聚合物化合物和使用该聚合物化合物的聚合物发光器件

IPC分类号 : C08G61/00,C09K11/06

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CN200480036844.6

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专利摘要

一种聚合物化合物，其含有下式(1)的重复单元，该聚合物化合物可用作发光材料或者电荷输送材料，并且具有优异的耐热性、荧光强度等(其中，环A和环B各自独立地表示任选含有取代基的芳烃环，环A和环B中的至少一个是由多个稠合苯环构成的芳烃环，RW和RX各自独立地表示氢原子，烷基，烷氧基等，并且RW和RX可以相互结合形成环)。

权利要求

1、一种聚合物化合物，其含有下式(1)的重复单元：

(其中，环A和环B各自独立地表示任选含有取代基的芳烃环，环A和环B中的至少一个是由多个稠合苯环构成的芳烃环，两个连接键存在于环A和/或环B上，R_w和R_x各自独立地表示氢原子，烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳基烷氧基，芳基烷硫基，芳基烯基，芳基炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，卤素原子，酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酰亚胺基，一价杂环基，羧基，取代的羧基或氰基，并且R_w和R_x可以相互结合形成环)。

2、根据权利要求1的聚合物化合物，其中式(1)的重复单元是下式(2)的重复单元：

(其中，环A和环B各自独立地表示任选含有取代基的芳烃环，环A和环B中的至少一个是由多个稠合苯环构成的芳烃环，两个连接键存在于环A和/或环B上，并且环C表示烃环或杂环)。

3、根据权利要求1或2的聚合物化合物，其中环A中的芳烃环和环B中的芳烃环具有彼此不同的环结构。

4、根据权利要求1～3任何一项的聚合物化合物，其中数均分子量以聚苯乙烯计为10³～10⁸。

5、根据权利要求1～4任何一项的聚合物化合物，其中重均分子量以聚苯乙烯计为5×10⁴或更大。

6、根据权利要求5的聚合物化合物，其中重均分子量以聚苯乙烯计为10⁵或更大。

7、根据权利要求1～6任何一项的聚合物化合物，其中当芳烃环含有取代基时，取代基选自烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳基烷氧基，芳基烷硫基，芳基烯基，芳基炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，卤素原子，酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酰亚胺基，一价杂环基，羧基，取代的羧基或氰基。

8、根据权利要求1～7任何一项的聚合物化合物，其中环A和环B的组合是选自苯环，萘环，蒽环，并四苯环，并五苯环，芘环，菲环中的组合。

9、根据权利要求8的聚合物化合物，其中环A和环B的组合是选自苯环和萘环，苯环和蒽环，苯环和菲环，萘环和蒽环，萘环和菲环，蒽环和菲环的任一组合中的组合。

10、根据权利要求9的聚合物化合物，其中环A是苯环，并且环B是萘环。

11、根据权利要求10的聚合物化合物，其中所述式(1)的重复单元是下式(1-1)、(1-2)、(1-3)或(1-4)的结构：

(其中R_p1、R_q1、R_p2、R_q2、R_p3、R_q3、R_p4和R_q4各自独立地表示烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳基烷氧基，芳基烷硫基，芳基烯基，芳基炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，卤素原子，酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酰亚胺基，一价杂环基，羧基，取代的羧基或氰基；a表示0～3的整数，并且b表示0～5的整数；当存在多个R_p1、R_q1、R_p2、R_q2、R_p3、R_q3、R_p4和R_q4时，它们可以相同或不同；R_w1、R_x1、R_w2、R_x2、R_w3、R_x3、R_w4和R_x4各自独立地表示氢原子，烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳基烷氧基，芳基烷硫基，芳基烯基，芳基炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，卤素原子，酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酰亚胺基，一价杂环基，羧基，取代的羧基或氰基，并且R_w1和R_x1、R_w2和R_x2、R_w3和R_x3、R_w4和R_x4可以相互结合形成环)。

12、根据权利要求11的聚合物化合物，其中所述式(1)的重复单元是所述式(1-1)的结构，并且a＝b＝0。

13、根据权利要求11或12的聚合物化合物，其仅由所述式(1-1)、(1-2)、(1-3)和(1-4)的重复单元中的任何一种构成。

14、根据权利要求11的聚合物化合物，其包含所述式(1-1)、(1-2)、(1-3)和(1-4)的重复单元中的两种或更多种。

15、根据权利要求11～14任何一项的聚合物化合物，其中在所述式(1-1)、(1-2)、(1-3)和(1-4)的重复单元中，R_w1和R_x1、R_w2和R_x2、R_w3和R_x3、R_w4和R_x4分别相同。

16、根据权利要求11～15任何一项的聚合物化合物，其中R_w1、R_x1、R_w2、R_x2、R_w3、R_x3、R_w4和R_x4各自独立地表示芳基或芳烷基。

17、根据权利要求11的聚合物化合物，其中在所述式(1-1)、(1-2)、(1-3)和(1-4)中，a＝0并且b＝1。

18、根据权利要求17的聚合物化合物，其中所述的式(1-1)是下式(1-1-4)或(1-1-5)：

(其中，R_w1、R_x1和R_q1具有与上述相同的含义)。

19、根据权利要求18的聚合物化合物，其中在所述式(1-1-4)和(1-1-5)中，R_q1表示具有支链结构或环状结构的烷基。

20、根据权利要求1～19任何一项的聚合物化合物，其包含下式(31)、(32)和(33)的结构中的一种或多种：

(其中，环A和环B各自独立地表示任选含有取代基的芳烃环，环A中的芳烃环和环B中的芳烃环具有彼此不同的环结构，环A和环B上都存在一个连接键，R_w和R_x各自独立地表示氢原子，烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳基烷氧基，芳基烷硫基，芳基烯基，芳基炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，卤素原子，酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酰亚胺基，一价杂环基，羧基，取代的羧基或氰基，并且R_w和R_x可以相互结合形成环)。

21、根据权利要求20的聚合物化合物，其中环B表示由多个稠合苯环构成的芳烃环，环A中的芳烃环和环B中由多个稠合苯环构成的芳烃环具有彼此不同的环结构，包含所述式(31)的结构，并且所述式(32)中所示的B环-B环链基于聚合物化合物中含环B的所有链的比率为0.4或更低。

