专利摘要
本发明公开了一种超导磁体氦进管绝缘处理方法，磁体结构呈T形的变截面结构，在磁体不规则形状处填补G10，降低了因不规则形状带来的绝缘处理难度，为减小因形状不规则带来的绝缘处理缺陷而带来的绝缘电学性能下降，通过在金属导管周围设计并铺设裙摆形绝缘材料来弥补。本发明的特点是，绝缘结构简单，适用于T形变截面结构的超导磁体在真空压力浸渍前的绝缘材料包裹处理，满足复杂结构超导磁体在低温、真空环境下的高压绝缘特殊要求。
权利要求
1.一种超导磁体氦进管绝缘处理方法，其特征在于：包括有金属导管，金属导管一端焊接在导体外表面上，所述金属导管外表面包绕绝缘材料复合带，导体外表面上铺玻璃丝布；在金属导管与导体连接处周围空间填充G10，所述的G10是玻璃纤维与环氧树脂所合成的复合材料，并用捆扎带固定G10在金属导管和导体上，以金属导管为中心，用裙摆形绝缘材料覆盖G10，并用捆扎带固定在金属导管和导体上，所述捆扎带为绝缘材料复合带。
2.根据权利要求1所述的一种超导磁体氦进管绝缘处理方法，其特征在于：所述的金属导管外表面包绕的绝缘材料复合带，捆扎带和裙摆形绝缘材料结构相同，均是由玻璃丝布和聚酰亚胺薄膜复合而成。
说明书
技术领域
本发明涉及核聚变装置中超导体绝缘处理方法领域，具体是一种超导磁体氦进管绝缘处理方法。
背景技术
热核聚变作为终极能源解决方案之一，将为人类提供取之不尽的清洁能源。正在建设中的国际热核聚变试验反应堆（ITER），超导磁体为其中最关键的部件之一。超导磁体工作在非常苛刻的环境中，磁体绝缘需满足在复杂机械、电磁和热应力载荷下的电气绝缘性能要求。在磁体绝缘的制造过程中，磁体形状不规则部位的绝缘处理，成为影响磁体绝缘性能的关键点。针对外形极不规则的超导磁体氦冷却进管，需要在绝缘树脂真空压力浸渍前，设计特殊的绝缘结构，以满足磁体在真空压力浸渍后的绝缘性能要求。
发明内容
本发明的目的是提供超导磁体氦进管绝缘处理方法，满足超导磁体在不规则形状部位的绝缘在树脂真空压力浸渍后的绝缘性能要求，对不规则形状磁体的绝缘结构设计具有十分重要的工程意义。
为了达到上述目的，本发明所采用的技术方案为：
一种超导磁体氦进管绝缘处理方法，其特征在于：包括有金属导管，金属导管一端焊接在导体外表面上，所述金属导管外表面包绕绝缘材料复合带，导体外表面上铺玻璃丝布；在金属导管与导体连接处周围空间填充G10，并用捆扎带固定G10在金属导管和导体上，以金属导管为中心，用裙摆形绝缘材料覆盖G10，并用捆扎带固定在金属导管和导体上，所述捆扎带为绝缘材料复合带。
所述的一种超导磁体氦进管绝缘处理方法，其特征在于：所述的金属导管外表面包绕的绝缘材料复合带，捆扎带和裙摆形绝缘材料结构相同，均是由玻璃丝布和聚酰亚胺薄膜复合而成；所述的G10是玻璃纤维与环氧树脂所合成的复合材料。
本发明在磁体不规则形状处用G10填充，以降低磁体不规则形状带来的绝缘处理难度。为减小因形状不规则带来的绝缘处理缺陷而带来的绝缘电学性能下降，通过在金属导管周围设计“裙摆形”绝缘材料来弥补。
附图说明
图1为本发明结构示意图。
图2为本发明中“裙摆形”绝缘材料贴合示意图。
图中标号：1-金属导管，2-超导导体，3-玻璃丝布，4-绝缘材料，5-G10，6-捆扎带，7-玻璃丝布，8-聚酰亚胺薄膜。
具体实施方式
如图1、图2所示。本发明主要实施方法为：
1）将金属导管1焊接到超导导体2上；
2）用玻璃丝布3贴在磁体导体2的表面；
3）用绝缘材料4对金属导管1进行包绕；
4）金属导管1周围空间用G10 5填充；
5）用捆扎带6包绕固定G10 5；
6）围绕金属导管1，铺玻璃丝布7和聚酰亚胺薄膜8组成的“裙摆形”绝缘材料，并用捆扎带6包绕固定。
7）根据所需绝缘耐压强度要求，重复步骤6）；
8）通过真空压力浸渍方式对样件进行绝缘固化处理；
9）对样件进行耐压测试。
一种超导磁体氦进管绝缘处理方法专利购买费用说明
Q：办理专利转让的流程及所需资料
A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。
1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2：按规定缴纳著录项目变更手续费。
3：同时提交相关证明文件原件。
4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q：专利转让变更，多久能出结果
A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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