专利摘要

本发明公开了采用温度敏感的纳米线冷阴极的平板X射线源及制备方法，所述平板X射线源，包括阴极基板、阳极基板、高压绝缘隔离体；所述阴极基板和阳极基板平行相对设置，所述高压绝缘隔离体设置于阴极基板和阳极基板的边缘，并且高压绝缘隔离体、阴极基板、阳极基板围合形成一空腔；所述阴极基板朝向阳极基板的一侧设置有纳米线冷阴极，所述纳米线冷阴极为氧化锌、氧化铜、氧化钨、氧化钼、氧化铁、氧化钛或者氧化锡纳米线。相对于现有技术，本发明的平板X射线源，通过控制纳米线冷阴极的温度，在不改变平板X射线源的阴极基板和阳极基板间距的情况下，实现对平板X射线源工作电压、电流和辐射剂量率的调控，降低了平板X射线源电流调节的局限性，拓宽了平板X射线源的应用范围。

权利要求

1.采用温度敏感的纳米线冷阴极的平板X射线源，其特征在于：包括阴极基板、阳极基板、高压绝缘隔离体、加热单元；所述阴极基板和阳极基板平行相对设置，所述高压绝缘隔离体设置于阴极基板和阳极基板的边缘，并且高压绝缘隔离体、阴极基板、阳极基板围合形成一空腔；所述阴极基板朝向阳极基板的一侧设置有纳米线冷阴极，所述纳米线冷阴极为氧化锌、氧化铜、氧化钨、氧化钼、氧化铁、氧化钛或者氧化锡纳米线；所述加热单元对阴极基板加热，通过调控所述纳米线冷阴极的温度，在不改变平板X射线源的阴极基板和阳极基板间距的情况下，实现对平板X射线源工作电压、电流和辐射剂量率的调控；所述加热单元包括加热片、均热板和热电偶；所述加热片和均热板层叠设置，所述热电偶与所述加热片接触连接；所述均热板贴合于所述阴极基板的阴极衬底。

2.根据权利要求1所述的采用温度敏感的纳米线冷阴极的平板X射线源，其特征在于：所述阴极基板包括阴极衬底、阴极电极、多个生长源薄膜；所述阴极电极设置于阴极衬底朝向阳极基板的一侧，所述多个生长源薄膜以点阵形式排布于阴极电极上，所述生长源薄膜上生长有纳米线冷阴极。

3.根据权利要求2所述的采用温度敏感的纳米线冷阴极的平板X射线源，其特征在于：所述阳极基板包括阳极衬底、阳极靶层和保护层，所述阳极靶层和保护层依次层设于阳极衬底朝向阴极基板的一侧。

4.根据权利要求3所述的采用温度敏感的纳米线冷阴极的平板X射线源，其特征在于：所述阴极衬底和阳极衬底为大面积的硅片、玻璃、石英玻璃或者陶瓷基片；所述阴极电极为ITO、AZO、FTO、LTFO中的一种或多种组合；所述阳极靶层为钨、钼、铑、银、铜、金中的一种或任意几种组合的金属薄膜；所述保护层为铝膜；所述生长源薄膜为锌、铜、钨、钼、铁、钛、锡中的任一种。

5.权利要求1～4中任一项所述的采用温度敏感的纳米线冷阴极的平板X射线源的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1：制备阴极基板：(a)清洁并吹干阴极衬底；(b)在阴极衬底上沉积一层导电薄膜作为阴极电极；(c)在阴极电极上涂覆光刻胶，采用光刻法在光刻胶上形成点阵图案；(d)在阴极衬底上涂有光刻胶的一侧沉积生长源薄膜；(e)剥离除去光刻胶；(f)生长源薄膜通过热氧化生长纳米线冷阴极，得到阴极基板；热氧化的条件为升温速率为1℃/min-30℃/min，保温温度为300℃-600℃，保温时间为1min-600min；

S2：制备阳极基板：(a)清洁并吹干阳极衬底；(b)在阳极衬底表面沉积一层金属薄膜作为阳极靶层；(c)在阳极靶层表面沉积抗氧化保护层，得到阳极基板；

S3：组装平板X射线源：(a)将阴极基板和阳极基板相对平行设置，阴极基板的纳米线冷阴极朝向阳极基板的保护层；(b)高压绝缘隔离体设置于阴极基板和阳极基板边缘处，将两者分隔开，并且所述高压绝缘隔离体、阴极基板和阳极基板之间围合形成一空腔；

