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一种采用沉淀煅烧法制备纳米Bi2Zr2O7粉体的方法

一种采用沉淀煅烧法制备纳米Bi2Zr2O7粉体的方法

IPC分类号 : C01G25/00,B82Y30/00

申请号
CN201610247803.6
可选规格
  • 专利类型: 发明专利
  • 法律状态: 有权
  • 申请日: 2016-04-20
  • 公开号: 105923650A
  • 公开日: 2016-09-07
  • 主分类号: C01G25/00
  • 专利权人: 陕西科技大学

专利摘要

本发明公开了一种采用沉淀煅烧法制备纳米Bi2Zr2O7粉体的方法,属于材料制备技术领域。包括以下步骤:1)取Bi(NO3)3·5H2O和Zr(NO3)4·5H2O;2)用浓硝酸溶解Bi(NO3)3·5H2O,用去离子水溶解Zr(NO3)4·5H2O,然后将分别溶解得到的两种溶液混合,制得前驱液A;3)调节将前驱液A的pH值,充分搅拌均匀,得到沉淀液B,抽滤,制得白色沉淀C;4)将白色沉淀C干燥后,制得块体,将块体充分研磨,得到粉体D;5)将粉体D热处理,制得纳米Bi2Zr2O7粉体。该方法不仅工艺简单,操作方便,而且在沉淀过程中更易实现原子级均匀混合,有利于促进材料的低温合成,制备周期短,成本低,因此具有广阔的发展前景。经本发明方法能够制得尺寸均匀的Bi2Zr2O7纳米材料,且粒径小,结晶度好。

权利要求

1.一种采用沉淀煅烧法制备纳米Bi2Zr2O7粉体的方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)按Bi(NO3)3·5H2O:Zr(NO3)4·5H2O=1:1的摩尔比,取Bi(NO3)3·5H2O和Zr(NO3)4·5H2O;

2)用浓硝酸溶解Bi(NO3)3·5H2O,用去离子水溶解Zr(NO3)4·5H2O,然后将分别溶解得到的两种溶液混合,制得Bi3+浓度为0.025~0.05mol/L的前驱液A;

3)调节将前驱液A的pH值至4.0~10.0,充分搅拌均匀,得到沉淀液B,抽滤,制得白色沉淀C;

4)将白色沉淀C干燥后,制得块体,将块体充分研磨,得到粉体D;

5)将粉体D于500~800℃下,热处理2~10h,制得纳米Bi2Zr2O7粉体。

2.根据权利要求1所述的采用沉淀煅烧法制备纳米Bi2Zr2O7粉体的方法,其特征在于,步骤2)是将前驱液A置于磁力搅拌器上,用浓氨水调节pH值,且调节过程中不断产生白色沉淀。

3.根据权利要求1所述的采用沉淀煅烧法制备纳米Bi2Zr2O7粉体的方法,其特征在于,步骤2)充分搅拌均匀的时间为2~4h。

4.根据权利要求1所述的采用沉淀煅烧法制备纳米Bi2Zr2O7粉体的方法,其特征在于,步骤4)所述干燥是将白色沉淀C置于恒温干燥箱中,在60~100℃下,干燥5~12h。

