专利摘要

本发明公开了一种纳米级别近场热辐射高精度测量装置及测量方法，装置包括真空腔，宏动位移台、微动位移台、加热片、制冷片、L型转接板、第一热敏电阻和第二热敏电阻、散热装置、偏转台、外围电路和恒压源；所述微动位移台设置在宏动位移台上，利用微动位移台和宏动位移台的结合，实现1nm到10cm大范围距离的可控移动，可以测量近场热辐射更加精准可以达到百纳米级别，通过实验实现170nm的间隙距离测量近场热辐射量，表面积为5×5mm2，在大平板测量近场热辐射方面我们做到了最小的间距和更高的热辐射效率。

权利要求

1.一种纳米级别近场热辐射高精度测量装置，其特征在于，包括真空腔，宏动位移台（1）、微动位移台（2）、加热片（6）、制冷片（8）、L型转接板（4）、第一热敏电阻（5）和第二热敏电阻（7）、散热装置（9）、偏转台（10）、外围电路和恒压源；所述微动位移台（2）设置在宏动位移台（1）上，所述宏动位移台（1）用于远距离移动测量，所述微动位移台（2）用于纳米级别移动测量，利用微动位移台高精度但低移动范围和宏动位移台低精度但高移动范围的结合，使得在前进的位移上实现高精度高移动范围；所述L型转接板（4）设置在微动位移台（2）上，所述加热片（6）设置在L型转接板（4）上，所述加热片（6）通过引线连接至真空腔外部，所述第一热敏电阻（5）的一端设置在加热片（6）上；所述偏转台（10）与微动位移台（2）相对设置，所述偏转台通过zc和yc双轴的偏转使得冷源的样品片进行双轴的偏转，所述散热装置（9）设置在偏转台（10）上，所述散热装置（9）与L型转接板（4）相对设置，所述制冷片（8）设置在散热装置（9）上，所述第二热敏电阻（7）的一端设置在制冷片（8）上；所述加热片（6）上设有热源端位置（12），所述热源端位置（12）用于放置热源端品片，热源端样品片的Vin连接外部恒压源的正极，所述制冷片（8）上设有冷源端位置（11），所述冷源端位置（11）用于放置冷源端样品片，所述冷源端样品片的金电极先连接外围电路的放大电路，再连接外部恒压源的负极。

2.根据权利要求1所述纳米级别近场热辐射高精度测量装置，其特征在于，通过连接螺丝（3）将L型转接板（4）和微动位移台(2)进行紧密连接。

3.根据权利要求1所述纳米级别近场热辐射高精度测量装置，其特征在于，所述真空腔外设置有精密电表，所述第一热敏电阻（5）和第二热敏电阻（7）的另一端连接至所述精密电表。

4.根据权利要求1所述纳米级别近场热辐射高精度测量装置，其特征在于，通过检查外围电路的电流信号来确定被测样品哪个位置接触，如果电极接上会形成冷源端和热源端短接，这时候有电流通过，通过检查电流，相对应角的金电极接触，通过检测电信号的方式来对平样品片。

5.根据权利要求1所述纳米级别近场热辐射高精度测量装置的测量方法，其特征在于，包括下述方法：

S1、对检测样品进行加工，制作出样品片；

S2、将检样品片贴分别在冷源端位置（11）和热源端位置（12），热源端样品片和冷源端样品片垂直放置；

S3、通过宏动位移台往正方向移动样品片，直到热源端样品片和冷源端样品片靠上，如有电信号产生，说明热源端样品片和冷源端样品片某个电极接触，进而说明热源端样品片和冷源端样品片某个角接触，这时候改用微动位移台进行后退离开，然后调节x轴，使得刚才碰上的电极相对远离，接着往前进，直到两个电极碰上；这时候用微动位移台进行后退离开，然后调节y轴，使得刚才碰上的两个电极相对远离，接着往前进，直到四个电极都碰上；

S4、通过微动位移台和偏转台旋转x轴和y轴的配合使用使得四个电极都有信号产生，这时候冷热源的样品片四个金电极都已经接触上，说明热源端样品片和冷源端样品片已经达到平行；

S5、打开加热片（6）和制冷片（8），通过热敏电阻读取冷热源的温度，并通过调节热源加热器和冷源制冷片的电压，来控制冷热源温度在一个温度值稳定，如果冷源温度高于测定值，则通过调高制冷片电压来实现冷源温度稳定，如果冷源温度低于测定值，通过降低制冷片电压来实现冷源温度稳定；

