专利摘要

本发明属于功能材料制备技术领域，以SiO2@ZnO QDs为荧光基质材料，利用自由基聚合方法合成多孔硅表面分子印迹荧光传感器。本发明利用凝胶溶胶法将ZnO QDs封装到多孔SiO2中，不仅解决量子点稳定性问题，提高量子点使用寿命；还通过加入致孔剂制备多孔SiO2，解决量子点包埋过深，增加比表面积，拓宽其使用范围。与表面分子印迹技术结合，提高荧光传感器对待检测物质的识别能力和响应速度，为快速、选择性识别检测乳制品中痕量三聚氰胺奠定坚实的理论和实践基础。

专利附图

利用ZnO量子点/多孔硅荧光材料制备三聚氰胺分子印迹荧光传感器MEL-MIP的方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。