5.根据权利要求1所述的采用沉淀煅烧法制备纳米Bi2Zr2O7粉体的方法,其特征在于,步骤4)所述充分研磨,是将块体置于玛瑙研钵中,充分研磨5~20min。

6.根据权利要求1所述的采用沉淀煅烧法制备纳米Bi2Zr2O7粉体的方法,其特征在于,步骤5)是将粉体D放入坩埚中,然后置于马弗炉中进行热处理。

说明书

技术领域

本发明属于材料制备技术领域,具体涉及一种采用沉淀煅烧法制备纳米Bi2Zr2O7粉体的方法。

背景技术

锆酸铋(Bi2Zr2O7)属于烧绿石型金属复合氧化物。它是一类具有离子导电性、铁电铁磁、光催化性等多种性能的新型无机复合材料。[曾伟伟,肖彩梅,陈红霞.烧绿石型复合氧化物的制备及其光催化性能[J].化工中间体,2011,(4):32-35.]。典型的烧绿石型结构的通式为A2B2O7,(其中A、B分别为+3价和+4价阳离子),属于立方面心晶系,属于Fd3m空间群,这种结构可以认为是由两种不同半径的阳离子(A3+、B4+)和1/8阴离子空位组成的萤石型结构[Erickson E E,Gray D,Taylor K,et al.Synthesis,structure and dielectric characterization of Ln2Ti2-2xM2xO7(Ln=Gd,Er;M=Zr,Sn,Si)[J].Materials Research Bulletin,2002,37:2077-2083]。作为烧绿石型复合氧化物,锆酸铋(Bi2Zr2O7)因其具有较宽的禁带宽度(2.59~2.9eV),是一种具有发展潜力的可见光响应型光催化剂。

目前,烧绿石型复合材料的制备方法有气相法、固相法和液相法。而对于锆酸铋(Bi2Zr2O7)的研究还处于初级阶段,有关其制备方法,也鲜有报道。沉淀煅烧法属于固相法的一种。如Deyong Wu等[D.Wu,T.He,J.Xia,Y.Tan.Preparation and photocatalytic properties of Bi2Zr2O7photocatalyst[J].Material Letters,156(2015):195-197.]以Bi(NO3)3·5H2O和Zr(NO3)4·5H2O为原料,第一阶段采用水热法,制得前驱体沉淀物,经洗涤、干燥、研磨,在600℃条件下煅烧4小时,制得Bi2Zr2O7目标产物。但该方法制备过程复杂,耗能高,周期长。

发明内容

为了克服上述现有技术存在的缺陷,本发明的目的在于提供一种采用沉淀煅烧法制备纳米Bi2Zr2O7粉体的方法,该方法操作过程简单,周期短,耗能低。

本发明是通过以下技术方案来实现:

一种采用沉淀煅烧法制备纳米Bi2Zr2O7粉体的方法,包括以下步骤:

1)按Bi(NO3)3·5H2O:Zr(NO3)4·5H2O=1:1的摩尔比,取Bi(NO3)3·5H2O和Zr(NO3)4·5H2O;

2)用浓硝酸溶解Bi(NO3)3·5H2O,用去离子水溶解Zr(NO3)4·5H2O,然后将分别溶解得到的两种溶液混合,制得Bi3+浓度为0.025~0.05mol/L的前驱液A;;

3)调节将前驱液A的pH值至4.0~10.0,充分搅拌均匀,得到沉淀液B,抽滤,制得白色沉淀C;

4)将白色沉淀C干燥后,制得块体,将块体充分研磨,得到粉体D;

5)将粉体D于500~800℃下,热处理2~10h,制得纳米Bi2Zr2O7粉体。

步骤2)是将前驱液A置于磁力搅拌器上,用浓氨水调节pH值,且调节过程中不断产生白色沉淀。

步骤2)充分搅拌均匀的时间为2~4h。

步骤4)所述干燥是将白色沉淀C置于恒温干燥箱中,在60~100℃下进行干燥。

步骤4)所述充分研磨,是将块体置于玛瑙研钵中,充分研磨5~20min。

步骤5)是将粉体D放入坩埚中,然后置于马弗炉中进行热处理。

与现有技术相比,本发明具有以下有益的技术效果:

本发明采用沉淀煅烧法制备Bi2Zr2O7纳米材料,采用沉淀法通过加入相应的沉淀剂,可使两种沉淀缓慢均匀的从溶液中析出,再经过后期煅烧,获得尺寸均匀的目标产物。该方法不仅工艺简单,操作方便,而且在沉淀过程中更易实现原子级均匀混合,有利于促进材料的低温合成,制备周期短,成本低,因此具有广阔的发展前景。经本发明方法能够制得尺寸均匀的Bi2Zr2O7纳米材料,且粒径小,结晶度好。

附图说明

图1为本发明在实例3的条件下制得的Bi2Zr2O7的X射线衍射(XRD)图谱;

