专利摘要
专利摘要
本发明公开了一种基于三维相变存储器的3D卷积运算装置及方法，包括三维相变存储器、输入控制模块、置态模块、输出控制模块；通过采用三维相变存储器进行3D卷积运算，其同一位线上的相变单元构成相变单元阵列，对应一个卷积核；基于三维相变存储器的多层堆叠结构，将三维相变存储器的上、下层电极作为信息输入端，经过各自的相变单元阵列后进行卷积，所得卷积结果以电流形式在中层电极上进行叠加，得到上、下层电极输入信息的卷积计算结果之和，一步完成3D卷积运算。运算速度较快，运算功耗也小。另外，三维相变存储器包含立体结构的存储器阵列，占地面积小，集成度高，可以在更小的占地面积下大大提高了3D卷积运算速度。
权利要求
1.一种基于三维相变存储器的3D卷积运算装置，其特征在于，包括三维相变存储器、输入控制模块、置态模块和输出控制模块；
所述三维相变存储器拥有多层阵列结构，包括由上至下依次平行放置的上层、中层和下层，以及与所述上层、中层、下层均垂直相连的相变单元阵列；所述上层包括上层电极，所述下层包括下层电极，所述中层包括中层电极，所述相变单元阵列包括相变单元；所述输入控制模块分别与所述上层电极和所述下层电极相连，所述置态模块与所述相变单元相连，所述输出控制模块与所述中层电极相连；所述三维相变存储器中同一位线上的相变单元构成一个卷积核，其位线个数大于或等于卷积核个数，其字线个数大于或等于卷积核大小；
所述三维相变存储器用于基于其多层堆叠结构同时实现上、下层电极输入信息与各自卷积核的卷积运算过程及其卷积运算结果的加和过程，从而一步完成3D卷积运算；其中，与上层电极相连的各相变单元和与下层电极相连的各相变单元流出的电流在中层电极处叠加；
所述输入控制模块用于分别将相邻两组输入信息拆分为与三维相变存储器列数相同的信息块，并转换成相应的电压幅值，然后依次同时将各组的信息块分别输入到三维相变存储器的上层电极和下层电极中；其中，所述相邻两组输入信息分别为同一个视频中的两帧图像；
所述置态模块用于基于卷积核数值调节各相变单元的电导值；
所述输出控制模块用于检测三维相变存储器中层电极输出的电流，并转化成电压信息，即为3D卷积运算结果。
2.根据权利要求1所述的基于三维相变存储器的3D卷积运算装置，其特征在于，应用于微电子器件领域。
3.一种基于权利要求1-2任意一项所述的3D卷积运算装置的3D卷积运算方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、在三维相变存储器中选择相应的位线，并根据卷积核数值调节各位线上相变单元的电导值；
S2、采用滑动窗口按照预设步长在相邻两组输入信息上进行滑动，分别将两组输入信息拆分为多个与卷积核大小相同的信息块；
S3、将相邻两组的信息块转换成相应的电压幅值，并依次同时将两组的信息块分别输入到三维相变存储器的上层电极和下层电极中，完成卷积计算；
S4、每输入一次信息块时，分别检测三维相变存储器所选位线处中层电极输出的电流，并转换成电压信息，进行记录，得到输出向量，即为3D卷积运算结果；其中，与上层电极相连的各相变单元和与下层电极相连的各相变单元流出的电流在中层电极处叠加。
4.根据权利要求3所述的3D卷积运算方法，其特征在于，在三维相变存储器中所选择的位线条数与卷积核的个数相同。
5.根据权利要求3所述的3D卷积运算方法，所述滑动窗口的大小与卷积核大小相等。
6.根据权利要求3所述的3D卷积运算方法，输入信息中最大值所对应的电压幅值小于相变单元的set电压。
说明书
技术领域
本发明属于微电子器件领域，更具体地，涉及一种基于三维相变存储器的3D卷积运算装置及方法。
背景技术
卷积神经网络(Convolutional Neural network，CNN)是一种包含卷积运算的前馈神经网络。它包括卷积层，池化层，以及全连接层。数据从卷积层输入，在卷积层中通过卷积核对输入数据进行卷积运算，提取出特征值，再通过池化层压缩数据和参数的数量，经过若干次卷积加池化之后，数据通过全连接层，作为分类器使用。卷积神经网络以其局部权值共享的特殊结构在模式识别方面有着独特的优越性，权值共享降低了网络的复杂性，在机器学习，语言识别和图像识别等领域有着广泛应用。
