专利摘要
专利摘要
放射线图像变换面板,具备:支撑体,其具有可挠性;辉尽性荧光体层,其设置在支撑体的主面上,由多个柱状结晶构成;第1保护膜,其设置在辉尽性荧光体层上;以及第2保护膜,其设置在第1保护膜上,辉尽性荧光体层由包含掺杂了Eu的CsBr的辉尽性荧光体构成,第1保护膜以覆盖辉尽性荧光体层的上面和侧面且在辉尽性荧光体层中填埋多个柱状结晶的间隙的方式设置,第2保护膜的铅笔硬度在第1保护膜的铅笔硬度以下,具有直至曲率半径为15mm的可挠性。
权利要求
1.一种放射线图像变换面板,其特征在于:
具备:
支撑体,其具有可挠性;
辉尽性荧光体层,其设置在所述支撑体的主面上,并由多个柱状结晶构成;
第1保护膜,其设置在所述辉尽性荧光体层上;以及
第2保护膜,其设置在所述第1保护膜上,
所述辉尽性荧光体层由包含掺杂了Eu的CsBr的辉尽性荧光体构成,
所述第1保护膜以覆盖所述辉尽性荧光体层的上面和侧面且在所述辉尽性荧光体层中填埋所述多个柱状结晶的间隙的方式设置,
所述第2保护膜的铅笔硬度在所述第1保护膜的铅笔硬度以下,
具有直至曲率半径为15mm的可挠性。
2.如权利要求1所述的放射线图像变换面板,其特征在于:
所述支撑体由树脂薄膜构成。
3.如权利要求1所述的放射线图像变换面板,其特征在于:
所述支撑体由聚酰亚胺构成。
4.如权利要求1~3中的任一项所述的放射线图像变换面板,其特征在于:
所述第1保护膜是耐湿性的保护膜。
5.如权利要求1~4中的任一项所述的放射线图像变换面板,其特征在于:
所述第1保护膜由聚对二甲苯构成。
6.如权利要求1~5中的任一项所述的放射线图像变换面板,其特征在于:
所述第2保护膜是耐擦伤性的保护膜。
7.如权利要求1~6中的任一项所述的放射线图像变换面板,其特征在于:
所述第2保护膜由聚氨酯丙烯酸类树脂构成。
8.如权利要求1~7中的任一项所述的放射线图像变换面板,其特征在于:
还具备设置在与所述支撑体的所述主面相反侧的所述支撑体的背面的激励光吸收层。
9.如权利要求1~8中的任一项所述的放射线图像变换面板,其特征在于:
所述辉尽性荧光体层在所述支撑体侧具有所述柱状结晶螺旋状层叠而成的螺旋构造。
10.如权利要求1~8中的任一项所述的放射线图像变换面板,其特征在于:
还具备设置在所述支撑体与所述辉尽性荧光体层之间的辉尽发光反射层。
11.如权利要求1~10中的任一项所述的放射线图像变换面板,其特征在于:
所述第1保护膜延伸至所述支撑体的侧面上。
12.如权利要求11所述的放射线图像变换面板,其特征在于:
所述第1保护膜进一步以覆盖所述支撑体以及所述辉尽性荧光体层的整体的方式设置。
13.如权利要求1~12中的任一项所述的放射线图像变换面板,其特征在于:
所述第2保护膜以覆盖所述第1保护膜的方式设置。
14.如权利要求1~11中的任一项所述的放射线图像变换面板,其特征在于:
还具备设置在与所述支撑体的所述主面相反侧的所述支撑体的背面的第3保护膜,
所述第3保护膜是耐擦伤性的保护膜。
说明书
技术领域
本发明的一个侧面涉及一种放射线图像变换面板。
背景技术
以往,存在具备由多个柱状结晶构成的辉尽性荧光体层的放射线图像变换面板。例如,在专利文献1中,公开了具备支撑体、设置在支撑体上的辉尽性荧光体层、设置在辉尽性荧光体层上的耐湿性保护膜、以及设置在耐湿性保护膜上的耐伤性保护膜的荧光板。另外,在专利文献2中,公开了具备支撑体、设置在支撑体上的辉尽性荧光体层、设置在辉尽性荧光体层上的保护膜、以及设置在保护膜上的防污层的放射线发光面板。另外,在专利文献3中,公开了具备荧光体层、设置在荧光体层上的保护膜、以及设置在保护膜上的防损伤膜的放射线图像变换面板。
在上述的放射线图像变换面板中,通过两种保护膜来确保辉尽性荧光体层的耐湿性并且防止在面板的处理或在扫描装置的读取中在任一层产生破裂性的伤。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2004-340928号公报
专利文献2:日本特开2002-107495号公报
专利文献3:日本特公平6-52320号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
