专利摘要
本发明涉及一种导电结构，其包括：基材；导电层；至少一个中间层；和暗化层，以及该导电结构的制造方法。所述导电结构能够防止由导电层造成的反射而不影响导电层的导电性，并且能够通过改善吸光度来改善导电层的隐匿性。因此，所述导电结构能够在开发具有改善的可见性的显示面板中使用。
权利要求
1.一种导电结构体，其包含：
基板；
导电层；
至少一个中间层；和
暗化层。
2.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层设置在所述基板和所述暗化层之间，并且所述至少一个中间层设置在所述导电层和所述暗化层之间。
3.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化层设置在所述基板和所述导电层之间，并且所述至少一个中间层设置在所述导电层和所述暗化层之间。
4.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电结构体的总反射率为20％以下。
5.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电结构体的总反射率为15％以下。
6.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电结构体的总反射率为10％以下。
7.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层、所述中间层或所述暗化层的薄层电阻为0Ω/□以上且10Ω/□以下。
8.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化层的消光系数k为0.2以上且2.5以下。
9.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述中间层和所述暗化层各自独立地包含选自金属的氧化物、金属的氮化物、金属的氮氧化物和金属的碳化物中的一种或者两种或多种，并且在所述中间层的全部组分中金属的原子百分比是在所述暗化层的全部组分中金属的原子百分比的一倍以上且2倍以下。
10.根据权利要求9所述的导电结构体，其中，所述金属为选自Ni、V、W、Ta、Mo、Nb、Ti、Fe、Cr、Co、Al和Cu中的一种或者两种或多种。
11.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述中间层或所述暗化层包含介电材料和金属中的至少一种。
12.根据权利要求11所述的导电结构体，其中，所述介电材料选自TiO2-x、SiO2-x、MgF2-x和SiN1.3-x(-1≤x≤1)，并且所述金属选自Fe、Co、Ti、V、Al、Mo、Cu、Au和Ag中的一种或者两种或多种的合金。
13.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层包含选自金属、金属合金、金属氧化物和金属氮化物中的一种或多种材料，并且所述材料具有1×10-6Ω·cm至30×10-6Ω·cm的电阻率。
14.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层包含选自Cu、Al、Ag、Nd、Mo、Ni、它们的氧化物和它们的氮化物中的一种或者两种或多种。
15.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化层、所述中间层和所述导电层包含相同的金属。
16.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层包含铜，所述中间层和所述暗化层包含铜的氧化物，并且在所述中间层的全部组分中铜的原子百分比是在所述暗化层的全部组分中铜的原子百分比的1.01倍至1.62倍。
17.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层包含铜，所述中间层包含铜:氧的原子百分比是95:5至97:3的铜的氧化物，并且所述暗化层包含铜:氧的原子百分比是60:39至94:6的铜的氧化物。
18.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层包含铜，所述中间层和所述暗化层包含铜的氧化物，并且当所述中间层在厚度方向上邻近所述暗化层时，所述中间层具有在所述中间层的全部组分中铜的原子百分比降低的梯度，在所述中间层中铜:氧的平均原子百分比是95:5至97:3，并且在所述暗化层中铜:氧的平均原子百分比是60:39至94:6。
19.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层包含铝，所述中间层包含在全部组分中氮的原子百分比大于0％且小于20％的铝的氮氧化物，并且所述暗化层包含在全部组分中氮的原子百分比为20％以上且45％以下的铝的氮氧化物。
20.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述中间层的厚度是5nm至50nm。
21.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化层的厚度是20nm至150nm。
22.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层的厚度是0.01μm至10μm。
23.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化层设置在所述导电层的至少一面上。
24.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层、所述中间层或所述暗化层是图案化的。
25.根据权利要求24所述的导电结构体，其中，所述导电结构体具有1Ω/□至300Ω/□的薄层电阻。
26.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层、所述中间层和所述暗化层是图案化的，并且在所述图案化的导电层中图案的线宽为10μm以下。
