专利摘要

专利摘要

本发明公开了一种基于磁探测的侵彻角度自主测量方法。本发明提供的技术方案是：在侵彻弹引信内轴线上放置磁体，引信与弹体共轴，在弹体内建立关于弹体轴线旋转对称的磁场，侵彻角受含磁目标靶板的影响，弹体轴线上的磁场矢量方向不再平行于弹体轴线，产生磁场偏转角，磁场偏转角随侵彻角变化而变化，将三轴磁强计安装在引信轴线上的最佳磁探测位置，当侵彻弹侵彻含磁目标靶板时，由三轴磁强计测得磁场偏转角，利用由仿真分析和实验测试确定的侵彻角与该磁场偏转角的数值关系，确定侵彻角度。该侵彻角度测量方法几乎不受侵彻速度、长径比以及弹体质量等因素影响，可用于高速、大侵彻弹药的侵彻角度测量。

权利要求

1.一种基于磁探测的侵彻角度自主测量方法，其特征在于，所使用的侵彻弹引信内轴线上安装有磁体和三轴磁强计，弹体内建立有关于弹体轴线的旋转对称磁场；

斜侵彻时，受含磁目标靶板的影响，弹体轴线上的磁场矢量方向不再平行于弹体轴线，引信内磁场偏转角随侵彻角度改变而相应改变，利用由仿真和实验测试确定的侵彻角度与引信内磁场偏转角的数值关系，确定侵彻角度；

具体包含以下步骤：

步骤1：建立模型并确定参数，通过有限元仿真分析，针对不同的侵彻目标，分别建立侵彻角度与引信内磁场偏转角之间的数值关系；具体地，通过有限元仿真和实验，建立侵彻弹与含磁目标的模型与具体参数，获取侵彻弹不同侵彻角度侵彻含磁靶板时的引信内磁场偏转角，得到侵彻角与磁场偏转角间的数值关系；

步骤2：三轴磁强计测量弹目最佳位置的引信内磁场偏转角；

步骤3：根据步骤2测量的引信内磁场偏转角，并由步骤1确定的侵彻角度与引信内磁场偏转角间数值关系得到侵彻角度。

2.如权利要求1所述一种基于磁探测的侵彻角度自主测量方法，其特征在于，所述步骤2中弹目最佳位置为弹体位于靶板中部位置。

一种基于磁探测的侵彻角度自主测量方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。