但是,在放射线图像变换面板例如作为牙科用成像板使用的情况下,放射线图像变换面板被插入患者的口腔内。由于口腔为立体的,因此为了将详细的信息作为图像取得,需要在每次摄影匹配患者的口腔形状而使放射线图像变换面板弯曲。
但是,在上述的放射线图像变换面板中,虽然为了减少损伤而对保护膜的硬度进行了研究,但是并未着眼于作为放射线图像变换面板的可挠性。因此,在放射线图像变换面板不具有足够的可挠性的情况下,放射线图像变换面板不能够匹配患者的口腔的形状变形,因而摄影的设定困难。另外,不具有足够的可挠性的放射线图像变换面板被弯曲使用时,有在荧光体层产生裂纹或者在保护膜产生破裂的担忧。
本发明的一个侧面是鉴于这种情况而完成的,目的在于提供一种可以减少在扫描装置中的读取和处理等使用所致的损伤并且具有在弯曲的状态下能够使用的构造的放射线图像变换面板。
解决技术问题的手段
本发明的一个侧面涉及放射线图像变换面板。该放射线图像变换面板具备:支撑体,其具有可挠性;辉尽性荧光体层,其设置在支撑体的主面上,并由多个柱状结晶构成;第1保护膜,其设置在辉尽性荧光体层上;以及第2保护膜,其设置在第1保护膜上,辉尽性荧光体层由包含掺杂了Eu的CsBr的辉尽性荧光体构成,第1保护膜以覆盖辉尽性荧光体层的上面和侧面且在辉尽性荧光体层中填埋多个柱状结晶的间隙的方式设置,第2保护膜的铅笔硬度在第1保护膜的铅笔硬度以下,具有直至曲率半径为15mm的可挠性。
在该放射线图像变换面板中,具备:支撑体,其具有可挠性;辉尽性荧光体层,其设置在支撑体的主面上,并由多个柱状结晶构成;以及第1保护膜,以覆盖辉尽性荧光体层的上面和侧面并且在辉尽性荧光体层中填埋多个柱状结晶的间隙的方式设置。由此,由于通过第1保护膜填埋有多个柱状结晶间的间隙,因此能够在放射线图像变换面板弯曲时消除破裂的起点。另外,通过多个柱状结晶经由第1保护膜一体化,从而使得辉尽性荧光体层能够跟随支撑体的弯曲。
此外,放射线图像变换面板具备设置在第1保护膜上的第2保护膜。由此,能够减少使用所致的损伤。另外,第2保护膜的铅笔硬度在第1保护膜的铅笔硬度以下。由此,第2保护膜的可挠性(伸展率)为第1保护膜的可挠性(伸展率)以上,第2保护膜可以跟随于第1保护膜的弯曲。因此,在使放射线图像变换面板弯曲至曲率半径为15mm来使用的情况下,能够抑制第2保护膜破裂。如此,放射线图像变换面板可以减少因使用所致的损伤,并且可以在弯曲的状态下的使用。
支撑体可以由树脂薄膜构成。另外,支撑体可以由聚酰亚胺构成。由于由聚酰亚胺等的树脂薄膜构成的支撑体,在可挠性上优良,因此能够提高放射线图像变换面板的可挠性。
第1保护膜可以是耐湿性的保护膜。通过利用第1保护膜覆盖辉尽性荧光体层的上面和侧面,从而能够提高耐湿性,能够抑制辉尽性荧光体层吸收空气中的水蒸汽。其结果是,能够防止辉尽性荧光体层潮解。
第1保护膜可以由聚对二甲苯构成。由于聚对二甲苯的耐湿性优良,因此通过利用由聚对二甲苯构成的第1保护膜覆盖辉尽性荧光体层的上面和侧面,因此能够提高耐湿性,能够抑制辉尽性荧光体层吸收空气中的水蒸汽。其结果是,能够防止辉尽性荧光体层潮解。
第2保护膜可以是耐擦伤性的保护膜。通过设置有第2保护膜,能够减少因使用所致的损伤。另外,第2保护膜可以由聚氨酯丙烯酸类树脂构成。由于聚氨酯丙烯酸类树脂在耐擦伤性和可挠性上优异,铅笔硬度小,因此由聚氨酯丙烯酸类树脂构成的第2保护膜能够进一步减少因使用所致的损伤,能够进一步提高对第1保护膜的弯曲的跟随性。因此,可以进一步减少放射线图像变换面板的因使用所致的损伤,并且能够抑制在弯曲的状态的使用所致的第2保护膜的破裂。
还可以具备设置在与支撑体的主面相反侧的支撑体的背面的激励光吸收层。根据该结构,能够通过激励光吸收层吸收透过了辉尽性荧光体层的激励光。因此,能够吸收透过了辉尽性荧光体层和支撑体的激励光,因而能够减轻对比度因激励光的散射以及反射降低。
辉尽性荧光体层可以在支撑体侧具有柱状结晶螺旋状层叠而成的螺旋构造。根据该结构,由柱状结晶的螺旋构造形成反射层。因此,能够通过螺旋构造反射通过激励光照射于辉尽性荧光体层而在辉尽性荧光体层中放出的光当中被导光至支撑体侧的光,因而不设置反射层便可以增加从辉尽性荧光体层的上面出射的光的光量。另外,多个柱状结晶分别具有螺旋构造。因此,在柱状结晶中放出的光被该柱状结晶具有的螺旋构造反射,因而在辉尽性荧光体层与反射层之间不发生散射,能够增加从辉尽性荧光体层的上面出射的光的光量。
