专利摘要

本发明属于核磁共振领域，涉及一种用于加强射频能量的谐振单元及其阵列结构；通过对谐振单元的结构设计，通过对谐振单元中上贴片单元与下贴片单元形状的设计，以及对谐振单元中电容的调整，实现对传递系数最大频率点的调整，根据目标区域的具体结构，采用阵列结构的形式来布置谐振单元，将谐振单元的阵列结构布置在目标区域和射频线圈之间，从而实现对核磁共振磁场射频能量的加强，实现在固定功率的情况下，扩大射频磁场的目标区域、提高射频磁场的发射距离的功能，解决了在一定功率的情况下射频线圈很难激励到更远区域的技术问题。

权利要求

1.一种用于加强射频能量的谐振单元，其特征在于：

包括用于传递电流并产生感应磁场的上贴片单元与下贴片单元，所述上贴片单元与下贴片单元通过过孔相连；

所述上贴片单元与下贴片单元组成呈“回字形”的立体结构，所述过孔设置在所述立体结构的几何中心处；

所述上贴片单元和下贴片单元均由导体材料制成；

所述上贴片单元呈两端开放的螺旋状，其一端与过孔相连，位于上贴片单元内部，整体的上贴片单元向远离过孔的方向螺旋布置；所述下贴片单元也呈两端开放的螺旋状，其一端与过孔相连，位于下贴片单元内部，整体的下贴片单元向远离上贴片单元的方向螺旋布置。

2.如权利要求1中所述的用于加强射频能量的谐振单元，其特征在于：所述上贴片单元远离过孔的一端与所述下贴片单元远离过孔的一端通过电容器相连。

3.如权利要求1中所述的用于加强射频能量的谐振单元，其特征在于：还包括用于设置所述呈“回字形”的立体结构的介质板；所述介质板由绝缘材料制成。

4.如权利要求1中所述的用于加强射频能量的谐振单元，其特征在于：所述上贴片单元与过孔连接的一端以及所述下贴片单元与过孔连接的一端相平行并形成第一平面，所述上贴片单元与所述下贴片单元形状一致且以第一平面为轴镜像对称设置。

5.一种如权利要求1～4任一项中所述的用于加强射频能量的谐振单元的阵列结构，其特征在于：包括若干个用于加强射频能量的谐振单元。

6.如权利要求5中所述的用于加强射频能量的谐振单元的阵列结构，其特征在于：所述若干个用于加强射频能量的谐振单元呈矩阵形式排列在同一平面内。

7.如权利要求5中所述的用于加强射频能量的谐振单元的阵列结构，其特征在于：所述若干个用于加强射频能量的谐振单元呈空间矩阵形式布置。

8.如权利要求5中所述的用于加强射频能量的谐振单元的阵列结构，其特征在于：所述若干个用于加强射频能量的谐振单元呈弧形曲面布置。

9.如权利要求5～8任一项中所述的用于加强射频能量的谐振单元的阵列结构，其特征在于：所述的若干个用于加强射频能量的谐振单元的尺寸、匝数及自身电容相同或不同。

说明书

技术领域

本发明属于核磁共振领域，涉及一种用于加强射频能量的谐振单元及其阵列结构。

背景技术

核磁共振传感器中，射频线圈的信噪比对于整个测量系统至关重要。但是目标区域离线圈表面越远，射频磁场越小。而且磁场随着这个距离的增加衰减越大，导致在一定功率情况下，射频线圈很难激励到更远的区域。

为了在固定功率的情况下，提高目标区域内的射频磁场，或者说提高射频能量的发射距离。有必要提出一种用于加强射频能量的谐振单元及其阵列结构，用于对核磁共振射频磁场的增强。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种用于加强射频能量的谐振单元及其阵列结构。

为达到上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种用于加强射频能量的谐振单元，包括用于传递电流并产生感应磁场的上贴片单元与下贴片单元，所述上贴片单元与下贴片单元通过过孔相连；所述上贴片单元与下贴片单元组成呈“回字形”的立体结构，所述过孔设置在所述立体结构的几何中心处；所述上贴片单元和下贴片单元均由导体材料制成。

可选地，所述上贴片单元远离过孔的一端与所述下贴片单元远离过孔的一端通过电容器相连。

可选地，还包括用于设置所述呈“回字形”的立体结构的介质板；所述介质板由绝缘材料制成。

可选地，所述上贴片单元呈两端开放的螺旋状，其一端与过孔相连，位于上贴片单元内部，整体的上贴片单元向远离过孔的方向螺旋布置；所述下贴片单元也呈两端开放的螺旋状，其一端与过孔相连，位于下贴片单元内部，整体的下贴片单元向远离上贴片单元的方向螺旋布置。

可选地，所述上贴片单元与过孔连接的一端以及所述下贴片单元与过孔连接的一端相平行并形成第一平面，所述上贴片单元与所述下贴片单元形状一致且以第一平面为轴镜像对称设置。

一种用于加强射频能量的谐振单元的阵列结构，包括若干个用于加强射频能量的谐振单元。

可选地，所述若干个用于加强射频能量的谐振单元呈矩阵形式排列在同一平面内。

可选地，所述若干个用于加强射频能量的谐振单元呈空间矩阵形式布置。

可选地，所述若干个用于加强射频能量的谐振单元呈弧形曲面布置。

可选地，所述的若干个用于加强射频能量的谐振单元的尺寸、匝数及自身电容相同或不同。

本发明的有益效果在于：

本发明通过对谐振单元的结构设计，通过对谐振单元中上贴片单元与下贴片单元形状的设计，以及对谐振单元中电容的调整，实现对传递系数最大频率点的调整，根据目标区域的具体结构，采用阵列结构的形式来布置谐振单元，将谐振单元的阵列结构布置在目标区域和射频线圈之间，从而实现对核磁共振磁场射频能量的加强，实现在固定功率的情况下，扩大射频磁场的目标区域、提高射频磁场的发射距离的功能。