其中，所述生长源薄膜为锌、铜、钨、钼、铁、钛、锡中的任一种，所述纳米线为氧化锌、氧化铜、氧化钨、氧化钼、氧化铁、氧化钛或者氧化锡纳米线。

6.根据权利要求5所述的采用温度敏感的纳米线冷阴极的平板X射线源的制备方法，其特征在于：所述生长源薄膜的厚度为0.3μm-5μm；所述生长源薄膜为圆形或方形，其直径或边长为5μm-500μm，所述相邻生长源薄膜之间的间距为直径或边长的0.1-10倍。

7.根据权利要求5所述的采用温度敏感的纳米线冷阴极的平板X射线源的制备方法，其特征在于：所述S3中还包括，(c)对阴极基板进行加热，选择加热温度，调控所述平板X射线源的工作电流和辐射剂量率。

8.根据权利要求5所述的采用温度敏感的纳米线冷阴极的平板X射线源的制备方法，其特征在于：所述导电薄膜的沉积方法包括磁控溅射法、真空热蒸发法、电子束蒸发法、丝网印刷法或者喷墨打印法；所述生长源薄膜、阳极靶层、抗氧化保护层的沉积方法包括磁控溅射法、真空热蒸发法或者电子束蒸发法。

9.根据权利要求5所述的采用温度敏感的纳米线冷阴极的平板X射线源的制备方法，其特征在于：所述阴极电极的厚度为0.1μm-2μm；所述阳极靶层的厚度为0.2μm-1000μm；所述保护层的厚度为20nm-100nm。

说明书

技术领域

本发明涉及真空微电子技术领域，尤其涉及一种利用具有温度敏感特性的纳米线冷阴极的平板X射线源及其制备方法。

背景技术

由于X射线的特殊性质，自伦琴于1895年发现X射线以来，X射线在医疗、工业、国土安全等领域有着不可或缺的重要应用，比如医学成像、放射治疗、消毒、生物危害净化、光刻和各种科学实验等。虽然经历了100多年的发展，X射线的产生依然以真空热阴极X射线管为主，没有很大技术突破或改进。常规的X射线管通常采用热阴极灯丝发射电子，灯丝需要加热到1000℃以上，寿命短，而且需要大体积的驱动电源设备和冷却设备，能耗大，占地面积大，不便于移动和携带。另外，X射线管中X射线的出射点只有一个，出射的X射线束呈放射锥束状，在成像时目标物体与X射线源的距离远，容易导致成像失真。

相比于X射线管，平板X射线源有着更多的优点以及更强的环境适应性。平板X射线源采用场发射冷阴极微阵列发射电子，轰击金属靶材产生X射线。这样的平板X射线源具有低功耗、多点发射、成像工作距离短、成像不容易失真、响应速度快等优点，而且不需要配备笨重的加热电源和冷却设备，使用更加灵活方便且便于携带。若采用可寻址的冷阴极微阵列作为电子源，则可以选择阳极靶上特定区域发射X射线，对指定的区域进行照射，避免病人和操作者摄入过多不必要的辐射剂量。因此平板X射线源可以在各种环境中发挥重要的作用，比如野外救护、野外生物危害净化和日常办公环境消毒等。

如果平板X射线源仅应用于简单的X射线成像、X射线光刻、消毒器及静电中和器等，平板X射线源可以采用二极结构。因为二极平板X射线源的制造工艺更简单，成本低。但二极结构的平板X射线源的工作电流取决于工作电压，并不能很好地进行电压和电流调控。通常是通过改变二极平板X射线源阴阳极基板的间距来调控电压和电流，但该方法不能在成品器件中实现。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺点和不足，提供一种采用温度敏感的场发射纳米线冷阴极的平板X射线源及制备方法，利用具有温度敏感特性的场发射纳米线冷阴极，通过控制纳米线冷阴极的温度，实现对平板X射线源的工作电流和剂量的调控。

本发明是通过以下技术方案实现的：采用温度敏感的纳米线冷阴极的平板X射线源，包括阴极基板、阳极基板、高压绝缘隔离体；所述阴极基板和阳极基板平行相对设置，所述高压绝缘隔离体设置于阴极基板和阳极基板的边缘，并且高压绝缘隔离体、阴极基板、阳极基板围合形成一空腔；所述阴极基板朝向阳极基板的一侧设置有纳米线冷阴极，所述纳米线冷阴极为氧化锌、氧化铜、氧化钨、氧化钼、氧化铁、氧化钛或者氧化锡纳米线。