22、根据权利要求20或21的聚合物化合物，其中其是含有基于所有重复单元的比率为50mol％或更高的所述式(1)重复单元的聚合物，并且当与式(1)重复单元相邻的式(1)重复单元的比例用Q₁₁表示时，Q₁₁为25％或更高。

23、根据权利要求1～22任何一项的聚合物化合物，其还包含下式(3)、(4)、(5)或(6)的重复单元：

-Ar₁- (3)

-Ar₄-X₂- (5)

-X₃- (6)

(其中Ar₁、Ar₂、Ar₃和Ar₄各自独立地表示亚芳基、二价杂环基，或具有金属配位结构的二价基团；X₁、X₂和X₃各自独立地表示-CR₉＝CR₁₀-、-C＝C-、-N(R₁₁)-或-(SiR₁₂R₁₃)_m-；R₉和R₁₀各自独立地表示氢原子、烷基、芳基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基；R₁₁、R₁₂和R₁₃各自独立地表示氢原子、烷基、芳基、一价杂环基、芳基烷基或取代的氨基；ff表示1或2；m表示1至12的整数；当存在多个R₉、R₁₀、R₁₁、R₁₂和R₁₃时，它们可以相同或不同)。

24、根据权利要求23的聚合物化合物，其中所述式(3)中的重复单元是下式(7)、(8)、(9)、(10)、(11)或(12)的重复单元：

(其中，R₁₄表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基；n表示0至4的整数；当存在多个R₁₄时，它们可以相同或不同)；

(其中，R₁₅和R₁₆各自独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基；o和p各自独立地表示0至3的整数；当存在多个R₁₅和R₁₆时，它们可以相同或不同)；

(其中，R₁₇和R₂₀各自独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基；q和r各自独立地表示0至4的整数；R₁₈和R₁₉各自独立地表示氢原子、烷基、芳基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基；当存在多个R₁₇和R₂₀时，它们可以相同或不同)；

(其中，R₂₁表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基；s表示0至2的整数；Ar₁₃和Ar₁₄各自独立地表示亚芳基、二价杂环基，或具有金属配位结构的二价基团；ss和tt各自独立地表示0或1；X₄表示O、S、SO、SO₂、Se或Te；当存在多个R₂₁时，它们可以相同或不同)；

(其中，R₂₂和R₂₃各自独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基；t和u各自独立地表示0至4的整数；X₅表示O、S、SO₂、Se、Te、N-R₂₄或SiR₂₅R₂₆；X₆和X₇各自独立地表示N或C-R₂₇；R₂₄、R₂₅、R₂₆和R₂₇各自独立地表示氢原子、烷基、芳基、芳烷基或一价杂环基；当存在多个R₂₂、R₂₃和R₂₇时，它们可以相同或不同)；

(其中，R₂₈和R₃₃各自独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基；v和w各自独立地表示0至4的整数；R₂₉、R₃₀、R₃₁和R₃₂各自独立地表示氢原子、烷基、芳基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基；Ar₅表示亚芳基、二价杂环基，或具有金属配位结构的二价基团；当存在多个R₂₈和R₃₃时，它们可以相同或不同)。

25、根据权利要求23的聚合物化合物，其中所述式(4)的重复单元是下式(13)的重复单元：

(其中，Ar₆、Ar₇、Ar₈和Ar₉各自独立地表示亚芳基或者二价杂环基；Ar₁₀、Ar₁₁和Ar₁₂各自独立地表示芳基或者一价杂环基；Ar₆、Ar₇、Ar₈、Ar₉和Ar₁₀可以含有取代基；x和y各自独立地表示0或正整数)。

26、根据权利要求25的聚合物化合物，其中在所述式(13)的重复单元中，Ar₁₀、Ar₁₁和Ar₁₂各自独立地选自下式(13-1)的基团：

(其中，Re、Rf和Rg各自独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、甲硅烷氧基、取代的甲硅烷氧基、一价杂环基或卤素原子)。

27、根据权利要求25或26的聚合物化合物，其中在所述式(13)的重复单元中，x+y＝1。

28、根据权利要求25～27任何一项的聚合物化合物，其中所述化合物包含所述式(1)的重复单元和所述式(13)的重复单元中的每一个或者多个，这些重复单元的总和基于所有重复单元为50mol％或更高，并且式(1)重复单元的总和和式(13)重复单元的总和的摩尔比为98∶2～60∶40。

29、根据权利要求28的聚合物化合物，其中所述化合物包含1～3个所述式(13)的重复单元。

30、根据权利要求29的聚合物化合物，其中所述化合物包含一个所述式(1)的重复单元和1或2个所述式(13)的重复单元。

31、根据权利要求28～30任何一项的聚合物化合物，其中所述式(1)重复单元和所述式(13)重复单元的总和基于所有重复单元为90mol％或更高。

32、根据权利要求28～31任何一项的聚合物化合物，其中所述式(1)的重复单元是所述式(1-1)、(1-2)、(1-3)或(1-4)的重复单元。

33、根据权利要求32的聚合物化合物，其中所述式(1)的重复单元是所述式(1-1)或(1-2)的重复单元。

34、根据权利要求32的聚合物化合物，其中所述式(1)的重复单元是所述式(1-1)的重复单元，并且a＝b＝0。

35、根据权利要求25～34任何一项的聚合物化合物，其中在所述式(13)的重复单元中，y＝0并且x＝1。

36、根据权利要求25～34任何一项的聚合物化合物，其中在所述式(13)的重复单元中，y＝1并且x＝0。

37、根据权利要求25、26和28～34任何一项的聚合物化合物，其中在所述式(13)的重复单元中，y＝0并且x＝0。

38、根据权利要求25～35任何一项的聚合物化合物，其中在所述式(13)的重复单元中，Ar₇由下式(19-1)或(19-2)表示：

(其中，(19-1)和(19-2)的结构中含有的苯环可以各自独立地含有1～4个取代基；这些取代基可以彼此相同或不同；多个取代基还可以连接成环；此外，另一芳烃环或者杂环可以稠合到苯环上)。