还可以具备设置在支撑体与辉尽性荧光体层之间的辉尽发光反射层。根据该结构,通过辉尽发光反射层反射通过激励光照射于辉尽性荧光体层而在辉尽性荧光体层中放出的光当中被导光至支撑体侧的光,能够增加出射至辉尽性荧光体层的上面侧的光的光量。
第1保护膜可以延伸至支撑体的侧面上。另外,第1保护膜可以以覆盖支撑体和辉尽性荧光体层的整体的方式设置。根据该结构,由于支撑体和辉尽性荧光体层的整体被第1保护层覆盖,因此能够进一步提高耐湿性,能够进一步防止辉尽性荧光体层的潮解。
第2保护膜可以以覆盖第1保护膜的方式设置。根据该结构,能够减少第1保护膜中的损伤。
还可以具备设置在与支撑体的主面相反侧的支撑体的背面的第3保护膜,第3保护膜可以是耐擦伤性的保护膜。根据该结构,能够减少支撑体的背面中的损伤。
发明的效果
根据本发明的一个侧面,可以减少在扫描装置中的读取和处理等的使用所致的损伤并且能够在弯曲的状态下使用。
附图说明
图1是表示第1实施方式所涉及的放射线图像变换面板的结构的概略侧截面图。
图2(a)是表示图1的放射线图像变换面板弯曲的状态的图,图2(b)是表示比较例的放射线图像变换面板弯曲的状态的图。
图3是表示扫描通过试验和弯曲试验的试验结果的图。
图4是表示第2实施方式所涉及的放射线图像变换面板的结构的概略侧截面图。
图5是表示第3实施方式所涉及的放射线图像变换面板的结构的概略侧截面图。
图6是表示第4实施方式所涉及的放射线图像变换面板的结构的概略侧截面图。
图7是表示第5实施方式所涉及的放射线图像变换面板的结构的概略侧截面图。
图8是表示第6实施方式所涉及的放射线图像变换面板的结构的概略侧截面图。
图9是表示第7实施方式所涉及的放射线图像变换面板的结构的概略侧截面图。
图10是表示第8实施方式所涉及的放射线图像变换面板的结构的概略侧截面图。
图11是表示第9实施方式所涉及的放射线图像变换面板的结构的概略侧截面图。
图12是构成图11的辉尽性荧光体层的柱状结晶的与支撑体正交的方向上的概略截面图。
图13是图12的柱状结晶的螺旋构造部的与支撑体正交的方向上的概略截面图。
附图的说明:
1…支撑体,1a…表面(主面),1b…背面,1c…侧面,2…辉尽性荧光体层,2a…上面,2c…侧面,3…第1保护膜,4…第2保护膜,6…第3保护膜,10…放射线图像变换面板,21…反射层,23…螺旋构造部,25…柱状结晶。
具体实施方式
以下,参照附图,就本发明的一个侧面所涉及的放射线图像变换面板的实施方式进行详细说明。另外,在附图的说明中对相同或相当部分赋予相同符号,省略重复的说明。
[第1实施方式]
图1是表示第1实施方式所涉及的放射线图像变换面板的结构的概略侧截面图。如图1所示,放射线图像变换面板10是用于将入射的X射线等的放射线R变换为光并检测的面板,例如呈矩形板形状。放射线图像变换面板10的长度为100mm左右,宽度为100mm左右,厚度为0.4mm左右。放射线图像变换面板10例如可以作为牙科用的成像板来使用。另外,放射线图像变换面板10可以通过组合未图示的HeNe激光和PMT(Photomultiplier Tube;光电倍增管)等来作为放射线图像传感器使用。该放射线图像变换面板10具有支撑体1、辉尽性荧光体层2、第1保护膜3和第2保护膜4。
支撑体1是具有可挠性的基材,例如呈矩形形状。支撑体1例如由聚酰亚胺、PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PEEK(聚醚醚酮)、PEN(聚萘二甲酸)、LCP(液晶聚合物)、PA(聚酰胺)、PES(聚醚砜)、PPS(聚苯硫醚)、PBT(聚对苯二甲酸)、厚度200μm以下的薄板玻璃、厚度100μm以下的SUS箔构成。支撑体1的厚度例如为10μm以上且例如为500μm以下。该支撑体1只要具有一定的可挠性即可,优选树脂薄膜。
辉尽性荧光体层2是吸收并蓄积入射的放射线R,并将与通过被照射有激励光而蓄积的放射线R的能量对应的光L放出的层。辉尽性荧光体层2设置在支撑体1的表面1a(主面)上,其厚度例如为80μm以上且例如为600μm以下。该辉尽性荧光体层2例如由掺杂了Eu(铕)的CsBr(溴化铯)(以下称为“CsBr:Eu”)构成,具有多个柱状结晶25(也称为针状结晶)林立的构造。此外,CsBr:Eu的吸湿性高,在露出的状态下会吸收空气中的水蒸汽潮解。另外,照射于辉尽性荧光体层2的激励光的波长范围为550~800nm左右,由辉尽性荧光体层2放出的光L的波长范围为350~500nm左右。
