专利摘要
本发明公开了一种基于风车型缺陷的具有大的TM禁带的二维正方晶格光子晶体结构，包括高折射率的介质柱和低折射率的背景介质；光子晶体结构由高折射率介质柱按正方晶格排列成正方晶格光子晶体；正方晶格光子晶体的晶格常数为a；高折射率介质柱半径r为0.24a～0.3a；正方晶格光子晶体的缺陷结构是一个风车型的缺陷结构；正方晶格光子晶体缺陷结构的边长L为6a；每个扇翅离缺陷结构平行边缘的距离W为2(a‑r)；风车型的缺陷结构的扇翅向风车中心垂直平移的距离S为0～1a。本发明相对于简单缺陷结构具有非常大的TM禁带，当高折射率介质为硅，低折射率背景介质为空气，r＝0.27a，L＝6a，S＝0.66a，禁带宽度为0.05057，带隙率达到19.12％，禁带宽度增长了82.43％，可广泛应用于光通信器件中。
专利附图
一种基于风车型缺陷的具有大的TM禁带的二维正方晶格光子晶体结构专利购买费用说明
Q：办理专利转让的流程及所需资料
A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。
1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2：按规定缴纳著录项目变更手续费。
3：同时提交相关证明文件原件。
4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q：专利转让变更，多久能出结果
A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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