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一种高耐磨性的绝缘薄膜

一种高耐磨性的绝缘薄膜

IPC分类号 : B32B27/30,B32B27/36,B32B27/08,B32B27/10,B32B29/00,B32B19/00,B32B19/04,B32B27/00,B32B9/00,B32B9/04,B32B9/06,B32B3/08,B32B7/10

申请号
CN201921672852.X
可选规格
  • 专利类型: 实用新型专利
  • 法律状态: 有权
  • 申请日: 2019-10-08
  • 公开号: 210679972U
  • 公开日: 2020-06-05
  • 主分类号: B32B27/30
  • 专利权人: 闽南师范大学 ; 福建壹工软包装科技有限公司

专利摘要

本实用新型公开了一种高耐磨性的绝缘薄膜,涉及到绝缘膜领域,包括基体,基体的上表面固定连接有第一复合层,基体的下表面固定连接有第二复合层,第一复合层由耐磨层和耐候层构成,耐磨层的内部固定连接有抗拉粒子,耐候层由阻燃层和高粘结性底层构成。本实用新型通过在第一复合层内设置耐磨层,使膜体具有良好的耐磨性能,通过在第一复合层内设置耐候层,有效增加了绝缘薄膜的耐候性能,降低了不良品率,通过在耐磨层内设置抗拉粒子,使得该薄膜具有一定的抗拉抗压性能,有效提高了该薄膜的使用寿命,通过在耐候层设置高粘结性底层,能够使该薄膜组件之间的粘结力提高,有效增加了绝缘薄膜的绝缘性。

权利要求

1.一种高耐磨性的绝缘薄膜,包括基体(1),其特征在于:所述基体(1)的上表面固定连接有第一复合层(2),所述基体(1)的下表面固定连接有第二复合层(3),所述第一复合层(2)由耐磨层(4)和耐候层(5)构成,所述耐磨层(4)的内部固定连接有抗拉粒子(6),所述耐候层(5)由阻燃层(7)和高粘结性底层(8)构成。

2.根据权利要求1所述的一种高耐磨性的绝缘薄膜,其特征在于:

所述基体(1)、第一复合层(2)和第二复合层(3)通过热熔法相互配合,粘合效果好;

所述耐磨层(4)由炭布与树脂粘合而成。

3.根据权利要求1所述的一种高耐磨性的绝缘薄膜,其特征在于:

所述高粘结性底层(8)为聚酯树脂制成;

所述耐候层(5)由三氟氯乙烯制成。

4.根据权利要求1所述的一种高耐磨性的绝缘薄膜,其特征在于:

所述阻燃层(7)由云母带和玻璃纸组合而成;

所述抗拉粒子(6)由高弹性绝缘橡胶制成。

5.根据权利要求1所述的一种高耐磨性的绝缘薄膜,其特征在于:

所述基体(1)为聚氯乙烯类同种绝缘性薄膜;

所述高粘结性底层(8)的厚度为7μm-14μm;

所述第一复合层(2)和第二复合层(3)为相同材质。

说明书

技术领域

本实用新型涉及绝缘膜领域,特别涉及一种高耐磨性的绝缘薄膜。

背景技术

绝缘膜是能够保证良好电绝缘性的薄膜,这种薄膜应当具有很高的电阻率和击穿场强,而电子结构特点是禁带宽度大,为了用于高频绝缘,还要求材料具有低的介电损耗,不论是无机还是有机绝缘体,一般都具有在外电场作用下极化的能力,用作电绝缘膜时,希望其介电常数低,以减少介质损耗。

目前,传统的绝缘膜耐候性能较低,粘结性差,粘结力低,容易造成组件未粘合的情况,进而使组件产生不良现象,使组件被破坏,并且抗拉性和耐磨性较低,导致薄膜的使用寿命降低。

因此,发明一种高耐磨性的绝缘薄膜来解决上述问题很有必要。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种高耐磨性的绝缘薄膜,以解决上述背景技术中提出的传统的绝缘膜耐候性能较低,粘结性差,粘结力低,容易造成组件未粘合的情况,进而使组件产生不良现象,使组件被破坏,并且抗拉性和耐磨性较低,导致薄膜的使用寿命降低的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种高耐磨性的绝缘薄膜,包括基体,所述基体的上表面固定连接有第一复合层,所述基体的下表面固定连接有第二复合层,所述第一复合层由耐磨层和耐候层构成,所述耐磨层的内部固定连接有抗拉粒子,所述耐候层由阻燃层和高粘结性底层构成。