39、根据权利要求25～38任何一项的聚合物化合物，其中其是含有所述式(13)的重复单元的共聚物，所述式(13)的重复单元基于所有重复单元的比率为15～50mol％，并且当与式(13)的重复单元相邻的式(13)的重复单元的比例用Q₂₂表示时，Q₂₂为15～50％或更高。

40、根据权利要求25～38任何一项的聚合物化合物，其中其包含所述的式(13)和下式(1-1)或(1-2)，并且当进一步结合到式(13)的式(13)的比例用Q₂₂表示，而结合到标*号的式(1-1)或式(1-2)上的式(13)的比例用Q_21N表示时，Q₂₂在15～50％范围内，并且Q_21N在20～40％范围内：

(其中，R_p1、R_q1、R_p2、R_q2、a、b、R_w1、R_x1、R_w2和R_x2表示与上述相同的含义)。

41、根据权利要求13的聚合物化合物，其中所述化合物仅由所述式(1-1)的重复单元构成。

42、根据权利要求41的聚合物化合物，其中所述式(1-1)的重复单元是下式(16)的重复单元：

43、根据权利要求41或42的聚合物化合物，其中GPC的积分曲线是单峰形的，并且分散度(重均分子量/数均分子量)大于等于1.5并且小于等于12。

44、根据权利要求38～40任何一项的聚合物化合物，其中所述化合物仅由所述式(16)的重复单元和下式(17)的重复单元构成：

45、根据权利要求25～40、44任何一项的聚合物化合物，其中GPC的积分曲线是双峰形的。

46、根据权利要求1～45任何一项的聚合物化合物，其中当所述式(1)的重复单元的比率为100mol％时，以0.1mol％或更高的比率含有下式(41)的支化结构：

(其中，环A、环B、R_w和R_x表示与上述相同的含义，并且三个连接键存在于环A和/或环B上)。

47、根据权利要求46的聚合物化合物，其中所述化合物含有下式(41-1)的重复单元，所述式(41-1)重复单元基于所述式(1)重复单元的比率为0.1mol％或更高：

(其中R_p1、R_q1、R_w1、R_x1、a和b表示与上述相同的含义)。

48、根据权利要求1～47任何一项的聚合物化合物，其中所述聚合物化合物的一个或多个分子链末端具有选自下列的端基：一价杂环基、一价芳族胺基、衍生自杂环配位金属配合物的一价基团和分子量为90或更高的芳基。

49、根据权利要求48的聚合物化合物，其中所述端基是稠环化合物基团。

50、根据权利要求48的聚合物化合物，其中所述端基是含有取代基的芳基。

51、一种制备根据权利要求1～50任何一项的聚合物化合物的方法，该方法包括使用式(14)的化合物：

(其中，R_y和R_z各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基，R_y和R_z可以彼此结合成环，Y_t和Y_u各自独立地表示与聚合有关的取代基，并且结合到环A和/或环B)作为一种原料并且将其聚合。

52、根据权利要求51的制备方法，其中式(14)是式(14-1)、(14-2)、(14-3)或(14-4)：

(其中，R_r1、R_s1、R_r2、R_s2、R_r3、R_s3、R_r4和R_s4各自独立地表示烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳基烷氧基，芳基烷硫基，芳基烯基，芳基炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，卤素原子，酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酰亚胺基，一价杂环基，羧基，取代的羧基或氰基；a表示0～3的整数，b表示0～5的整数，并且当存在多个R_r1、R_s1、R_r2、R_s2、R_r3、R_s3、R_r4和R_s4时，它们可以相同或不同；R_y1、R_z1、R_y2、R_z2、R_y3、R_z3、R_y4和R_z4各自独立地表示氢原子，烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳基烷氧基，芳基烷硫基，芳基烯基，芳基炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，卤素原子，酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酰亚胺基，一价杂环基，羧基，取代的羧基或氰基，并且R_y1和R_z1、R_y2和R_z2、R_y3和R_z3、R_y4和R_z4可以相互结合形成环；Y_t1、Y_u1、Y_t2、Y_u2、Y_t3、Y_u3、Y_t4和Y_u4各自独立地表示与聚合有关的取代基)。

53、根据权利要求51或52的制备方法，其中除了所述式(14)的化合物外，还使用下式(21)～(24)中任何一种的化合物作为原料并且聚合：

Y₅-Ar₁-Y₆ (21)

Y₉-Ar₄-X₂-Y₁₀ (23)

Y₁₁-X₃-Y₁₂ (24)

(其中，Ar₁、Ar₂、Ar₃、Ar₄、ff、X₁、X₂和X₃表示与上述相同的含义；Y₅、Y₆、Y₇、Y₈、Y₉、Y₁₀、Y₁₁和Y₁₂各自独立地表示与聚合有关的取代基)。

54、根据权利要求51～53任何一项的制备方法，其中除了所述式(14)、所述式(15-1)、所述式(21)～(24)的化合物外，还使用下式(25)和(27)的化合物作为原料并且聚合：

E₁-Y₁₃ (25)

E₂-Y₁₄ (27)

(其中E1和E2表示一价杂环基，含有取代基的芳基，或者一价芳族胺基，并且Y₁₃和Y₁₄各自独立地表示与聚合有关的取代基)。

55、根据权利要求51～54任何一项的制备方法，其中与聚合有关的取代基各自独立地选自卤素原子，烷基磺酸酯基，芳基磺酸酯基和芳烷基磺酸酯基，并且在镍零价配合物存在下进行聚合。

56、根据权利要求51～54任何一项的制备方法，其中与聚合有关的取代基各自独立地选自卤素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳烷基磺酸酯基、-B(OH)₂或硼酸酯基，负载在所有原料化合物上的卤素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基和芳烷基磺酸酯基的摩尔数总和与-B(OH)₂和硼酸酯基的摩尔数总和的比率基本上为1，并且使用镍或者钯催化剂进行聚合反应。

