专利摘要
本发明公开了一种超导磁体系统及其失超保护电路，失超保护电路包括：超导单元、第一二极管集成组件、第二二极管集成组件、第三二极管集成组件、低温超导开关、热辐射层和真空层；超导单元由M个串联连接的超导线圈组成，低温超导开关的一端与第一超导线圈的非串联连接端连接，另一端与第M超导线圈的非串联连接端连接；第一二极管集成组件与低温超导开关并联连接；热辐射层和第二二极管集成组件串联后再并联连接在超导单元中任意对称线圈子集两端。真空层和第三二极管集成组件串联后再并联连接在超导单元任一对称线圈子集两端。本发明利用热辐射层和真空层来保护超导磁体系统免于在失超期间发生损害、减少超导磁体的冷却时间和液氦损耗。
权利要求
1.一种失超保护电路，其特征在于，包括：超导单元（101）、第一二极管集成组件（102）、低温超导开关（103）和热辐射层（105）；
所述超导单元（101）由M个串联连接的超导线圈组成，依次记为第一超导线圈、第二超导线圈……第（M-1）超导线圈和第M超导线圈；
所述第一超导线圈的非串联连接端和所述第M超导线圈的非串联连接端分别与电流引线连接，电流引线与励磁电源连接；
所述低温超导开关（103）的一端与所述第一超导线圈的非串联连接端连接，所述低温超导开关（103）的另一端与所述第M超导线圈的非串联连接端连接；
所述第一二极管集成组件（102）与所述低温超导开关（103）并联连接，用于保护超导开关（103）；
所述热辐射层（105）并联连接在所述超导单元（101）中在空间上对称的任意超导线圈子集的两端，所述热辐射层（105）用于转移失超过程中超导线圈中的磁能；
所述超导线圈子集由一个超导线圈构成或由多个超导线圈构成；且所述超导线圈子集为超导单元的一部分；
所述失超保护电路还包括第二二极管集成组件（106），其与所述热辐射层（105）串联连接，用于当超导磁体处于升磁或降磁时阻止所述热辐射层（105）导电、防止所述热辐射层（105）被加热，导致辐射热增加，甚至引发超导磁体失超。
2.如权利要求1所述的失超保护电路，其特征在于，所述热辐射层（105）的一端连接至第二超导线圈与第三超导线圈相连接的连接端，所述热辐射层（105）的另一端连接至第（M-2）超导线圈与第（M-1）超导线圈相连接的连接端。
3.如权利要求1所述的失超保护电路，其特征在于，所述热辐射层（105）的一端连接至第一超导线圈与第二超导线圈相连接的连接端，所述热辐射层（105）的另一端连接至第（M-1）超导线圈与第M超导线圈相连接的连接端。
4.如权利要求1所述的失超保护电路，其特征在于，所述热辐射层（105）的一端与X1位置连接，另一端与X2位置连接，其中X1位置设置在任一超导线圈中任意位置，X2位置设置在跟X1空间上对称的位置上。
5.如权利要求1所述的失超保护电路，其特征在于，所述第二二极管集成组件（106）的门限电压大于升磁或降磁过程中与第二二极管集成组件（106）并联的线圈子集两端的最大电压。
6.如权利要求1-5任一项所述的失超保护电路，其特征在于，所述失超保护电路还包括真空层（107），其与所述热辐射层（105）并联连接；所述真空层（107）用于在失超过程中进一步转移超导磁体的磁能。
7.如权利要求1-5任一项所述的失超保护电路，其特征在于，所述失超保护电路还包括真空层（107）和第三二极管集成组件（108），
所述真空层（107）和所述第三二极管集成组件（108）串联后并接在所述超导单元（101）中在空间上对称的任意超导线圈子集两端。
8.如权利要求7所述的失超保护电路，其特征在于，所述真空层（107）和所述第三二极管集成组件（108）串联后并接在第一超导线圈L1和第二超导线圈L2的连接端与第（M-1）超导线圈和第M超导线圈的连接端之间。
9.如权利要求7所述的失超保护电路，其特征在于，所述真空层（107）和所述第三二极管集成组件（108）串联后并接在第二超导线圈L2和第三超导线圈L3的连接端与第（M-2）超导线圈和第（M-1）超导线圈的连接端之间。
10.一种超导磁体系统，包括失超保护电路，其特征在于，所述失超保护电路为上述权利要求1-9任一项所述的失超保护电路。
一种超导磁体系统及其失超保护电路专利购买费用说明
Q：办理专利转让的流程及所需资料
A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。
1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2：按规定缴纳著录项目变更手续费。
3：同时提交相关证明文件原件。
4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q：专利转让变更，多久能出结果
A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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