27.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层、所述中间层和所述暗化层是图案化的，并且在所述图案化的中间层中图案的线宽和在所述图案化的暗化层中图案的线宽各自等于或大于在所述图案化的导电层中图案的线宽。
28.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层、所述中间层和所述暗化层是图案化的，并且所述图案化的中间层和所述图案化的暗化层各自具有设置所述图案化的导电层的面积的80％至120％的面积。
29.一种触屏面板，其包括根据权利要求1至28中任一项所述的导电结构体。
30.一种显示装置，其包括根据权利要求1至28中任一项所述的导电结构体。
31.一种太阳能电池，其包括根据权利要求1至28中任一项所述的导电结构体。
32.一种制造导电结构体的方法，所述方法包含：
在导电层上形成至少一个中间层；
在所述中间层上形成暗化层；以及
层压所述导电层或所述暗化层和基板。
33.一种制造导电结构体的方法，所述方法包含：
在基板上形成导电层；
在所述导电层上形成至少一个中间层；以及
在所述中间层上形成暗化层。
34.根据权利要求32或33所述的方法，进一步包含：分别或同时使所述导电层、所述中间层和所述暗化层图案化。
35.根据权利要求32或33所述的方法，其中，使用活性溅射法形成所述中间层或所述暗化层。
36.一种制造导电结构体的方法，所述方法包含：
在基板上形成图案化的导电层；
在所述图案化的导电层上形成至少一个图案化的中间层；以及
在所述图案化的中间层上形成图案化的暗化层。
37.根据权利要求36所述的方法，其中，使用活性溅射法形成所述图案化的中间层或所述图案化的暗化层。
说明书
技术领域
本说明书涉及一种导电结构体及其制备方法。本申请要求在韩国知识产权局于2012年8月31日提交的第10-2012-0096525号韩国专利申请的权利，在此通过引用将其公开内容全部并入本文。
背景技术
通常，触屏面板依据信号的检测模式可以被分为以下几类。即，电阻型，当对所述触屏面板施加直流电压时，通过电流或电压值的变化感应通过压力按压的位置；电容型，当对所述触屏面板施加交流电压时，使用电容耦合；电磁型，当对所述触屏面板施加磁场时，由于电压的改变感应被选择的位置；等等。
近来，由于对大面积触屏面板需要的增加，需要开发一种可实现具有优异的可见性同时降低电极的电阻的大型触屏面板的技术。
发明内容
技术问题
在本发明涉及的领域内，需要开发一种用于改善各种样式的触屏面板的性能的技术。
技术方案
本申请的示例性实施方式提供一种导电结构体，其包含：基板；导电层；至少一个中间层；和暗化层。
本申请的示例性实施方式提供一种制造导电结构体的方法，所述方法包含：在导电层上形成至少一个中间层；在所述中间层上形成暗化层；以及层压所述导电层或暗化层和基板。
本申请的示例性实施方式提供一种制造导电结构体的方法，所述方法包含：在基板上形成导电层；在所述导电层上形成至少一个中间层；以及在所述中间层上形成暗化层。
本申请的示例性实施方式提供一种制造导电结构体的方法，所述方法包含：在基板上形成图案化的导电层；在所述图案化的导电层上形成至少一个图案化的中间层；以及在所述图案化的中间层上形成图案化的暗化层。
本申请的另一个实施方式提供一种包含所述导电结构体的触屏面板。
本申请的又一个实施方式提供一种包含所述导电结构体的显示装置。
本申请的再一个实施方式提供一种包含所述导电结构体的太阳能电池。
有益效果
根据本申请的示例性实施方式的导电结构体能防止由导电层造成的反射而不影响所述导电层的导电性，并且能够通过改善吸光度来改善所述导电层的隐匿性。此外，使用根据本发明的示例性实施方式的导电结构体，能够开发包含该导电结构体的具有改善的可见性的触屏面板和显示装置以及太阳能电池。
附图说明
图1至3是本申请的各示例性实施方式，并且为显示包含中间层和暗化层的导电结构体的层压结构的图。
图4依据在根据实验实施例1的导电层上设置的中间层的厚度显示对可见光区波长的反射率。
图5依据在根据实验实施例2的导电层上设置的中间层的厚度显示对可见光区波长的反射率。
图6显示实施例1至4对可见光区波长的反射率。
图7显示对比实施例1以及实施例4、5和6对可见光区波长的反射率。
图8显示对比实施例1至4对可见光区波长的反射率。
图9显示实施例3至7对可见光区波长的反射率。
图10显示对比实施例1至5对可见光区波长的反射率。
图11根据实验实施例3的根据作为暗化层的Cu暗化层、中间层和作为导电层的Cu电极层来显示原子百分比反射率。
图12显示实施例8至12对可见光区波长的反射率。
具体实施方式
以下，将详细描述本申请。
在本说明书中，显示装置指所有电视或电脑的监视器，并且包含形成影像的显示部件和支撑所述显示部件的壳体。
显示部件的范例可包括：等离子体显示面板(PDP)、液晶显示器(LCD)、电泳显示器、阴极射线管(CRT)、OLED显示器等。可以在所述显示部件内设置用于实现影像的RGB像素图案和另外的滤光片。
与此同时，对于显示器件，随着智能电话、平板电脑、IPTV等的加速发展，对于使用人手作为直接输入装置而无需单独的输入装置(例如，键盘、远程控制器等)的触摸功能的需要不断增加。此外，还需要用于识别特定的点并记录的多触摸功能。
目前，大多数市售的触屏面板(TSP)是基于透明导电ITO薄膜，但是当施用具有大面积的触屏面板时，由于因ITO透明电极的相对高的表面电阻(最小值150Ω/□，由日东电工株式会(Nitto Denko Co.,Ltd.)生产的ELECRYSTA)造成的RC延迟，存在触摸识别速度降低和为了克服降低的触摸识别速度需要引入另外的补偿片等的问题。
本申请的发明人已经研究了由金属精细图案代替透明ITO薄膜的技术。在这点上，本申请的发明人已经发现，在具有高导电性的Ag、Mo/Al/Mo、MoTi/Cu等金属薄膜用作触屏面板的电极的情况下，当实施具有预定形状的精细电极图案时，存在由于由高反射造成的可见性而造成所述图案被人眼轻易识别，以及由于外部光线的高反射和雾度值而造成可能发生炫目等的问题。此外，本发明人已经发现在制造过程中使用昂贵的标靶(target)，或者存在许多工艺复杂的情况。
