专利摘要

本发明提供一种立方相掺杂铁酸铈磁光材料及其制备方法和应用。所述的磁光材料的化学式为Ce1‑xSrxFe1‑xVxO3，x=0.3~0.7。该材料属立方晶系，空间群为。该材料具有结构新颖，光学、磁学性能优良，磁光效应显著的优点，而且该化合物晶格常数与硅相匹配，有望在硅基集成光隔离器等领域获得应用。该材料采用射频磁控溅射法制备，因此还具有工艺简单、周期短、重现性好的优点。

权利要求

1.一种立方相掺杂铁酸铈磁光材料，其特征在于：所述立方相掺杂铁酸铈磁光材料，其化学式为Ce1-xSrxFe1-xVxO3，x=0.5，属立方晶系，晶胞常数a=b=c=7.766Å，易于在硅基底上外延生长；是一种双钙钛矿稀土铁酸盐结构，其中Ce、Sr共同占据A格位，Fe、V共同占据B格位。

2.一种如权利要求1所述的立方相掺杂铁酸铈磁光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）多晶原料制备：按Ce1-xSrxFe1-xVxO3，x=0.5，化学计量比准确称取CeO2、Fe2O3、Fe、SrCO3、V2O5初始原料，置于刚玉研钵中充分研磨，混合均匀后于30Mpa下压制成片，用管式炉在真空850℃下烧结12小时；重复以上研磨、压制成片、烧结操作一次；为了使压制成的多晶原料靶材致密度更高，在第二次研磨时加入5mL量的PVA作为粘合剂；

（2）薄膜的制备：采用射频磁控溅射法，以(111)取向的单晶硅片或SrTiO3晶体为基底、Ar为工作气体制备Ce1-xSrxFe1-xVxO3，x=0.5薄膜；

（3）晶化处理：步骤（2）制备所得薄膜在惰性混合气氛下进行第一次退火，并在炉内放置多根碳棒；为了避免还原气氛下产生的Fe2+和氧空位缺陷对薄膜光学、磁学性能产生影响，对薄膜需要进行第二次退火，获得Ce1-xSrxFe1-xVxO3，x=0.5磁光材料。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中薄膜的射频磁控溅射的制备工艺参数为：靶基距5cm，本底真空1×10-4Pa，工作气体为Ar，工作气压1.9Pa，气体流量20Sccm，溅射功率80W，溅射时长为1.5~3小时。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）中，第一次退火的惰性混合气氛为5%H2与95%Ar2的混合气氛，第一次退火的退火温度为650℃，退火恒温时长为2小时，升、降温速率为1℃/min；第二次退火的退火温度为500 ℃、空气氛围下恒温1小时，升、降温速率为1℃/min。

说明书

技术领域

本发明属于磁光材料技术领域，具体涉及一种立方相掺杂铁酸铈磁光材料及其制备方法与应用。

背景技术

由于硅材料具有成本低、尺寸大、波导特性良好、导光性能优异，还具有抗辐射性能等优势而被广泛应用于光子集成器、光电混合集成器等的研发中，是当代高速信息化的重要发展方向之一。目前非互易性光子集成器件的开发中，被研究最多的是在近红外波长区域具有大法拉第旋转角和低光学损失的掺铈钇铁石榴石(Ce:YIG)。Lei Bi等人和XueYin Sun等人都通过在SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅）上制备Ce:YIG/YIG覆盖层，成功实现了单片集成的光隔离器，引起了广泛的关注。但是该材料在制备过程中，容易生成CeO₂和铁氧化物的杂相，使磁光性能受到影响。此外，由于石榴石薄膜与Si基底之间热膨胀系数(YIG：10.4×10^-6K^-1，Si：3×10^-6K^-1)和晶胞参数(YIG：12.376Å，Si：5.431Å)的巨大差异，在硅单晶片上直接生长石榴石型磁光薄膜容易开裂。