S6、样品间距调整好之后连接好数据连并罩好真空罩，将真空腔装置抽真空，当真空腔的真空度达到10^(-4)pa以下，然后打开加热片和制冷片（8），通过热敏电阻读取冷热源的温度，通过调节热源加热器和冷源制冷片的电压，来控制冷热源温度在一个温度值稳定，

S7、然后通过微动位移台后退10nm就可以测量120nm处的近场热辐射能量，这个辐射能量的测量是通过调节冷热源恒压源的电压来保持冷源和热源温度不变，用这个距离下的电压和电流值乘级即功率减去远场的热源功率，得到这个距离下的功率，即测得了近场热辐射值。

6.根据权利要求1所述纳米级别近场热辐射高精度测量装置的测量方法，其特征在于，所述样品的通过下述方式制得：

首先在晶片上沉积负光刻胶附层，然后使用镀膜机溅射沉积50nm厚的金层，用去胶溶液湿润蚀刻不需要的金涂层，并使用相同的掩模，然后，通过剥离剩余的光致抗蚀剂，将金电极焊盘留在石英晶片上，并且可以通过切割晶片来分离样品。

7.根据权利要求6所述纳米级别近场热辐射高精度测量装置的测量方法，其特征在于，样品制作后，按照以下步骤清洁样品表面：

（a）用丙酮洗涤样品；

（b）用异丙醇（IPA）洗掉丙酮；

（c）用蒸馏水（DI）冲洗样品；

（d）干燥使用氮气枪的样品；

（e）将样品置于臭氧清洁剂中以除去任何有机污染物。

说明书

技术领域

本发明属于能量传输的技术领域，涉及一种纳米级别近场热辐射高精度测量装置。

背景技术

近场辐射对于辐射冷却和热光生电设备(thermo-photo-voltaics)的基础应用研究起着重要的作用,在数据存储中的磁头热处理、热辅助以及其他的微电子机械设备中。适当的应用近场热辐射现象可极大程度上提高光电转化效率,同时近场热辐射在发展可再生能源技术方面有着广泛的应用随着可再生能源、稀土资源的开发以及有色金属的生产与加工,对技术和设备的精确性提出了更高的要求,即在发展新的技术和研究系统光谱辐射特性与传输规律的同时,更需要从微观角度出发,分析近场热辐射传输机理,寻找微观传热的一般规律,进而实现技术与理论的对接。所以,开展微观纳米尺度下的光谱辐射特性与传输理论的硏究,对理解辐射换热的机制与规律,进而提高相关的技术或系统的热设计都有很重要的理论和实践意义。因此，一系列近场热辐射测量实验和文章得到发表，近场热辐射也成了热门研究方向。

相近实验方案：第一种是利用改装的扫描探针作为接受热辐射端，利用激光打在扫描探针上，反射光到达四象限仪接收器，通过检查反射光的位置来得到热辐射量。该技术方案利用扫描探针虽然可以达到几纳米级别，但在工程实践中，平板间的近场热辐射更具有研究价值和实用性，且装置复杂，实验可重复性差，不能应用在实际中。

第二种是使用微纳米机电系统加工的装置，其中微执行器机构利用热胀冷缩的原理控制两微小平面的间距，来研究近场热辐射现象。该技术方案利用传统机械装置结合微电机器件，结构和制造工艺复杂，需要预先进行力学等形变分析。该技术方案利用上位移加载台，下位移加载台和光纤测距，其实验方法测量不精确，且只能测量微米级别的热辐射，然而近场热辐射比较明显的距离在纳米级别，可使用性不高。

发明内容

本发明的主要目的在于克服现有技术的缺点与不足，一种新颖的切骨逻辑而提供的一套操作方便并且可实现准确定位的一种膝关节置换手术用股骨远端个性化切骨导板，且在满足条件的情况下尽量的减材和减少设计难度，提高设计效率。