可选的,所述基体、第一复合层和第二复合层通过热熔法相互配合,粘合效果好;

所述耐磨层由炭布与树脂粘合而成。

可选的,所述高粘结性底层为聚酯树脂制成;

所述耐候层由三氟氯乙烯制成。

可选的,所述阻燃层由云母带和玻璃纸组合而成;

所述抗拉粒子由高弹性绝缘橡胶制成。

可选的,所述基体为聚氯乙烯类同种绝缘性薄膜;

所述高粘结性底层的厚度为7μm-14μm;

所述第一复合层和第二复合层为相同材质。

本实用新型的技术效果和优点:

1、本实用新型通过在第一复合层内设置耐磨层,使膜体具有良好的耐磨性能,通过在第一复合层内设置耐候层,有效增加了绝缘薄膜的耐候性能,降低了不良品率,通过在耐磨层内设置抗拉粒子,使得该薄膜具有一定的抗拉抗压性能,有效提高了该薄膜的使用寿命,通过在耐候层设置高粘结性底层,能够使该薄膜组件之间的粘结力提高,有效增加了绝缘薄膜的绝缘性。

附图说明

图1为本实用新型结构主视剖视示意图。

图2为本实用新型第一复合层结构的剖视示意图。

图3为本实用新型耐磨层结构的剖视示意图。

图4为本实用新型耐候层结构的剖视示意图。

图中:1、基体;2、第一复合层;3、第二复合层;4、耐磨层;5、耐候层;6、抗拉粒子;7、阻燃层;8、高粘结性底层。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型中,除非另有明确的规定和限定,术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接;可以是机械连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。

本实用新型提供了如图1-4所示的一种高耐磨性的绝缘薄膜,包括基体1,基体1的上表面固定连接有第一复合层2,基体1为聚氯乙烯类同种绝缘性薄膜,基体1的下表面固定连接有第二复合层3,第一复合层2和第二复合层3为相同材质,基体1、第一复合层2和第二复合层3通过热熔法相互配合,粘合效果好,第一复合层2由耐磨层4和耐候层5构成,耐磨层4由炭布与树脂粘合而成,耐候层5由三氟氯乙烯制成,耐磨层4的内部固定连接有抗拉粒子6,抗拉粒子6由高弹性绝缘橡胶制成,耐候层5由阻燃层7和高粘结性底层8构成,高粘结性底层8为聚酯树脂制成,高粘结性底层8的厚度为7μm-14μm,阻燃层7由云母带和玻璃纸组合而成,通过在第一复合层2内设置耐磨层4,使膜体具有良好的耐磨性能,通过在第一复合层2内设置耐候层5,有效增加了绝缘薄膜的耐候性能,降低了不良品率,通过在耐磨层4内设置抗拉粒子6,使得该薄膜具有一定的抗拉抗压性能,有效提高了该薄膜的使用寿命,通过在耐候层5设置高粘结性底层8,能够使该薄膜组件之间的粘结力提高,有效增加了绝缘薄膜的绝缘性。

本实用工作原理:通过在第一复合层2内设置耐磨层4,使膜体具有良好的耐磨性能,在使用该薄膜时,能够避免被外界物件磨损,从而降低膜的使用效果,通过在第一复合层2内设置耐候层5,有效增加了绝缘薄膜的耐候性能,降低了不良品率,通过在耐磨层4内设置抗拉粒子6,使得该薄膜具有一定的抗拉抗压性能,有效提高了该薄膜的使用寿命,并且还提高了该薄膜的实用性,通过在耐候层5设置高粘结性底层8,能够使该薄膜组件之间的粘结力提高,有效增加了绝缘薄膜的绝缘性以及牢固性,从而能够增大该膜的适用范围。

最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

一种高耐磨性的绝缘薄膜专利购买费用说明

专利买卖交易资料

Q:办理专利转让的流程及所需资料

A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。

1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2:按规定缴纳著录项目变更手续费。

3:同时提交相关证明文件原件。

4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q:专利转让变更,多久能出结果

A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。

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