专利摘要

专利摘要

本发明涉及一种双面发光的场发射像素管。该场发射像素管包括：一个中空壳体，该壳体具有一个第一出光部及一个第二出光部，该第一出光部与该第二出光部相对。该第一出光部的内壁涂敷有第一荧光层和第一阳极层，该第二出光部的内壁涂敷有第二荧光层和第二阳极层。所述壳体内部是真空密封的，并且在第一出光部和第二出光部之间有一个金属筒，该金属筒内壁涂有经固化的纳米浆料，且该金属筒与至少一个阴极电极电连接。该场发射像素管的金属筒对电场有很强的屏蔽作用，可以有效的减弱碳纳米管表面的电场，使得碳纳米管可以在10千伏或更高的电压下稳定的工作。

权利要求

1.一种双面发光的场发射像素管，其包括：

一个中空壳体，该壳体具有一个第一出光部及一个第二出光部，该第一出光部与该第二出光部相对，该第一出光部的内壁依次有第一荧光层和第一阳极层，该第二出光部的内壁依次有第二荧光层和第二阳极层，其特征在于：所述壳体内部是真空密封的，并且在第一出光部和第二出光部之间有一个金属筒，该金属筒内壁有一层经固化的纳米浆料层，该纳米浆料层含有导电的纳米材料，该金属筒与至少一个阴极电极电连接。

2.如权利要求1所述的双面发光的场发射像素管，其特征在于，该壳体为中空圆柱体。

3.如权利要求1所述的双面发光的场发射像素管，其特征在于，该壳体为玻璃或石英石。

4.如权利要求1所述的双面发光的场发射像素管，其特征在于，该第一阳极层和该第二阳极层为铝膜。

5.如权利要求1所述的双面发光的场发射像素管，其特征在于，进一步包括一个第一阳极电极和一个第二阳极电极，该第一阳极电极与所述第一阳极层电连接，且穿过所述壳体延伸至该壳体外部，该第二阳极电极与所述第二阳极层连接，且穿过所述壳体延伸至该壳体外部。

6.如权利要求1所述的双面发光的场发射像素管，其特征在于，该至少一个阴极电极穿过所述壳体延伸至该壳体外部。

7.如权利要求1所述的双面发光的场发射像素管，其特征在于，该第一荧光层和该第二荧光层的材料选自白色荧光粉和彩色荧光粉。

8.如权利要求1所述的双面发光的场发射像素管，其特征在于，进一步包括吸气剂，该吸气剂形成于靠近该至少一个阴极电极的壳体内壁上。

9.如权利要求1所述的双面发光的场发射像素管，其特征在于，该纳米材料选自碳纳米管、碳纳米棒、碳60、碳纳米颗粒、导电金属或半导体的纳米管、纳米线、纳米棒、纳米带，及其混合物中的任意一种。

说明书

技术领域

本发明涉及一种场发射元件，尤其涉及一种双面发光的场发射像素管。

背景技术

场发射电子源以及利用该电子源轰击荧光物质而发光之场发射发光技术，已经在场发射平面显示器等领域得到应用。这种场发射技术是在真空环境下，利用外加电场作用将尖端的电子激发出来，电子轰击荧光粉发出可见光从而进行显示。在传统场发射电子源中，一般采用微细钼金属尖端、矽尖端作为电子发射端，随着纳米技术的发展，最近还采用纳米碳管作为电子发射端。

为了有效的利用荧光粉的发光效率，像素管一般工作在10千伏左右的高压下，然而碳纳米管在强电压下很容易损坏，导致发射不稳定。

发明内容

有鉴于此，提供一种可以在高压下稳定工作的场发射元件实为必要。

一种双面发光的场发射像素管，其包括：一个中空壳体，该壳体具有一个第一出光部及一个第二出光部，该第一出光部与该第二出光部相对，该第一出光部的内壁涂敷有第一荧光层和第一阳极层，该第二出光部的内壁涂敷有第二荧光层和第二阳极层。所述壳体内部是真空密封的，并且在第一出光部和第二出光部之间有一个金属筒，该金属筒内壁有一层经固化的纳米浆料层，该纳米浆料层含有导电的纳米材料，该金属筒与至少一个阴极电极电连接。

相对于现有技术，所述双面发光的场发射像素管的金属筒对电场有很强的屏蔽作用，将含有碳纳米管的浆料涂于金属筒的内壁作为阴极，则可以有效的减弱碳纳米管周围的电场，使得碳纳米管可以在10千伏或更高的电压下稳定的工作。

附图说明

图1是本发明实施例提供的双面发光的场发射像素管的示意图。

图2是本发明实施例提供的双面发光的场发射像素管沿图1中II-II方向的剖面示意图。

具体实施方式

以下将结合附图对本发明作进一步之详细说明。

本实施例提供一种双面发光的场发射像素管10。请参阅图1和图2，该场发射像素管10包括：一中空壳体12，该壳体12具有一第一出光部120及一第二出光部122，该第一出光部120与该第二出光部122相对，该第一出光部120的内壁依次有第一荧光层14和第一阳极层16，该第二出光部122的内壁依次有第二荧光层18和第二阳极层20。所述壳体12内部是真空密封的，并且在第一出光部120和第二出光部122之间有一金属筒22，该金属筒22内壁涂有经固化的纳米浆料层24。该金属筒22与至少一阴极电极电连接，于本实施例中有两个阴极电极，分别为第一阴极电极25和第二阴极电极26。