为了达到上述目的，本发明采用以下技术方案：

本发明一种纳米级别近场热辐射高精度测量装置，包括真空腔，宏动位移台、微动位移台、加热片、制冷片、L型转接板、第一热敏电阻和第二热敏电阻、散热装置、偏转台、外围电路和恒压源；所述微动位移台设置在宏动位移台上，所述宏动位移台用于远距离移动测量，所述微动位移台用于纳米级别移动测量，利用微动位移台高精度但低移动范围和宏动位移台低精度但高移动范围的结合，使得在前进的位移上实现高精度高移动范围；所述L型转接板设置在微动位移台上，所述加热片设置在L型转接板上，所述加热片通过引线连接至真空腔外部，所述第一热敏电阻的一端设置在加热片上；所述偏转台与微动移动台相对设置，所述偏转台通过zc和yc双轴的偏转使得冷源的样品片进行双轴的偏转，所述散热装置设置在偏转台上，所述散热装置与L型转接板相对设置，所述制冷片设置在散热装置上，所述第二热敏电阻的一端设置在制冷片上；所述加热片上设有热源端位置，所述热源端位置用于放置热源端品片，热源端样品片的Vin连接外部恒压源的正极，所述制冷片上设有冷源端位置，所述冷源端位置用于放置冷源端样品片，所述冷源端样品片的金电极先连接外围电路的放大电路，再连接外部恒压源的负极。

作为优选的技术方案，通过连接螺丝将L型转接板和微动位移台进行紧密连接。作为优选的技术方案，所述真空腔外设置有精密电表，所述第一热敏电阻和第二热敏电阻的另一端连接至所述精密电表。

作为优选的技术方案，通过检查外围电路的电流信号来确定被测样品哪个位置接触，如果电极接上会形成冷源端和热源端短接，这时候有电流通过，通过检查电流，相对应角的金电极接触，通过检测电信号的方式来对平样品片。

本实施例纳米级别近场热辐射高精度测量装置的测量方法，包括下述方法：

S1、对检测样品进行加工，制作出样品片；

S2、将检样品片贴分别在冷源端位置和热源端位置，热源端样品片和冷源端样品片垂直放置；

S3、通过宏动位移台往正方向移动样品片，直到热源端样品片和冷源端样品片靠上，如有电信号产生，说明热源端样品片和冷源端样品片某个电极接触，进而说明热源端样品片和冷源端样品片某个角接触，这时候改用微动位移台进行后退离开，然后调节x轴，使得刚才碰上的电极相对远离，接着往前进，重复以上过程，直到两个电极碰上；这时候用微动位移台进行后退离开，然后调节y轴，使得刚才碰上的两个电极相对远离，接着往前进，重复以上过程，直到四个电极都碰上；

S4、通过微动位移台和偏转台旋转x轴和y轴的配合使用使得四个电极都有信号产生，这时候冷热源的样品片四个金电极都已经接触上，说明热源端样品片和冷源端样品片已经达到平行；

S5、打开加热片和制冷片，通过热敏电阻读取冷热源的温度，并通过调节热源加热器和冷源制冷片的电压，来控制冷热源温度在一个温度值稳定，如果冷源温度高于测定值，则通过调高制冷片电压来实现冷源温度稳定，如果冷源温度低于测定值，我们通过降低制冷片电压来实现冷源温度稳定；

S6、样品间距调整好之后连接好数据连并罩好真空罩，将真空腔装置抽真空，当真空腔的真空度达到10^(-4)pa以下，然后打开加热片和制冷片，通过热敏电阻读取冷热源的温度，通过调节热源加热器和冷源制冷片的电压，来控制冷热源温度在一个温度值稳定，

S7、然后通过微动位移台后退10nm就可以测量120nm处的近场热辐射能量，这个辐射能量的测量是通过调节冷热源恒压源的电压来保持冷源和热源温度不变，用这个距离下的电压和电流值乘级即功率减去远场的热源功率，得到这个距离下的功率，即测得了近场热辐射值。

作为优选的技术方案，所述样品的通过下述方式制得：

首先在晶片上沉积负光刻胶附层，然后使用镀膜机溅射沉积50nm厚的金层，用去胶溶液湿润蚀刻不需要的金涂层，并使用相同的掩模，然后，通过剥离剩余的光致抗蚀剂，将金电极焊盘留在石英晶片上，并且可以通过切割晶片来分离样品。