3D卷积神经网络在普通卷积神经网络的基础上，增加了时间这个维度，通过计算相近临时间的输入信息，网络可以提取时间之间某种相关性，从而从图像处理进步到视频处理。
但是卷积神经网络要进行大量的矩阵运算，即卷积过程，这是计算机中央处理器CPU所不擅长的，会导致训练的时间过长。而基于算法本身上的优化加速并不能解决根本问题。由于存储器阵列具有交叉结构，天然的可以快速实现卷积运算，被大量运用于卷积神经网络中，来实现其中的卷积运算，并取得了良好的效果。
现有的3D卷积运算方法采用多个平面结构的存储器阵列来实现。这种方法在做3D卷积运算时，如处理视频这类问题时，每一帧图像均需要在各自的存储阵列进行卷积运算，然后通过整合模块，将相邻两帧图像的卷积运算结果进行加和得到3D卷积运算结果，这种分步计算方法使得其运算速度较慢，运行功耗大。另外，在处理每一帧图像时都需要一个平面结构的存储阵列进行卷积运算，需要大量的存储阵列，占用面积较大，给高密度集成造成了一定的困扰。
综上所述，提供一种运算速度较快的3D卷积运算装置及方法是亟待解决的问题。
发明内容
针对现有技术的缺陷，本发明的目的在于提出一种基于三维相变存储器的3D卷积运算装置及方法，旨在解决现有技术在进行3D卷积运算时由于需要对相邻两次输入数据分别进行卷积运算后再采用整合模块进行加和进行分步运算而导致的运算速度较慢的问题。
为实现上述目的，本发明一方面提出了一种基于三维相变存储器的3D卷积运算装置，包括三维相变存储器、输入控制模块、置态模块、输出控制模块；
其中，三维相变存储器包括上层电极、下层电极、相变单元、中层电极；输入控制模块分别与上层电极和下层电极相连，置态模块与相变单元相连、输出控制模块与中层电极相连；
三维相变存储器用于基于其多层堆叠结构同时实现上、下层电极输入信息与各自卷积核的卷积运算过程及其卷积运算结果的加和过程，从而一步完成3D卷积运算，运算速度较快；
输入控制模块用于分别将相邻两组输入信息拆分为与三维相变存储器列数相同的信息块，并转换成相应的电压幅值，然后依次同时将各组的信息块分别输入到三维相变存储器的上层电极和下层电极中；
置态模块用于基于卷积核数值调节各相变单元的电导值；
输出控制模块用于检测三维相变存储器中层电极输出的电流，并转化成电压信息，即为3D卷积运算结果。
进一步优选地，上述三维相变存储器中同一位线上的相变单元构成一个卷积核，其位线个数大于等于卷积核个数，其字线个数大于等于卷积核大小。
本发明另一方面提出了一种基于三维相变存储器的3D卷积运算方法，包括以下步骤：
S1、在三维相变存储器中选择相应的位线，并根据卷积核数值调节各位线上相变单元的电导值；
S2、采用滑动窗口按照预设步长在相邻两组输入信息上进行滑动，分别将两组输入信息拆分为多个与卷积核大小相同的信息块；
S3、将相邻两组的信息块转换成相应的电压幅值，并依次同时将两组的信息块分别输入到三维相变存储器的上层电极和下层电极中，完成卷积计算；
S4、每输入一次信息块时，分别检测三维相变存储器所选位线处中层电极输出的电流，并转换成电压信息，进行记录，得到输出向量，即为3D卷积运算结果。
进一步优选地，在三维相变存储器中所选择的位线条数与卷积核的个数相同。
进一步优选地，上述滑动窗口的大小与卷积核大小相等。
进一步优选地，输入信息中最大值所对应的电压幅值小于相变单元的set电压，保证在卷积运算过程中相变单元的电导值不发生变化。
通过本发明所构思的以上技术方案，与现有技术相比，能够取得下列有益效果：
1、本发明提出了一种基于三维相变存储器的3D卷积运算方法，三维相变存储器同一位线上的相变单元构成相变单元阵列，对应一个卷积核。三维相变存储器具有多层堆叠结构，将三维相变存储器的上、下层电极作为信息输入端，同时经过各自的相变单元阵列后进行卷积，并且所得卷积结果以电流形式在中层电极上进行叠加，在三维相变存储器的上、下层电极输入信息的同时即可在中层电极上得到上、下层电极输入信息的卷积计算结果之和，一步完成3D卷积运算，运算速度较快，运算功耗也小。
