专利摘要

专利摘要

本发明属于衰减电阻的制备方法技术领域，具体涉及一种高可靠衰减电阻的制备方法，包括下列步骤：清洗杂质；生长介质层；利用掩膜版进行光刻；级联处图形化；刻蚀介质层；生长氮化钽；衰减电阻网络图形化；生长种子层；电镀共面波导；去除种子层。本发明提高了获取氮化钽π型网络图形的完整性以及共面波导与衰减电阻的衔接处成功率。有效避免了应制备氮化钽薄膜的不完整性造成的衰减性能不稳定和CPW与衰减电阻虚接造成的接触不良问题。可以将获得的π型衰减网络用于射频MEMS器件中。本发明用于衰减电阻的制备。

权利要求

1.一种高可靠衰减电阻的制备方法，其特征在于：包括下列步骤：

S1、先对BF33玻璃新片进行清洗表面的有机杂质将新片取出冷却至室温；

S2、配置碱性无机试剂对S1中的新片进行去除残留酸液的处理；清洗的次数达到5~10次，清洗后需用去离子水反复冲洗；

S3、配置盐酸、双氧水和水的混合溶液，加热溶液后，将S2中的玻璃片放入混合溶液中进行去除S2中残留碱液的处理，清洗完毕后，用氮气枪吹干玻璃片；

S4、将S3中的玻璃片利用PECVD生长一层氮化硅薄膜，作为介质层隔离信号的流失；

S5、将S4中长出氮化硅薄膜的玻璃片旋涂上光刻胶，经过前烘后，利用掩膜版把氮化钽电阻网络与之后需要电镀的信号线的连接处的图形图形化；

S6、将S5中光刻完成的玻璃片用显影液进行显影，显影过程中需要看光刻标记中的胖瘦标记是否有过显得表现；

S7、将S6中显影后的衬底利用O2 Plasma干法刻蚀对残胶进行清除；

S8、将S7中显影后的玻璃片利用RIE刻蚀掉氮化钽薄膜与信号线级联处的氮化硅薄膜；

S9、将S8中的玻璃片用磁控溅射的方式，溅射上一层氮化钽薄膜；

S10、将S9中溅射完的玻璃片进行剥离多余的氮化钽薄膜工艺；

S11、将S10中剥离后的带有氮化钽电阻的衬底利用O2 Plasma对残胶进行清除；

S12、将S11中的玻璃片利用磁控溅射在其表面生长一层Ti/Au种子层；

S13、将S12中的衬底匀上一层光刻胶，光刻显影后使CPW图形化，再利用电镀工艺在完成后的片子上电镀一层Au作为共面波导；

S14、最后，把不需要的种子层腐蚀后就得到在高频信号下使用的衰减电阻。

2.根据权利要求1所述的一种高可靠衰减电阻的制备方法，其特征在于：所述S1中BF33玻璃新片的厚度为500um。

3.根据权利要求1所述的一种高可靠衰减电阻的制备方法，其特征在于：所述S4中生长的一层氮化硅薄膜厚度为300nm。

4.根据权利要求1所述的一种高可靠衰减电阻的制备方法，其特征在于：所述S5中使用的光刻胶为负胶，所述负胶的型号为NR9-3000PY。

5.根据权利要求1所述的一种高可靠衰减电阻的制备方法，其特征在于：所述S9中氮化钽薄膜的厚度为60nm。

6.根据权利要求1所述的一种高可靠衰减电阻的制备方法，其特征在于：所述S12中溅射的Ti/Au种子层的厚度为50nm/150nm。

7.根据权利要求1所述的一种高可靠衰减电阻的制备方法，其特征在于：所述S13中共面波导的厚度为2um。

8.根据权利要求1所述的一种高可靠衰减电阻的制备方法，其特征在于：所述S14中腐蚀种子层的方法为：采用BOE、双氧水与去离子水的混合溶液腐蚀种子层，所述混合溶液的配比为1：1：80。