作为优选的技术方案，样品制作后，按照以下步骤清洁样品表面：

(a)用丙酮洗涤样品；

(b)用异丙醇(IPA)洗掉丙酮；

(c)用蒸馏水(DI)冲洗样品；

(d)干燥使用氮气枪的样品；

(e)将样品置于臭氧清洁剂中以除去任何有机污染物。

本发明与现有技术相比，具有如下优点和有益效果：

1、本发明的测量装置，通过电极板电信号使得大平板平行测量热辐射，可以有效的保证实验样品的平行，使得热辐射效率更高。

2、本发明研究支持表面声子极化的两个宏观sio2板之间的近场辐射能量传递的精确测量。利用微动位移台和宏动位移台的结合，实现1nm到10cm大范围距离的可控移动，可以测量近场热辐射更加精准可以达到百纳米级别，通过实验实现170nm的间隙距离测量近场热辐射量，表面积为5×5mm2，在大平板测量近场热辐射方面我们做到了最小的间距和更高的热辐射效率。

3、本发明实验中测量了近场热辐射在不同间距下的热辐射能量图，并和理论计算值经行对比，观察到热辐射增强很多倍与黑体限制相比。通过与基于波动电动力学的理论预测进行比较，证明了这种显着的增强是由于声纳极化能量在纳米级真空间隙中的传递。

附图说明

图1是本发明装置的结构示意图；

图2是外围电路的电路结构图；

图3是偏转对平齐的过程；

图4是偏转台的正面图。

附图标号说明：1-宏动位移台；2-微动位移台；3-螺丝；4-L型转接板；5-第一热敏电阻；6-加热片；7-第二热敏电阻；8-制冷片；9-散热装置；10-偏转台；11-冷源端位置；12-热源端位置。

具体实施方式

下面结合实施例及附图对本发明作进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。

实施例

如图1所示，本发明提供的技术方案是一种纳米级别近场热辐射高精度测量装置包括一种纳米级别近场热辐射高精度测量装置包括：包括真空腔，宏动位移台1、微动位移台2、加热片6、制冷片8、L型转接板4、第一热敏电阻5和第二热敏电阻7、精密电表、散热装置9、偏转台10、外围电路、恒压源和功率计；所述微动位移台2设置在宏动位移台1上通过螺丝固定，可以巧妙的利用微动位移台高精度但低移动范围和宏动位移台低精度但高移动范围巧妙结合，使得在前进的位移上能够做到高精度高移动范围，例如需要移动很远时就用宏动位移台，需要纳米级别移动测量时用微动位移台。所述L型转接板4设置在微动位移台2上，然后通过连接螺丝3将L型转接板4和微动位移台2进行紧密连接，所述加热片6设置在L型转接板4上，所述加热片6通过引线连接至真空腔外部，所述第一热敏电阻5设置在加热片6上；所述偏转台10与微动移动台2相对设置，如图4所示是偏转台的正面图，偏转台可以通过zc和yc双轴的偏转使得冷源的样品片进行双轴的偏转，所述散热装置9设置在偏转台10上，所述散热装置9与L型转接板4相对设置，所述制冷片8设置在散热装置9上，所述第二热敏电阻7设置在制冷片8上。如图3所示，所述加热片6上设有热源端位置12，所述热源端位置12用于放置热源端品片，热源端样品片的Vin连接外部恒压源的正极，所述制冷片8上设有冷源端位置11，所述冷源端位置11用于放置冷源端样品片，所述冷源端样品片的金电极先连接外围电路的放大电路，再连接外部恒压源的负极。

本实施例中，纳米级别近场热辐射高精度测量装置的测量方法，包括下述方法：

S1、对检测样品进行加工，制作出样品片；

S2、将检样品片贴分别在冷源端位置11和热源端位置12，热源端样品片和冷源端样品片垂直放置；

S3、通过宏动位移台往正方向移动样品片，直到热源端样品片和冷源端样品片靠上，如有电信号产生，说明热源端样品片和冷源端样品片某个电极接触，进而说明热源端样品片和冷源端样品片某个角接触，这时候改用微动位移台进行后退离开，然后调节x轴，使得刚才碰上的电极相对远离，接着往前进，重复以上过程，直到两个电极碰上；这时候用微动位移台进行后退离开，然后调节y轴，使得刚才碰上的两个电极相对远离，接着往前进，重复以上过程，直到四个电极都碰上；

S4、通过微动位移台和偏转台旋转x轴和y轴的配合使用使得四个电极都有信号产生，这时候冷热源的样品片四个金电极都已经接触上，说明热源端样品片和冷源端样品片已经达到平行；