第1保护膜3是耐湿性的保护膜,是用于抑制辉尽性荧光体层2吸收空气中的水蒸汽的防湿膜。第1保护膜3以覆盖辉尽性荧光体层2的上面2a和侧面2c且填埋辉尽性荧光体层2的多个柱状结晶25的间隙的方式设置。在第1实施方式中,第1保护膜3以覆盖支撑体1和辉尽性荧光体层2的整体的方式设置。换言之,第1保护膜3设置在支撑体1的表面1a、背面1b和侧面1c上以及辉尽性荧光体层2的上面2a和侧面2c上,包围着支撑体1和辉尽性荧光体层2的整体。第1保护膜3的厚度例如为2μm以上且例如为20μm以下。另外,第1保护膜3的以旧JIS K5400为基准的铅笔硬度(以下仅称为“铅笔硬度”)为2H左右。该第1保护膜3例如由聚对二甲苯和聚脲等有机膜或者在上述有机膜上层叠氮化膜(例如SiN,SiON)和碳化膜(例如SiC)等而成的有机膜与无机膜的混合膜构成。通过在有机膜上形成无机膜,能够进一步提高耐湿性。
第2保护膜4是耐擦伤性的保护膜,是用于防止处理和利用扫描装置的读取时受到的损伤的保护膜。第2保护膜4设置在第1保护膜3上。第1实施方式中,第2保护膜4以覆盖第1保护膜3的整体的方式设置。换言之,第2保护膜4设置在支撑体1的表面1a、背面1b和侧面1c上,并包围着支撑体1、辉尽性荧光体层2和第1保护膜3的整体。第2保护膜4的厚度例如为2μm以上且例如为20μm以下。另外,第2保护膜4的铅笔硬度在第1保护膜3的铅笔硬度以下,例如为2H以下。该第2保护膜4例如由聚氨酯丙烯酸类树脂构成,耐擦伤性和可挠性优异。作为第2保护膜4,例如可以使用伊萨姆涂料株式会社的Accelerator Spica clear-T以及关西涂料株式会社的Super Diamond clear-Q等。
在如以上所述构成的放射线图像变换面板10中,当放射线R(放射线图像)经由第2保护膜4和第1保护膜3入射时,入射的放射线R被辉尽性荧光体层2吸收并蓄积。其后,将红色激光等照射于辉尽性荧光体层2作为激励光时,与被辉尽性荧光体层2蓄积的放射线R的能量对应的光L被导光至柱状结晶25,从前端放出。然后,从辉尽性荧光体层2放出的光L依次透过第1保护膜3和第2保护膜4而射出。
在此,说明放射线图像变换面板10的制造方法的一个例子。首先,在支撑体1的表面1a,通过真空蒸镀法等气相沉积法使CsBr:Eu的柱状结晶25生长,形成辉尽性荧光体层2。辉尽性荧光体层2不通过涂布而通过气相沉积法形成,从而成为具有多个柱状结晶25的构造。接着,通过CVD(Chemical Vapor Deposition;化学气相沉积)法等气相沉积法,以覆盖辉尽性荧光体层2的上面2a和侧面2c的方式形成第1保护膜3。即,将形成有辉尽性荧光体层2的支撑体1收纳于CVD装置,使第1保护膜3成膜10μm左右的厚度。此时,由于第1保护膜3不通过涂布而通过气相沉积法形成,因此也形成在辉尽性荧光体层2的多个柱状结晶25的间隙。其后,通过使用涂布机在第1保护膜3上涂布例如丙烯酸聚氨酯类的树脂,并使涂布后的树脂固化,从而形成第2保护膜4。通过以上这样做,制作出放射线图像变换面板10。
图2(a)是表示放射线图像变换面板10弯曲的状态的图,图2(b)是表示比较例的放射线图像变换面板100弯曲的状态的图。放射线图像变换面板100与放射线图像变换面板10不同点在于,是具备支撑体101和具有多个柱状结晶的辉尽性荧光体层102的放射线图像变换面板,不具有第1保护层和第2保护层。辉尽性荧光体层2和辉尽性荧光体层102均由多个柱状结晶构成,在该多个柱状结晶之间具有间隙。
由于放射线图像变换面板100不具有保护层,因此在向支撑体101的背面侧弯曲时辉尽性荧光体层102的柱状结晶分开,以柱状结晶间的间隙为起点,在辉尽性荧光体层102产生裂纹。另一方面,在放射线图像变换面板10中,由于在辉尽性荧光体层2的柱状结晶25的间隙设置有第1保护膜3,因此即使在向支撑体1的背面1b侧弯曲的情况下也能够抑制柱状结晶25的分开,能够抑制辉尽性荧光体层2产生裂纹。
图3是表示扫描通过试验和弯曲试验的试验结果的图。扫描通过试验是使用扫描装置使各试样通过100次,确认是否产生第2保护膜4的裂缝的试验。弯曲试验是通过使各试样以曲率半径15mm弯曲延伸,确认是否产生第2保护膜4的裂缝的试验。图中的“○”表示不产生第2保护膜4的裂缝,“×”表示产生第2保护膜4的裂缝。
