专利摘要

专利摘要

本实用新型公开一种基于核‑壳型压电半导体复合结构的温敏传感器，其包括衬底层、压电半导体复合圆柱壳以及位于压电半导体复合圆柱壳表层的四探针式电阻率测量器，压电半导体复合圆柱壳为由具有热释电效应压电材料层、普通半导体材料层复合而成的层状圆柱壳结构，四探针式电阻率测量装置外设置有绝缘和绝热的材料制作的外壳；当置于恒定环境温度中时，由于热弹性、热释电效应和压电效应的耦合，使得压电半导体复合圆柱壳的压电层产生电极化，驱使半导体材料层内的载流子重分布，进而改变表面电阻率。本实用新型可将外加温度载荷转化为可以检测到的电阻率信号，进而方便的探测到环境温度。

权利要求

1.一种基于核-壳型压电半导体复合结构的温敏传感器，其特征在于，该传感器包括衬底层、压电半导体复合圆柱壳以及位于压电半导体复合圆柱壳表层的四探针式电阻率测量装置，所述的压电半导体复合圆柱壳为由具有热释电效应压电材料层、半导体材料层复合而成的层状圆柱壳结构，所述的四探针式电阻率测量装置外设置有绝缘和绝热的材料制作的外壳；当置于恒定环境温度中时，由于热弹性、热释电效应和压电效应的耦合，使得所述的压电半导体复合圆柱壳的压电层产生电极化，驱使半导体材料层内的载流子重分布，进而改变表面电阻率。

2.根据权利要求1所述的基于核-壳型压电半导体复合结构的温敏传感器，其特征在于，所述的四探针式电阻率测量装置中的四个探针等间距布置。

3.根据权利要求1所述的基于核-壳型压电半导体复合结构的温敏传感器，其特征在于，所述的圆柱壳的长度应大于20μm，其长度与直径之间的比例大于10。

4.根据权利要求1所述的基于核-壳型压电半导体复合结构的温敏传感器，其特征在于，所述的压电材料选自6mm晶系，所述的压电半导体复合圆柱壳的压电材料层的局部受热的温度范围为0~0.1开尔文。

一种基于核-壳型压电半导体复合结构的温敏传感器专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。