图2为本发明在实例3条件下所制备的Bi2Zr2O7纳米材料的扫描电镜(SEM)照片;其中,(a)为10万放大倍率下Bi2Zr2O7纳米材料的SEM图;(b)为18万放大倍率下Bi2Zr2O7纳米材料的SEM图。

具体实施方式

下面结合具体的实施例对本发明做进一步的详细说明,所述是对本发明的解释而不是限定。

实施例1

一种采用沉淀煅烧法制备纳米Bi2Zr2O7粉体的方法,包括以下步骤:

1)按摩尔比例Bi(NO3)3·5H2O:Zr(NO3)4·5H2O=1:1分别称取分析纯的Bi(NO3)3·5H2O和Zr(NO3)4·5H2O于烧杯中,用浓硝酸溶解Bi(NO3)3·5H2O,用去离子水溶解Zr(NO3)4·5H2O。分别搅拌一定的时间后将两者混合,配制Bi3+浓度为0.025mol/L的前驱液A。

2)将所得前驱液A置于磁力搅拌器上,缓慢滴加浓氨水调节其pH=10.00,在调节过程中不断有白色沉淀产生,搅拌2h,使其充分混合均匀,获得沉淀液B。

3)利用抽滤的手段将沉淀液B中沉淀与杂质分离洗出,获得白色沉淀C。

4)将所得的白色沉淀C置于恒温干燥箱中,控制温度在60℃,干燥12h。将干燥后获得的块体置于玛瑙研钵中充分研磨10min,获得粉体D。

5)将获得的粉体D放入坩埚,置于马弗炉中,于500℃温度下,热处理8h,最终即可得到纳米尺寸的Bi2Zr2O7粉体。

实施例2

一种采用沉淀煅烧法制备纳米Bi2Zr2O7粉体的方法,包括以下步骤:

1)按摩尔比例Bi(NO3)3·5H2O:Zr(NO3)4·5H2O=1:1分别称取分析纯的Bi(NO3)3·5H2O和Zr(NO3)4·5H2O于烧杯中,用浓硝酸溶解Bi(NO3)3·5H2O,用去离子水溶解Zr(NO3)4·5H2O。分别搅拌一定的时间后将两者混合,配制Bi3+浓度为0.03mol/L的前驱液A。

2)将所得前驱液A置于磁力搅拌器上,缓慢滴加浓氨水调节其pH=10.00,在调节过程中不断有白色沉淀产生,搅拌2h,使其充分混合均匀,获得沉淀液B。

3)利用抽滤的手段将沉淀液B中沉淀与杂质分离洗出,获得白色沉淀C。

4)将所得的白色沉淀C置于恒温干燥箱中,控制温度在70℃,干燥10h。将干燥后获得的块体置于玛瑙研钵中充分研磨15min,获得粉体D。

5)将获得的粉体D放入坩埚,置于马弗炉中,于600℃温度下,热处理6h,最终即可得到纳米尺寸的Bi2Zr2O7粉体。

实施例3

一种采用沉淀煅烧法制备纳米Bi2Zr2O7粉体的方法,包括以下步骤:

1)按摩尔比例Bi(NO3)3·5H2O:Zr(NO3)4·5H2O=1:1分别称取分析纯的Bi(NO3)3·5H2O和Zr(NO3)4·5H2O于烧杯中,用浓硝酸溶解Bi(NO3)3·5H2O,用去离子水溶解Zr(NO3)4·5H2O。分别搅拌一定的时间后将两者混合,配制Bi3+浓度为0.05mol/L的前驱液A。