说明书

技术领域

本发明属于衰减电阻的制备方法技术领域，具体涉及一种高可靠衰减电阻的制备方法。

背景技术

近年来，各种优异性能的新材料出现在人们眼前，薄膜材料是相对于体材料而言的，是人们采用特殊的方法，在体材料的表面沉积或制备的厚度为0.1~0.3um的一层性质于体材料完全不同的物质层。它们有许多独特的微观结构和优异的物理、化学性能，这使得人们将他们广泛地应用在工业生产和科学技术的各个领域。薄膜材料自身也正向功能化、复合化、低维化发展，与此相适应的薄膜材料制备新工艺、新技术也层出不穷，薄膜材料已成为材料工业乃至整个社会可持续性发展的重要方向。

薄膜材料的种类繁多，应用范围广泛，若按大类来分，目前常用的电子薄膜有：超导薄膜、导电薄膜、电阻薄膜、半导体薄膜、介质薄膜、绝缘薄膜、钝化与保护薄膜、压电薄膜、铁电薄膜等。其中氮化钽薄膜具有优良的电学性能、稳定的化学性能以及热性能，如拥有较低的电阻温度系数（TCR），低的温度膨胀系数，对热循环不敏感等。因其的制备方法较多，可以根据需求制备体积微小的氮化钽薄膜来充当衰减电阻π型网络，将其运用到传输射频信号的器件中充当衰减单元。

生长一层完整的氮化钽电阻容易，但想要获取精确的衰减电阻图形却有一定难度，在获取该衰减单元的方法应该考虑其薄膜厚度，且CPW与氮化钽π型网络的级联处前后制备过程中不小心的话，容易造成两者虚接的现象。

