专利摘要

一种用于与二次离子质谱仪一起使用的一次离子源子组件，所述一次离子源子组件包括整体式石墨离子发生器管道和储器基部。一次离子源可以包括限定离子发生器孔径的毛细管插入件。离子发生器孔径可以布置在向外突出的圆锥形或者截头圆锥形表面的中心，并且可以与难熔金属涂层或者护套重叠。可以对包括离子发生器表面形状、离子发生器材料、离子发生器温度、以及射束挡板孔口几何结构的参数进行操纵以便消除鬼像。具有双重锥形表面的石墨管道垫圈可以促进源材料凹腔的密封。

权利要求

1.一种配置为向二次离子质谱仪供应离子的一次离子源子组件，所述一次离子源子组件包括离子发生器管道和储器基部，其中，

所述储器基部配置为与储器体连接，以封闭配置为容纳铯盐的储器，其中所述储器体限定一凹腔；

所述离子发生器管道朝蒸汽行进通过一次离子源子组件的方向布置在储器基部下游，所述蒸汽由铯盐生成；

所述离子发生器管道包括接近储器基部的近端和远离储器基部的远端；

所述离子发生器管道限定一内部通路；

所述离子发生器管道的远端包括向外突出的圆锥形或者截头圆锥形部分，并且限定一离子发生器孔径，所述离子发生器孔径的直径与所述内部通路的平均直径相比为减小的；以及

所述离子发生器管道和储器基部是整体式的，并且由连续石墨或者含石墨的基体材料形成。

2.根据权利要求1所述的一次离子源子组件，其中，所述储器基部和离子发生器管道的近端的第一部分共同限定环形凹槽，所述环形凹槽布置为暴露至储器体的凹腔，并且所述离子发生器管道的远端的第二部分从储器基部朝远端向外延伸。

3.根据权利要求1所述的一次离子源子组件，其中，所述储器基部包括径向延伸的唇口，所述径向延伸的唇口布置为压缩地容纳在如下部分之间：(i)所述储器体的外边缘部，以及(ii)布置为与所述储器体的一部分螺纹接合的密封盖。

4.根据权利要求1所述的一次离子源子组件，其中，

所述储器基部包括锥形石墨圆筒，所述锥形石墨圆筒具有随着位置在最接近离子发生器管道的端部处的最大直径值与在最远离离子发生器管道的端部处的减小直径值之间发生变化的外径，所述最大直径值大于储器体的内径，所述减小直径值小于储器体的内径；以及

所述一次离子源子组件还包括密封盖，所述密封盖布置为与储器体的一部分螺纹接合并且迫使锥形石墨圆筒进入储器体。

5.根据权利要求1所述的一次离子源子组件，其中，所述储器基部的一部分包括外部螺纹表面，所述外部螺纹表面布置为与储器体的内部螺纹表面相配。

6.根据权利要求5所述的一次离子源子组件，进一步包括布置在所述外部螺纹表面与内部螺纹表面之间的石墨粉或者石墨涂层。

7.根据权利要求1所述的一次离子源子组件，其中，所述圆锥形或者截头圆锥形表面包括在6度至45度的范围内的互补圆锥半角。

8.根据权利要求1所述的一次离子源子组件，所述一次离子源子组件进一步包括布置在圆锥形或者截头圆锥形表面的至少一部分上的难熔金属涂层或者难熔金属护套。

9.根据权利要求1所述的一次离子源子组件，其中，所述离子发生器孔径是由机械钻孔或者激光钻孔来限定。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的一次离子源子组件，其中，所述离子发生器孔径包括不大于125μm的直径。

11.根据权利要求1至9中任一项所述的一次离子源子组件，其中，所述离子发生器孔径包括不大于50μm的直径。

12.一种布置为与二次离子质谱仪一起使用的一次离子源，所述一次离子源包括根据权利要求1至11中任一项所述的一次离子源子组件，以及储器体，所述储器体包括圆柱形凹腔；其中，所述储器基部的一部分容纳在圆柱形凹腔中。

13.根据权利要求12所述的一次离子源，其中，所述储器体包括石墨。

14.根据权利要求12所述的一次离子源，进一步包括密封盖，所述密封盖布置为与储器体的一部分螺纹接合，并且布置为使所述一次离子源子组件密封接合至所述储器体。

15.一种配置为向二次离子质谱仪供应离子的一次离子源子组件，所述一次离子源子组件包括：

储器基部，其配置为与储器体连接，以封闭配置为容纳铯盐的储器，其中所述储器体限定一凹腔；

离子发生器管道，所述离子发生器管道限定一内部通路并且配置为容纳来自储器的由铯盐生成的含铯蒸汽；以及

向外突出的圆锥形或者截头圆锥形部分，其限定圆锥形或者截头圆锥形表面并且布置在所述离子发生器管道的远端，其中，离子发生器孔径延伸通过所述圆锥形或者截头圆锥形表面的中心轴线，并且所述离子发生器孔径布置为容纳来自离子发生器管道的内部通路的含铯蒸汽；

其中所述离子发生器管道、所述储器基部以及所述圆锥形或者截头圆锥形部分是整体式的，并且由连续石墨或者含石墨的基体材料形成。

16.根据权利要求15所述的一次离子源子组件，进一步包括布置在所述圆锥形或者截头圆锥形表面的至少一部分上的难熔金属涂层或者难熔金属护套。

17.一种布置为与二次离子质谱仪一起使用的离子供应组件，所述离子供应组件包括：

根据权利要求15或16中任一项所述的一次离子源子组件；

提取板，所述提取板限定与所述离子发生器孔径对齐的提取板孔口；以及

射束挡板，所述射束挡板限定与所述提取板孔口对齐的射束挡板孔口。

18.根据权利要求17所述的离子供应组件，所述离子供应组件布置为防止除直接从所述离子发生器孔径发射出的铯离子之外的铯离子穿过所述射束挡板孔口。

19.根据权利要求17或18中任一项所述的离子供应组件，其中，选择如下参数用于防止除直接从所述离子发生器孔径发射出的铯离子之外的铯离子穿过所述射束挡板孔口：(a)所述离子发生器管道的远端部的形状，(b)所述离子发生器管道的远端部的材料，以及(c)所述射束挡板孔口的大小和形状。

20.根据权利要求17或18中任一项所述的离子供应组件，其中，所述射束挡板孔口包括接近所述一次离子源的减小的直径，并且包括远离所述一次离子源的增大的直径。

21.根据权利要求20所述的离子供应组件，其中，所述射束挡板孔口包括截头圆锥形截面形状。

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2014年10月13日提交的美国临时专利申请第62/063,023号的权益，前述申请的全部内容以引用的方式并入本文。

用于二次离子质谱仪的一次铯离子源专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。