专利摘要
专利摘要
本发明公开了一种毫米波高温大发射面黑体源,包括有热源、室温源、室温源和热源切换系统,室温源和热源切换系统实现热源和室温源的切换;所述热源包括有热源基底、碳化硅涂层、多根加热棒、温控系统,热源基底表面有周期性金字塔状结构并被碳化硅涂层覆盖,多根加热棒均匀分布在热源基底的内部,热源基底的表面还埋设有热电偶,热电偶的信号输出端与温控系统的信号输入端连接,温控系统与多根加热棒控制连接。本发明的黑体源具有发射面大、频谱宽、升温快等特点;有效解决了毫米波探测系统的灵敏度测试及强度绝对标定欠缺标准强度源的问题。
权利要求
1.一种毫米波高温大发射面黑体源,其特征在于:包括有热源、室温源、室温源和热源切换系统,室温源和热源切换系统实现热源和室温源的切换;所述热源包括有热源基底、碳化硅涂层、多根加热棒、温控系统,热源基底表面有周期性金字塔状结构并被碳化硅涂层覆盖,多根加热棒均匀分布在热源基底的内部,热源基底的表面还埋设有热电偶,热电偶的信号输出端与温控系统的信号输入端连接,温控系统与多根加热棒控制连接;
所述热源基底采用不锈钢基底;所述室温源设在热源前端,由微波吸收材料构成;所述室温源和热源切换系统包括有齿条、齿轮、电机,齿条设在室温源的安装板下面,通过齿轮由电机驱动实现热源和室温源的切换。
说明书
技术领域
本发明涉及毫米波探测技术领域,具体为一种毫米波高温大发射面黑体源。
背景技术
毫米波技术在通信、雷达、制导、遥感技术、射电天文学等方面都有重大的意义;特别是近年来毫米波成像技术越来越受到重视,其具有穿透能力较强、能区分金属目标和周围环境、对人体没有不良影响等特点。毫米波探测系统的灵敏度测试及强度绝对标定离不开标准强度源,黑体源是一种重要的标准强度源。现有的空腔式黑体源发射面受到限制,无法满足毫米波成像技术的需求。毫米波面源黑体源的制作工艺和相关技术要复杂得多,国内在这方面还比较欠缺。主要涉及到如下几个方面:(1)如何保证面源黑体源表面温度的均匀性;(2)如何保证面源黑体源具有高的发射率,源的强度正比于发射率,高的发射率能够保证源的强度;(3)如何切换室温源和热源以便于标定测量系统。
发明内容
本发明专利的目的是解决毫米波面源黑体源的制作工艺和一些技术问题,提供一种毫米波高温大发射面黑体源。
为实现以上目的,本发明的技术方案是:
一种毫米波高温大发射面黑体源,其特征在于:包括有热源、室温源、室温源和热源切换系统,室温源和热源切换系统实现热源和室温源的切换;所述热源包括有热源基底、碳化硅涂层、多根加热棒、温控系统,热源基底表面有周期性金字塔状结构并被碳化硅涂层覆盖,使得入射光在金字塔状结构间被多次反射,从而保证了热源在毫米波频段具有很高的发射率,多根加热棒均匀分布在热源基底的内部,以保证热源表面温度的均匀性,温控系统可以精确控制热源的表面温度,热源基底的表面还埋设有热电偶,热电偶的信号输出端与温控系统的信号输入端连接,温控系统与多根加热棒控制连接。
所述的毫米波高温大发射面黑体源,其特征在于:所述热源基底采用不锈钢基底。
所述的毫米波高温大发射面黑体源,其特征在于:所述室温源设在热源前端,由微波吸收材料构成。
所述的毫米波高温大发射面黑体源,其特征在于:所述室温源和热源切换系统包括有齿条、齿轮、电机,齿条设在室温源的安装板下面,通过齿轮由电机驱动实现热源和室温源的切换。
本发明的优点是:
本发明的黑体源具有发射面大(20厘米×20厘米)、频谱宽(约80-500 GHz,对应波长为0.6-3.75 mm)、升温快(30分钟升温至600摄氏度)等特点;有效解决了毫米波探测系统的灵敏度测试及强度绝对标定欠缺标准强度源的问题。
附图说明
图1为本发明的实施示意图。
图2(a)为热源基底的正面局部图。
图2(b)为热源基底的侧面示意图。
具体实施方式
结合图1和图2,详细说明本发明专利的具体实施方式, 但不对本发明的权利要求作任何限定。
一种毫米波高温大发射面黑体源,包括有热源、室温源105、室温源和热源切换系统106,室温源和热源切换系统106实现热源和室温源105的切换;热源包括有热源基底101、碳化硅涂层102、12根加热棒103、温控系统104,热源基底101表面有周期性金字塔状结构并被碳化硅涂层102覆盖,使得入射光在金字塔状结构间被多次反射,从而保证了热源在毫米波频段具有很高的发射率,12根加热棒103均匀分布在热源基底101的内部,以保证热源表面温度的均匀性,温控系统104可以精确控制热源的表面温度,热源基底101的表面还埋设有热电偶,热电偶的信号输出端与温控系统104的信号输入端连接,温控系统104与多根加热棒103控制连接;室温源和热源切换系统106包括有齿条、齿轮、电机,齿条设在室温源的安装板下面,通过齿轮由电机驱动实现热源和室温源105的切换。热源基底101采用不锈钢基底。室温源105设在热源前端,由微波吸收材料构成。
一种毫米波高温大发射面黑体源专利购买费用说明
Q:办理专利转让的流程及所需资料
A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。
1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2:按规定缴纳著录项目变更手续费。
3:同时提交相关证明文件原件。
4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q:专利转让变更,多久能出结果
A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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