57、一种制备根据权利要求1～50任何一项的聚合物化合物的方法，该方法包括使用下式(14B)的化合物：

(其中R_y、R_z、Y_t和Y_u表示与上述相同的含义；c表示0或正整数，d表示0或正整数，并且3＝c+d＝6)作为一种原料并且将其聚合。

58、根据权利要求57的制备方法，其中所述式(14B)的化合物是下式(14-5)、(14-6)或(14-7)的化合物：

(其中R_r1、R_s1、R_r2、R_s2、R_r3、R_s3、R_r4、R_s4、R_y1、R_z1、R_y2、R_z2、R_y3、R_z3、R_y4、R_z4、Y_t1、Y_u1、Y_t3、Y_u3、Y_t4和Y_u4表示与上述相同的含义，a’表示0～4的整数，b’表示0～5的整数，c表示0～3的整数，d表示0～5的整数，a’+c＝4，b’+d＝6并且3＝c+d＝6；当存在多个R_r1、R_s1、R_r2、R_s2、R_r3、R_s3、R_r4、R_s4、R_y1、R_z1、Y_t1、Y_u1、Y_t3、Y_u3、Y_t4和Y_u4时，它们可以相同或不同)。

59、一种所述式(14B)的化合物。

60、一种下式(14C)的化合物：

(其中，环A、环B和环C表示与上述相同的含义；Y_t和Y_u表示与上述相同的含义；c表示0或正整数，d表示0或正整数，并且2＝c+d＝6)。

61、一种下式(14-1)、(14-2)、(14-3)或(14-4)的化合物：

62、一种下式(14-5)、(14-6)或(14-7)的化合物：

63、根据权利要求59～62任何一项的化合物，其中与聚合有关的取代基各自独立地选自卤素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基和芳烷基磺酸酯基。

64、一种所述式(14-1)、(14-3)或(14-4)的化合物，其中Y_t1、Y_u1、Y_t3、Y_u3、Y_t4和Y_u4表示溴原子。

65、根据权利要求64的化合物，其中所述式(14-1)、(14-3)或(14-4)中的a和b为0。

66、一种下式(14-8)的化合物：

(其中，R_y8和R_z8各自独立地表示氢原子，烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳基烷氧基，芳基烷硫基，芳基烯基，芳基炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，卤素原子，酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酰亚胺基，一价杂环基，羧基，取代的羧基或氰基，并且R_y8和R_z8可以相互结合形成环)。

67、一种制备权利要求64～66任何一项的化合物的方法，该方法包括用溴化试剂溴化下式(14-9)、(14-10)或(14-11)的化合物：

(其中，R_r1、R_s1、R_r3、R_s3、R_r4、R_s4、R_y1、R_z1、R_y3、R_z3、R_y4、R_z4，以及a和b具有与上述相同的含义；H表示氢原子)。

68、一种制备下式(2-1)的化合物的方法，该方法包括使下式(2-2)的化合物与金属化试剂反应以将X_L转化成M_L，然后使该化合物与下式(2-3)的化合物反应：

(其中，环A_L和环B_L各自独立地表示任选含有取代基的芳烃环，环A_L和环B_L中的至少一个是由多个稠合苯环构成的芳烃环，R_wL和R_xL各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基，并且R_wL和R_xL可以彼此结合成环；X_L表示溴原子或碘原子；M_L表示金属原子或其盐)。

69、根据权利要求57～62任何一项的化合物，其中与聚合有关的取代基各自独立地选自-B(OH)₂或硼酸酯基。

70、一种制备根据权利要求25～40、44～50任何一项的聚合物化合物的方法，该方法包括使用所述式(14)和下式(15-1)的化合物：

(其中，Ar₆、Ar₇、Ar₈和Ar₉各自独立地表示亚芳基或者二价杂环基；Ar₁₀、Ar₁₁和Ar₁₂各自独立地表示芳基或者一价杂环基；Ar₆、Ar₇、Ar₈、Ar₉和Ar₁₀可以含有取代基；x和y各自独立地表示0或1，x和y各自独立地表示0或正整数，并且Y₁₃和Y₁₄各自独立地表示与聚合有关的取代基)作为原料并且将它们聚合。

71、一种组合物，其包含选自空穴输送材料、电子输送材料和发光材料中的至少一种材料以及根据权利要求1～50任何一项的聚合物化合物。

72、一种聚合物组合物，其包含两种或多种含有所述式(1)重复单元的聚合物化合物，其中聚合物化合物的总和基于总量为50重量％或更高。

73、根据权利要求72的聚合物组合物，其包含至少一种仅由所述式(1)重复单元构成的聚合物化合物和至少一种含有比率为50mol％或更高的所述式(1)重复单元的共聚物。

74、根据权利要求72的聚合物组合物，其包含两种或更多种含有比率为50mol％或更高的所述式(1)重复单元的共聚物，其中所述共聚物还包含相互不同的重复单元。

75、根据权利要求72的聚合物组合物，其包含两种或更多种含有比率为50mol％或更高的所述式(1)重复单元的共聚物，其中所述共聚物由相同组合的重复单元构成，尽管其共聚比率相互不同。

76、根据权利要求72的聚合物组合物，其包含两种或多种仅由所述式(1)重复单元构成的聚合物化合物。

77、根据权利要求72～75任何一项的聚合物组合物，其中所述聚合物组合物中包含的至少一种聚合物化合物是含有比率为50mol％或更高的所述式(1)重复单元的共聚物，该共聚物还含有所述式(13)的重复单元，并且所述式(1)重复单元与所述式(13)重复单元的摩尔比率为99∶1～50∶50。

78、根据权利要求72、73或77的聚合物组合物，其包含至少一种仅由所述式(1)重复单元构成的聚合物化合物和至少一种含有比率为50mol％或更高的所述式(1)重复单元的共聚物，其中该共聚物含有所述式(1)的重复单元和所述式(13)的重复单元，并且所述式(1)重复单元与所述式(13)重复单元的摩尔比率为90∶10～50∶50。

79、根据权利要求72、74或75的聚合物组合物，其包含含有所述式(1)重复单元和所述式(13)重复单元的共聚物，其中所述式(1)重复单元与所述式(13)重复单元的摩尔比率为99∶1～90∶10，并且还包含含有所述式(1)重复单元和所述式(13)重复单元的共聚物，其中所述式(1)重复单元与所述式(13)重复单元的摩尔比率为80∶20～50∶50。