试样A~试样D均是放射线图像变换面板,仅第2保护膜4不同。试样A是通过热固化形成,并使用了铅笔硬度为HB的第2保护膜4(关西涂料株式会社的Super Diamond clear-Q)的放射线图像变换面板。试样B是通过热固化形成,并使用了铅笔硬度为2H的第2保护膜4(JUJO AP墨水)的放射线图像变换面板。试样C是通过UV固化形成,并使用了铅笔硬度为3H的第2保护膜4(出光兴产株式会社X-AHC-010UV固化品)的放射线图像变换面板。试样D是通过湿气固化形成,并使用了铅笔硬度为7H的第2保护膜4(Nittobo SSG涂层)的放射线图像变换面板。其中,试样A~试样D的支撑体1由聚酰亚胺形成,其厚度为125μm。试样A~试样D的辉尽性荧光体层2由CsBr:Eu构成,其厚度为180μm。试样A~试样D的第1保护膜3由聚对二甲苯构成,铅笔硬度为2H,厚度为15μm。
如图3所示,在试样C和试样D中,扫描通过试验和弯曲试验的结果,在第2保护膜4产生了裂缝。如此,在使用铅笔硬度高的膜作为第2保护膜4的情况下,由于可挠性受损,因此第2保护膜4破裂的可能性变高。
另一方面,在试样A和试样B中,扫描通过试验和弯曲试验的结果,在第2保护膜4不产生裂缝。由于试样A和试样B的第2保护膜4的铅笔硬度在第1保护膜3的铅笔硬度以下,因此第2保护膜4的可挠性(伸展率)在第1保护膜3的可挠性(伸展率)以上,第2保护膜4可以跟随于第1保护膜3的弯曲。因此,在使试样A和试样B多次通过扫描装置并将试样A和试样B以曲率半径为15mm弯曲伸展的情况下,也能够抑制第2保护膜4的破裂。
如以上说明所述,放射线图像变换面板10具备具有可挠性的支撑体1、设置在支撑体1的表面1a上并由多个柱状结晶25构成的辉尽性荧光体层2、以及以覆盖辉尽性荧光体层2的上面2a和侧面2c并填埋柱状结晶25的间隙的方式设置的第1保护膜3。由此,由于通过第1保护膜3填埋多个柱状结晶25间的间隙,因此在放射线图像变换面板10弯曲时,也能够消除破裂的起点。另外,通过多个柱状结晶25经由第1保护膜3一体化,从而使得辉尽性荧光体层2能够跟随于支撑体1的弯曲。另外,通过利用第1保护膜3覆盖辉尽性荧光体层2的上面2a和侧面2c,从而能够提高耐湿性,能够防止辉尽性荧光体层2潮解。
此外,放射线图像变换面板10具备设置在第1保护膜3上的第2保护膜4。由此,能够减少因使用所致的损伤。另外,第2保护膜4的铅笔硬度在第1保护膜3的铅笔硬度以下。在该情况下,第2保护膜4的可挠性(伸展率)为第1保护膜3的可挠性(伸展率)以上,第2保护膜4可以跟随第1保护膜3的弯曲。因此,在使放射线图像变换面板10弯曲至曲率半径为15mm来使用的情况下,也能够抑制第2保护膜4破裂。在放射线图像变换面板10例如作为牙科用成像板来使用的情况下,放射线图像变换面板10可以跟随口腔内的形状,能够使摄影时的设定容易。其结果是,可以取得口腔内的详细的图像。
另外,由于放射线图像变换面板10的厚度比组合现存的GOS:Tb或者CsI:Tl等的瞬时发光性荧光体与CCD(Charge Coupled Device)或者FPD(Flat Panel Detector)而形成的放射线检测器要薄,因此能够减轻使放射线图像变换面板10放入口腔内弯曲并与摄影目标部位接触时的患者的负担。
[第2实施方式]
图4是表示第2实施方式所涉及的放射线图像变换面板的结构的概略侧截面图。如图4所示,第2实施方式的放射线图像变换面板10在第2保护膜4覆盖的区域中,与上述第1实施方式的放射线图像变换面板10不同。
在第2实施方式的放射线图像变换面板10中,第1保护膜3设置在支撑体1的表面1a、背面1b和侧面1c上以及辉尽性荧光体层2的上面2a和侧面2c上,包围着支撑体1和辉尽性荧光体层2的整体。第2保护膜4以覆盖支撑体1的表面1a和侧面1c的方式设置在第1保护膜3上,不设置在支撑体1的背面1b之上。换言之,第2保护膜4在支撑体1的背面1b上具有开口4d。
通过以上的第2实施方式的放射线图像变换面板10,也能够起到与上述第1实施方式的放射线图像变换面板10同样的效果。
[第3实施方式]
图5是表示第3实施方式所涉及的放射线图像变换面板的结构的概略侧截面图。如图5所示,第3实施方式的放射线图像变换面板10在第1保护膜3覆盖的区域中,与上述第1实施方式的放射线图像变换面板10不同。