2、本发明提出了一种基于三维相变存储器的3D卷积运算装置，采用三维相变存储器进行3D卷积运算，三维相变存储器包含立体结构的存储器阵列，可以同时对两个或多个输入信息的进行卷积运算，占地面积小，集成度较高，在更小的占地面积下大大提高了3D卷积运算速度。
3、本发明所提出的一种基于三维相变存储器的3D卷积运算装置及方法，与传统的基于软件的方法相比，具有存算一体性，运算速度较快。
附图说明
图1是本发明所提供的基于三维相变存储器的3D卷积运算装置示意图；
图2是本发明所提供的三维相变存储器结构示意图；
图3是本发明所提供的三维相变存储器的剖面示意图；
图4是本发明所提供的基于三维相变存储器的3D卷积运算方法流程示意图；
图5是本发明实施例所提供的采用滑动窗口拆分输入图像的示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
为了实现上述目的，本发明一方面提出了一种基于三维相变存储器的3D卷积运算装置，如图1所示，包括：三维相变存储器、输入控制模块、置态模块、输出控制模块；
其中，三维相变存储器拥有多层阵列结构，如图2所示，包括上层1、下层2、相变单元阵列3、中层4；其中上层1包括上层电极11～14，下层2包括下层电极21～24，相变单元阵列3包括上层相变单元3131～3134和下层相变单元3231～3234，共同构成立体相变单元阵列，中层4包括中层电极41～44；输入控制模块分别与上层中的上层电极11～14和下层中的下层电极21～24相连，置态模块与三维相变存储器上的各层相变单元阵列3相连、输出控制模块与中层中的中层电极41～44相连。
三维相变存储器用于基于其多层堆叠结构同时实现上、下层电极输入信息与各自卷积核的卷积运算过程及其卷积运算结果的加和过程，从而一步完成3D卷积运算，运算速度较快。其中，三维相变存储器中同一位线上的相变单元构成一个卷积核，其位线个数大于等于卷积核个数，其字线个数大于等于卷积核大小。
输入控制模块用于分别将相邻两组输入信息拆分为与三维相变存储器列数相同的信息块，并转换成相应的电压幅值，然后依次同时将各组的信息块分别输入到三维相变存储器的上层电极和下层电极中；
置态模块用于基于卷积核数值调节各相变单元的电导值；
输出控制模块用于检测三维相变存储器中层电极输出的电流，并转化成电压信息，即为3D卷积运算结果。
本发明另一方面提出了一种基于三维相变存储器的3D卷积运算方法，包括以下步骤：
S1、在三维相变存储器中选择相应的位线，并根据卷积核数值调节各位线上相变单元的电导值；具体的，在三维相变存储器中所选择的位线条数与卷积核的个数相同。
具体的，比较卷积核数值与当前位线上的相变单元的电导值是否相等，若不相等，则根据相变单元的阻变转换特性，在该相变单元两端施加电压脉冲调节其电导值，使其电导值与卷积核数值相等；
S2、采用滑动窗口按照预设步长在相邻两组输入信息上进行滑动，分别将两组输入信息拆分为多个与卷积核大小相同的信息块；具体的，上述滑动窗口的大小与卷积核大小相等。具体的，上述输入信息中最大值所对应的电压幅值小于相变单元的set电压；
S3、将相邻两组的信息块转换成相应的电压幅值，并依次同时将两组的信息块分别输入到三维相变存储器的上层电极和下层电极中，完成卷积计算；
S4、每输入一次信息块时，分别检测三维相变存储器所选位线处中层电极输出的电流，并转换成电压信息，进行记录，得到输出向量，即为3D卷积运算结果。
具体的，如图3所示为三维相变存储器的剖面示意图，以三维相变存储器位线3所在的中层电极的输出为例。此时相邻两组的信息块所对应的电压幅值分别为{V1，V2，V3，V4}和{V5，V6，V7，V8}，分别从三维相变存储器的下层电极和上层电极输入，分别在位线3所在的下层相变单元阵列和上层相变单元阵列上进行卷积运算，通过中层电极43以电流的形式流出。其中，上层相变阵列中的相变单元3131～3134构成一个卷积核，与上层输入的信息块做卷积运算；下层相变阵列中的相变单元3231～3234构成一个卷积核，与下层输入的信息块做卷积运算。这里各相变单元的电导值根据卷积核数值进行调节，在各相变单元两端施加信息块对应的电压，所得电流即为电压与电导之间的乘积，上层和下层中各相变单元流出的电流在中层电极43处叠加，得到3D卷积运算结果。
