专利摘要

本发明公开了一种兼容真空环境的图形转移的方法及系统。所述的方法包括如下步骤：提供无机掩膜版，其包括依次设置在基底上的第一无机掩膜版和第二无机掩膜版；在第二无机掩膜版上加工形成图形，至少以选择性气相刻蚀工艺将所述图形转移至第一无机掩膜版中，至少在所述第一无机掩膜版的图形区域生长目标材料，除去所述的无机掩膜版。本发明提供的兼容真空环境的图形转移的方法，有效的杜绝了显影液、溶剂和有机掩膜版的使用。

权利要求

1.一种兼容真空环境的图形转移的方法，其特征在于包括如下步骤：

提供无机掩膜版，其包括依次设置在基底上的第一无机掩膜版和第二无机掩膜版；

至少采用物理和/或化学加工方式在第二无机掩膜版上加工形成图形，所述的物理加工方式包括电子束、离子束、激光束、中子束、X光、扫描探针直写中的任意一种方式；或者，所述的物理加工方式包括光刻工艺；或者，所述的物理加工方式包括使第二无机掩膜版的选定区域的材料发生相变的方式；或者，所述的方法包括：通过化学反应在第二无机掩膜版上加工形成所述的图形；

至少以选择性气相刻蚀工艺将所述图形转移至第一无机掩膜版中，所述选择性气相刻蚀工艺中使用的刻蚀气体不能刻蚀第二无机掩膜版；

至少在所述第一无机掩膜版的图形区域生长目标材料；

除去所述的无机掩膜版。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于包括：

提供无机掩膜版，其包括依次设置在基底上的第一无机掩膜版、第三无机掩膜版和第二无机掩膜版，

至少采用物理和/或化学加工方式在第二无机掩膜版、第三无机掩膜版上加工形成所述的图形。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述第二无机掩膜版的材质为固态无机物，所述固态无机物包括Si、Ge、SiGe、SiOx、SiNx、SiC、Mo、Ti、TiN、Ta、TaN、W、TiW、Au、Pt、Cu、Al、AlOx、Ni、Cr、Ga、Zn、ZnO、Mg、MgO、Nb、NbTi、NbN中的任意一种。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述第三无机掩膜版的材质为固态无机物，所述固态无机物包括Si、Ge、SiGe、SiOx、SiNx、SiC、Mo、Ti、TiN、Ta、TaN、W、TiW、Au、Pt、Cu、Al、AlOx、Ni、Cr、Ga、Zn、ZnO、Mg、MgO、Nb、NbTi、NbN中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于包括：

提供无机掩膜版，其包括依次设置在基底上的第一无机掩膜版、第三无机掩膜版和第二无机掩膜版，

在第二无机掩膜版上加工形成图形，

至少以选择性气相刻蚀工艺将所述图形转移至第三掩模版、第一无机掩膜版中，其中用于刻蚀所述第三无机掩膜版的刻蚀气体与用于刻蚀所述第一无机掩膜版的刻蚀气体相同或不同，

至少在所述第三掩模版、第一无机掩膜版的图形区域生长目标材料，

除去所述的无机掩膜版。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述刻蚀气体为无机气体，所述无机气体包括Ar、He、H2、N2、NH3、O2、O3、H2O、HF、XeF2、HCl、CO2中的任意一种或两种以上的组合。

7.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于：所述第一无机掩膜版的材质为固态无机物，所述固态无机物包括Si、Ge、SiGe、SiOx、SiNx、SiC、Mo、Ti、TiN、Ta、TaN、W、TiW、Au、Pt、Cu、Al、AlOx、Ni、Cr、Ga、Zn、ZnO、Mg、MgO、Nb、NbTi、NbN中的任意一种。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述第三无机掩膜版的材质为固态无机物，所述固态无机物包括Si、Ge、SiGe、SiOx、SiNx、SiC、Mo、Ti、TiN、Ta、TaN、W、TiW、Au、Pt、Cu、Al、AlOx、Ni、Cr、Ga、Zn、ZnO、Mg、MgO、Nb、NbTi、NbN中的任意一种。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于还包括：采用选择性气相刻蚀工艺移除所述的无机掩膜版。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：该方法在真空互联环境中进行的。

11.一种用于兼容真空环境的图形转移的系统，其与权利要求1-10中任一项所述的方法匹配，其特征在于，所述的系统包括通过真空互联管道相互连通的掩膜沉积单元、图形生成单元、选择性气相刻蚀单元和生长单元。

兼容真空环境的图形转移的方法及系统专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。