本发明的其他优点、目标和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述，并且在某种程度上，基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的，或者可以从本发明的实践中得到教导。本发明的目标和其他优点可以通过下面的说明书来实现和获得。

附图说明

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作优选的详细描述，其中：

图1为本发明中涉及的一种用于加强射频能量的谐振单元的结构示意图；

图2为呈平面矩阵式布置的谐振单元的阵列结构的示意图；

图3为呈平面矩阵式布置的谐振单元的阵列结构的剖面图；

图4为谐振单元的阵列结构的放置位置示意图；

图5为呈空间矩阵式布置的谐振单元的阵列结构的示意图；

图6为呈弧形曲面式布置的谐振单元的阵列结构的示意图；

图7为带有谐振单元的阵列结构时射频磁场的分布情况；

图8为不带有谐振单元的阵列结构时射频磁场的分布情况；

图9为有无谐振单元的阵列结构时射频磁场的场强曲线。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。

请参阅图1-图9，附图中的元件标号分别表示：上贴片单元1、下贴片单元2、电容器3、过孔4、介质板5、目标区域A、谐振单元的阵列结构B、射频线圈C、有谐振单元的阵列结构时的场强曲线E、无谐振单元的阵列结构时的场强曲线F。

本发明涉及一种用于加强射频能量的谐振单元，包括用于传递电流并产生感应磁场的上贴片单元1与下贴片单元2，所述上贴片单元1与下贴片单元2通过过孔4相连；所述上贴片单元1与下贴片单元2组成呈“回字形”的立体结构，所述过孔4设置在所述立体结构的几何中心处；所述上贴片单元1和下贴片单元2均由导体材料制成；还包括用于设置所述呈“回字形”的立体结构的介质板5；所述介质板5由绝缘材料制成。

具体地，所述上贴片单元1呈两端开放的螺旋状，其一端与过孔4相连，位于上贴片单元1内部，整体的上贴片单元1向远离过孔4的方向螺旋布置；所述下贴片单元2也呈两端开放的螺旋状，其一端与过孔4相连，位于下贴片单元2内部，整体的下贴片单元2向远离上贴片单元1的方向螺旋布置；所述上贴片单元1与过孔4连接的一端以及所述下贴片单元2与过孔4连接的一端相平行并形成第一平面，所述上贴片单元1与所述下贴片单元2形状一致且以第一平面为轴镜像对称设置。

在具体的实时过程中，将上贴片单元1与下贴片单元2通过过孔4相连，其自身形成一定大小的电感。由于上贴片单元1与下贴片单元2均由导体制成，而介质板5为介质材料，这样“导体-介质-导体”的结构就形成了电容。该电容与线圈自身的电感构成了“电阻-电感-电容”串并联的结构形式。

若结构本身的电容不足以满足谐振条件，则可以在所述上贴片单元1远离过孔4的一端与所述下贴片单元2远离过孔4的一端之间设置电容器3。因此，整体结构的设计需要考虑整体结构中线圈的匝数，布线的面积，介质板5材料的选取以及需要串联的电容器3。在进行介质板5材料的选取时，主要考虑厚度和介电常数。

此处以平面矩阵式的谐振单元的阵列结构B为例，在确定一个谐振单元的阵列结构B时，首先要选定其结构参数，调整每个谐振单元的具体尺寸，介质板5材料及介质板5厚度等，而后采用频率扫描法仿真该谐振单元的阵列结构B对于电磁波的折反射系数，可以得到该谐振单元的阵列结构B在某个频率点处的传递系数最大。为调节该传递系数最大的频率点，需要采用串并联电感电容的形式。由于计算出的电容在频率较低的情况下往往数值很大，为降低串联的电容器3的大小，也可以在系统中串联电感，通过等效电路的方法进行初步计算，大致确定合适的电容下对应电感的大小，通过更改线圈的匝数来实现对电感的调节。

上述阵列结构具有不同的结构形式，可以为平面内的矩阵式排布，也可以为空间矩阵式排布，以及弧形曲面式排布等，空间矩阵式排布以及弧形曲面式排布的实施方式与平面矩阵式排布的实现方式类似，均是通过对匝数、介质板5厚度以及串联电容器3的方式实现对谐振单元的阵列结构B传递系数的调节。在具体的实施中，检测到的射频磁场分布情况如图7、图8所示，射频磁场的大小对比情况如图9所示，两条曲线分别表示有谐振单元的阵列结构时的场强曲线E、以及无谐振单元的阵列结构时的场强曲线F。

本发明通过对谐振单元的结构设计，通过对谐振单元中上贴片单元1与下贴片单元2形状的设计，以及对谐振单元中电容器3的调整，实现对传递系数最大频率点的调整，根据目标区域A的具体结构，采用阵列结构的形式来布置谐振单元，将谐振单元的阵列结构B布置在目标区域A和射频线圈C之间，从而实现对核磁共振磁场射频能量的加强，实现在固定功率的情况下，扩大射频磁场的目标区域A、提高射频磁场的发射距离的功能。

最后说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

一种用于加强射频能量的谐振单元及其阵列结构专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。