相对于现有技术，本发明的采用温度敏感的场发射纳米线冷阴极的平板X射线源，通过控制纳米线冷阴极的温度，在不改变平板X射线源的阴极基板和阳极基板间距的情况下，实现对平板X射线源工作电压、电流和辐射剂量率的调控，降低了平板X射线源电流调节的局限性，拓宽了平板X射线源的应用范围。

进一步，所述阴极基板包括阴极衬底、阴极电极、多个生长源薄膜；所述阴极电极设置于阴极衬底朝向阳极基板的一侧，所述多个生长源薄膜以点阵形式排布于阴极电极上，所述生长源薄膜上生长有纳米线冷阴极。

进一步，所述阳极基板包括阳极衬底、阳极靶层和保护层，所述阳极靶层和保护层依次层设于阳极衬底朝向阴极基板的一侧。

进一步，所述阴极衬底和阳极衬底为大面积的硅片、玻璃、石英玻璃或者陶瓷基片；所述阴极电极为ITO、AZO、FTO、LTFO中的一种或多种组合；所述阳极靶层为钨、钼、铑、银、铜、金中的一种或任意几种组合的金属薄膜；所述保护层为铝膜；所述生长源薄膜为锌、铜、钨、钼、铁、钛、锡中的任一种。

进一步，所述采用温度敏感的纳米线冷阴极的平板X射线源包括加热单元，所述加热单元对阴极基板加热。

进一步，所述加热单元包括加热片、均热板和热电偶；所述加热片和均热板层叠设置，所述热电偶与所述加热片接触连接；所述均热板贴合于所述阴极基板的阴极衬底。

本发明还提供了一种采用温度敏感的纳米线冷阴极的平板X射线源的制备方法，包括以下步骤：

S1：制备阴极基板：(a)清洁并吹干阴极衬底；(b)在阴极衬底上沉积一层导电薄膜作为阴极电极；(c)在阴极电极上涂覆光刻胶，采用光刻法在光刻胶上形成点阵图案；(d)在阴极衬底上涂有光刻胶的一侧沉积生长源薄膜；(e)剥离除去光刻胶；(f)生长源薄膜通过热氧化生长纳米线冷阴极，得到阴极基板；

S2：制备阳极基板：(a)清洁并吹干阳极衬底；(b)在阳极衬底表面沉积一层金属薄膜作为阳极靶层；(c)在阳极靶层表面沉积抗氧化保护层，得到阳极基板；

S3：组装平板X射线源：(a)将阴极基板和阳极基板相对平行设置，阴极基板的纳米线冷阴极朝向阳极基板的保护层；(b)高压绝缘隔离体设置于阴极基板和阳极基板边缘处，将两者分隔开；

其中，所述生长源薄膜为锌、铜、钨、钼、铁、钛、锡中的任一种，所述纳米线为氧化锌、氧化铜、氧化钨、氧化钼、氧化铁、氧化钛或者氧化锡纳米线。

相对于现有技术，通过本发明的平板X射线源的制备方法得到的平板X射线源，能够通过控制纳米线冷阴极的温度，在不改变平板X射线源的阴极基板和阳极基板间距的情况下，实现对平板X射线源工作电压、电流和辐射剂量率的调控，拓宽了平板X射线源的应用范围。

进一步，所述生长源薄膜的厚度为0.3μm-5μm；所述生长源薄膜为圆形或方形，其直径或边长为5μm-500μm，所述相邻生长源薄膜之间的间距为直径或边长的0.1-10倍。

进一步，所述S3中还包括，(c)对阴极基板进行加热，选择加热温度，调控所述平板X射线源的工作电流和辐射剂量率。

进一步，所述阴极衬底和阳极衬底为大面积的硅片、玻璃、石英玻璃或者陶瓷基片；所述阴极电极为ITO、AZO、FTO、LTFO中的一种或多种组合；所述阳极靶层为钨、钼、铑、银、铜、金中的一种或任意几种组合的金属薄膜；所述保护层为铝膜。

