成像的波前的相位来改变系统响应函数和空间图像。
35.如权利要求34所述的装置，其中，所述光瞳面函数和所述光掩模或遮光模改变系统响应函数。
36.如权利要求34或35所述的装置，还包括照明源，所述照明源选自由不相干的源、环形的源、四重的源、分离的源、四极的源、CQUEST源、QUASAS源和双极子的源组成的群组。
37.如权利要求36所述的装置，所述照明源生成相干的或部分相干的照明。
38.一种用于增加光刻的处理窗口的方法，包括：
照射光掩模；以及
通过改变波前的相位将所述光掩模的所述波前成像为空间图像，从而使所述空间图像与在没有改变所述波前相位而形成的空间图像相比具有扩展的聚焦深度和增加的处理窗口尺寸。
39.如权利要求38所述的方法，执行所述成像的步骤以在整个所述被扩展的聚焦深度上将点物体空间图像保持为基本上是聚焦对准的。
40.如权利要求38或39所述的方法，执行所述成像的步骤以使所述空间图像在所述聚焦深度上为光刻记录媒介提供基本不变的门限，和/或使得所述点物体空间图像对于整个光掩模基本不变。
41.一种形成通路的方法，包括：
照射光掩模，所述光掩模具有厚度并定出用于所述通路的孔；以及
通过改变光掩模的波前相位将所述波前成像为晶片上的图像，以使得所述图像在厚度上具有扩展的景深，其中后续的对光刻胶的蚀刻在所述晶片中形成具有基本均匀的宽度的通路。
说明书
相关申请
本申请要求第60/474,318号美国临时申请的优先权，该文的全部内容并入本文以作为参考。
具有扩展的聚焦深度的光刻系统及方法专利购买费用说明
Q：办理专利转让的流程及所需资料
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2：按规定缴纳著录项目变更手续费。
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4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q：专利转让变更，多久能出结果
A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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