80、一种溶液，其包含根据权利要求1～50任何一项的聚合物化合物。

81、一种溶液，其包含根据权利要求71～79任何一项的聚合物组合物。

82、根据权利要求80或81的溶液，其包含两种或更多种的有机溶剂。

83、根据权利要求80～82任何一项的溶液，其包含有机溶剂，所述有机溶剂具有含有至少一个苯环的结构，并且熔点为0℃或更低，沸点为100℃或更高。

84、根据权利要求80～83任何一项的溶液，其包含选自茴香醚、二甲苯、环己基苯和联环己烷的至少一种有机溶剂。

85、根据权利要求80～84任何一项的溶液，其中具有最高沸点的溶剂的比率为40～90重量％。

86、根据权利要求80～85任何一项的溶液，其中溶液中的聚合物化合物的浓度为0.5～2.0重量％。

87、根据权利要求80～86任何一项的溶液，其包含仅由所述式(16)重复单元构成的聚合物化合物和由所述式(16)重复单元和所述式(17)重复单元构成的聚合物化合物。

88、根据权利要求80～87任何一项的溶液，其中25℃时的粘度为1～20mPa·s。

89、根据权利要求80～88任何一项的溶液，其还包含用于控制粘度和/或表面张力的添加剂。

90、根据权利要求80～89任何一项的溶液，其还包含抗氧化剂。

91、根据权利要求80～90任何一项的溶液，其中溶剂的溶度参数和聚合物化合物的溶度参数之间的差为10或更小。

92、一种发光薄膜，其包含根据权利要求1～50任何一项的聚合物化合物，或者根据权利要求71～79任何一项的聚合物组合物。

93、根据权利要求92的发光薄膜，其中发射的量子产额为50％或更高。

94、一种导电薄膜，其包含根据权利要求1～50任何一项的聚合物化合物，或者根据权利要求71～79任何一项的聚合物组合物。

95、根据权利要求94的导电薄膜，其中表面电阻为1KO/□或更小。

96、一种有机半导体薄膜，其包含根据权利要求1～50任何一项的聚合物化合物，或者根据权利要求71～79任何一项的聚合物组合物。

97、根据权利要求96的有机半导体薄膜，其中电子迁移率或空穴迁移率的较大值为10^-5cm²/V/s或更大。

98、一种有机晶体管，其包含根据权利要求96或97的有机半导体薄膜。

99、一种制备根据权利要求92～97任何一项的薄膜的方法，该方法包括使用喷墨方法。

100、一种聚合物发光器件，其在阳极和阴极之间包含有机层，其中所述有机层包含根据权利要求1～50任何一项的聚合物化合物，或者根据权利要求71～79任何一项的聚合物组合物。

101、根据权利要求100的聚合物发光器件，其中有机层是发光层。

102、根据权利要求101的聚合物发光器件，其中发光层还含有空穴输送材料、电子输送材料或发光材料。

103、根据权利要求100的聚合物发光器件，其中所述器件包含发光层和位于阳极和阴极之间的电荷输送层，其中电荷输送层包含根据权利要求1～50任何一项的聚合物化合物，或者根据权利要求71～79任何一项的聚合物组合物。

104、根据权利要求100的聚合物发光器件，其中所述器件包含发光层和位于阳极和阴极之间的电荷输送层，并且包含位于电荷输送层和电极之间的电荷注入层，其中电荷注入层包含根据权利要求1～50任何一项的聚合物化合物，或者根据权利要求71～79任何一项的聚合物组合物。

105、根据权利要求100～104任何一项的聚合物发光器件，其中当在阳极和阴极之间施加3.5V或更高的电压时的最大外量子产额为1％或更高。

106、一种薄板光源，其包含根据权利要求100～105任何一项的聚合物发光器件。

107、一种段式显示器，其包含根据权利要求100～105任何一项的聚合物发光器件。

108、一种点矩阵显示器，其包含根据权利要求100～105任何一项的聚合物发光器件。

109、一种液晶显示器，其包含作为背光的根据权利要求100～105任何一项的聚合物发光器件。

说明书

技术领域

本发明涉及一种聚合物化合物和使用该聚合物化合物的聚合物发光器件。

背景技术

与低分子量的发光材料和电荷输送材料不同，高分子量的发光材料和电荷输送材料可溶于溶剂中，并且可以通过涂布方法在发光器件中形成有机层，因此，得到多方面的研究。举例而言，已知有一种聚合物化合物，其具有含有稠合到一个环戊二烯环上的两个苯环作为重复单元的以下结构(例如，Advanced Materials 1999，vol.9，No.10，p.798，InternationalPublication No.99/54385小册子)。

但是，上述聚合物化合物的问题在于达不到必要的足够的耐热性、荧光强度等。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种可用作发光材料和电荷输送材料的并且具有优异的耐热性、荧光强度等的聚合物化合物。

本发明人进行了深入研究以解决上述问题，结果发现一种具有以下结构的聚合物化合物，该结构含有稠合到环戊二烯环上的两个芳烃环作为重复单元，其中至少一个芳烃环是含有多个稠合苯环的芳烃环，可用作发光材料和电荷输送材料，并且具有优异的耐热性、荧光强度等。从而完成了本发明。

即，本发明提供一种含有下式(1)重复单元的聚合物化合物：

(其中，环A和环B各自独立地表示任选含有取代基的芳烃环，环A和环B中的至少一个是由多个稠合苯环构成的芳烃环，两个连接键存在于环A和/或环B上，R_W和R_X各自独立地表示氢原子，烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳基烷氧基，芳基烷硫基，芳基烯基，芳基炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，卤素原子，酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酰亚胺基，一价杂环基，羧基，取代的羧基或氰基，并且R_W和R_X可以相互结合形成环)。