在第3实施方式的放射线图像变换面板10中,第1保护膜3以覆盖支撑体1的表面1a和侧面1c以及辉尽性荧光体层2的上面2a和侧面2c的方式设置在辉尽性荧光体层2上,不设置在支撑体1的背面1b之上。换言之,第1保护膜3在支撑体1的背面1b上具有开口3d。另外,第2保护膜4以覆盖支撑体1的表面1a、背面1b和侧面1c的方式设置在第1保护膜3上,包围着支撑体1、辉尽性荧光体层2和第1保护膜3的整体。另外,第2保护膜4经由开口3d与支撑体1的背面1b形成接触。
通过以上的第3实施方式的放射线图像变换面板10,也能够起到与上述第1实施方式的放射线图像变换面板10同样的效果。
[第4实施方式]
图6是表示第4实施方式所涉及的放射线图像变换面板的结构的概略侧截面图。如图6所示,第4实施方式的放射线图像变换面板10在第1保护膜3和第2保护膜4覆盖的区域中,与上述第1实施方式的放射线图像变换面板10不同。
在第4实施方式的放射线图像变换面板10中,第1保护膜3以覆盖支撑体1的表面1a和侧面1c以及辉尽性荧光体层2的上面2a和侧面2c的方式设置在辉尽性荧光体层2上,不设置在支撑体1的背面1b之上。第2保护膜4以覆盖支撑体1的表面1a和侧面1c的方式设置在第1保护膜3上,不设置在支撑体1的背面1b之上。换言之,第1保护膜3在支撑体1的背面1b上具有开口3d,第2保护膜4在支撑体1的背面1b上具有开口4d。因此,支撑体1的背面1b不被保护膜覆盖而露出。
通过以上的第4实施方式的放射线图像变换面板10,也能够起到与上述第1实施方式的放射线图像变换面板10同样的效果。
[第5实施方式]
图7是表示第5实施方式所涉及的放射线图像变换面板的结构的概略侧截面图。如图7所示,第5实施方式的放射线图像变换面板10与上述第1实施方式的放射线图像变换面板10不同点在于在第2保护膜4具有覆盖区域和第3保护膜6。
在第5实施方式的放射线图像变换面板10中,第1保护膜3设置在支撑体1的表面1a、背面1b和侧面1c上以及辉尽性荧光体层2的上面2a和侧面2c上,包围着支撑体1和辉尽性荧光体层2的整体。第2保护膜4以覆盖支撑体1的表面1a的方式设置在第1保护膜3上,不设置在支撑体1的背面1b和侧面1c之上。另外,第3保护膜6以覆盖支撑体1的背面1b的方式设置在第1保护膜3上。第3保护膜6与第2保护膜4同样地是耐擦伤性的保护膜,是用于在放射线R的照射后的读取过程中保护表面的保护膜。第3保护膜6的厚度例如为2μm以上且例如为20μm以下。另外,第3保护膜6的铅笔硬度与第2保护膜4的铅笔硬度同等,在第1保护膜3的铅笔硬度以下。第3保护膜6可以由与第2保护膜4相同的材料构成。
通过以上的第5实施方式的放射线图像变换面板10,也能够起到与上述第1实施方式的放射线图像变换面板10同样的效果。
[第6实施方式]
图8是表示第6实施方式所涉及的放射线图像变换面板的结构的概略侧截面图。如图8所示,第6实施方式的放射线图像变换面板10在第1保护膜3覆盖的区域中,与上述的第5实施方式的放射线图像变换面板10不同。
在第6实施方式的放射线图像变换面板10中,第1保护膜3设置在支撑体1的表面1a上以及辉尽性荧光体层2的上面2a和侧面2c上,不设置在支撑体1的背面1b和侧面1c之上。第2保护膜4以覆盖支撑体1的表面1a的方式设置在第1保护膜3上,不设置在支撑体1的背面1b和侧面1c之上。另外,第3保护膜6以覆盖支撑体1的背面1b的方式设置在背面1b上。因此,支撑体1的侧面1c不被保护膜覆盖而露出。
通过以上的第6实施方式的放射线图像变换面板10,也能够起到与上述第1实施方式的放射线图像变换面板10相同的效果。
[第7实施方式]
图9是表示第7实施方式所涉及的放射线图像变换面板的结构的概略侧截面图。如图9所示,第7实施方式的放射线图像变换面板10在第2保护膜4覆盖的区域中,与上述的第1实施方式的放射线图像变换面板10不同。
在第7实施方式的放射线图像变换面板10中,第1保护膜3设置在支撑体1的表面1a、背面1b和侧面1c上以及辉尽性荧光体层2的上面2a和侧面2c上,包围着支撑体1和辉尽性荧光体层2的整体。第2保护膜4以覆盖支撑体1的表面1a的方式设置在第1保护膜3上,不设置在支撑体1的背面1b和侧面1c之上。