因此，本申请的示例性实施方式提供一种应用于触屏面板的导电结构体，其可区别于已知的使用基于ITO的透明导电薄膜层的触屏面板，并且具有改善的金属精细图案电极的隐匿性和改善的对外部光线的反射和衍射性能。
根据本申请的示例性实施方式的导电结构体包含：基板；导电层；至少一个中间层；和暗化层。这里，所述暗化层可以仅设置于所述导电层的任意一个表面上，或导电层的两个表面上。
在本说明书中，暗化层可以是图案化的暗化层或暗化的图案层。此外，在本说明书中，导电层可以是图案化的导电层或导电图案层。此外，在本说明书中，中间层可以是图案化的中间层。
根据本申请的示例性实施方式的导电结构体在导电层和暗化层之间包含至少一个中间层。所述中间层可具有一层，或者两层或多层。所述中间层主要用于降低导电层的反射率。因此，使导电结构体在全部波长区均匀地具有20％以下、15％以下和10％以下的优异的反射率的效果。在不包含中间层的导电结构体中，在600nm以上的可见光波长区内可以测量到20％以上的反射率。与不包含中间层的情况对比，由于包含中间层，具有在600nm以上的可见光波长区内可降低70％以上的反射率的效果。此外，包含中间层的导电结构体还可使得在500nm以下的可见光波长区内导电层的反射率被首先降低。
在本申请的示例性实施方式中，所述导电层可以设置在基板和暗化层之间，并且所述至少一个中间层可以设置于所述导电层和所述暗化层之间。
在本申请的示例性实施方式中，所述暗化层可以设置于基板和导电层之间，并且所述至少一个中间层可以设置于所述导电层和所述暗化层之间。
根据本申请的示例性实施方式的导电结构体可包含：基板；在所述基板上设置的导电层；在所述导电层上设置的至少一个中间层；以及在所述中间层上设置的暗化层。
根据本申请的示例性实施方式的导电结构体可包含：基板；在所述基板上设置的暗化层；在所述暗化层上设置的至少一个中间层；以及在所述暗化层上设置的导电层。
根据本申请的示例性实施方式的导电结构体可包含：基板；在所述基板上设置的暗化层；在所述暗化层上设置的至少一个中间层；在所述中间层上设置的导电层；在所述导电层上设置的至少一个中间层；以及在所述中间层上设置的暗化层。
在本申请的示例性实施方式中，所诉导电层、所述中间层或所述暗化层可以图案化。所述导电层可以是图案化的导电层，所述暗化层可以是图案化的暗化层，并且所述中间层可以是图案化的中间层。以下将描述图案的形式。
本申请的发明人发现图案化的层使得光的反射和衍射性能显著地影响在有效屏幕部分中包含导电金属精细图案的触屏面板的导电金属精细图案的可见性，并尝试对其进行改善。具体地，在已知的基于ITO的触屏面板中，由于ITO的高透光率，由导电图案的反射率导致的问题并不严重，但是已发现在包含设置在所述有效屏幕部分内的所述导电金属精细图案的触屏面板中，导电金属精细图案的反射和暗化性能是重要的。
为了在根据本申请的示例性实施方式的触屏面板中降低导电金属精细图案的反射率并改善吸光性能，可以引入所述暗化层。所述暗化层可以设置在触屏面板内的导电层的至少一个表面上以大幅防止由于导电层的高反射率的可见性的降低。
具体地，因为所述暗化层具有光吸收性，导电层的反射率可以通过降低所述导电层上入射的光的量和从所述导电层反射的光的量来降低。此外，与导电层的反射率相比较，所述暗化层可具有低反射率。因此，与使用者直接观察所述导电层的情况相比较，可以降低光的反射率，并且因此可以大幅改善导电层的可见性。
在本说明书中，所述暗化层指为降低在所述导电层本身上入射的光的量和从所述导电层反射的光的量的而具有吸光度的层，其可以是图案化的暗化层，并且可以由术语表示，如吸收层、经黑化的层、黑化层，并且所述图案化的暗化层可以由术语表示，如图案化的吸收层、图案化的经黑化的层和图案化的黑化层。
在本申请的示例性实施方式中，包含所述图案化的导电层和所述图案化的暗化层的导电结构体可具有1Ω/□以上且300Ω/□以下，优选1Ω/□以上且100Ω/□以下，更优选1Ω/□以上且50Ω/□以下，进一步优选1Ω/□以上且20Ω/□以下的表面电阻。
如果所述导电结构体的表面电阻是1Ω/□以上且300Ω/□以下，则具有代替已知ITO透明电极的作用。在所述导电结构体的表面电阻是1Ω/□以上且100Ω/□以下或1Ω/□以上且50Ω/□以下的情况下，并且特别地，在所述表面电阻是1Ω/□以上且20Ω/□以下的情况下，因为与使用已知ITO透明电极的情况相比所述表面电阻明显降低，优势在于当施加信号以显著改善触摸认知速度时，RC延迟减小，并且因此，可以容易地应用具有10英寸以上大面积的触屏。
在所述导电结构体中，导电层或暗化层在图案化之前的表面电阻可以是0Ω/□以上且10Ω/□以下，0Ω/□以上且2Ω/□以下，并且优选为0Ω/□以上且0.7Ω/□以下。如果所述表面电阻是2Ω/□以下，并且优选0.7Ω/□以下，由于在图案化之前导电层或暗化层的表面电阻降低，容易进行精细图案的设计和制造工艺，并且存在由在图案化之后导电结构体的表面电阻降低来增加电极的反应速度的作用。表面电阻可以根据导电层或暗化层的厚度调整。
在所述导电结构体中，在图案化之前的中间层的表面上测量的薄层电阻可以是0Ω/□以上且10Ω/□以下，优选0Ω/□以上且5Ω/□以下，并且更优选0Ω/□以上且1Ω/□以下。即，即使当中间层设置在导电层的一个表面上时，薄层电阻没有改变。参考在以下实验实施例1中的表1，能够确定作为导电层的电极的薄层电阻没有损耗，因为导电层的薄层电阻和中间层设置在导电层上部时的薄层电阻之间几乎没有改变。
在根据本申请的示例性实施方式的导电结构体中，暗化层的消光系数k可以是0.2至2.5，优选0.2至1.2，更优选0.4至1。
如果所述消光系数k是0.2以上，存在促进暗化的作用。所述消光系数k可以被称作吸光系数，并且是定义导电结构体在预定波长下吸光强度多少的系数，以及确定导电结构体的透光率的因数。例如，在透明介电材料的情况下，k<0.2，k非常低。但是，随着所述材料中金属组分的量增加，所述k值增加。如果金属组分的量增加的更多，难以发生透射，通常，在所述金属上仅发生表面反射，并且所述消光系数k大于2.5，其不适合暗化层的形成。