钙钛矿型稀土铁酸盐(RFeO₃，R=稀土元素)晶体及薄膜也是当前磁光材料的重要研究对象之一。这类材料具备高灵敏度、高响应速度、高磁光优值和高居里温度(620-760K)等诸多优点。相比于石榴石材料，其稀土铁酸盐的钙钛矿晶格与硅衬底匹配度更高，有望制备出高质量的硅基磁光薄膜。鉴于磁性离子Ce³⁺具有增强磁光效应的作用，CeFeO₃薄膜理论上将具有更佳优越的综合磁光性能。但由于Ce³⁺不稳定，易被氧化成非磁性的Ce⁴⁺，所以纯相CeFeO₃薄膜的制备十分困难。并且由于RFeO₃属于低对称性的正交晶系，该类晶体中存在的双折射效应则会大大降低法拉第旋转的效率，不适合材料在磁光方面的具体应用。相关的研究结果表明，钙钛矿类化合物可以通过往A、B格位掺入适当的离子来调控晶体结构。因此，通过寻找合适的离子掺杂则有希望使RFeO₃结构向立方相转变，从而消除其双折射效应、提高其磁光性能。然而，目前关于立方相掺杂CeFeO₃晶体及薄膜的研究尚未有文献报道。

本专利通过在CeFeO₃的A位掺杂半径较大的Sr、在B位掺杂半径较小的V，首次实现了CeFeO₃从正交晶相向立方晶相的演变。采用磁控溅射法制备得到了具有<111>取向的Ce_1-xSr_xFe_1-xV_xO₃/Si和Ce_1-xSr_xFe_1-xV_xO₃/SrTiO₃(x=0.3~0.7)外延薄膜。薄膜的磁圆二色(MCD)光谱、XPS光谱、紫外-可见光谱、磁滞回线、表面形貌等的测试结构表明，所制备的立方相掺杂CeFeO₃磁光材料的成膜质量高，光学透过性能和磁性较好，有望为开发新型硅基磁光器件提供新型的优质磁光薄膜材料。

发明内容

本发明针对现有技术的不足，提供一种立方相掺杂铁酸铈磁光材料及其制备方法与应用。该磁光材料属立方晶系，空间群为，其晶格点阵与硅适配度高，易于在硅基底上外延生长获得高质量薄膜，且在室温下具有物化性能优良、磁光效应优异的特点，在硅基集成光隔离器领域具有很好的应用前景。该磁光薄膜材料的制备方法工艺简单、快速、周期短、重现性好。

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种立方相掺杂铁酸铈磁光材料，其化学通式为Ce_1-xSr_xFe_1-xV_xO₃，x=0.3~0.7；属立方晶系，空间群为，晶胞常数a=b=c=7.796~7.724Å；是一种新型双钙钛矿稀土铁酸盐结构，其中Ce、Sr共同占据A格位，Fe、V共同占据B格位。

一种立方相掺杂铁酸铈磁光材料的制备方法，包括以下具体步骤：

(1) 多晶原料制备：按Ce_1-xSr_xFe_1-xV_xO₃，x=0.3~0.7，化学计量比准确称取CeO₂、Fe₂O₃、Fe、SrCO₃、V₂O₅初始原料，置于刚玉研钵中充分研磨，混合均匀后于30Mpa下压制成片，用管式炉在真空850℃下烧结12小时；重复以上研磨、压制成片、烧结操作一次；为了使压制成的多晶原料靶材致密度更高，在第二次研磨时加入5mL量的PVA作为粘合剂；

(2) 薄膜的制备：采用射频磁控溅射法，以(111)取向的单晶硅片或SrTiO₃晶体为基底、Ar为工作气体制备Ce_1-xSr_xFe_1-xV_xO₃，x=0.3~0.7薄膜；

(3) 晶化处理：由于溅射得到的薄膜是非晶态，后续需对其进行晶化处理，鉴于Ce³⁺易被氧化为非磁性的Ce⁴⁺，薄膜在惰性混合气氛下进行第一次退火，并在炉内放置多根碳棒。为了避免还原气氛下产生的Fe²⁺和氧空位缺陷对薄膜光学、磁学性能产生影响，对薄膜需要进行第二次退火，获得Ce_1-xSr_xFe_1-xV_xO₃，x=0.3~0.7磁光材料。

上述步骤（2）中薄膜的射频磁控溅射的制备工艺参数为：靶基距5cm，本底真空1×10^-4Pa，工作气体为Ar，工作气压1.9Pa，气体流量20Sccm，溅射功率80W，溅射时长为1.5~3小时。