通过以上的第7实施方式的放射线图像变换面板10,也能够起到与上述第1实施方式的放射线图像变换面板10同样的效果。
[第8实施方式]
图10是表示第8实施方式所涉及的放射线图像变换面板的结构的概略侧截面图。如图10所示,第8实施方式的放射线图像变换面板10在第1保护膜3覆盖的区域中,与上述第5实施方式的放射线图像变换面板10不同。
在第8实施方式的放射线图像变换面板10中,第1保护膜3以覆盖支撑体1的表面1a和侧面1c以及辉尽性荧光体层2的上面2a和侧面2c的方式设置在辉尽性荧光体层2上,不设置在支撑体1的背面1b之上。第2保护膜4以覆盖支撑体1的表面1a的方式设置在第1保护膜3上,不设置在支撑体1的背面1b和侧面1c之上。另外,第3保护膜6以覆盖支撑体1的背面1b的方式设置在背面1b上。换言之,第1保护膜3在支撑体1的背面1b上具有开口3d,第3保护膜6经由开口3d而与支撑体1的背面1b形成接触。
通过以上的第8实施方式的放射线图像变换面板10,也能够起到与上述第1实施方式的放射线图像变换面板10同样的效果。
[第9实施方式]
图11是表示第9实施方式所涉及的放射线图像变换面板的结构的概略侧截面图。如图11所示,第9实施方式的放射线图像变换面板10在辉尽性荧光体层2的结构中,与上述第1实施方式的放射线图像变换面板10不同。即,在第9实施方式的放射线图像变换面板10中,辉尽性荧光体层2具有多个柱状结晶25林立的构造,具有由多个柱状结晶25构成的反射层21和柱状层22。辉尽性荧光体层2的厚度例如为50μm~1000μm左右,反射层21为占其中约1%~10%左右的厚度,具有约5μm~约50μm左右的厚度。
由于柱状结晶25是使辉尽性荧光体(CsBr:Eu)的结晶生长而得到的,因此支撑体1侧的根基部分成为螺旋构造部23,比螺旋构造部23更靠上侧(上面2a侧)的部分成为柱状部24。在各柱状结晶25中,螺旋构造部23与柱状部24由辉尽性荧光体的结晶连续层叠而一体形成。另外,柱状结晶25形成为柱状部24的外径比螺旋构造部23的外径小,越往前端侧(与支撑体1相反侧)越粗的锥形状。再者,由于最前端部为尖头状,因此除了尖头部分的柱状部24形成为锥形状。
螺旋构造部23是由辉尽性荧光体的结晶从支撑体1的表面1a螺旋状层叠而构成的螺旋构造部,绕着中心轴X的达一周的部分(螺旋环)在与表面1a正交的方向上具有大致规则地形成的螺旋构造。在图12中,由23a、23b所示的范围构成一个又一个的螺旋环。与表面1a正交的方向上的螺旋环的尺寸(以下也称为“螺旋间距”)约0.5μm~约15μm左右,大致同样的螺旋环重叠多个(例如5个~约15个左右)构成螺旋构造部23。
另外,螺旋构造部23在图12所示的与支撑体1的表面1a正交的方向(法线轴方向)的截面中,辉尽性荧光体的结晶夹着中心轴X左右反复大致规则地弯曲,具有多个V字状部分23a、23b相连而得到的弯曲构造。各V字状部分23a、23b在图12中最向右侧突出的部分称为折返部23c,各自的相连的部分成为连接部23d。
柱状部24作为直线部而连续形成于螺旋构造部23,具有辉尽性荧光体的结晶沿着与表面1a交叉的方向大致笔直地延伸而形成的柱状构造。再者,螺旋构造部23与柱状部24通过蒸镀连续地一体形成。
此外,柱状结晶25蓄积记录与入射放射线R对应的放射线信息,当照射有红色激光等作为激励光时,与蓄积信息对应的光在柱状部24被导光而从前端侧(与支撑体1相反侧)放出。反射层21反射在柱状结晶25被导光的光当中被导光至反射层21侧的光,使从前端侧放出的光量增加。
再者,如图13(a)所示,柱状结晶25具有在左右相邻的柱状结晶26、27的关系中在一方的上下分开的部分之间另一方进入的进入构造。即,如将图13(a)放大后的图13(b)所示,关于相邻的柱状结晶26、27,具有柱状结晶26的连接部23d进入柱状结晶25的连接部23d的右侧的形成在V字状部分23a、23b之间的间隙23e的进入构造。
通过该进入构造,柱状结晶25的螺旋构造部23中的柱状结晶26侧的部分与柱状结晶26的螺旋构造部23中的柱状结晶25侧的部分,从与支撑体1的表面1a垂直的方向看重合。更具体而言,柱状结晶25的折返部23c与柱状结晶26的连接部23d从上侧看重合。再者,柱状结晶25的螺旋构造部23与柱状结晶26的螺旋构造部23和的间隙,从与支撑体1的表面1a平行的方向(支撑体1的侧面1c侧)看呈波纹状。