当消光系数是0.4至1时，存在进一步降低反射率的作用，并且因此进一步增加暗化层的暗化程度。在此情况下，可以进一步提高导电层的隐匿性，并且当导电层应用于触屏面板时，可以进一步改善可视性。
在本申请的示例性实施方式中，导电结构体的折射率n可以是0以上至3以下。
在以下反射率的描述中，暗化层可以是图案化的暗化层，导电层可以是图案化的导电层，并且中间层可以是图案化的中间层。
根据本申请的示例性实施方式的导电结构体可具有20％以下的总反射率，优选15％以下，更优选10％以下，并且进一步优选7％以下或3％以下。总反射率越小，效果越好。
在本申请的示例性实施方式中，总反射率可指：在用黑化层(完全黑化)处理与需要测量的表面相对的表面后，以90°入射到需要测量的表面上的、具有300nm～800nm并且优选380nm～780nm的波长的光线的反射率。
当中间层不包含在根据本申请的示例性实施方式的导电结构体中时，600nm以下的可见光区的总反射率可以是20％以下，但是在600nm以上的可见光区内测量的总反射率可以是20％以上。但是，从300nm～800nm的可见光的整个区域中，包含中间层的导电结构体可具有20％以下，优选15％以下，更优选10％以下，并且进一步优选7％以下和3％以下的总反射率。
当在基板和暗化层之间设置导电层，并且在所述导电层和所述暗化层之间设置中间层时，与所述暗化层和所述中间层接触的表面相对的表面的方向上可以测量反射率。具体的，当所述暗化层包含与所述中间层接触的第一表面和面对所述第一表面的第二表面，在第二表面的方向上可以测量反射率。当在该方向上测量反射率时，总反射率可以是20％以下，优选15％以下，更优选10％以下，并且进一步优选7％以下和3％以下。总反射率越小，效果越好。
此外，当在导电层和基板之间设置暗化层，并且在导电层和暗化层之间设置中间层时，在基板一侧可以测量反射率。当在基板一侧测量总反射率时，总反射率可以是20％以下，优选15％以下，更优选10％以下，并且进一步优选7％以下和3％以下。总反射率越小，效果越好。
在本说明书中，当入射光是100％时，总反射率可以是基于波长值300nm～800nm、优选380nm～780nm的、由光入射的目标图案层或导电结构体反射的光线测量的值。
在根据本申请的示例性实施方式的导电结构体中，暗化层可包含与导电层接触的第一表面和面对第一表面的第二表面。在此情况下，当在暗化层的第二表面的一侧上测量导电结构体的总反射率时，可以由以下等式1计算导电结构体的反射率(Rt)。
[等式1]
总反射率(Rt)＝基板的反射率+闭口率×暗化层的反射率
此外，在导电结构体具有层压两种导电结构体的构造的情况下，导电结构体的反射率(Rt)可以通过以下等式2来计算。
[等式2]
总反射率(Rt)＝基板的反射率+闭口率×暗化层的反射率×2
在等式1和2中，基板的总反射率可以是触摸式强化玻璃的反射率，并且在表面是膜的情况下，基板的反射率可以是所述膜的反射率。
此外，基于导电结构体的平面，所述闭口率可以由导电图案覆盖的区域的面积比(即，(1–开口率))来表示。
因此，图案化的暗化层的情况和无图案化的暗化层的情况之间的差异由图案化的暗化层的反射率而定。在这点上，与具有相同构造而无图案化的暗化层的导电结构体的总反射率相比，根据本申请的示例性实施方式的导电结构体的总反射率(Rt)可以减少10％～20％、20％～30％、30％～40％、40％～50％或50％～70％。即，在等式1和2的情况下，闭口率的范围从1％～10％改变，并且反射率的范围在从1～30％的范围内改变，可以显示出70％的最大反射率减少的效果，并且可以显示出10％的最小反射率减少的效果。
在本申请的示例性实施方式的导电结构体中，图案化的暗化层包含与导电图案接触的第一表面和面对第一表面的第二表面，并且当在暗化图案的第二表面的一侧上测量导电结构体的总反射率时，导电结构体的总反射率(Rt)和基板的反射率(R0)之间的差异可以是40％以下、30％以下，20％以下或10％以下。
在本发明的示例性实施方式中，基于CIE(Commission Internationale de l'Eclairage)L*a*b*彩色坐标，导电结构体可具有50以下、并且更优选40以下的亮度值(L*)。由于亮度值下降，所以反射率下降来提供有益效果。
在本申请的示例性实施方式中，在导电结构体中几乎不存在针孔，并且即使存在针孔，它的直径可以为3μm以下，并且更优选1μm以下。在导电结构体的针孔的直径为3μm以下的情况下，可以防止短路的发生。此外，在导电结构体中几乎不存在针孔并且其数量极少的情况下，可以防止短路的发生。
在本申请的示例性实施方式中，可以在导电层的至少一个表面上设置暗化层。具体地，可以仅在导电层的任意一个表面或它的两个表面上设置暗化层。
在本申请的示例性实施方式中，暗化层、中间层和导电层可以同时或分别图案化。
在本申请的示例性实施方式中，图案化的中间层、图案化的暗化层和图案化的导电层可通过同时或单独的图案化工艺形成层压结构。在这点上，所述层压结构与在导电图案中并入或分散至少部分光吸收材料的结构不同，或与单层导电图案侧表面上的一部分由另外的表面处理物理或化学地改性的结构不同。
此外，在根据本申请的示例性实施方式的导电结构体中，暗化层可以直接设置在基板上或在具有中间层的导电层上，其之间不插入连接层或粘合剂层。所述连接层或粘合剂层可能影响耐久性或光学性能。此外，制造根据本申请的示例性实施方式的导电结构体的方法明显异于使用连接层或粘合剂层的情况。此外，在本申请的示例性实施方式中，与使用连接层或粘合剂层的情况相比，在基板或导电层和暗化层之间的界面性能是优异的。
在本申请的示例性实施方式中，暗化层可以是单层，或者两层以上的多层形成。
在本申请的示例性实施方式中，优选的是暗化层是无色的。在此情况下，无色指当入射在物体表面上的光没有被选择性地吸收，而各波长成分被均匀反射和吸收时显示的颜色。
在本申请的示例性实施方式中，可以使用暗化层的材料而没有特别限制。例如，在滤色片中，可以使用用作黑底(black matrix)的材料。此外，可以使用具有抗放射功能的材料。
