专利摘要

一种基于互电容原理的MEMS液体陀螺仪，包括上基板、中间基板以及下基板，中间基板与上基板通过UV胶黏剂进行封装，中间基板通过MEMS工艺与下基板封装；下基板的上表面中部设有环形电容，环形电容的外圈设有阵列柱状疏水结构，阵列柱状疏水结构的外圈设有环形阵列电容，环形阵列电容和环形电容与金属引线板相连；中间基板上设有贯通的环形沟槽通道，环形沟槽通道位于阵列柱状疏水结构上方，环形沟槽通道内设有水银液滴；通过水银液滴在环形沟槽通道内滚动，使环形阵列电容上的电容和环形电容之间的互电容发生改变，从而输出角度等信号，本发明提高了信号的准确性，结合MEMS工艺，使得传感器具有体积小、质量轻、成本低等优点。

权利要求

1.一种基于互电容原理的MEMS液体陀螺仪，包括上基板(1)、中间基板(2)以及下基板(3)，其特征在于：中间基板(2)与上基板(1)通过UV胶黏剂进行封装，中间基板(2)通过MEMS工艺与下基板(3)封装；下基板(3)的上表面中部设有环形电容(6)，环形电容(6)的外圈设有阵列柱状疏水结构(7-2)，阵列柱状疏水结构(7-2)的外圈设有环形阵列电容(5)，环形阵列电容(5)和环形电容(6)与有金属引线板(8)相连；中间基板(2)上设有贯通的环形沟槽通道(4)，环形沟槽通道(4)位于阵列柱状疏水结构(7-2)上方，环形沟槽通道(4)的沟槽内壁有经过处理的疏水层(7-1)，环形沟槽通道(4)内设有水银液滴(9)；

所述的中间基板(2)的平面尺寸小于下基板(3)的平面尺寸，且处于下基板(3)的中间位置，中间基板(2)将下基板(3)的四周暴露出来，金属引线板(8)排列于暴露的区域；上基板(1)的平面尺寸与中间基板(2)的平面尺寸相同，且封装时上基板(1)与中间基板(2)四周对齐；

所述的中间基板(2)采用SU-8光刻胶材料，采用MEMS光刻工艺及等离子体去胶工艺制作贯通的环形沟槽通道(4)以及疏水层(7-1)；

阵列柱状疏水结构(7-2)为边长30um的方形结构，任意相邻方形结构的间距为40um；阵列柱状疏水结构(7-2)为硅材料，且在顶层平面上沉积有一层二氧化硅。

2.根据权利要求1所述的一种基于互电容原理的MEMS液体陀螺仪，其特征在于：所述的上基板(1)采用玻璃材料。

3.根据权利要求1所述的一种基于互电容原理的MEMS液体陀螺仪，其特征在于：所述的下基板(3)采用单晶硅材料，采用MEMS工艺制作环形阵列电容(5)以及环形电容(6)，环形阵列 电容(5)以及环形电容(6)采用合金材料；金属引线板(8)采用金材料。

4.根据权利要求1所述的一种基于互电容原理的MEMS液体陀螺仪，其特征在于：所述的水银液滴(9)的直径略小于中间基板(2)上的贯通的环形沟槽通道(4)的宽度和高度。

一种基于互电容原理的MEMS液体陀螺仪专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。