附图简述

图1是显示本发明正向交错型有机薄膜晶体管的示意性剖面图。

图2是显示本发明正向交错倾斜型有机薄膜晶体管的示意性剖面图。

图3是显示本发明反向交错型有机薄膜晶体管的示意性剖面图。

图4是显示本发明反向交错倾斜型有机薄膜晶体管的示意性剖面图。

图5显示了本发明实施例125中使用的有机薄膜晶体管的结构。

图6显示了本发明实施例125中使用的有机薄膜晶体管的ID-VDS性能。

实施本发明的最佳方式

本发明的聚合物化合物含有一个或多个上述式(1)的重复单元。

该式中，环A和环B各自独立地表示任选含有取代基的芳烃环，并且它们中的至少一个是由多个稠合苯环构成的芳烃环。在芳烃环上可以进一步稠合苯环以外的芳烃和/或非芳烃-基的稠环化合物。尽管本发明聚合物化合物中的环A中的芳烃环和环B中的芳烃环可以具有彼此相同或不同的环结构，但是从耐热性和荧光强度考虑，优选环A中的芳烃环和环B中的芳烃环具有彼此不同的环结构。

至于芳烃环，优选的是单个苯环或者含有多个稠合苯环的芳烃环，其实例包括芳烃环，例如苯环，萘环，蒽环，并四苯环，并五苯环，芘环，菲环等，并且优选提及的是苯环，萘环，蒽环和菲环。

至于环A和环B的组合，优选提及苯环和萘环、苯环和蒽环、苯环和菲环、萘环和蒽环、萘环和菲环、蒽环和菲环的组合，更优选苯环和萘环的组合。

环A中的芳烃环和环B中的芳烃环具有彼此不同的环结构是指当式(1)中的

表示为平面结构时，环A中的芳烃环和环B中的芳烃环相对于对称轴(虚线)是不对称的，所述对称轴连接结构式中心处的5-元环的峰和面对该峰的边的中点。

例如，当环A和环B都是萘环时，在以下情形中，环A和环B具有不同的环结构：

另一方面，即使环A和环B都是萘环，在以下情形中，环A和环B具有相同的环结构：

当芳烃环含有取代基时，从有机溶剂中的溶解度、元素性能、合成容易度等考虑，优选取代基选自烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳基烷氧基，芳基烷硫基，芳基烯基，芳基炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，卤素原子，酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酰亚胺基，一价杂环基，羧基，取代的羧基和氰基。

此处，烷基可以是直链、支链或环状烷基中的任何一种，其碳原子数通常约为1至20，并且优选3～20。其具体实例包括甲基、乙基、丙基、异-丙基、丁基、异-丁基、叔-丁基、戊基、异戊基、己基、环己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3，7-二甲基辛基、十二烷基、三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基等。为了耐热性和诸如有机溶剂中的溶解度、元素性能、合成容易度等的观点之间的平衡，优选戊基、异戊基、己基、辛基、2-乙基己基、癸基和3，7-二甲基辛基。

烷氧基可以是直链、支链或环状烷氧基中的任何一种，其碳原子数通常约为1至20，并且优选3～20。其具体实例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、异-丙氧基、丁氧基、异-丁氧基、叔-丁氧基、戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、十二烷氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己氧基、全氟辛氧基、甲氧基甲基氧基、2-甲氧基乙基氧基等。为了耐热性和诸如有机溶剂中的溶解度、元素性能、合成容易度等的观点之间的平衡，优选戊氧基、己氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、癸氧基和3，7-二甲基辛氧基。

烷硫基可以是直链、支链或环状烷硫基中的任何一种，其碳原子数通常为约1至20，并且优选3～20。其具体实例包括甲硫基、乙硫基、丙硫基、异-丙硫基、丁硫基、异-丁硫基、叔-丁硫基、戊硫基、己硫基、环己硫基、庚硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3，7-二甲基辛硫基、十二烷硫基、三氟甲硫基等，考虑到耐热性和诸如有机溶剂中的溶解度、元素性能、合成容易度等的观点之间的平衡，优选戊硫基、己硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、癸硫基和3，7-二甲基辛硫基。

芳基是通过从芳烃上除去一个氢原子而获得的芳族基团，并且还包括含有稠环的芳基，以及其中一个独立的苯环或者两个或更多个稠环是直接结合的或者是通过诸如亚乙烯基等的基团结合的芳基。芳基通常含有约6至60个碳原子，优选为7至48个碳原子，并且其具体实例包括苯基、C₁～C₁₂烷氧基苯基(C₁～C₁₂表示1至12个碳原子数，以下相同)、C₁～C₁₂烷基苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、五氟苯基等，并且考虑到有机溶剂中的溶解度、元素性能、合成容易度等，优选C₁～C₁₂烷氧基苯基和C₁～C₁₂烷基苯基。C₁～C₁₂烷氧基的具体实例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、十二烷氧基等。

C₁～C₁₂烷基苯基的具体实例包括甲基苯基、乙基苯基、二甲基苯基、丙基苯基、2，4，6-三甲基苯基、甲基乙基苯基、异丙基苯基、丁基苯基、异丁基苯基、叔丁基苯基、戊基苯基、异戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基、十二烷基苯基等。

芳氧基的碳原子数通常约为6至60，优选为7至48，并且其具体实例包括苯氧基、C₁～C₁₂烷氧基苯氧基、C₁～C₁₂烷基苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、五氟苯氧基等；并且考虑到有机溶剂中的溶解度、元素性能、合成容易度等，优选C₁～C₁₂烷氧基苯氧基和C₁～C₁₂烷基苯氧基。

C₁～C₁₂烷氧基的具体实例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、十二烷氧基等。

C₁-C₁₂烷基苯氧基的具体实例包括甲基苯氧基、乙基苯氧基、二甲基苯氧基、丙基苯氧基、1，3，5-三甲基苯氧基、甲基乙基苯氧基、异丙基苯氧基、丁基苯氧基、异丁基苯氧基、叔丁基苯氧基、戊基苯氧基、异戊基苯氧基、己基苯氧基、庚基苯氧基、辛基苯氧基、壬基苯氧基、癸基苯氧基、十二烷基苯氧基等。

芳硫基的碳原子数通常约为3至60，其具体实例包括苯硫基、C₁～C₁₂烷氧基苯硫基、C₁～C₁₂烷基苯硫基、1-萘硫基、2-萘硫基、五氟苯硫基等；并且考虑到有机溶剂中的溶解度、元素性能、合成容易度等，优选C₁～C₁₂烷氧基苯硫基和C₁～C₁₂烷基苯硫基。