S5、打开加热片6和制冷片8，通过热敏电阻读取冷热源的温度，并通过调节热源加热器和冷源制冷片的电压，来控制冷热源温度在一个温度值稳定，如果冷源温度高于测定值，则通过调高制冷片电压来实现冷源温度稳定，如果冷源温度低于测定值，我们通过降低制冷片电压来实现冷源温度稳定；

S6、样品间距调整好之后连接好数据连并罩好真空罩，将真空腔装置抽真空，当真空腔的真空度达到10^(-4)pa以下，然后打开加热片和制冷片8，通过热敏电阻读取冷热源的温度，通过调节热源加热器和冷源制冷片的电压，来控制冷热源温度在一个温度值稳定，

S7、然后通过微动位移台后退10nm就可以测量120nm处的近场热辐射能量，这个辐射能量的测量是通过调节冷热源恒压源的电压来保持冷源和热源温度不变，用这个距离下的电压和电流值乘级即功率减去远场的热源功率，得到这个距离下的功率，即测得了近场热辐射值。

本实施例中，外围电路用于对平行实现装置和检查对平行实验的，可以通过检查外围电路的电流信号来确定实验样品那个位置接触，如果电极接上会形成冷源端和热源端短接，这时候有电流通过，通过检查电流，就可以得到那个角的金电极接触，通过检测电信号的方式开对平齐样品片，可以使得样品片误差高度差达到10nm。如果让实验金电极四个角都接触，会检查四个高电平信号，就可以确定实验装置已经对平行。图3中四个角有四个长方形的矩形金电极。然后通过第一热敏电阻5来测量热源的温度，利用第二热敏电阻7来测量冷源的温度，热敏电阻的另外一端可以连接真空腔外的精密电表来读取电阻值，通过读取的电阻值来对应热敏电阻温度电阻表，确实其温度值，热冷源的温度都是这个方法获得。所述加热片6的两个引脚可以通过导线连接到真空腔外，通过恒压源给它电压，不同电压值可以获得不同的热源加热温度，加热片加热的温度随着电压的增大而变大，这样可以利用热敏电阻获得的热源温度和热源加热片的配合使用，可以调节加热片电压使得热源端得到实验想要的温度值。热源热敏电阻测得的温度值就是热源样品片表面的温度值，因为两个物体是直接接触的。制冷片的两个引脚可以通过导线连接到真空腔外，通过恒压源给它电压，不同电压值可以获得不同的冷源制冷温度，制冷片吸收的热量随着电压的增大而变大，这样可以利用热敏电阻获得的冷源温度和冷源制冷片的配合使用，可以调节制冷片电压使得冷源端得到实验想要的温度值。冷源热敏电阻测得的温度值就是冷源样品片表面的温度值，因为两个物体是直接接触的。然后就是将冷热源的样品片固定在冷源端位置11和热源端位置12处。样品片是长方形，两个角落是由四个小的金电极组成，金电极也是长方形，但对于样品片而看，是比较小的，冷热源金电极的作用是用来使得样品片平行的，原理是：将热源端长方形样品片和冷源端长方形样品片垂直放置，例如图3所示，由于长方形样品片四个角落有金电极，当两个样品片接触时，四个角的金电极就会接触，冷热源金电极引出导线与外电路相连，热源金电极连接恒压源的正极，冷源的金电极连接恒压源的负极，当两个样品片没有接触时，电路相当于断路，没有电流信号，可以通过外电路检查电流判断样品片的四个角有没有接触，当某个角落有接触时，这时候就会触发电流信号，可以通过电流数据采集卡来采集到有电流信号，这时候就可以判断热冷源样品片那个角碰上，如果四个角都碰上，说明两个样品片已经达到平行，因为样品片四个角的金电极高度相同。然后通过微动位移台将冷热源样品片移开，就可以测量不同间距的热辐射量，本实施例的实验使用的是冷热源的金电极高度都是55nm，当四个金电极都有信号时，样品片的距离时110nm，然后就可以从110nm测量近场热辐射的能量。