为了进一步说明本发明所提出的基于三维相变存储器的3D卷积运算方法，以输入视频信息为例，本发明提供了一种基于三维相变存储器的3D卷积运算方法，如图4所示，其中m，n分别表示每帧图像的行和列，N表示图像的帧数，具体包括以下步骤：
S1、在三维相变存储器中选择相应的位线，并根据卷积核数值调节各位线上相变单元的电导值；
S2、采用滑动窗口按照预设步长在视频信息中的连续两帧图像N、N+1上进行滑动，分别将两组输入图像拆分为多个与卷积核大小相同的信息块；具体的，上述滑动窗口的大小与卷积核大小相等。
具体的，本实施例中，卷积核大小为2*2，采用2*2大小的滑动窗口按照预设步长在视频信息中的连续两帧图像N、N+1上进行滑动，如图5所示，每在图像上滑动一次，得到一个1*4大小的向量，将所得向量进行转置，得到一组按顺序排列的列向量。其中，本实施例中预设步长设置为1。
S3、将相邻两组的信息块转换成相应的电压幅值，并依次同时将两组的信息块分别输入到三维相变存储器的上层电极和下层电极中，完成卷积计算；
具体的，将像素0到255平均分为8份，分别为像素区间0～31、32～63、64～95、96～127、128～159、160～191、192～223、224～255，分别对应电压0、0.125V、0.25V、0.375V、0.5V、0.625V、0.75V、0.875V。为了保证在相变单元施加电压的过程中，相变单元的电阻值不发生变化，信息块中最大值所对应的电压幅值需小于相变单元的set电压，故将上述电压值按照等比例进行缩放。将最大值设置为一个小于相变单元set电压的电压Vset，则像素区间对应电压幅值为 其中Vcur为当前像素区间所对应的电压幅值，为0、0.125V、0.25V、0.375V、0.5V、0.625V、0.75V、0.875V中的一个。Vmax为当前像素区间所对应的电压幅值中的最大值，即0.875V。本实施例中相变单元为GST(Ge2Sb2Te5)，其set电压大小为1.2V，本实施例中Vset取值为1V。
S3、将相邻两组的信息块转换成相应的电压幅值，并依次同时将两组的信息块分别输入到三维相变存储器的上层电极和下层电极中，完成卷积计算；
S3、每输入一次信息块时分别检测三维相变存储器所选位线处中层电极输出的电流，转换成电压信息，存储在寄存器中，即为3D卷积运算结果。
本发明提出了一种基于三维相变存储器的3D卷积运算装置及方法，采用三维相变存储器进行3D卷积运算，三维相变存储器同一位线上的相变单元构成相变单元阵列，对应一个卷积核。三维相变存储器具有多层堆叠结构，将三维相变存储器的上、下层电极作为信息输入端，同时经过各自的相变单元阵列后进行卷积，并且所得卷积结果以电流形式在中层电极上进行叠加，在三维相变存储器的上、下层电极输入信息的同时即可在中层电极上得到上、下层电极输入信息的卷积计算结果之和，一步完成3D卷积运算，运算速度较快，运算功耗也小。同时，基于三维相变存储器立体结构的存储器阵列进行3D卷积运算，占地面积小，集成度较高，与现有技术相比，在更小的占地面积下大大提高了3D卷积运算速度。
本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
一种基于三维相变存储器的3D卷积运算装置及方法专利购买费用说明
Q：办理专利转让的流程及所需资料
A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。
1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2：按规定缴纳著录项目变更手续费。
3：同时提交相关证明文件原件。
4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q：专利转让变更，多久能出结果
A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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