芳基烷基的碳原子数通常约为7至60，优选为7至48，并且其具体实例包括苯基-C₁～C₁₂烷基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基、1-萘基-C₁～C₁₂烷基、2-萘基-C₁～C₁₂烷基等；并且考虑到有机溶剂中的溶解度、元素性能、合成容易度等，优选C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基和C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基。

芳基烷氧基的碳原子数通常约为7至60，优选为7至48，并且其具体实例包括：苯基-C₁～C₁₂烷氧基，如苯基甲氧基、苯基乙氧基、苯基丁氧基、苯基戊氧基、苯基己氧基、苯基庚氧基、苯基辛氧基等；C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷氧基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷氧基、1-萘基-C₁～C₁₂烷氧基、2-萘基-C₁～C₁₂烷氧基等；并且考虑到有机溶剂中的溶解度、元素性能、合成容易度等，优选C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷氧基和C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷氧基。

芳基烷硫基的碳原子数通常约为7至60，优选为7至48，并且其具体实例包括苯基-C₁～C₁₂烷硫基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷硫基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷硫基、1-萘基-C₁～C₁₂烷硫基、2-萘基-C₁～C₁₂烷硫基等；并且考虑到有机溶剂中的溶解度、元素性能、合成容易度等，优选C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷硫基和C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷硫基。

芳基烯基的碳原子数通常约为8至60，其具体实例包括：苯基-C₂～C₁₂烯基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂烯基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂烯基、1-萘基-C₂～C₁₂烯基、2-萘基-C₂～C₁₂烯基等；并且考虑到有机溶剂中的溶解度、元素性能、合成容易度等，优选C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂烯基和C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂烯基。

芳基炔基的碳原子数通常约为8至60，其具体实例包括：苯基-C₂～C₁₂炔基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂炔基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂炔基、1-萘基-C₂～C₁₂炔基、2-萘基-C₂～C₁₂炔基等；并且考虑到有机溶剂中的溶解度、元素性能、合成容易度等，优选C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂炔基和C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂炔基。

至于取代的氨基，提及的是被1个或2个选自烷基、芳基、芳烷基或一价杂环基中的基团取代的氨基，且所述的烷基、芳基、芳烷基或一价杂环基可以有取代基。取代的氨基通常含有约1至60个碳原子，优选2至48个碳原子，其中不包括所述取代基的碳原子数。

具体示例的是：甲基氨基、二甲基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、丙基氨基、二丙基氨基、异丙基氨基、二异丙基氨基、丁基氨基、异丁基氨基、叔丁基氨基、戊基氨基、己基氨基、环己基氨基、庚基氨基、辛基氨基、2-乙基己基氨基、壬基氨基、癸基氨基、3，7-二甲基辛基氨基、十二烷基氨基、环戊基氨基、二环戊基氨基、环己基氨基、二环己基氨基、吡咯烷基、哌啶基、二(三氟甲基)氨基、苯基氨基、二苯基氨基、C₁～C₁₂烷氧基苯基氨基、二(C₁～C₁₂烷氧基苯基)氨基、二(C₁～C₁₂烷基苯基)氨基、1-萘基氨基、2-萘基氨基、五氟苯基氨基、吡啶基氨基、哒嗪基氨基、嘧啶基氨基、吡唑基氨基(pyrazylamino group)、三唑基氨基(triazylaminogroup)、苯基-C₁～C₁₂烷基氨基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基氨基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基氨基、二(C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基)氨基、二(C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基)氨基、1-萘基-C₁～C₁₂烷基氨基、2-萘基-C₁～C₁₂烷基氨基等。

至于取代的甲硅烷基，是指被1个、2个或3个选自烷基、芳基、芳烷基或一价杂环基中的基团取代的甲硅烷基。取代的甲硅烷基通常含有约1至60个碳原子，优选3至48个碳原子。所述的烷基、芳基、芳烷基或一价杂环基可以有取代基。

其具体示例为：三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三丙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、二甲基-异丙基甲硅烷基、二乙基-异丙基甲硅烷基、叔丁基甲硅烷基二甲基甲硅烷基、戊基二甲基甲硅烷基、己基二甲基甲硅烷基、庚基二甲基甲硅烷基、辛基二甲基甲硅烷基、2-乙基己基-二甲基甲硅烷基、壬基二甲基甲硅烷基、癸基二甲基甲硅烷基、3，7-二甲基辛基-二甲基甲硅烷基、十二烷基二甲基甲硅烷基、苯基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、1-萘基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、2-萘基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、苯基-C₁～C₁₂烷基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、三-对-二甲苯基甲硅烷基、三苄基甲硅烷基、二苯基甲基甲硅烷基、叔丁基二苯基甲硅烷基、二甲基苯基甲硅烷基等。

酰基通常含有约2至20个碳原子，优选2至18个碳原子，并且其具体实例包括乙酰基、丙酰基、丁酰基、异丁酰基、新戊酰基、苯甲酰基、三氟乙酰基、五氟苯甲酰基等。至于卤素原子，示例的是氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。

酰氧基通常含有约2至20个碳原子，优选2至18个碳原子，并且其具体实例包括乙酰氧基、丙酰氧基、丁酰氧基、异丁酰氧基、新戊酰氧基、苯甲酰氧基、三氟乙酰氧基、五氟苯甲酰氧基等。

亚胺残基通常含有约2至20个碳原子，优选2至18个碳原子，其具体实例包括由下面结构式表示的基团等。

酰胺基通常含有约2至20个碳原子，优选2至18个碳原子，并且其具体实例包括甲酰胺基、乙酰胺基、丙酰胺基、丁酰胺基、苯甲酰胺基、三氟乙酰胺基、五氟苯甲酰胺基、二甲酰胺基、二乙酰胺基、二丙酰胺基、二丁酰胺基、二苯甲酰胺基、二(三氟乙)酰胺基、二(五氟苯)甲酰胺基等。