例如，暗化层可包含选自金属、金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物和金属碳化物中的一种或两种或多种。金属的氧化物、氮化物、氮氧化物或碳化物可以通过本领域中普通技术人员等制定的沉积条件来形成。所述金属可以是选自镍(Ni)、钒(V)、钨(W)、钽(Ta)、钼(Mo)、铌(Nb)、钛(Ti)、铁(Fe)、铬(Cr)、钴(Co)、铝(Al)和铜(Cu)中的一种或两种或多种。具体地，暗化层可包含铜的氧化物、铜的氮化物、铜的氮氧化物、铝的氧化物、铝的氮化物或铝的氮氧化物。
例如，中间层可包含选自金属、金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物和金属碳化物中的一种或两种或多种。金属的氧化物、氮化物、氮氧化物或碳化物可以本领域中普通的技术人员等制定的沉积条件来形成。所述金属可以是选自镍(Ni)、钒(V)、钨(W)、钽(Ta)、钼(Mo)、铌(Nb)、钛(Ti)、铁(Fe)、铬(Cr)、钴(Co)、铝(Al)和铜(Cu)中的一种或两种或多种。具体地，中间层可包含铜的氧化物、铜的氮化物、铜的氮氧化物、铝的氧化物、铝的氮化物或铝的氮氧化物。
作为其另一个具体的实施例，中间层或暗化层可包括介电材料和金属中的至少一种。上述金属可以是金属或金属合金。具体地，暗化层可进一步包含选自TiO2-x、SiO2-x、MgF2-x和SiN1.3-x(-1≤x≤1)的介电材料，以及选自铁(Fe)、钴(Co)、钛(Ti)、钒(V)、铝(Al)、钼(Mo)、铜(Cu)、金(Au)和银(Ag)的金属，并且进一步包含选自铁(Fe)、钴(Co)、钛(Ti)、钒(V)、铝(Al)、钼(Mo)、铜(Cu)、金(Au)和银(Ag)中的两种或多种金属的合金。
根据本申请的示例性实施方式，中间层或暗化层可包含选自金属的氧化物、金属的氮化物、金属的氮氧化物和金属的碳化物中的一种或两种或多种，并且可进一步包含介电材料和金属中的至少一种。
优选的是由于外部光线在入射方向消失，介电材料以逐渐下降的量分布，并且金属和合金成分相反地分布。在此情况下，优选的是介电材料的含量是20wt％～50wt％并且金属的含量是50wt％～80wt％。在暗化层进一步包含合金的情况下，优选的是暗化层包含10wt％～30wt％的介电材料、50wt％～80wt％的金属，和5wt％～40wt％的合金。
作为其另一个具体的实施例，中间层或暗化层可以由包含镍和钒的合金以及镍和钒的氧化物、氮化物和氮氧化物中的一种或多种的薄膜形成。在此情况下，优选的是以26atom％～52atom％的含量包含钒，并且优选的是钒与镍的原子比是26/74～52/48。
作为其又一个具体的实施例，中间层或暗化层可包含含有两种或多种元素的过渡层，并且根据外部光线的入射方向，一种元素的组成比例每100埃大约最大增加20％。在此情况下，一种元素可以是金属，如镍(Ni)、钒(V)、钨(W)、钽(Ta)、钼(Mo)、铌(Nb)、钛(Ti)、铁(Fe)、铬(Cr)、钴(Co)、铝(Al)和铜(Cu)，并且除金属元素外的元素可以是氧、氮或碳。
作为其再一个具体的实施例，中间层或暗化层可包含第一氧化铬层、金属层、第二氧化铬层和铬镜(chrome mirror)，并且在此情况下，可包含选自镍(Ni)、钒(V)、钨(W)、钽(Ta)、钼(Mo)、铌(Nb)、钛(Ti)、铁(Fe)、钴(Co)、铝(Al)和铜(Cu)的金属代替铬。优选的是金属层具有10nm～30nm的厚度，第一氧化铬层具有35nm～41nm的厚度，并且第二氧化铬层具有37nm～42nm的厚度。
作为其又一个具体的实施例，可以使用氧化铝(Al2O3)层、氧化铬(Cr2O3)层和铬(Cr)层的层压结构作为中间层或暗化层。这里，氧化铝层具有改善的反射性能和防止光漫射的性能，并且氧化铬层可通过降低倾斜表面反射率来改善对比性能。
在本申请的示例性实施方式中，当在中间层全部组分中金属的原子百分比大于在暗化层全部组分中金属的原子百分比时，具体地为一倍以上且两倍以下，首先降低相对于导电层的反射率的效果最佳，并且首先降低600nm以上的可见光波长区的反射率的效果特别优异。因此，具有使包含导电层、中间层和暗化层的导电结构体的反射率在300nm～800nm的可见光的整个波长区域内被均匀地降低至20％以下的效果。
在本申请的示例性实施方式中，导电层的材料适合地是具有电阻率1×10-6Ω·cm至30×10-6Ω·cm并且优选1×10-6Ω·cm至7×10-6Ω·cm的材料。
在根据本申请的示例性实施方式的导电结构体中，优选的是，导电层的材料包含选自金属、金属合金、金属氧化物和金属氮化物中的一种或两种或多种。优选的是导电层的材料是具有优异导电性且容易被蚀刻的金属。但是，通常，具有优异导电性的金属具有反射率高的缺点。但是，在本申请中，可以实现通过利用暗化层来使用具有高反射率的金属形成导电层。在本申请中，在使用具有70％～80％以上的反射率的金属的情况下，可以加入暗化层以降低反射率，改善导电层的隐匿性，并且保持或改善对比性能。
在本申请的示例性实施方式中，导电层的材料的具体范例可以包含选自铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、钕(Nd)、钼(Mo)、镍(Ni)、它们的氧化物和它们的氮化物中的一种或两种或多种。例如，材料可以是选自上述金属中的两种或多种的合金。更优选可以包含钼、铝或铜。导电层可以是单一膜或多层膜。
在本申请的示例性实施方式中，导电层、中间层和暗化层可包含相同的金属。当包含相同的金属时，由于可以使用相同蚀刻剂进行工艺操作，因此在工艺上有优势，并且由于恰好在生产率方面的优势而有益于制造工艺。
在本申请的示例性实施方式中，当中间层具有两层或多层时，可以按顺序设置基板、导电层、第一中间层、第二中间层和暗化层，或者可以按顺序设置导电层、第一中间层、第二中间层、暗化层和基板层。在此情况下，在邻近导电层的第一中间层中金属的比例可以大于在邻近暗化层的第二中间层中金属的比例。