2)将所得前驱液A置于磁力搅拌器上,缓慢滴加浓氨水调节其pH=7.00,在调节过程中不断有白色沉淀产生,搅拌3h,使其充分混合均匀,获得沉淀液B。

3)利用抽滤的手段将沉淀液B中沉淀与杂质分离洗出,获得白色沉淀C。

4)将所得的白色沉淀C置于恒温干燥箱中,控制温度在80℃,干燥8h。将干燥后获得的块体置于玛瑙研钵中充分研磨5min,获得粉体D。

5)将获得的粉体D放入坩埚,置于马弗炉中,于600℃温度下,热处理10h,最终即可得到纳米尺寸的Bi2Zr2O7粉体。

本实施例制得的Bi2Zr2O7纳米材料的X射线衍射(XRD)图谱参见图1,从图中可以看出,本发明在低温条件下可以制备出纯相的Bi2Zr2O7

参见图2,其中,(a)为10万放大倍率下Bi2Zr2O7纳米材料的SEM图;(b)为18万放大倍率下Bi2Zr2O7纳米材料的SEM图。从图2可以看出,采用沉淀煅烧法制备Bi2Zr2O7颗粒尺寸在20~30nm之间。

实施例4

一种采用沉淀煅烧法制备纳米Bi2Zr2O7粉体的方法,包括以下步骤:

1)按摩尔比例Bi(NO3)3·5H2O:Zr(NO3)4·5H2O=1:1分别称取分析纯的Bi(NO3)3·5H2O和Zr(NO3)4·5H2O于烧杯中,用浓硝酸溶解Bi(NO3)3·5H2O,用去离子水溶解Zr(NO3)4·5H2O。分别搅拌一定的时间后将两者混合,配制Bi3+浓度为0.025mol/L的前驱液A。

2)将所得前驱液A置于磁力搅拌器上,缓慢滴加浓氨水调节其pH=7.00,在调节过程中不断有白色沉淀产生,搅拌3h,使其充分混合均匀,获得沉淀液B。

3)利用抽滤的手段将沉淀液B中沉淀与杂质分离洗出,获得白色沉淀C。

4)将所得的白色沉淀C置于恒温干燥箱中,控制温度在90℃,干燥7h。将干燥后获得的块体置于玛瑙研钵中充分研磨20min,获得粉体D。

5)将获得的粉体D放入坩埚,置于马弗炉中,于700℃温度下,热处理4h,最终即可得到纳米尺寸的Bi2Zr2O7粉体。

实施例5

一种采用沉淀煅烧法制备纳米Bi2Zr2O7粉体的方法,包括以下步骤:

1)按摩尔比例Bi(NO3)3·5H2O:Zr(NO3)4·5H2O=1:1分别称取分析纯的Bi(NO3)3·5H2O和Zr(NO3)4·5H2O于烧杯中,用浓硝酸溶解Bi(NO3)3·5H2O,用去离子水溶解Zr(NO3)4·5H2O。分别搅拌一定的时间后将两者混合,配制Bi3+浓度为0.04mol/L的前驱液A。

2)将所得前驱液A置于磁力搅拌器上,缓慢滴加浓氨水调节其pH=4.00,在调节过程中不断有白色沉淀产生,搅拌4h,使其充分混合均匀,获得沉淀液B。

3)利用抽滤的手段将沉淀液B中沉淀与杂质分离洗出,获得白色沉淀C。

4)将所得的白色沉淀C置于恒温干燥箱中,控制温度在100℃,干燥5h。将干燥后获得的块体置于玛瑙研钵中充分研磨15min,获得粉体D。

5)将获得的粉体D放入坩埚,置于马弗炉中,于800℃温度下,热处理2h,最终即可得到纳米尺寸的Bi2Zr2O7粉体。

综上所述,本发明提供一种合成过程简单、周期较短、成本低的合成方法-沉淀煅烧法制备Bi2Zr2O7纳米材料。沉淀煅烧法制备纳米尺寸的Bi2Zr2O7粉体的优势在于:采用沉淀法通过加入相应的沉淀剂,可使两种沉淀缓慢均匀的从溶液中析出,再经过后期煅烧,获得尺寸均匀的目标产物。该方法不仅工艺简单,而且在沉淀过程中更易实现原子级均匀混合,有利于促进材料的低温合成。

一种采用沉淀煅烧法制备纳米Bi2Zr2O7粉体的方法专利购买费用说明

专利买卖交易资料

Q:办理专利转让的流程及所需资料

A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。

1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2:按规定缴纳著录项目变更手续费。

3:同时提交相关证明文件原件。

4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q:专利转让变更,多久能出结果

A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。

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