至于酰亚胺基，是指通过从酰亚胺中除去与氮原子连接的氢原子而获得的残基，其碳原子数为约4至20个，并且具体示例的是下面的基团等。

一价杂环基是指从杂环化合物中除去一个氢原子后留下的原子团，且碳原子数通常约为4至60，优选为4至20。杂环基的碳原子数中不包括取代基的碳原子数。此处，杂环化合物是指具有环状结构的有机化合物，其中环中所含的构成环的元素不仅包括碳原子，还包括诸如氧、硫、氮、磷、硼等的杂原子。具体示例的是噻吩基、C₁～C₁₂烷基噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、C₁～C₁₂烷基吡啶基、哌啶基、喹啉基、异喹啉基等；且优选噻吩基、C₁～C₁₂烷基噻吩基、吡啶基和C₁～C₁₂烷基吡啶基。

取代的羧基是指被烷基、芳基、芳烷基或一价杂环基取代的羧基，并且通常含有约2至60个碳原子，优选2至48个碳原子。其具体实例包括甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、异丙氧基羰基、丁氧基羰基、异丁氧基羰基、叔丁氧基羰基、戊氧基羰基、己氧基羰基、环己氧基羰基、庚氧基羰基、辛氧基羰基、2-乙基己氧基羰基、壬氧基羰基、癸氧基羰基、3，7-二甲基辛氧基羰基、十二烷氧基羰基、三氟甲氧基羰基、五氟乙氧基羰基、全氟丁氧基羰基、全氟己氧基羰基、全氟辛氧基羰基、苯氧基羰基、萘氧基羰基、吡啶氧基羰基等。所述烷基、芳基、芳烷基或一价杂环基可以含有取代基。取代的羧基的碳原子数中不包括所述取代基的碳原子数。

在式(1)中，R_W和R_X各自独立地表示氢原子，烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳基烷氧基，芳基烷硫基，芳基烯基，芳基炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，卤素原子，酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酰亚胺基，一价杂环基，羧基，取代的羧基或氰基，并且R_W和R_X可以相互结合形成环。

R_W和R_X表示的烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳基烷氧基，芳基烷硫基，芳基烯基，芳基炔基，取代的氨基，取代的甲硅烷基，卤素原子，酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酰亚胺基，一价杂环基和取代的羧基的定义和具体实例与芳烃环含有取代基时的取代基的定义和具体实例相同。

在上述式(1)的重复单元中，从热稳定性观点考虑，优选R_W和R_X相互结合成环。

至于这种情况下的上述式(1)的重复单元，提及的是，例如下式(2)的那些单元。

此处，环A和环B具有与上述相同的含义，并且环C表示烃环或杂环。

此处，在上述式(2)中，环C结构(下式2a)中作为环C一部分的一个碳原子通过单键被连接到环A和环B。

至于环C中的烃环，可以提及例如含有芳族环的烃环，其实例包括下式(2b)所示的结构。

(此处，环D和环E各自独立地表示任选含有取代基的芳烃环)。

至于烃环，还可提及脂族烃环，其实例包括下式(2c)所示的结构。

(此处，Xp、Xq和Xr各自独立地表示任选含有取代基的亚甲基，或者任选含有取代基的亚乙基。k表示0或正整数)。

烃环中含有的碳原子数为3或3以上，优选4～20。还可以使用与其它环合并的多环结构。更具体的示例为任选含有取代基的C₄～C₂₀环烷基环和C₄～C₂₀环烯基环。

至于杂环，示例的是通过用杂原子取代上述式(2b)和(2c)的环中含有的碳原子而获得的结构。更具体示例的是任选含有取代基的C₄～C₂₀杂环。

它们当中，考虑到薄膜条件下的所得化合物的荧光强度和在从蓝色至红色可见区中发射颜色的可控性，更优选任选含有取代基的C₄～C₂₀环烷基环和C₄～C₂₀环烯基环以及任选含有取代基的C₄～C₂₀杂环。

这些环可以被烷基、烷氧基、烷硫基、卤族原子等取代。此处，烷基包括甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基、环己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3，7-二甲基辛基、十二烷基、三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基等。烷氧基包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、十二烷氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己氧基、全氟辛氧基、甲氧基甲基氧基、2-甲氧基乙基氧基等。烷硫基包括甲硫基、乙硫基、丙硫基、异丙硫基、丁硫基、异丁硫基、叔丁硫基、戊硫基、己硫基、环己硫基、庚硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3，7-二甲基辛硫基、十二烷硫基、三氟甲硫基等。卤素原子包括氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。

至于环烷基环，示例的是环丁烷，环戊烷，环己烷，环庚烷，环辛烷，环壬烷，环癸烷，环十一烷，环十二烷，环十三烷，环十四烷，环十五烷，环十六烷，环十五烷，环十八烷，环十九烷，环十五烷，环二十烷，双环，金刚烷环等。

环烯基环还包括那些含有两个双键的环烯基环，其具体实例包括环己烯环，环己二烯环，环庚烯环，环十六烯环，环辛三烯环等。

杂环的示例为四氢呋喃环，四氢噻吩环，四氢吲哚环，四氢吡喃环，六氢吡啶环，四氢硫代吡喃环，oxocane环，四氢喹啉环，四氢异喹啉环，冠醚等。

从元件的荧光强度和发光效率考虑，优选R_W和R_X形成碳原子和其它元素的总数为5～20的环。

式(1)重复单元的具体实例包括以下单元(1A-1～1A-64、1B-1～1B-64、1C-1～1C-64、1D-1～1D-18)，并且这些单元含有诸如烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳基烷氧基，芳基烷硫基，芳基烯基，芳基炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，卤素原子，酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酰亚胺基，一价杂环基，羧基，取代的羧基或氰基等的取代基。

在下列化学式中，芳烃环上的连接键可以存在于任何位置。

(其中，R_W和R_X表示与上述相同的含义)。

在上述式(1)的重复单元中，从耐热性、荧光强度等考虑，优选一个连接键存在于环A上并且一个连接键存在于环B上，更优选环A和环B各自由苯环和萘环的组合构成。

它们当中，优选下式(1-1)和(1-2)的重复单元和下式(1-3)和(1-4)的重复单元。

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