上述步骤（3）中，第一次退火的惰性混合气氛为5%H₂与95%Ar₂的混合气氛，第一次退火的退火温度为650℃，退火恒温时长为2小时，升、降温速率为1℃/min；第二次退火的退火温度为500℃、空气氛围下恒温1小时，升、降温速率为1℃/min。

该立方相掺杂铁酸铈磁光材料应用于硅基光隔离器、光环形器或磁光调制器中。

本发明的显著优点：

（1）本发明的立方相掺杂铁酸铈磁光材料Ce_1-xSr_xFe_1-xV_xO₃，x=0.3~0.7是一类新型的磁光材料，属立方晶系，空间群为。该磁光材料与硅基底的晶格失配度较小，晶化处理后获得的薄膜具有明显的(111)面择优取向，且成膜质量良好，均方根粗糙度(Rq)均在10nm以下。

（2）本发明的磁光材料具有较好的光学透过性能和较强的饱和磁化强度，而且具有强磁光性能。当A位的Ce含量为70%时，磁圆二色响应值（MCD）达到-4300deg./cm（外加磁场2500Oe），说明该材料磁光性能优异，有望在硅基光电集成器件领域获得应用。

（3）本发明的制备方法工艺简单、快速、周期短、重现性好。

附图说明

图1 为溅射1.5小时的Ce_1-xSr_xFe_1-xV_xO₃/Si(111)薄膜退火后的X-射线衍射（XRD）谱。Silicon Substrate：硅基底；JCPDS 54-0757：钙钛矿立方相标准卡片。

图2为不同厚度的Ce_1-xSr_xFe_1-xV_xO₃/Si(111)薄膜退火后的掠入射谱衍射（GIXRD）谱(ω= 1°)。(a) 溅射1.5小时；(b) 溅射3小时；JCPDS 54-0757：钙钛矿立方相标准卡片。

图3为Ce_1-xSr_xFe_1-xV_xO₃/Si(111)薄膜的AFM 2D图。(a) Ce_0.3Sr_0.7Fe_0.3V_0.7O₃, (b)Ce_0.5Sr_0.5Fe_0.5V_0.5O₃, (c) Ce_0.7Sr_0.3Fe_0.7V_0.3O₃。

图4为Ce_1-xSr_xFe_1-xV_xO₃/Si(111)薄膜的透过光谱。Si（111）Substrate：硅基底。

图5为Ce_1-xSr_xFe_1-xV_xO₃/Si(111)薄膜的室温饱和磁滞回线谱(out-of-plane)。

图6为Ce_1-xSr_xFe_1-xV_xO₃/Si(111)薄膜的Ce 3d XPS谱。

图7为Ce_1-xSr_xFe_1-xV_xO₃/SrTiO₃(111)薄膜的MCD谱。

具体实施方式

为使本发明所述的内容更加便于理解，下面结合具体实施方式对本发明所述的技术方案做进一步的说明，但是本发明不仅限于此。

实施例1

一种立方相掺杂铁酸铈磁光材料Ce_0.7Sr_0.3Fe_0.7V_0.3O₃的制备方法，包括如下具体步骤：

（1）多晶原料制备：按Ce_0.7Sr_0.3Fe_0.7V_0.3O₃化学计量比准确称取CeO₂、Fe₂O₃、Fe、SrCO₃、V₂O₅置于刚玉研钵中，经充分研磨混合均匀后于30Mpa下压制成片，用管式炉在真空气氛，850℃下预烧12小时；重复以上研磨、压制成片、烧结操作一次；在制备多晶原料靶材过程中，为了使压制成的靶材致密度更高，在第二次研磨时加入5mL量的PVA作为粘合剂。