其中样品的金电极加工包括以下主要步骤。样品由500μm厚，4英寸直径的单晶石英晶片制成。首先在晶片上沉积负光刻胶附层，然后使用镀膜机溅射沉积50nm厚的金层。我们用去胶溶液湿润蚀刻不需要的金涂层，并使用相同的掩模。选择光刻工艺而不是剥离方法主要是为了获得更均匀和锋利边缘的金属层。然后，通过剥离剩余的光致抗蚀剂，将金电极焊盘留在石英晶片上，并且可以通过切割晶片来分离样品。样品制作后，我们按照以下步骤清洁样品表面：(a)我们用丙酮洗涤样品，(b)用异丙醇(IPA)洗掉丙酮，(c)用蒸馏水(DI)冲洗样品，(d)干燥使用氮气枪的样品，(e)将样品置于臭氧清洁剂中以除去任何有机污染物。我们通过以上步骤制作出样品表面高度差小于50nm，我们通过以上方法做出金电极高度为55nm的长方形样品片，把样品片贴在图1冷源端位置11和热源端位置12，热源端长方形样品片和冷源端长方形样品片垂直放置，。然后先通过宏动位移台往正方向移动样品片，宏动位移台每步移动400nm，直到样品片靠上，有电信号产生，说明样品片某个电极接触，进而说明样品片某个角接触，这时候改用微动位移台进行前进和后退，微动位移台和偏转台是使用PI公司家的，微动位移台精度可以达到一个步长是1nm，偏转台精度可以达到一个步长偏转角度为1微弧度。然后通过微动位移台和偏转台旋转x轴和y轴的配合使用使得四个电极都有信号产生，这时候冷热源的样品片四个金电极都已经接触上，如图3中，就是样品片对齐后金电极接触的地方。由于样品片四个角的金电极高度相同，如果四个金电极都接触上，说明冷热源样品片达到平齐。然后打开加热片6和制冷片8，通过热敏电阻读取冷热源的温度，可以通过调节热源加热器和冷源制冷片的电压，来控制冷热源温度在一个温度值稳定，图2中热量流过样品组件和实验装置。这里，PH和PT EC分别是提供给加热器和TEC的功率，QR是石英板之间的辐射热传递。QLoss和QOut分别是周围的热量损失和散热器散发的热量。(b)实验装置的等效热回路。这里，RH是热发射器(样品加载体和加热器)的总热阻，其中RC是热接收器(样品，载体和TEC)的总热阻。此外，ROut和RLoss分别是由于传导到散热器和远场辐射到周围的热阻。近场热辐射电阻之间加热器和TEC的温度分别为。假设环境温度为T∞＝300K.因此，中间间隙的样品表面温度应在TH，NF≤TH≤TH，FF和TC，FF≤TC≤TC，NF的范围内。得到的温度梯度应在ΔTNF≤ΔT≤ΔTFF的范围内，其中ΔTFF＝TH，FF-TC，FF和ΔTNF＝TH，NF-TC，NF。例如，当加热器和TEC温度分别设置为THeater＝496K和TTEC＝310K时，远场校准提供TH，FF＝360K和TC，FF＝313K时的样品温度。场热电路分析提供TH，NF＝363K和TC，NF＝317K.这导致温度梯度范围为152K≤ΔT≤160K或ΔT＝156±4K.热发射器(和热接收器)计算为RH＝16.6[K/W]，加热器和TEC的温度由RTD测量，并通过反馈控制加热器和TEC的输入功率保持在设定点温度(Tsp1和Tsp2)。输入功率值由NI PXI控制器实时监控，该控制器由自制的LabView代码连接。样品间距调整好之后连接好数据连并罩好真空罩，将真空腔装置抽真空，当真空腔的真空度达到10^(-4)pa以下，然后打开加热片6和制冷片8，通过热敏电阻读取冷热源的温度，可以通过调节热源加热器和冷源制冷片的电压，来控制冷热源温度在一个温度值稳定，然后通过微动位移台后退10nm就可以测量120nm处的近场热辐射能量，这个辐射能量的测量是通过，调节冷热源恒压源的电压来保持冷源和热源温度不变，用这个距离下的电压和电流值乘级即功率减去远场的热源功率，就可以得到这个距离下的功率，即测得了近场热辐射值，然后重复以上步骤，就可以通过这套热辐射测量装置得到不同距离的近场热辐射，我们这套装置可以测量120纳米到2微米范围内的近场热辐射，大大提高了测量范围和精度。

上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。

一种纳米级别近场热辐射高精度测量装置及测量方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。