专利摘要
本实用新型涉及一种遮光片及镜头模组,其中遮光片包括内孔(1),所述内孔(1)周缘设置有多个规则排布的微小凹陷结构(2),所述微小凹陷结构(2)由所述内孔(1)周缘往远离所述内孔(1)中心的方向延伸,所述微小凹陷结构(2)的深度为d,所述遮光片的外环直径为D1,满足:0.01≤d/D1≤0.05。本实用新型的遮光片,在内孔周缘设置微小凹陷结构,可以有效抑制杂散光。
权利要求
1.一种遮光片,包括内孔(1),其特征在于,所述内孔(1)周缘设置有多个规则排布的微小凹陷结构(2),所述微小凹陷结构(2)由所述内孔(1)周缘往远离所述内孔(1)中心的方向延伸,所述微小凹陷结构(2)的深度为d,所述遮光片的外环直径为D1,满足:0.01≤d/D1≤0.05。
2.根据权利要求1所述的遮光片,其特征在于,所述微小凹陷结构(2)的设置数量为N,满足:10≤N≤60。
3.根据权利要求1或2所述的遮光片,其特征在于,所述微小凹陷结构(2)的角度为θ,满足:20°≤θ≤160°。
4.根据权利要求3所述的遮光片,其特征在于,所述微小凹陷结构(2)的形状为三角形、圆弧形或梯形。
5.根据权利要求1所述的遮光片,其特征在于,所述内孔(1)的直径为D2,满足:0.15≤D2/D1≤0.9。
6.根据权利要求1所述的遮光片,其特征在于,所述遮光片的厚度为H,满足:0.01≤H≤0.2mm。
7.根据权利要求1所述遮光片,其特征在于,所述微小凹陷结构(2)与所述遮光片一体成型。
8.根据权利要求1所述的遮光片,其特征在于,所述遮光片由金属材质或者复合材质构成。
9.一种包含权利要求1-8任一项所述遮光片的镜头模组,其特征在于,包括:镜筒(3)、收容在镜筒(3)中的至少一个镜片(4)以及至少一个所述遮光片。
说明书
技术领域
本实用新型属于光学技术领域,尤其涉及一种遮光片及镜头模组。
背景技术
近年来,便携式电子产品发展迅速,尤其是手机、平板电脑等已经充斥在现代人的生活中,而装载在便携式段子产品上的影像设备也随之蓬勃发展。随着科技的发展,使用者对于便携式电子设备的品质要求越来越高,因此,在现有技术基础上,优化内部元件,使之性能和品质得到提升,成为相关从业者不断创新的动力和目标。
电子产品上的镜头模组通常包括一镜头以及收容于镜头中的光学组件,光学组件通常包括镜片、滤光片、间隔环和遮光片等。其中,遮光片是用于遮挡镜头模组中不必要的杂散光。然而,随着对于成像品质越来越高的追求,遮光片内径表面性质对于杂散光的反射也逐渐成为影响成像品质的因素之一。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种遮光片及镜头模组,解决现有技术中遮光片内径反射杂散光造成成像品质下降的问题。
为实现本实用新型的上述目的,本实用新型提供一种遮光片,包括内孔,所述内孔周缘设置有多个规则排布的微小凹陷结构,所述微小凹陷结构由所述内孔周缘往远离所述内孔中心的方向延伸,所述微小凹陷结构的深度为d,所述遮光片的外环直径为D1,满足:0.01≤d/D1≤0.05。
根据本实用新型的一个方面,所述微小凹陷结构的设置数量为N,满足:10≤N≤60。
根据本实用新型的一个方面,所述微小凹陷结构的角度为θ,满足:20°≤θ≤160°。
根据本实用新型的一个方面,所述微小凹陷结构的形状为三角形、圆弧形或梯形。
根据本实用新型的一个方面,所述内孔的直径为D2,满足:0.15≤D2/D1≤0.9。
根据本实用新型的一个方面,所述遮光片的厚度为H,满足:0.01≤H≤0.2mm。
根据本实用新型的一个方面,所述微小凹陷结构与所述遮光片一体成型。
根据本实用新型的一个方面,所述遮光片由金属材质或者复合材质构成。
本实用新型还提供一种包含上述遮光片的镜头模组,包括镜筒、收容在镜筒中的至少一个镜片以及至少一个遮光片。
本实用新型的遮光片,在内孔周缘上设置微小凹陷结构,并且满足:0.01≤d/D1≤0.05。从而可以利用内孔周缘上的微小凹陷结构,有效破坏杂散光的反射路径,减小杂散光的反射面积、抑制杂散光的反射强度,避免影像探测器接收到不必要的光斑,进而提升成像品质。
本实用新型的遮光片,内孔周缘上设置微小凹陷结构的数量为N,在本实用新型中,满足:10≤N≤60。将微小凹陷结构的设置数量控制在上述范围内,结合上述微小凹陷结构深度的设置,能够起到最佳的抑制杂散光效果。
根据本实用的构思,本实用新型中的微小凹陷结构可以为三角形、圆弧形、梯形等多边形,微小凹陷结构的角度为θ,满足20°≤θ≤160°。本实用遮光片,设置微小凹陷结构具有一定的角度,从而可以更好地改变杂散光反射路径,进一步提升抑制杂散光的效果。
本实用新型的遮光片,内孔的直径为D2,满足:0.15≤D2/D1≤0.9。
遮光片的厚度为H,满足:0.01≤H≤0.2mm。微小凹陷结构与遮光片一体成型,遮光片由金属材质或者复合材质构成。上述设置,可以提升加工效率,保证加工及组装工艺稳定性,确保最终成像品质的稳定性。
附图说明
图1示意性表示根据本实用新型一种实施方式的遮光片的结构图;
