专利摘要

本发明属于紫外LED技术领域，尤其涉及一种深紫外LED外延芯片正装结构。本发明提供了一种深紫外LED外延芯片正装结构，包括：n型电极、p型电极和外延芯片本体；所述n型电极和所述p型电极设置于所述外延芯片本体的同一侧；所述外延芯片本体包括依次设置的第一衬底、第一外延层和电极板；所述第一外延层包括依次叠加设置的缓冲层、AlN/AlGaN超晶格和n+型AlGaN层，所述缓冲层与所述第一衬底叠加设置；所述n型电极与所述第一衬底电连接，所述p型电极与所述电极板电连接；所述缓冲层为异质结构的BN层或AlN层。

专利附图

一种深紫外LED外延芯片正装结构专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。