专利摘要

专利摘要

本实用新型公开了一种电压源串联遗忘忆阻突触结构及图片存储器，涉及电力电子技术领域，解决了现有忆阻器突触功能单一、对忆阻器要求较高的问题，其技术方案要点是：包括电压源、第一忆阻器、第二忆阻器，电压源的正极与第一忆阻器、第二忆阻器依次串联后连接电流输出端，电压源的负极接地。本实用新型提供的电压源串联遗忘忆阻突触结构，设置不同参数对忆阻器的遗忘特性进行调整和控制，同时具有长短时记忆功能；其短时记忆权值通过时间变化自动切换成长时记忆权值，不需要外加信号，因此遗忘突触也不会增加系统的功耗。对比传统突触，遗忘突触更具有应用价值。

权利要求

1.一种电压源串联遗忘忆阻突触结构，其特征是，包括电压源、第一忆阻器、第二忆阻器，电压源的正极与第一忆阻器、第二忆阻器依次串联后连接电流输出端，电压源的负极接地。

2.根据权利要求1所述的一种电压源串联遗忘忆阻突触结构，其特征是，所述第一忆阻器为具有阈值特性的非易失性忆阻器，第二忆阻器为易失性忆阻器。

3.根据权利要求2所述的一种电压源串联遗忘忆阻突触结构，其特征是，所述第二忆阻器的电导为短时记忆与第一忆阻器电导对应长时记忆的差值。

4.根据权利要求2所述的一种电压源串联遗忘忆阻突触结构，其特征是，所述电流输出端的输出电流值等于电压源的电压值与第一忆阻器、第二忆阻器电导值之和的乘积。

5.根据权利要求1所述的一种电压源串联遗忘忆阻突触结构，其特征是，所述第一忆阻器的电导具体为：

dGL＝kLsign(v1)v1^2,if v1＞vth

其中，GL表示非易失性忆阻器对应的长时记忆电导，v1为写电压，kL为变化常数，sign(v1)为电压信号v1的符号，vth为电压阈值，低于阈值以下的电压对第一忆阻器长时记忆无影响。

6.根据权利要求1所述的一种电压源串联遗忘忆阻突触结构，其特征是，所述第二忆阻器的电导具体为：

其中，GS表示易失性忆阻器对应的电导，v2为短时记忆写电压，kS为短时记忆变化常数，sign(v2)为电压信号v2的符号，f为衰减速度，GS最后会衰减至0。

7.一种图片存储器，其特征是，包括如权利要求1-6任意一项所述的一种电压源串联遗忘忆阻突触结构。

一种电压源串联遗忘忆阻突触结构及图片存储器专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。