该壳体12内部是真空密封的，于本实施例中，该壳体12为中空圆柱体，且该壳体12的材料为石英石或玻璃。可以理解的是，该壳体12还可以是中空的立方体、三棱柱或其它多边形棱柱，同时该壳体12的出光面可以为平面也可以为球面或非球面，本领域技术人员可以根据实际情况进行选择。

所述第一荧光层14和第二荧光层18分别沉积在第一出光部120和第二出光部122的内壁上。该第一荧光层14和该第二荧光层18可以由白色荧光粉，或彩色荧光粉组成。当电子轰击第一荧光层14和第二荧光层18时可发出白色或彩色可见光。所述第一阳极层16镀在沉积有第一荧光层14的第一出光部120内壁上并将第一荧光层14覆盖，起到导电的作用。所述第二阳极层20镀在沉积有第二荧光层18的第二出光部122内壁上并将第二荧光层18覆盖，起到导电的作用。

该第一阳极层16和第二阳极层20为金属膜，具有良好的导电性，在本实施例中，该第一阳极层16和该第二阳极层20为铝膜。

于本实施例中，所述金属筒22为一圆筒，且该金属筒的中心轴C垂直于第一出光部120和第二出光部122。可以理解的是，该金属筒还可以为方筒、多边形筒等其它筒状结构。

所述金属筒22内壁有一层经固化的纳米浆料层24，该纳米浆料层24含有导电的纳米材料，所述可以纳米材料选自碳纳米管、碳纳米棒、碳60，碳纳米颗粒，以及导电金属或半导体的纳米管、纳米线、纳米棒、纳米带，及其混合物中的任意一种，本实施例中选用碳纳米管。将配好的纳米浆料层24涂敷于金属筒22内壁并将其固化，最后用橡皮摩擦金属筒内壁，使更多的纳米浆料层24中的碳纳米管露头，增强其导电性。金属筒22对碳纳米管发射体的屏蔽作用取决于纳米浆料层24边缘与金属筒22边缘的距离，距离越大，屏蔽作用越强。

所述金属筒22通过第一阴极引线220及第二阴极引线222分别与第一阴极电极25和第二阴极电极26电连接。该第一阴极电极25与该第二阴极电极26穿过所述壳体12并延伸至壳体12外部。在第一阴极电极25和第二阴极电极26穿过的部位可采用玻璃封接技术密封，以保证壳体内部的密封性。

该场发射像素管10进一步包括一个第一阳极电极28和一个第二阳极电极30。该第一阳极电极28和第二阳极电极30分别与第一阳极层16和第二阳极层20电连接。该第一阳极电极28和第二阳极电极30穿过所述壳体12延伸至壳体12外部。在第一阳极电极28和第二阳极电极30穿过的部位可采用玻璃封接技术密封，以保证壳体12内部的密封性。

该场发射像素管10进一步包括一吸气剂32，用于吸附场发射像素管内残余气体，维持场发射像素管10内部的真空度。该吸气剂32可以为蒸散型吸气剂32金属薄膜，在壳体12封接后通过高频加热蒸镀的方法形成于靠近第一阴极电极25和第二阴极电极26的壳体12内壁上。镀膜时需保证该吸气剂32不会覆盖到第一阳极层16和第二阳极层20，也不会造成阴极和阳极之间的短路。该吸气剂32也可以为非蒸镀型吸气剂，固定在靠近第一阴极电极25和第二阴极电极26的壳体12内壁上。

该场发射像素管10进一步包括一排气孔34，该排气孔34外接真空泵，用以将壳体12抽真空。封装时，先通过排气孔34使场发射像素管10达到一定的真空度后再进行最后的封装。

当该场发射像素管10工作时，分别给第一阳极电极28与第一阴极电极25、第二阳极电极30与第二阴极电极26之间加上电压形成电场，通过电场作用金属筒22内壁的纳米浆料层24中的碳纳米管发射出电子，电子穿透第一阳极层16和第二阳极层20轰击第一荧光层14和第二荧光层18，发出可见光。可见光一部分直接从第一出光部120和第二出光部122射出，一部分射在第一阳极层16和第二阳极层20上。第一阳极层16和第二阳极层20将其反射并最终分别透过第一出光部120和第二出光部122射出。多个这样的场发射像素管10排列起来可以进行照明或双面信息显示。

相对于现有技术，所述双面发光的场发射像素管的金属筒对电场有很强的屏蔽作用，将含有碳纳米管的浆料涂于金属筒的内壁作为阴极，则可以有效的减弱碳纳米管周围的电场，使得碳纳米管可以在10千伏或更高的电压下稳定的工作。

另外，本领域技术人员还可以在本发明精神内做其它变化，当然，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围内。

双面发光的场发射像素管专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。