图2示意性表示根据本实用新型的遮光片的剖视图;
图3示意性表示根据本实用新型一种实施方式的遮光片的示图;
图4示意性表示根据本实用新型第二种实施方式的遮光片示图;
图5示意性表示根据本实用新型第三种实施方式的遮光片示图;
图6示意性表示根据本实用新型第四种实施方式的遮光片示图;
图7示意性表示根据本实用新型第五种实施方式的遮光片示图;
图8示意性表示根据本实用新型第六种实施方式的遮光片示图;
图9示意性表示根据本实用新型第七种实施方式的遮光片示图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本实用新型实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施方式,对于本领域普通技术人员而言,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
在针对本实用新型的实施方式进行描述时,术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”所表达的方位或位置关系是基于相关附图所示的方位或位置关系,其仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此上述术语不能理解为对本实用新型的限制。
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作详细地描述,实施方式不能在此一一赘述,但本实用新型的实施方式并不因此限定于以下实施方式。
结合图1和图2所示,本实用新型的遮光片包括内孔1,内孔1周缘设置有多个规则排布的微小凹陷结构2,微小凹陷结构2由内孔周缘往远离内孔1中心的方向延伸,在遮光片内孔1表面上形成凹陷结构。本实用新型的微小凹陷结构2的深度为d,遮光片的外环直径为D1,满足:0.01≤d/D1≤0.05。
本实用新型的遮光片,在内孔1周缘上设置微小凹陷结构2,并且满足:0.01≤d/D1≤0.05。从而可以利用内孔1周缘上的微小凹陷结构2,有效破坏杂散光的反射路径,减小杂散光的反射面积、抑制杂散光的反射强度,避免影像探测器接收到不必要的光斑,进而提升成像品质。
本实用新型的遮光片,内孔1周缘上设置微小凹陷结构2的数量为N,在本实用新型中,满足:10≤N≤60。将微小凹陷结构2的设置数量控制在上述范围内,结合上述微小凹陷结构2深度的设置,能够起到最佳的抑制杂散光效果。
根据本实用的构思,本实用新型中的微小凹陷结构2可以为三角形、圆弧形、梯形等多边形,微小凹陷结构2的角度为θ,满足20°≤θ≤160°。本实用遮光片,设置微小凹陷结构2具有一定的角度,从而可以更好地改变杂散光反射路径,进一步提升抑制杂散光的效果。
本实用新型的遮光片,内孔的直径为D2,满足:0.15≤D2/D1≤0.9。
遮光片的厚度为H,满足:0.01≤H≤0.2mm。微小凹陷结构2与遮光片一体成型,遮光片由金属材质或者复合材质构成。上述设置,可以提升加工效率,保证加工及组装工艺稳定性,确保最终成像品质的稳定性。
如图3所示,根据本实用新型一种实施方式,内孔1面上的微小凹陷结构2为三角形结构,数量N=30,多个三角形微小凹陷结构2在内孔1周缘上等间隔设置。微小凹陷结构2的深度d=0.15mm,遮光片的外环面直径D1=5.7mm,并且满足:d/D1=0.03。内孔1面上的微小凹陷结构2的角度为θ=80°,遮光片外环面的直径为D1,内孔1面的直径为D2,满足:D2/D1=4.2/5.7=0.74,方便加工。遮光元件材料由复合材质构成,遮光元件厚度为H=0.033mm。当然,根据本实用构思,还可以有如图4-图9所示的其他实施方式,具体可以根据实际需要来进行设置。
本实用新型还提供一种镜头模组,该镜头模组包括一镜筒、收容在镜筒中的至少一片镜片以及至少一个上述遮光片,遮光片内孔1上设置上述微小凹陷结构,以提升镜头模组的成像品质。
以上所述仅为本实用新型的一个实施方式而已,并不用于限制本实用新型,对于本领域的技术人员来说,本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
一种遮光片及镜头模组专利购买费用说明
Q:办理专利转让的流程及所需资料
A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。
1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2:按规定缴纳著录项目变更手续费。
3:同时提交相关证明文件原件。
4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q:专利转让变更,多久能出结果
A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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