进一步，所述阴极电极的厚度为0.1μm-2μm；所述阳极靶层的厚度为0.2μm-1000μm；所述保护层的厚度为20nm-100nm。

进一步，所述S1中，热氧化的条件为升温速率为1℃/min-30℃/min，保温温度为300℃-600℃，保温时间为1min-600min。

为了更好地理解和实施，下面结合附图详细说明本发明。

附图说明

图1是本发明的平板X射线源的结构示意图。

图2是本发明的平板X射线源的阴极基板的制备工艺步骤图，(a)、(b)、(c)、(d)、(e)和(f)分别是制备阴极基板的步骤(a)、(b)、(c)、(d)、(e)和(f)的结构示意图。

图3是本发明的平板X射线源的阳极基板的制备工艺步骤图，(a)、(b)、(c)分别是制备阳极基板的步骤(a)、(b)、(c)的结构示意图。

图4是本发明的纳米线冷阴极的典型形貌SEM图。

图5是本发明的平板X射线源在不同温度下的场发射电流-电压特性曲线。

图6是本发明的平板X射线源在不同温度下的辐射剂量率与电压的关系曲线。

具体实施方式

请参阅图1，其是本发明的采用温度敏感的纳米线冷阴极的平板X射线源。所述平板X射线源包括阴极基板10、阳极基板20、高压绝缘隔离体30、加热单元。所述阴极基板10和阳极基板20平行相对，所述高压绝缘隔离体30设置于阴极基板10和阳极基板20边缘的高压绝缘隔离体30将阴极基板10和阳极基板20分隔开，并且阴极基板10、阳极基板20和高压绝缘隔离体30三者围合形成一个空腔。所述阴极基板10和阳极基板20之间具有一定间距。所述加热单元对阴极基板10进行加热。

所述阴极基板10包括阴极衬底11、阴极电极12、多个生长源薄膜13。所述阴极电极12设置于阴极衬底11朝向阳极基板20的一侧。所述多个生长源薄膜13以点阵形式排布于阴极电极12上。所述生长源薄膜13上垂直生长源薄膜13方向生长有纳米线冷阴极。所述阴极衬底11可以为大面积的硅片、玻璃、石英玻璃或者陶瓷基片。所述阴极电极12可以是ITO、AZO、FTO、LTFO中的一种或多种组合。所述阴极电极12的厚度为0.1μm-2μm。所述阴极电极12通过金属阴罩掩膜和真空镀膜技术制备，或者通过光刻、真空镀膜和剥离技术制备，或者直接通过丝网印刷或者喷墨打印制备。所述真空镀膜技术包括磁控溅射、电子束蒸发、真空热蒸发，所述光刻技术可以采用紫外光光刻。所述生长源薄膜13可以是锌、铜、钨、钼、铁、钛、锡中的任一种，所述生长源薄膜13的厚度为0.3μm-5μm。所述生长源薄膜13可通过磁控溅射法、真空热蒸发法或者电子束蒸发法沉积于阴极电极12上。所述生长源薄膜13为圆形或方形，其直径或者边长范围为5μm-500μm，所述相邻生长源薄膜13之间的间距为直径或边长的0.1-10倍。通过前述生长源薄膜13生长得到的纳米线冷阴极为氧化锌、氧化铜、氧化钨、氧化钼、氧化铁、氧化钛或者氧化锡纳米线。

所述阳极基板20包括阳极衬底21、阳极靶层22、保护层23。所述阳极靶层22和保护层23依次层设于阳极衬底21朝向阴极基板10的一侧。所述阳极衬底21可以为大面积的硅片、玻璃、石英玻璃或者陶瓷基片。所述阳极靶层22可以为钨、钼、铑、银、铜、金中的一种或任意几种组合的金属薄膜，所述阳极靶层22的厚度范围为0.2μm-1000μm。所述保护膜为铝膜，所述铝膜的厚度为20nm-100nm。所述阳极靶层22沉积于阳极衬底21朝向阴极基板10的一侧，所述保护层23沉积于阳极靶层22上。所述沉积方法包括磁控溅射法、真空蒸发法、电子束蒸发法。

所述高压绝缘隔离体30为陶瓷或者玻璃材料。所述加热单元包括加热片41、均热板42和热电偶43。所述加热片41和均热板42层叠设置，所述热电偶43与所述加热片41接触连接，用于探测实时加热温度。所述均热板42贴合于所述阴极基板10的阴极衬底11，加热片41通过均热板42对阴极基板10进行加热，使阴极基板10受热更加均匀。所述加热片41为大面积陶瓷加热片41。所述均热板42为1mm-3mm厚的铜片。