在本申请的示例性实施方式中，可以在厚度方向上金属比例具有梯度的方式包含中间层。在此情况下，可以形成梯度，使得当中间层邻近暗化层时，金属比例增加，而当中间层邻近导电层时，金属比例减少。相反地，当中间层邻近导电层时，金属比例可以增加，而当中间层邻近暗化层时，金属比例可以减少。
此外，即使当中间层具有两层或多层时，可以在厚度方向上金属比例具有梯度的方式包含中间层。在此情况下，可以形成梯度，其中，当中间层邻近导电层时，在邻近导电层的第一中间层中的金属比例增加，并且当中间层邻近暗化层时，在邻近导电层的第一中间层中的金属比例减少，并且可以形成梯度，其中，当中间层邻近导电层时，在邻近暗化层的第二中间层中的金属比例也增加，并且当中间层邻近暗化层时，在邻近暗化层的第二中间层中金属的比例减少。此外，在邻近导电层的第一中间层中金属的比例可以大于在邻近暗化层的第二中间层中金属的比例。
在本申请的示例性实施方式中，导电层可包含铜，并且中间层和暗化层可包含铜的氧化物、铜的氮化物或铜的氮氧化物。
在根据本申请的示例性实施方式的导电结构体中，导电层可包含铜，中间层和暗化层可包含铜的氧化物，并且在中间层的全部组分中铜的原子百分比是在暗化层的全部组分中铜的原子百分比的1.01倍至1.62倍。
更具体地，导电层可包含铜，中间层可包含氧化铜，其中铜:氧的原子百分比是95:5至97:3，并且暗化层可包含氧化铜，其中铜:氧的原子百分比是60:39至94:6。当中间层和暗化层全部由氧化铜形成时，当具有在所述范围内的原子百分比，首先降低导电层的反射率的效果最佳，并且首先降低在600nm以上的可见光波长区内的反射率的效果特别优异。因此，具有使包含导电层、中间层和暗化层的导电结构体的反射率在300nm～800nm可见光的整个波长区内被均匀地降低至20％以下的效果。
在根据本申请的示例性实施方式的导电结构体中，当导电层包含铜，并且中间层和暗化层包含铜的氧化物时，当所述中间层在厚度方向上邻近所述暗化层时，所述中间层具有在所述中间层的全部组分中铜的原子百分比降低的梯度，并且在中间层中铜:氧的平均原子百分比可以是95:5至97:3。在此情况下，所述梯度的范围可以在从导电层中铜的比例至暗化层中铜的比例的范围内。
在本申请的示例性实施方式中，导电层可包含铝，并且中间层和暗化层可包含铝的氧化物、铝的氮化物或铝的氮氧化物。特别地，导电层可包含铝，中间层可包含铝的氮氧化物，其中在全部组分中氮的原子百分比是0％以上且20％以下，并且暗化层可包含铝的氮氧化物，其中在全部组分中氮的原子百分比是20％以上且45％以下。
例如，当导电层包含铜时，在中间层和暗化层包含的氧化铜为CuOx(x是O的原子数量与一个Cu原子的比例,0<x)的情况下，可以进行大量蚀刻，并且因此经济优势在于生产工艺效率高且节省成本。此外，铜的电阻率为1.7×10-6Ω·cm，其优于电阻率为2.8×10-6Ω·cm的铝。因此，为了满足0Ω/□以上且2Ω/□以下、并且优选0Ω/□以上0.7Ω/□以下的薄层电阻值，铜的优势在于导电层的厚度可以比包含Al的导电层的厚度小。所述薄层电阻可以依据导电层的厚度调整。例如，为了薄层电阻满足从0.6Ω/□～0.7Ω/□的值，包含Al的导电层需要形成具有80nm～90nm的厚度，但是包含Cu的导电层需要形成具有55nm～65nm的厚度，并且由于层的厚度更小而更经济。此外，在溅射工艺中Cu比Al具有大约2.5倍的更好产率，并且因此理论上能够预期沉积率增加至4～5倍。因此，在生产工艺中包含Cu的导电层具有高效率并且更经济，从而具有极佳的优势。
在本申请的实施方式中，中间层的厚度可以是5nm至50nm。当中间层的厚度是5nm以上时，考虑到蚀刻性能，调整工艺相对容易，并且当所述厚度是50nm以下时，在产率方面所述厚度相对有利。
当中间层包含铜的氧化物时，中间层的厚度可以优选8nm至30nm，并且更优选15nm至25nm。当所述厚度在8nm至30nm的范围内时，效果在于首先降低600nm以上的可见光波长区中导电层反射率的20％～60％反射率，从而存在使得包含导电层、中间层和暗化层的导电结构体的反射率在300nm～800nm的可见光的整个波长区内被均匀地降低至20％以下的效果。此外，当所述厚度在15nm至25nm的范围内时，更优异的效果在于首先在600nm以上的可见光波长区中对于导电层反射率，反射率降低50％～60％，从而存在使得包含导电层、中间层和暗化层的导电结构体的反射率在300nm～800nm的可见光的整个波长区内被均匀地降低至15％以下的效果。
当中间层包含铝的氮氧化物时，中间层的厚度可以优选10nm至40nm，并且更优选20nm至30nm。当所述厚度在10nm至40nm范围内时，效果在于首先在500nm以下的可见光波长区中对于导电层反射率，反射率降低10％～40％，从而存在使得包含导电层、中间层和暗化层的导电结构体的反射率在300nm～800nm的可见光的整个波长区内被均匀地降低至20％以下的效果。此外，当所述厚度在20nm至30nm的范围内时，更优异的效果在于首先在500nm以下的可见光波长区中对于导电层反射率，反射率降低30％～40％，从而存在使得包含导电层、中间层和暗化层的导电结构体的反射率在300nm～800nm的可见光的整个波长区内被进一步降低的效果。
在本申请的示例性实施方式中，暗化层的厚度可以是20nm至150nm。所述厚度可以优选为20nm至100nm，更优选为40nm至80nm，或40nm至60nm。暗化层的优选厚度可根据所使用材料的折射率和制造工艺改变，但是考虑到蚀刻性能，当厚度是20nm以上时，可以相对容易地调整工艺，并且当厚度是150nm以下时，在生产率方面所述厚度相对有利。所述工艺容易调整，并且在上述厚度范围内改善所述生产率，因此上述厚度范围在制造工艺中更有利。在20nm至100nm范围内，在300nm～800nm可见光的整个波长区内，平均反射率可以是15％～20％以下。在40nm至80nm或40nm至60nm范围内，在300nm～800nm可见光的整个波长区内，平均反射率可以是10％～15％以下，因此上述范围对暗化层的形成更有利。
