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一种二硫化铼纳米片的制备方法

一种二硫化铼纳米片的制备方法

IPC分类号 : C01G47/00I,B82Y30/00I,B82Y40/00I

申请号
CN201910364783.4
可选规格

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  • 专利类型:
  • 法律状态: 有权
  • 公开号: CN110002504B
  • 公开日: 2019-07-12
  • 主分类号: C01G47/00I
  • 专利权人: 陕西科技大学

专利摘要

专利摘要

本发明公开了一种二硫化铼纳米片的制备方法,将三氧化铼置于反应舟中,硅/二氧化硅基底置于反应舟上方,碳布基底平铺于硅/二氧化硅基底前端;硫粉置于反应容器中,反应舟和反应容器均置于石英玻璃管内,石英玻璃管置于真空管式炉内,然后通入载气,在600‑750℃反应,即在硅/二氧化硅基底上得到二维结构的二硫化铼纳米片,在碳布基底上得到垂直生长的三维结构的二硫化铼纳米片。本发明提供的二硫化铼纳米片制备方法工艺简单,所制备的二维材料作为电化学产氢催化剂具有较好电催化活性,稳定性好。同时由于生长衬底廉价,实验条件可控性好,易于引入实际工业生产当中,因此在绿色化学工业中具有广阔的应用前景。

权利要求

1.一种二硫化铼纳米片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

将三氧化铼置于硅片上后再置于反应舟中,将硅/二氧化硅基底置于反应舟上方,且硅/二氧化硅基底的二氧化硅层朝向三氧化铼,在反应舟的两端均留置通气口;

将碳布基底平铺于硅/二氧化硅基底前端,所述碳布基底尾端与所述硅/二氧化硅基底前端之间的水平距离为1-2mm;

将硫粉置于反应容器中,然后将反应舟和反应容器均置于石英玻璃管内,再将石英玻璃管置于真空管式炉内,然后通入载气,将真空管式炉内温度升至600-750℃,保温20-40min,即在硅/二氧化硅基底上沉积得到二维结构的二硫化铼纳米片,在碳布基底上沉积得到垂直生长的三维结构的二硫化铼纳米片;

其中,所述三氧化铼与硫粉的质量比为1-2:500,所述载气为氩气或氩气与氢气的混合气体;所述载气的流量为50-55sccm;

当所述载气为氩气与氢气的混合气体时,氩气与氢气的流量比为10-100:1。

2.根据权利要求1所述的二硫化铼纳米片的制备方法,其特征在于,硅片、硅/二氧化硅基底以及碳布基底在使用前均进行预处理。

3.根据权利要求2所述的二硫化铼纳米片的制备方法,其特征在于,硅片、硅/二氧化硅基底的预处理步骤如下:

将硅片、硅/二氧化硅基底分别在无水乙醇、异丙醇和丙酮中超声清洗,干燥后得到预处理硅片。

4.根据权利要求2所述的二硫化铼纳米片的制备方法,其特征在于,碳布基底的预处理步骤如下:将碳布基底分别在无水乙醇和去离子水中超声清洗后烘干,即得所述预处理碳布基底。

5.根据权利要求1所述的二硫化铼纳米片的制备方法,其特征在于,真空管式炉内升温速率为30-50℃/min。

6.根据权利要求1所述的二硫化铼纳米片的制备方法,其特征在于,所述反应舟为刚玉舟,所述反应容器为石英瓦片。

7.根据权利要求1所述的二硫化铼纳米片的制备方法,其特征在于,所述三维结构的二硫化铼纳米片为花瓣状,所述二维结构的二硫化铼纳米片为三角形或六边形,且尺寸大小均为5-20nm。

一种二硫化铼纳米片的制备方法专利购买费用说明

专利买卖交易资料

Q:办理专利转让的流程及所需资料

A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。

1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2:按规定缴纳著录项目变更手续费。

3:同时提交相关证明文件原件。

4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q:专利转让变更,多久能出结果

A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。

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