（2）薄膜的制备：采用射频磁控溅射法，分别以(111)取向的单晶硅片和SrTiO₃晶片为基底，制备了Ce_0.7Sr_0.3Fe_0.7V_0.3O₃/Si(111)薄膜和Ce_0.7Sr_0.3Fe_0.7V_0.3O₃/SrTiO₃(111)薄膜。磁控溅射的工艺参数为：靶基距5cm，本底真空1×10^-4Pa，工作气体为Ar，工作气压1.9Pa，气体流量20Sccm，溅射功率80W，溅射时长为1.5小时和3小时，制备不同厚度的Ce_0.7Sr_0.3Fe_0.7V_0.3O₃/Si(111)薄膜和Ce_0.7Sr_0.3Fe_0.7V_0.3O₃/SrTiO₃(111)薄膜。

（3）晶化处理：由于溅射得到的薄膜是非晶态，后续需对其进行晶化处理，鉴于Ce³⁺易被氧化为非磁性的Ce⁴⁺，薄膜在惰性混合气氛下进行第一次退火，在真空管式炉中，通入5%H₂与95%Ar₂的混合气体，并在炉内放置多根碳棒进行退火，退火温度为650℃，恒温时长为2小时，升、降温速率都为1℃/min。此外，为了避免还原气氛下产生的Fe²⁺对薄膜性能产生影响，在500℃、空气氛下恒温1小时，升、降温速率为1℃/min进行二次退火。

对晶化处理后的Ce_0.7Sr_0.3Fe_0.7V_0.3O₃/Si(111)薄膜物相进行表征，X-射线衍射（XRD）谱(见图1)显示，除基底的衍射峰之外，仅出现了(111)面的薄膜衍射峰，说明该薄膜具有<111>择优取向。为了减小基底对薄膜物相分析的影响，进行了掠入射小角衍射(GIXRD)测试(ω= 1°)，结果见图2。GIXRD谱显示，在Si(111)基底上获得的Ce_0.7Sr_0.3Fe_0.7V_0.3O₃/Si(111)薄膜物相与钙钛矿立方相标准卡片(JCPDS 54-0757)符合，除了在28.46°位置出现来自于硅基底氧化产生的SiO₂之外，无其余杂相生成。而在XRD谱中出现的<111>取向峰由于和Si基底的峰接近，因此在掠入衍射谱中不会出现。将薄膜的GIXRD谱进行Rietveld精修，结果表明，Ce_0.7Sr_0.3Fe_0.7V_0.3O₃/Si(111)为钙钛矿立方结构，晶胞常数a=b=c=7.796Å。图3c为Ce_0.7Sr_0.3Fe_0.7V_0.3O₃/Si(111)薄膜的AFM表面形貌图。结果表明，晶化处理之后的薄膜表面颗粒分布均匀、无裂纹，表面均方根粗糙度为10nm。此外，由图4的透过光谱可知，溅射1.5小时的Ce_0.7Sr_0.3Fe_0.7V_0.3O₃/Si(111)薄膜透过率为55~65%。与基底相比，薄膜的透过率有所提高。这是由于薄膜质量高、折射率较单晶硅低，对基底起到了增透作用。图5为Ce_1-xSr_xFe_1-xV_xO₃/Si(111)薄膜的室温饱和磁滞回线谱(out-of-plane)。由图5知，Ce_0.7Sr_0.3Fe_0.7V_0.3O₃/Si(111)薄膜的饱和磁化强度为50emu/cm³，矫顽力为112Oe。采用光电子能谱XPS对薄膜中Ce离子的价态进行分析(见图6)。由图6知，本实施例的Ce_0.7Sr_0.3Fe_0.7V_0.3O₃/Si(111)薄膜中Ce离子的价态全部为+3价，无非磁性Ce⁴⁺产生(Ce⁴⁺特征峰位位于916.9 eV)。图7为Ce_0.7Sr_0.3Fe_0.7V_0.3O₃/SrTiO₃(111)薄膜在380-800 nm波段的MCD谱(外加磁场为2500Oe)。由图7知，Ce_0.7Sr_0.3Fe_0.7V_0.3O₃/SrTiO₃(111)薄膜在562 nm波长处的磁圆二色响应值达到-4300deg./cm。在相同磁场下，该薄膜的磁光性能远高于文献报道的石榴石型含Ce³⁺磁光薄膜^[1]。