在本申请的示例性实施方式中，导电层的厚度没有特别限制，但是当所述厚度是0.01μm至10μm时，在导电层的导电性和形成图案的工艺的经济性方面可以显示更好的效果。
在本申请的示例性实施方式中，暗化层可以仅设置在导电层的任意一个表面上，或具有中间层的导电层的两个表面上(中间层位于导电层和暗化层之间)。这里，暗化层可具有形状与导电层相同的图案。但是，图案化的暗化层的图案大小不需要与图案化的导电层的图案大小完全相同，并且甚至图案化的暗化层的线宽小于或大于图案化的导电层的线宽的情况也被包含在本申请的范围内。具体地，图案化的暗化层中图案的线宽可以是图案化的导电层中图案的线宽的80％至120％。
在本申请的示例性实施方式中，图案化的暗化层可具有图案形状，其中所述图案形状的线宽小于或大于图案化的导电层中的线宽。例如，图案化的暗化层的面积可以是由图案化的导电层所占面积的80％至120％。
在本申请的示例性实施方式中，优选的是，暗化层的图案是其线宽等于或大于导电层的图案线宽的图案形状。
在图案化的暗化层具有线宽比图案化的导电层的线宽大的图案形状的情况下，当由使用者观察时，因为图案化的暗化层覆盖图案化的导电层的效果较大幅度地增加，优势在于可以有效地阻挡由图案化的导电层的光泽和反射导致的影响。但是，即使图案化的暗化层中图案的线宽与图案化的导电层中图案的线宽相同，也能够实现本申请的目标效果。
中间层可具有形状与导电层相同的图案。但是，图案化的中间层的图案大小不需要与图案化的导电层的大小完全一样，并且甚至图案化的中间层的线宽小于或大于图案化的导电层的线宽的情况也包含在本申请的范围内。具体地，图案化的中间层中的图案的线宽可以是图案化的导电层中图案的线宽的80％至120％。
在本申请的示例性实施方式中，图案化的中间层可具有线宽小于或大于图案化的导电层的线宽的图案形状。例如，图案化的中间层的面积可以是由图案化的导电层所占面积的80％至120％。
在本申请的示例性实施方式中，优选的是中间层的图案是线宽等于或大于导电层的图案线宽的图案形状。
在图案化的中间层具有线宽大于图案化的导电层的线宽的图案形状的情况下，当由使用者观察时，因为图案化的中间层覆盖图案化的导电层的效果较大幅度地增加，优势在于可以有效地阻挡由图案化的导电层的光泽和反射导致的影响。但是，即使图案化的中间层中图案的线宽与图案化的导电层中图案的线宽相同，也能够实现本申请的目标效果。
在根据本申请的示例性实施方式的导电结构体中，透明板可以作为基板使用，但是基板没有特别限制，并且可以使用例如玻璃、塑料板、塑料膜等。
在本申请的示例性实施方式中，图案化的导电层的线宽可以是0μm以上且10μm以下，优选0.1μm以上且10μm以下，更优选0.2μm以上且8μm以下，并且进一步优选0.5μm以上且5μm以下。
在本申请的示例性实施方式中，图案化的导电层的开口率，即，没有被图案覆盖的面积的比例，可以是70％以上、85％以上和95％以上。此外，图案化的导电层的开口率可以是90％至99.9％，但是不局限于此。
在本申请的示例性实施方式中，图案化的导电层的图案可以是规则图案或不规则图案。
作为规则图案，可以使用如网状图案的本领域的图案形状。不规则图案没有特别限制，但可以是构成维诺图(Voronoi diagram)的图形的边界线形状。在本申请中，在不规则图案和图案化的暗化层一起使用的情况下，由具有方向性的光照引起的反射光线的衍射图案可以通过不规则图案来除去，并且通过图案化的暗化层可以使散射光线的影响最小化，从而使可见性的问题最小化。
根据本申请的示例性实施方式的导电结构体的范例在下图1至3中显示。图1至3显示基板、导电层和暗化层的层压的顺序，并且当作为精细透明电极如实践中的触屏面板应用时，导电层和暗化层不具有整个表面层的形式，但是具有图案形状。
根据图1，显示以该顺序布置基板100、暗化层200、中间层400和导电层300的情况。当用户在基板一侧看触屏面板时，可以大幅减少由导电层造成的反射。
根据图2，显示以该顺序布置基板100、导电层300、中间层400和暗化层200的情况。当用户从与基板侧相对的表面看触屏面板时，可以大幅减少由导电层造成的反射。
根据图3，显示在基板100和导电层300之间和在导电层300上布置暗化层200和220的情况，和在暗化层和导电层之间布置中间层400和420的情况。当用户从基板侧和基板侧的相对侧看触屏面板时，可以大幅减少由导电层造成的所有反射。
在图1至3的描述中，导电层可以是图案化的导电层、暗化层可以是图案化的暗化层，并且中间层可以是图案化的中间层。
根据本申请的示例性实施方式的导电结构体可具有在导电层的至少一个表面上设置暗化层的结构。
根据本申请的示例性实施方式的导电结构体的结构可以是基板、暗化层、导电层和暗化层被顺序层压的结构。此外，在最外部分的暗化层上，导电结构体可包含另外的导电层和另外的暗化层。在该结构中可以额外包含至少一个中间层。在以下结构的范例中的中间层可具有一层，以及两层或多层。
即，根据本申请的示例性实施方式的导电结构体的结构可以是基板/暗化层/中间层/导电层的结构、基板/导电层/中间层/暗化层的结构、基板/暗化层/中间层/导电层/中间层/暗化层的结构、基板/导电层/中间层/暗化层/中间层/导电层的结构、基板/暗化层/中间层/导电层/中间层/暗化层/中间层/导电层/中间层/暗化层的结构、基板/暗化层/中间层/导电层/中间层/暗化层/中间层/导电层/中间层/暗化层/中间层/导电层/中间层/暗化层的结构等。在所述结构中，中间层可包含中间层具有一层的情况，以及中间层具有两层或多层的情况。例如，基板/暗化层/中间层/导电层的结构的实例还可包含基板/暗化层/第一中间层/第二中间层/导电层的结构、基板/暗化层/第一中间层/第二中间层/第三中间层/导电层的结构等。
在上述描述中，导电层可以是图案化的导电层，暗化层可以是图案化的暗化层，并且中间层可以是图案化的中间层。
根据本申请的示例性实施方式的导电结构体的制造方法可包含：在导电层上形成至少一个中间层；在所述中间层上形成暗化层；以及层压所述导电层或暗化层和基板。所述制造方法可进一步包含分别或同时图案化导电层和暗化层。
