专利摘要

本实用新型提供了一种可连续进样生长过渡金属硫属化合物晶体的实验装置，包含反应腔体，所述反应腔体分为左右两部分，左边为低温区，右边为高温区，所述反应腔体低温区固定有格子支架，所述格子支架将反应腔体分成若干独立空间，所述格子支架上放置有内管，所述内管中承载有反应前驱体，所述内管左端通过推动杆连接有磁性移动器，所述内管可在格子支架上左右移动。将反应腔体用格子支架分割成多个独立空间，每个独立空间都放置承载有反应前驱体的内管，通过分批次将内管中的反应前驱体移动至高温区，达到不打开反应腔体即可连续装配前驱体的目的，保证了化学气相沉积法生长构成异质结的良好性能。

权利要求

1.一种可连续进样生长过渡金属硫属化合物晶体的实验装置，包含反应腔体，其特征在于所述反应腔体分为左右两部分，左边为低温区，右边为高温区，所述反应腔体低温区固定有格子支架，所述格子支架将反应腔体分成若干独立空间，所述格子支架上放置有内管，所述内管中承载有反应前驱体，所述内管左端通过推动杆固定连接有磁性移动器，所述内管可在格子支架上左右移动。

2.根据权利要求1所述的一种可连续进样生长过渡金属硫属化合物晶体的实验装置，其特征在于所述磁性移动器为永久磁铁。

3.根据权利要求2所述的一种可连续进样生长过渡金属硫属化合物晶体的实验装置，其特征在于所述磁性移动器靠近所述反应腔体内壁，所述反应腔体外壁通过外置磁铁与所述磁性移动器吸引。

4.根据权利要求1所述的一种可连续进样生长过渡金属硫属化合物晶体的实验装置，其特征在于所述反应腔体中由左往右持续通入载气。

5.根据权利要求4所述的一种可连续进样生长过渡金属硫属化合物晶体的实验装置，其特征在于所述载气为氩气或者氦气等惰性气体。

6.根据权利要求1所述的一种可连续进样生长过渡金属硫属化合物晶体的实验装置，其特征在于所述反应腔体高温区内设有基片，所述反应腔体高温区外围连接有加热装置。

7.根据权利要求1所述的一种可连续进样生长过渡金属硫属化合物晶体的实验装置，其特征在于所述反应腔体和所述格子支架为石英或者陶瓷材质。

8.根据权利要求1所述的一种可连续进样生长过渡金属硫属化合物晶体的实验装置，其特征在于所述内管由刚性且耐高温材料石英、刚玉或氧化锆加工而成。

说明书

技术领域

本实用新型属于化学气相沉积技术领域，具体涉及一种可连续进样生长过渡金属硫属化合物晶体的实验装置。

背景技术

二维过渡金属硫属化合物晶体由于具有优越的物理和化学特性，在场效应管、光电器件、锂离子电池以及光催化等领域有着良好的应用前景，其相互构成异质结形成器件也具有深远的科学研究和应用价值。然而，在化学气相沉积法生长构成异质结器件时，需要打开反应腔体再次装配前驱体进行反应，这将给异质结在形成时带来不同环境的影响，第一次生长的材料界面会被暴露在大气中，从而带来不利于材料表面的灰尘和一些纳米粒子的污染，从而影响二次形成异质结时的生长和构成器件的性能，尤其是光电性能。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是针对以上实际存在的问题，提供一种可连续进样生长过渡金属硫属化合物晶体的实验装置，该装置可在不打开反应腔体的情况下持续的装配反应前驱体，保证化学气相沉积法生长构成异质结的良好性能。

为解决上述技术问题，本实用新型采用了如下技术方案：一种可连续进样生长过渡金属硫属化合物晶体的实验装置，包含反应腔体，所述反应腔体分为左右两部分，左边为低温区，右边为高温区，所述反应腔体低温区固定有格子支架，所述格子支架将反应腔体分成若干独立空间，所述格子支架上放置有内管，所述内管中承载有反应前驱体，所述内管左端通过推动杆固定连接有磁性移动器，所述内管可在格子支架上左右移动。

优选的，所述磁性移动器为永久磁铁。

优选的，所述磁性移动器靠近所述反应腔体内壁，所述反应腔体外壁通过外置磁铁与所述磁性移动器吸引。

优选的，所述反应腔体中由左往右持续通入载气。

优选的，所述载气为氩气或者氦气等惰性气体。

优选的，所述反应腔体高温区内设有基片，所述反应腔体高温区外围连接有加热装置。

优选的，所述反应腔体和所述格子支架为石英或者陶瓷材质。

优选的，所述内管由刚性且耐高温材料石英、刚玉或氧化锆加工而成。

与现有技术相比，本实用新型将反应腔体用格子支架分割成多个独立空间，每个独立空间都放置承载有反应前驱体的内管，通过分批次将内管中的反应前驱体移动至高温区，达到不打开反应腔体即可连续装配前驱体的目的，保证了化学气相沉积法生长构成异质结的良好性能。格子支架、反应腔体和内管均是非磁性材料制作而成，通过外置磁铁吸引内管前端的磁性移动器移动时，不会受到影响。

附图说明

图1为本实用新型所用实验装置的整体结构示意图；

图2为本实用新型反应腔体中的格子支架结构示意图；

图3为本实用新型内管和连接内管一端的磁性移动器的结构示意图。

图示说明：1-格子支架，2-磁性移动器，3-推动杆，4-内管，5-反应前驱体，6-基片，7-加热装置，8-反应腔体。

具体实施方式

下面结合附图，对本实用新型作进一步地说明。

如图1所示，一种可连续进样生长过渡金属硫属化合物晶体的实验装置，包含反应腔体(8)，反应腔体(8)分为左右两部分，左边为低温区，右边为高温区，反应腔体(8)低温区固定有格子支架(1)，反应腔体(8)和格子支架(1)为石英或者陶瓷材质。格子支架(1)将反应腔体分成若干独立空间，格子支架(1)上放置有内管(4)，内管(4)由刚性且耐高温材料石英、刚玉或氧化锆加工而成。内管(4)中承载有反应前驱体(5)，内管左端通过推动杆(3)固定连接有磁性移动器(2)，比如永久磁铁，磁性移动器(2)靠近反应腔体(8)内壁，反应腔体(8)外壁通过外置磁铁与磁性移动器吸引。通过移动外置磁铁带动内管(4)在格子支架(1)上左右移动。反应腔体(8)高温区内设有基片(6)，反应腔体(8)高温区外围连接有加热装置(7)，反应腔体(8)中由左往右持续通入氩气或者氦气等惰性气体作为载气。磁性移动器(2)固定在推动杆(3)的一端，推动杆(3)的另一端置于内管(4)的低温端，用于推动内管(4)进入高温区进行化学反应，待一种反应结束后，再通过磁性移动器(2)推动需要移动的内管(4)进入反应区域进行需要的化学反应，从而达到二维晶体持续长大或形成异质结的目的。

以上所述仅表达了本实用新型的优选实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形、改进及替代，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

一种可连续进样生长过渡金属硫属化合物晶体的实验装置专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。