发明内容

针对上述技术问题，提供了一种

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：

一种高可靠衰减电阻的制备方法，其特征在于：包括下列步骤：

S1、先对BF33玻璃新片进行清洗表面的有机杂质将新片取出冷却至室温；

S2、配置碱性无机试剂对S1中的新片进行去除残留酸液的处理；清洗的次数达到5~10次，清洗后需用去离子水反复冲洗；

S3、配置盐酸、双氧水和水的混合溶液，加热溶液后，将S2中的玻璃片放入混合溶液中进行去除S2中残留碱液的处理，清洗完毕后，用氮气枪吹干玻璃片；

S4、将S3中的玻璃片利用PECVD生长一层氮化硅薄膜，作为介质层隔离信号的流失；

S5、将S4中长出氮化硅薄膜的玻璃片旋涂上光刻胶，经过前烘后，利用掩膜版把氮化钽电阻网络与之后需要电镀的信号线的连接处的图形图形化；

S6、将S5中光刻完成的玻璃片用显影液进行显影，显影过程中需要看光刻标记中的胖瘦标记是否有过显得表现；

S7、将S6中显影后的衬底利用O₂ Plasma干法刻蚀对残胶进行清除；

S8、将S7中显影后的玻璃片利用RIE刻蚀掉氮化钽薄膜与信号线级联处的氮化硅薄膜；

S9、将S8中的玻璃片用磁控溅射的方式，溅射上一层氮化钽薄膜；

S10、将S9中溅射完的玻璃片进行剥离多余的氮化钽薄膜工艺；

S11、将S10中剥离后的带有氮化钽电阻的衬底利用O₂ Plasma对残胶进行清除；

S12、将S11中的玻璃片利用磁控溅射在其表面生长一层Ti/Au种子层；

S13、将S12中的衬底匀上一层光刻胶，光刻显影后使CPW图形化，再利用电镀工艺在完成后的片子上电镀一层Au作为共面波导；

S14、最后，把不需要的种子层腐蚀后就得到在高频信号下使用的衰减电阻。

所述S1中BF33玻璃新片的厚度为500um。

所述S4中生长的一层氮化硅薄膜厚度为300nm。

所述S5中使用的光刻胶为负胶，所述负胶的型号为NR9-3000PY。

所述S9中氮化钽薄膜的厚度为60nm。

所述S12中溅射的Ti/Au种子层的厚度为50nm/150nm。

所述S13中共面波导的厚度为2um。

所述S14中腐蚀种子层的方法为：采用BOE、双氧水与去离子水的混合溶液腐蚀种子层，所述混合溶液的配比为1：1：80。

本发明与现有技术相比，具有的有益效果是：

本发明提高了获取氮化钽π型网络图形的完整性以及共面波导与衰减电阻的衔接处成功率。有效避免了应制备氮化钽薄膜的不完整性造成的衰减性能不稳定和CPW与衰减电阻虚接造成的接触不良问题。可以将获得的π型衰减网络用于射频MEMS器件中。

附图说明

图1为本发明的工作流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

一种高可靠衰减电阻的制备方法，如图1所示，包括下列步骤：

S1、先对BF33玻璃新片进行清洗表面的有机杂质将新片取出冷却至室温，BF33玻璃新片的厚度为500um。

S2、配置碱性无机试剂对S1中的新片进行去除残留酸液的处理；清洗的次数达到5~10次，清洗后需用去离子水反复冲洗；

S3、配置盐酸、双氧水和水的混合溶液，加热溶液后，将S2中的玻璃片放入混合溶液中进行去除S2中残留碱液的处理，清洗完毕后，用氮气枪吹干玻璃片，清洗新片的目的在于避免新片表面的微小脏物对后续工艺的影响。

S4、将S3中的玻璃片利用PECVD生长一层氮化硅薄膜，作为介质层隔离信号的流失，生长的一层氮化硅薄膜厚度为300nm，其目的是避免高频信号外泄。

S5、将S4中长出氮化硅薄膜的玻璃片旋涂上光刻胶，光刻胶为负胶，负胶的型号为NR9-3000PY，该负胶在剥离氮化钽薄膜时易剥离。经过前烘后，利用掩膜版把氮化钽电阻网络与之后需要电镀的信号线的连接处的图形图形化。

S6、将S5中光刻完成的玻璃片用显影液进行显影，显影过程中需要看光刻标记中的胖瘦标记是否有过显得表现；

S7、将S6中显影后的衬底利用O₂ Plasma干法刻蚀对残胶进行清除；

S8、将S7中显影后的玻璃片利用RIE刻蚀掉氮化钽薄膜与信号线级联处的氮化硅薄膜，用RIE刻蚀氮化硅的目的在于使得露出的氮化钽电阻与共面波导级联，防止光刻时的误差造成的两者出现断开的现象。

S9、将S8中的玻璃片用磁控溅射的方式，溅射上一层氮化钽薄膜，氮化钽薄膜的厚度为60nm，由于其厚度较薄可采用负胶剥离的方式获取较为完整的电阻图形。

S10、将S9中溅射完的玻璃片进行剥离多余的氮化钽薄膜工艺；

S11、将S10中剥离后的带有氮化钽电阻的衬底利用O₂ Plasma对残胶进行清除；

S12、将S11中的玻璃片利用磁控溅射在其表面生长一层Ti/Au种子层，溅射的Ti/Au种子层的厚度为50nm/150nm，其作用是增加电镀时的附着性，且易于后面的去除。

S13、将S12中的衬底匀上一层光刻胶，光刻显影后使CPW图形化，再利用电镀工艺在完成后的片子上电镀一层Au作为共面波导，共面波导的厚度为2um。

S14、最后，把不需要的种子层腐蚀后就得到在高频信号下使用的衰减电阻，采用BOE、双氧水与去离子水的混合溶液腐蚀种子层，混合溶液的配比为1：1：80。

上面仅对本发明的较佳实施例作了详细说明，但是本发明并不限于上述实施例，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化，各种变化均应包含在本发明的保护范围之内。

一种高可靠衰减电阻的制备方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。