所述采用温度敏感的纳米线冷阴极的平板X射线源的制备方法，包括以下步骤：

S1：制备阴极基板10，请参阅图2(a)-(f)，其分别是本发明的平板X射线源的阴极基板制备的各个步骤的结构示意图：

(a)清洁并吹干阴极衬底11；所述阴极衬底11可以为大面积的硅片、玻璃、石英玻璃或者陶瓷基片。

(b)在阴极衬底11上沉积一层导电薄膜作为阴极电极12；所述作为阴极电极12的导电薄膜可以为ITO、AZO、FTO、LTFO中的一种或多种组合，所述导电薄膜通过金属阴罩掩膜和真空镀膜技术制备，或者通过光刻、真空镀膜和剥离技术制备，或者通过磁控溅射法、真空热蒸发法、电子束蒸发法、丝网印刷法或者喷墨打印法制备。所述导电薄膜的厚度为0.1μm-2μm。

(c)在阴极电极12上旋涂光刻胶15，采用光刻法在光刻胶15上形成所需图案；所述光刻法为电子束光刻或者紫外光光刻。所述光刻法在阴极电极12上形成的图案可根据需要的生长源薄膜排布方式进行选择，在本实施例中，所述图案为以点阵形式排列，但不局限于此。

(d)在阴极衬底11涂有光刻胶15的一侧沉积生长源薄膜13；所述生长源薄膜13可以是锌、铜、钨、钼、铁、钛、锡中的任一种，所述生长源薄膜13的厚度为0.3μm-5μm，所述生长源薄膜13可通过磁控溅射法、真空热蒸发法或者电子束蒸发法沉积于阴极电极12上。

(e)采用剥离工艺，除去光刻胶15，得到按照图案排列的生长源薄膜13；根据光刻法得到的图案，在本实施例中，所述生长源薄膜13为以点阵方式排列的圆形或方形，其直径或者边长范围为5μm-500μm，所述相邻生长源薄膜13之间的间距为直径或边长的0.1-10倍。

(f)生长源薄膜13通过热氧化生长纳米线冷阴极，得到阴极基板10。所述热氧化生长过程在箱式炉或管式炉中进行，热氧化过程的升温速率为1℃/min-30℃/min，升温过程可以通入Ar、H₂、N₂、O₂中的一种或其任意组合，亦可以不通入气体。热氧化过程的保温温度范围在300℃-600℃，保温时间范围在1min-600min，保温过程可以通入Ar、H₂、N₂、O₂中的一种或其任意组合，亦可以不通入气体。最后自然冷却至室温即可。所得到的纳米线为氧化锌、氧化铜、氧化钨、氧化钼、氧化铁、氧化钛或者氧化锡纳米线。

S2：制备阳极基板20，请参阅图3(a)-(c)，其分别是本发明的平板X射线源的阳极基板制备的各个步骤的结构示意图：

(a)清洁并吹干阳极衬底21；所述阳极衬底21可以为大面积的硅片、玻璃、石英玻璃或者陶瓷基片。

(b)在阳极衬底21表面沉积一层金属薄膜作为阳极靶层22；所述作为阳极靶层22的金属薄膜可以为钨、钼、铑、银、铜、金中的一种或任意几种组合，所述阳极靶层22的厚度范围为0.2μm-1000μm。所述沉积方法包括磁控溅射法、真空蒸发法、电子束蒸发法。

(c)在阳极靶层22表面沉积抗氧化保护层23，得到阳极基板20；在本实施例中，所述抗氧化保护层23为铝膜，所述保护层23的厚度为20nm-100nm。所述沉积方法包括磁控溅射法、真空蒸发法、电子束蒸发法。

S3：组装平板X射线源：(a)将阴极基板10和阳极基板相对平行设置，阴极基板10的纳米线冷阴极朝向阳极基板20的保护层23；(b)高压绝缘隔离体30设置于阴极基板10和阳极基板20边缘处，将两者分隔开，并且高压绝缘隔离体30与阴极基板10和阳极基板20围合形成一空腔；(c)对阴极基板10进行加热，选择一定加热温度，调控所述平板X射线源的工作电流和辐射剂量率。