实施例2

一种立方相掺杂铁酸铈磁光材料Ce_0.5Sr_0.5Fe_0.5V_0.5O₃的制备方法，包括如下具体步骤：

（1）多晶原料制备：按化学计量比准确称取CeO₂、Fe₂O₃、Fe、SrCO₃、V₂O₅置于刚玉研钵中，经充分研磨混合均匀后于30Mpa下压制成片，用管式炉在真空气氛，850℃下预烧12小时；重复以上研磨、压制成片、烧结操作一次；在制备多晶原料靶材过程中，为了使压制成的靶材致密度更高，在第二次研磨时加入5mL量的PVA作为粘合剂。

（2）薄膜的制备：采用射频磁控溅射法，分别以(111)取向的单晶硅片和SrTiO₃晶片为基底，制备了Ce_0.5Sr_0.5Fe_0.5V_0.5O₃/Si(111)薄膜和Ce_0.5Sr_0.5Fe_0.5V_0.5O₃/SrTiO₃(111)薄膜。溅磁控射的工艺参数为：靶基距5cm，本底真空1×10^-4Pa，工作气体为Ar，工作气压1.9Pa，气体流量20Sccm，溅射功率80W，溅射时长为1.5小时和3小时，制备不同厚度的Ce_0.5Sr_0.5Fe_0.5V_0.5O₃/Si(111)薄膜和Ce_0.5Sr_0.5Fe_0.5V_0.5O₃/SrTiO₃(111)薄膜。

（3）晶化处理：由于溅射得到的薄膜是非晶态，后续需对其进行晶化处理，鉴于Ce³⁺易被氧化为非磁性的Ce⁴⁺，薄膜在惰性混合气氛下进行第一次退火，在真空管式炉中，通入H₂和Ar₂混合气体，并在炉内放置多根碳棒进行退火。退火温度为650℃，恒温时长为2小时，升降温速率都为1℃/min。此外，为了避免还原气氛下产生的Fe²⁺对薄膜性能产生影响，在500℃、空气氛下恒温1小时，升、降温速率都为1℃/min进行二次退火。

对晶化处理后的Ce_0.5Sr_0.5Fe_0.5V_0.5O₃/Si(111)薄膜物相进行表征，从XRD谱(见图1)看出，除基底的衍射峰之外，仅出现了(111)面的薄膜衍射峰，说明该薄膜具有<111>择优取向。图2的GIXRD谱显示Ce_0.5Sr_0.5Fe_0.5V_0.5O₃/Si(111)薄膜物相与钙钛矿立方相标准卡片(JCPDS 54-0757)符合。而在XRD谱中出现的<111>取向峰由于和Si基底的峰很接近，因此在掠入衍射谱中不会出现。Rietveld精修结果表明，Ce_0.5Sr_0.5Fe_0.5V_0.5O₃/Si(111)为钙钛矿立方结构，晶胞常数a=b=c=7.766Å。图3b为本实施例薄膜的AFM表面形貌2D图。结果表明，晶化处理薄膜表面颗粒分布均匀、无裂纹，溅射1.5小时的薄膜均方根粗糙度为9.50nm。此外，由图4的透过光谱知，薄膜的透过率最高达到70%，较基底的透过性能明显提高。图5为Ce_1-xSr_xFe_1-xV_xO₃/Si(111)薄膜的室温饱和磁滞回线谱(out-of-plane)。由图5知，Ce_0.5Sr_0.5Fe_0.5V_0.5O₃/Si(111)薄膜的饱和磁化强度为37.5emu/cm³，矫顽力为253Oe。图6的XPS谱表明本案例的Ce_0.5Sr_0.5Fe_0.5V_0.5O₃/Si(111)薄膜中Ce离子的价态全部为+3价，无非磁性Ce⁴⁺产生。Ce_0.5Sr_0.5Fe_0.5V_0.5O₃/SrTiO₃(111)薄膜在466 nm波长处的MCD值达到-2700deg./cm (外加磁场为2500Oe)（见图7），也具备有强磁光效应。

实施例3

一种立方相掺杂铁酸铈磁光材料Ce_0.3Sr_0.7Fe_0.3V_0.7O₃的制备方法，包括如下具体步骤：

（1）多晶原料制备：按化学计量比准确称取CeO₂、Fe₂O₃、Fe、SrCO₃、V₂O₅置于刚玉研钵中，经充分研磨混合均匀后于30Mpa下压制成片，用管式炉在真空气氛，850℃下预烧12小时；重复以上研磨、压制成片、烧结操作一次；在制备多晶原料靶材过程中，为了使压制成的靶材致密度更高，在第二次研磨时加入5mL量的PVA作为粘合剂。

