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一种两步法合成锌镉硫固溶体材料的方法

一种两步法合成锌镉硫固溶体材料的方法

IPC分类号 : C01G11/00

申请号
CN201710867485.8
可选规格

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  • 专利类型:
  • 法律状态: 有权
  • 公开号: CN107555470A
  • 公开日: 2018-01-09
  • 主分类号: C01G11/00
  • 专利权人: 陕西科技大学

专利摘要

专利摘要

本发明公开了一种两步法合成锌镉硫固溶体材料的方法,称取二水合醋酸锌和二水合醋酸镉,加入到DETA和去离子水的混合溶液中,搅拌形成混合溶液A;称取硫代乙酰胺作为硫源加入混合溶液A中,然后依次进行搅拌和超声处理,形成混合溶液B;将混合溶液B加入聚四氟乙烯的内衬中进行水热反应;待反应完成后,产物经去离子水和乙醇分别离心洗涤若干次,然后干燥研磨得到前驱体;将前驱体进行烧结反应,反应结束后立即停止,并通入氩气进行保护,待温度降到室温时打开取出样品研磨成粉末状,即为锌镉硫固溶体固体材料。

说明书

技术领域

本发明涉及Zn1-xCdxS材料的制备方法,具体涉及一种两步法合成锌镉硫固溶体(Zn0.5Cd0.5S)材料的方法。

背景技术

Zn1-xCdxS固溶体作为一类具有直接宽带隙的半导体类光催化剂,伴随Cd使用量的增加,其禁带宽度从3.6eV逐渐降低到2.3eV,正是由于其较合适的禁带宽度,能够很好的使用太阳光中的一定量的可见光以及一部分的近紫外光。而且它具有廉价易得、化学稳定性强和抗光腐蚀的优点,一经问世就引起了人们广泛的关注。Zn1-xCdxS在许多领域都存在着潜在的应用,且常常被应用于光致发光光电导体设备,光催化降解有机物及光解水产氢,荧光粉以及其他光电领域中。

Zn1-xCdxS固溶体是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,由于Cd2+取代了Zn2+的位置,室温下的禁带宽度在3.6-2.3eV之间。Zn1-xCdxS固溶体作为一类既能被可见光响应又能被近紫外光响应的半导体,它能够充分的降解水中的有机污染物,使之最终彻底转化为无机小分子,由于其难溶于水,因此,纵然Cd拥有一定的毒性,但是在光催化过程中并不会造成水资源的二次污染。

近几年来,随着对于Zn1-xCdxS研究的深入,科研工作者得知其结构和性能与其制备的方法有着紧密的联系。根据人们的探索,已经运用共沉淀法、微乳液法、水热法和热分解法等常规方法成功制备得到了Zn1-xCdxS固溶体。

目前,Zn0.5Cd0.5S(x=0.5)材料的合成方法主要有:共沉淀法(Xing C,Zhang Y,Yan W,et al.Band structure-controlled solid olution of d1-xZnxS photocatalyst for hydrogen production by water splitting[J].Int.J.Hydrogen Energ.,2006,31(14):2018-2024)、微乳液法(Chen D,Gao L.Microemulsion-mediated synthesis of cadmium zinc sulfide nanocrystals with composition-modulated optical properties[J].Solid State Commun.,2005,133(3):145-150.)、水热法(Nie Q,Yuan Q,Wang Q,et al.In situ synthesis of ZnxCd1-xS nanorod by a hydrothermal route[J].J.Mater.Sci.,2004,39(16-17):5611-5612.)、热分解法(Yu J,Yang B,Cheng B.Noble-metal-free carbon nanotube-Cd0.1Zn0.9S composites for high visible-light photocatalytic H2-production performance[J].Nanoscale,2012,4(8):2670-2677.)其中,共沉淀法反应速度快,工艺简单易操作,产物质量优异,但对于温度的要求较高,能耗较大,而且使产物容易发生烧结或熔融,反应不易控。液相法反应条件温和,工艺也不需要大型的设备,成本较低,但液相法容易引入微量的杂质以及产物发生团聚。微乳液法工艺操作较为简单,装置简单,操作方便,粒子均匀,但会有大量的有机物产生,对环境会有一定的影响,造成环境污染,反应速率较难控制,还需要增加对反应副产物的处理,使得反应的成本增加。热分解法反应操作简单,反应速率快,但易造成产物团聚,反应所需温度较高,对生产所需能量和成本要求较高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种两步法合成锌镉硫固溶体材料的方法,以克服现有技术存在的问题,本发明制备方法简单、制备周期短、工艺过程容易控制等优势,另外,制备的Zn0.5Cd0.5S材料纯度高、结晶性强、形貌均匀,在半导体材料及光电器件等领域应用前景广阔。

为达到上述目的,本发明采用如下技术方案:

一种两步法合成Zn0.5Cd0.5S材料的方法,包括以下步骤:

步骤一:按照摩尔比nZn:nCd=1:1称取Zn(Ac)2·2H2O和Zn(Cd)2·2H2O,加入到DETA和去离子水的混合溶液中,其中每40mLDETA和去离子水的混合溶液中加入0.5~1.0mmolZn(Ac)2·2H2O,搅拌形成混合溶液A;

步骤二:称取硫代乙酰胺作为硫源加入混合溶液A中,且硫代乙酰胺和Zn(Ac)2·2H2O的摩尔比为(1~2):(0.5~1.0),然后依次进行搅拌和超声处理,形成混合溶液B;

步骤三:将混合溶液B加入聚四氟乙烯的内衬中进行水热反应;

步骤四:待反应完成后,产物经去离子水和乙醇分别离心洗涤若干次,然后干燥研磨得到Zn0.5Cd0.5S前驱体;

步骤五:将Zn0.5Cd0.5S前驱体放入小瓷舟中,并将小瓷舟放入大瓷舟中盖好盖子,然后将放入低温管式炉中,先进行抽真空,再充入氮气,如此重复若干次后将管内的空气排除干净,再将管内抽成真空环境;

步骤六:控制低温管式炉进行烧结反应,反应结束后立即停止,并通入氩气进行保护,待温度降到室温时打开低温管式炉取出瓷舟;

步骤七:将瓷舟中的样品研磨成粉末状,即为Zn0.5Cd0.5S固体材料。

进一步地,步骤一中DETA和去离子水的体积比为1:9。

进一步地,步骤二中搅拌时间为15min,超声处理时间为5~30min。

进一步地,步骤三中水热反应条件如下:填充比控制在30%~40%,反应温度控制在140℃~180℃,反应时间控制在12h~24h。

进一步地,步骤四中产物经去离子水和乙醇分别离心洗涤3~6次。

进一步地,步骤四中干燥具体为:在40~60℃的温度下真空干燥2~4h。

进一步地,步骤六中烧结反应温度为500℃~800℃,时间为1~2h。

与现有技术相比,本发明具有以下有益的技术效果:

本发明能够制备出结晶性好,并且具有多孔的颗粒形貌的Zn0.5Cd0.5S材料。本发明制备工艺简单、成本低、周期短,同时所制备的Zn0.5Cd0.5S材料可以应用在光催化、光电器件材料的制备等领域,可以得到很好的经济效益和社会效益。另外,材料颗粒尺寸达到几十到几百纳米,且材料纯度高、结晶性强、形貌均匀,可以应用在光电材料制备和光电器件的应用等领域。

本发明方法采用低温管式炉进行煅烧具有工艺简单、制备周期短和反应条件容易控制的特性,可利用不同的温度来控制反应的进程和形貌大小、物相的组成,在合适的温度下可得到不同的物相组成和特殊的结构形貌。物相和形貌结构的不同对材料的电化学性能有较大的影响,另外,低温管式炉具有反应速率较快、反应充分彻底、晶粒生长可控且尺寸分布均匀等优势,它避免了传统方法的反应难以进行和难控制、能耗高、产率低和工艺复杂等缺点。

附图说明

图1是本发明实施例3合成的Zn0.5Cd0.5S材料的XRD图;

图2是本发明实施例3合成的Zn0.5Cd0.5S材料的SEM图。

具体实施方式

下面对本发明的实施方式做进一步详细描述:

一种两步法合成Zn0.5Cd0.5S材料的方法,包括以下步骤:

1)采用二水合醋酸锌(Zn(Ac)2·2H2O)和二水合醋酸镉(Zn(Cd)2·2H2O)为原料(nZn:nCd=1:1),分别称取0.5~1.0mmol,加入到DETA和去离子水(VDETA:VH2O=1:9)的混合溶液40ml中,进行磁力搅拌15min形成混合溶液A。

2)采用硫代乙酰胺作为硫源,称取1~2mmol,加入混合溶液A当中,进行磁力搅拌15min后,并且进行超声5~30min,形成混合溶液B。

3)将混合溶液B加入聚四氟乙烯的内衬中,填充比控制在30%~40%,反应温度控制在140℃~180℃,反应时间控制在12h~24h。

4)待反应完成后,经去离子水和乙醇分别离心洗涤3~6次。然后40~60℃真空干燥2~4h后,经研磨得到Zn0.5Cd0.5S前驱体。

5)将Zn0.5Cd0.5S前驱体放入小瓷舟中,并将小瓷舟放入大瓷舟中盖好盖子,然后将前驱体放入低温管式炉中,先进行抽真空,再充入氮气,如此重复三次后将管内的空气排除干净后,再将管内抽成真空环境。

6)在500℃~800℃温度下进行加热1~2h后反应立即停止,并通入氩气进行保护,待温度降到室温时打开低温管式炉取出瓷舟。

7)将瓷舟中的样品倒入研钵中研磨成细小的粉末状样品,即为Zn0.5Cd0.5S固溶体材料。

下面结合实施例对本发明做进一步详细描述:

实施例1

1)采用二水合醋酸锌(Zn(Ac)2·2H2O)和二水合醋酸镉(Zn(Cd)2·2H2O)为原料(nZn:nCd=1:1),分别称取0.5mmol,加入到DETA和去离子水(VDETA:VH2O=1:9)的混合溶液40ml中,进行磁力搅拌15min形成混合溶液A。

2)采用硫代乙酰胺作为硫源,称取1mmol,加入混合溶液A当中,进行磁力搅拌15min后,并且进行超声5min,形成溶液B。

3)将溶液B加入聚四氟乙烯的内衬中,填充比控制在30%,反应温度控制在140℃,反应时间控制在12h。

4)待反应完成后,经去离子水和乙醇分别离心洗涤3次。然后40℃真空干燥4h后,经研磨得到Zn0.5Cd0.5S前驱体。

5)将Zn0.5Cd0.5S前驱体放入小瓷舟中,并将小瓷舟放入大瓷舟中盖好盖子,然后将前驱体放入低温管式炉中,先进行抽真空,再充入氮气,如此重复三次后将管内的空气排除干净后,再将管内抽成真空环境。

6)在500℃温度下进行加热1h后反应立即停止,并通入氩气进行保护,待温度降到室温时打开低温管式炉取出瓷舟。

7)将瓷舟中的样品倒入研钵中研磨成细小的粉末状样品,即为Zn0.5Cd0.5S固溶体材料。

实施例2

1)采用二水合醋酸锌(Zn(Ac)2·2H2O)和二水合醋酸镉(Zn(Cd)2·2H2O)为原料(nZn:nCd=1:1),分别称取0.8mmol,加入到DETA和去离子水(VDETA:VH2O=1:9)的混合溶液40ml中,进行磁力搅拌15min形成混合溶液A。

2)采用硫代乙酰胺作为硫源,称取1.5mmol,加入混合溶液A当中,进行磁力搅拌15min后,并且进行超声15min,形成溶液B。

3)将溶液B加入聚四氟乙烯的内衬中,填充比控制在35%,反应温度控制在160℃,反应时间控制在18h。

4)待反应完成后,经去离子水和乙醇分别离心洗涤4次。然后50℃真空干燥3h后,经研磨得到Zn0.5Cd0.5S前驱体。

5)将Zn0.5Cd0.5S前驱体放入小瓷舟中,并将小瓷舟放入大瓷舟中盖好盖子,然后将前驱体放入低温管式炉中,先进行抽真空,再充入氮气,如此重复三次后将管内的空气排除干净后,再将管内抽成真空环境。

6)在650℃温度下进行加热1.5h后反应立即停止,并通入氩气进行保护,待温度降到室温时打开低温管式炉取出瓷舟。

7)将瓷舟中的样品倒入研钵中研磨成细小的粉末状样品,即为Zn0.5Cd0.5S固溶体材料。

实施例3

1)采用二水合醋酸锌(Zn(Ac)2·2H2O)和二水合醋酸镉(Zn(Cd)2·2H2O)为原料(nZn:nCd=1:1),分别称取1.0mmol,加入到DETA和去离子水(VDETA:V H2O=1:9)的混合溶液40ml中,进行磁力搅拌15min形成混合溶液A。

2)采用硫代乙酰胺作为硫源,称取2mmol,加入混合溶液A当中,进行磁力搅拌15min后,并且进行超声30min,形成溶液B。

3)将溶液B加入聚四氟乙烯的内衬中,填充比控制在40%,反应温度控制在180℃,反应时间控制在24h。

4)待反应完成后,经去离子水和乙醇分别离心洗涤6次。然后60℃真空干燥4h后,经研磨得到Zn0.5Cd0.5S前驱体。

5)将Zn0.5Cd0.5S前驱体放入小瓷舟中,并将小瓷舟放入大瓷舟中盖好盖子,然后将前驱体放入低温管式炉中,先进行抽真空,再充入氮气,如此重复三次后将管内的空气排除干净后,再将管内抽成真空环境。

6)在800℃温度下进行加热2h后反应立即停止,并通入氩气进行保护,待温度降到室温时打开低温管式炉取出瓷舟。

7)将瓷舟中的样品倒入研钵中研磨成细小的粉末状样品,即为Zn0.5Cd0.5S固溶体材料。

从图1中可以看出实施例3所制备样品分别对应标准卡片PDF 89-2943(Zn0.5Cd0.5S)。其衍射峰的线分别在26.026°对应(100)晶面,27.769°对应(002)晶面,29.564°对应(101)晶面。从XRD图中也可以看到该材料的结晶性以及物相较好。从图2中可知该材料的纳米颗粒直径尺寸大约200nm左右,通过颗粒之间的组装可以形成多孔的Zn0.5Cd0.5S粉体。

一种两步法合成锌镉硫固溶体材料的方法专利购买费用说明

专利买卖交易资料

Q:办理专利转让的流程及所需资料

A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。

1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2:按规定缴纳著录项目变更手续费。

3:同时提交相关证明文件原件。

4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q:专利转让变更,多久能出结果

A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。

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