具体的，在S1中，(a)首先清洁并吹干尺寸为113.5×95×3mm³的玻璃衬底。(b)通过金属阴罩掩膜和直流磁控溅射镀膜技术在玻璃衬底上沉积ITO阴极电极12，所述ITO阴极电极12的尺寸为60×70mm²，厚度为520nm。然后置入石英管式炉中退火后清洁并吹干表面，所述退火温度为450℃，退火时间为180min。(c)在ITO阴极电极12上旋涂光刻胶15，进行紫外光刻，将图案转移到阴极电极12上。(d)通过电子束蒸发法在样品上沉积Zn膜，所述Zn膜的厚度为1.4μm-1.6μm。(e)将沉积有Zn膜的ITO/玻璃衬底放入丙酮中进行剥离除去光刻胶15，在ITO/玻璃衬底上得到Zn生长源薄膜点阵，Zn生长源薄膜点阵在ITO阴极电极上占据的面积为48×48mm²。(f)将有Zn生长源薄膜点阵的ITO/玻璃衬底置入石英管式炉中进行热氧化，先以2.5℃/min的升温速率升温升至540℃，之后在540℃下保温180min，随后自然冷却至室温得到生长有ZnO纳米线冷阴极点阵的阴极基板10。所述热氧化过程在空气中进行。

具体的，在S2中，(a)首先清洁并吹干尺寸为113.5×78×1mm³的石英玻璃衬底。(b)通过金属阴罩掩膜和直流磁控溅射镀膜技术在石英玻璃衬底上沉积金属钨膜作为阳极靶层22，所述金属钨膜的尺寸为52×52mm²，厚度为500nm。(c)在金属钨膜/石英玻璃衬底上沉积铝膜作为抗氧化的保护层23，所述铝膜厚度为75nm。

具体的，在S3中，组装平板X射线源：(a)将阴极基板10和阳极基板20相对平行设置，阴极基板10的纳米线冷阴极朝向阳极基板20的保护层23。所述阴极基板10和阳极基板20之间的间距为4mm。(b)高压绝缘隔离体30设置于阴极基板10和阳极基板20边缘处，将两者分隔开，并且高压绝缘隔离体30与阴极基板10和阳极基板20围合形成一空腔；所述高压绝缘隔离体30厚度为4mm。(c)对阴极基板10进行加热，选择一定加热温度，调控所述平板X射线源至合适的工作电流和辐射剂量率。

请参阅图4，其是本发明的纳米线冷阴极的典型形貌SEM图。从图4中的(a)、(b)、(c)、(d)分别为所述纳米线冷阴极在不同放大倍率下的SEM图，从图中可知，所述每个生长源薄膜13为圆形，直径约为30μm，密度为69个/mm²。所述纳米线的顶端直径为30nm-50nm，所述纳米线的平均长度为4μm，所述每个点阵对应的纳米线冷阴极的纳米线的密度约为10⁸根/cm²。

请参阅图5，其是本发明的平板X射线源在不同温度下的场发射电流-电压特性曲线，具体分别为纳米线冷阴极在室温、200℃和250℃下的场发射电流-电压特性曲线。从图中可知，在不同温度下，所述平板X射线源中的ZnO纳米线具有不同的电子发射特性，并且随着阴极基板10温度的升高，发射电流越大。如果定义发射电流为10μA/cm²所对应的电场为场发射开启电场，则室温、200℃和250℃下该器件中ZnO纳米线的场发射开启电场分别为4.7V/μm、4.1V/μm和4.0V/μm。

请参阅图6，其是本发明的平板X射线源在不同温度下的辐射剂量率与电压的关系曲线。从图中可知，在特定电压下，随着平板X射线源中纳米线冷阴极的温度的升高，辐射剂量率越大。因此，可以通过调控纳米线冷阴极的温度，调节场发射电流及辐射剂量率，降低了平板X射线源电流调节的局限性，拓宽了平板X射线源的应用范围。

相对于现有技术，本发明的采用温度敏感的纳米线冷阴极的平板X射线源，通过控制纳米线冷阴极的温度，在不改变平板X射线源的阴极基板和阳极基板间距的情况下，实现对平板X射线源工作电压、电流和辐射剂量率的调控，降低了平板X射线源电流调节的局限性，拓宽了平板X射线源的应用范围。

本发明并不局限于上述实施方式，如果对本发明的各种改动或变形不脱离本发明的精神和范围，倘若这些改动和变形属于本发明的权利要求和等同技术范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变形。

采用温度敏感的纳米线冷阴极的平板X射线源及制备方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。