在具有以上那样的构造的柱状结晶25中,由螺旋构造部23构成反射层21,由柱状部24构成柱状层22。反射层21通过在光L入射时使光L不规则地反射而使其散射,因此具有光L的反射功能。
通过以上的第9实施方式的放射线图像变换面板10,也能够起到与上述第1实施方式的放射线图像变换面板10同样的效果。另外,第9实施方式的放射线图像变换面板10即使不具有用于提高反射率的金属膜等的光反射膜也发挥良好的光反射特性,能够增加来自上面2a的发光量,因此能够提高检测放射线的灵敏度。再者,第9实施方式的放射线图像变换面板10由于为了提高检测放射线的灵敏度而不形成金属膜,因此不存在因金属膜引起的腐蚀的担忧。
而且,在第9实施方式的放射线图像变换面板10中,反射层21由柱状结晶25中的螺旋构造部23构成。如前面所述,由于柱状结晶25在螺旋构造部23中形成相邻的彼此进入的进入构造,因此在螺旋构造部23中,能够极大地减小辉尽性荧光体的结晶不存在的空间。因此,反射层21中的辉尽性荧光体的结晶的密度变高,因而发挥高的反射率。
再者,如上所述,通过将形成有微小的间隙的进入构造应用于螺旋构造部23,从而在螺旋构造部23接触的情况下,也能够防止将由螺旋构造部23反射的光导光至相邻的柱状结晶25而对比度降低。此外,在螺旋构造部23中也能够提高面板面内的形成密度来提高反射率。另外,为了提高对比度,优选在面板面内所有的柱状结晶25包含螺旋构造部23并分离成一条一条的柱状结晶25。由于柱状结晶25由蒸镀形成,因此难以将所有的柱状结晶25完美地分离,但是只要以大体分离的方式形成,便能够得到良好的放射线图像变换面板10。
此外,本发明的一个侧面所涉及的放射线图像变换面板不限于上述实施方式记载的放射线图像变换面板。例如,支撑体1可以为SUS箔或薄板玻璃等。
另外,第1~第9实施方式的放射线图像变换面板10还可以具备设置在支撑体1的背面1b上的激励光吸收层。放射线图像变换面板10具有第1保护膜3、第2保护膜4和第3保护膜6中的任一者的情况下,该激励光吸收层可以设置在第1保护膜3、第2保护膜4和第3保护膜6与支撑体1的背面1b之间。激励光吸收层包含由颜料和粘合剂树脂构成的着色树脂层(除了着色树脂层以外,仅由陶瓷、炭黑、氧化铬、氧化镍、氧化铁等构成的着色层),其厚度例如为20μm左右。激励光吸收层所包含的着色剂由照射于辉尽性荧光体层2的激励光的波长范围决定,激励光的波长范围中的激励光吸收层的光透射率在10%以下。在该情况下,能够吸收透过了辉尽性荧光体层2和支撑体1的激励光,因此能够降低因激励光的散射和反射导致的对比度的降低。
另外,第1~第9实施方式的放射线图像变换面板10还可以具有设置在支撑体1与辉尽性荧光体层2之间的辉尽发光反射层。辉尽发光反射层由由白色颜料和粘合剂树脂构成的着色树脂层、由Al等金属反射层、SiO2和TiO2等氧化物层构成的电介质多层膜层等构成,其厚度例如为0.001μm以上且例如为50μm以下。在该情况下,能够通过辉尽发光反射层反射通过激励光照射于辉尽性荧光体层2而在辉尽性荧光体层2中放出的光当中被导光至支撑体1侧的光,并增加出射至辉尽性荧光体层2的上面2a侧的光的光量。
另外,第9实施方式中的柱状结晶25的结构,不仅可以适用于第1实施方式的放射线图像变换面板10,还可以适用于第2~第8实施方式的放射线图像变换面板10。
产业上的可利用性
根据本发明的一个侧面,可以减少在扫描装置中的读取和处理等的使用所致的损伤并且能够在弯曲的状态下使用。
放射线图像变换面板专利购买费用说明
Q:办理专利转让的流程及所需资料
A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。
1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2:按规定缴纳著录项目变更手续费。
3:同时提交相关证明文件原件。
4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q:专利转让变更,多久能出结果
A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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