（2）薄膜的制备：采用射频磁控溅射法，分别以(111)取向的单晶硅片和SrTiO₃晶片为基底，制备了Ce_0.3Sr_0.7Fe_0.3V_0.7O₃/Si(111)薄膜和Ce_0.3Sr_0.7Fe_0.3V_0.7O₃/SrTiO₃(111)薄膜。溅磁控射的工艺参数为：靶基距5cm，本底真空1×10^-4Pa，工作气体为Ar，工作气压1.9Pa，气体流量20Sccm，溅射功率80 W，溅射时长为1.5小时和3小时，制备不同厚度的Ce_0.3Sr_0.7Fe_0.3V_0.7O₃/Si(111) 薄膜和Ce_0.3Sr_0.7Fe_0.3V_0.7O₃/SrTiO₃(111)薄膜。

（3）晶化处理：由于溅射得到的薄膜是非晶态，后续需对其进行晶化处理，鉴于Ce³⁺易被氧化为非磁性的Ce⁴⁺，薄膜在惰性混合气氛下进行第一次退火，在真空管式炉中，通入H₂和Ar₂混合气体，并在炉内放置多根碳棒进行退火。退火温度为650℃，恒温时长为2小时，升、降温速率都为1℃/min。此外，为了避免还原气氛下产生的Fe²⁺对薄膜性能产生影响，在500℃、空气氛下恒温1小时，升、降温速率都为1℃/min进行二次退火。

对晶化处理后的Ce_0.3Sr_0.7Fe_0.3V_0.7O₃/Si(111)薄膜物相进行表征，从XRD谱(见图1)看出，除基底的衍射峰之外，仅出现了Si(111)基底 (111)面的薄膜衍射峰，说明该薄膜具有<111>择优取向。GIXRD谱显示，在Si(111)基底上获得的Ce_0.3Sr_0.7Fe_0.3V_0.7O₃/Si(111)薄膜物相与钙钛矿立方相标准卡片(JCPDS 54-0757)符合。薄膜的Rietveld精修结果表明，Ce_0.3Sr_0.7Fe_0.3V_0.7O₃/Si(111)为钙钛矿立方结构，晶胞常数a=b=c=7.724Å。图3a为该薄膜的AFM表面形貌2D图。结果表明，晶化处理之后的薄膜表面颗粒分布均匀、无裂纹，均方根粗糙度为8.71nm。由图4的透过光谱知，溅射1.5小时的Ce_0.3Sr_0.7Fe_0.3V_0.7O₃/Si(111)薄膜的透过率最高可以达到65%，也明显高于硅基底。图5为Ce_1-xSr_xFe_1-xV_xO₃/Si(111)薄膜的室温饱和磁滞回线谱(out-of-plane)。由图5知，Ce_0.3Sr_0.7Fe_0.3V_0.7O₃/Si(111)薄膜的饱和磁化强度为19emu/cm³，低于Ce_0.5Sr_0.5Fe_0.5V_0.5O₃/Si(111)和Ce_0.7Sr_0.3Fe_0.7V_0.3O₃/Si(111)，但矫顽力可以提高到356Oe。XPS谱的Gaussian拟合结果(见图6)说明本案例的Ce_0.3Sr_0.7Fe_0.3V_0.7O₃/Si(111)薄膜中Ce离子的价态全部为+3价，无非磁性Ce⁴⁺产生。Ce_0.3Sr_0.7Fe_0.3V_0.7O₃/SrTiO₃(111)薄膜在564 nm波长处的的MCD谱(外加磁场为2500Oe)(见图7)为1100deg./cm，说明具有较强的磁光效应。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

1] M. Kucera, J. Bok and K. Nitsch. Faraday rotation and MCD in CeDoped YIG. Solid State Commun., 69 [11] 1117-1121 (1989)。

一种立方相掺杂铁酸铈磁光材料及其制备方法和应用专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。