根据本申请的示例性实施方式的导电结构体的制造方法可包含：在基板上形成导电层；在所述导电层上形成至少一个中间层；以及在所述中间层上形成暗化层。所述制造方法可进一步包含分别或同时图案化导电层、中间层和暗化层。具体地，在导电层形成之后可以图案化导电层，在中间层形成之后可以图案化中间层，并且在暗化层形成之后可以图案化暗化层。此外，在暗化层形成之后，还可以同时图案化导电层、中间层和暗化层。
根据本申请的示例性实施方式的导电结构体的制造方法可包含：在基板上形成暗化层；在所述暗化层上形成至少一个中间层；以及在所述中间层上形成导电层。所述制造方法可进一步包含分别或同时图案化暗化层、中间层和导电层。具体地，在暗化层形成之后可以图案化暗化层，在中间层形成之后可以图案化中间层，以及在导电层形成之后可以图案化导电层。此外，具体地，在导电层形成之后，还可以同时图案化导电层、中间层和暗化层。
在本申请的示例性实施方式中，导电结构体的制造方法可包含：在基板上形成暗化层；在所述暗化层上形成至少一个中间层；在所述中间层上形成导电层；在所述导电层上形成至少一个中间层；以及在所述中间层上形成暗化层。所述制造方法可进一步包含分别或同时图案化暗化层、中间层和导电层。
在导电结构体的制造方法中，图案化之前中间层、导电层或暗化层的表面电阻可以是0Ω/□以上且2Ω/□以下，并且优选0Ω/□以上且0.7Ω/□以下。如果所述表面电阻式2Ω/□以下，并且优选0.7Ω/□以下，由于导电层或暗化层在图案化之前的表面电阻降低，容易进行精细图案的设计和制造工艺，并且效果在于由于图案化之后导电结构体的表面电阻降低，增加了电极的反应速度的作用。
根据本申请的示例性实施方式的导电结构体的制造方法可包含：在基板上形成图案化的导电层；在所述图案化的导电层上形成至少一个图案化的中间层；以及在所述图案化的中间层上形成图案化的暗化层。
根据本申请的示例性实施方式的导电结构体的制造方法可包含：在基板上形成图案化的暗化层；在所述图案化的暗化层上形成至少一个图案化的中间层；以及在所述图案化的中间层上形成图案化的导电层。
在本申请的示例性实施方式中，导电结构体的制造方法可包含：在基板上形成图案化的暗化层，在所述图案化的暗化层上形成至少一个图案化的中间层；在所述图案化的中间层上形成图案化的导电层；在所述图案化的导电层上形成至少一个图案化的中间层；以及在所述图案化的中间层上形成图案化的暗化层。
在导电结构体的制造方法中，导电结构体、导电层、中间层和暗化层的描述与以上描述相同。
在本申请的示例性实施方式中，在图案化的中间层的形成、中间层的形成、图案化的暗化层的形成，或暗化层的形成中，可以在形成图案化的中间层、中间层、图案化的暗化层或暗化层中使用本领域中已知的方法。例如，可以通过如沉积、溅射、湿涂法、蒸镀、电解电镀或化学电镀和层压金属箔的方法来形成所述层，并且可以优选通过溅射法形成。
例如，在中间层和暗化层形成期间，如用AlOxNy(x和y各自是O和N原子的数量与Al的一个原子的比例)，当通过使用Al金属靶来应用活性溅射法时，通过调整如O2和/或N2的活性气体的分压来实行所述方法。
例如，在形成包含Cu的导电层，包含CuOx(x是O原子的数量与Cu的一个原子的比例，铜的氧化物)的中间层以及暗化层的情况下，当使用惰性气体(例如，如氩的气体)作为溅射气体时，优势在于使用铜的氧化物单一材料溅射靶。因为使用铜的氧化物单一材料靶，所以不需要调整活性气体的分压，并且因此优势在于可相对容易地调节工艺，并且，即使在精细导电结构体的形成中可以通过使用Cu蚀刻剂来进行大量蚀刻。此外，即使在形成包含Cu的导电层，包含铜的氧化物的中间层以及暗化层的情况下，当通过使用Cu金属靶来应用活性溅射法时，所述方法还可以通过调整如O2的活性气体的分压来实行。
在本申请的示例性实施方式中，形成图案化的导电层的方法没有特别限制，并且可以通过印刷法直接形成图案化的导电层，或在导电层形成之后可以使用图案化导电层的方法。
在本申请的示例性实施方式中，在通过使用印刷法来形成图案化的导电层的情况下，可以使用导电材料的油墨或膏剂，并且除导电材料外，所述膏剂可以进一步包含粘合剂树脂、溶剂、玻璃粉等。
在形成导电层之后图案化导电层的情况下，可以使用具有抗蚀刻性的材料。
在本申请的示例性实施方式中，导电层可以通过如蒸镀、溅射、湿涂法、汽化、电解电镀、化学电镀和层压金属箔的方法来形成。在基板上涂布有机金属、纳米金属或它们的复合溶液、然后通过烧结和/或干燥来提供导电性的方法可以作为形成导电层的方法使用。有机银可以作为有机金属使用，并且纳米银粒子可以作为纳米金属使用。
在本申请的示例性实施方式中，导电层的图案化可以通过采用使用抗蚀刻图案的方法来进行。可以通过使用印刷法、光刻胶法、照相法、使用掩膜的方法或激光转印(例如，热转印成像)等来形成抗蚀刻图案，并且更优选印刷法和光刻胶法，但是所述方法不局限于此。导电薄膜层可以通过使用抗蚀刻图案来蚀刻和图案化，并且抗蚀刻图案可以通过剥脱法而被容易地除去。
本申请的示例性实施方式提供包括导电结构体的触屏面板。例如，在电容式触屏面板中，可将根据本发明的示例性实施方式的导电结构体可以作为触敏式电极板使用。
本发明的示例性实施方式提供包括触屏面板的显示器。
除了上述包含基板、图案化的导电层和图案化的暗化层的导电结构体之外，根据本申请的示例性实施方式的触屏面板可进一步包含另外的结构体。在此情况下，两个结构体可以以相同的方向布置，也可以以彼此相反的方向布置。可以包括在根据本申请的示例性实施方式的触屏面板内的两个以上的结构体不需要具有相同的结构，并且仅任一个和优选最靠近用户的结构体可包括基板、图案化的导电层和图案化的暗化层，并且另外包括的结构体可以不包括图案化的暗化层。此外，在两个以上的结构体内的层压结构可以彼此不同。在包括两个以上结构体的情况下，可以在它们之间插入绝缘层。在此情况下，所述绝缘层可进一步具有粘合剂层的功能。
根据本申请的示例性实施方式的触屏面板可包括下基板；上基板；和电极层，所述电极层设置在与上基板相接触的下基板的表面和与下基板相接触的上基板的表面中的任一表面上或者设置在这两个表面上。电极层可具有X-轴和Y-轴位置检测功能。
在此情况下，设置在下基板且与上基板相接触的下基板的表面上的电极层以及设置在上基板且与下基板相接触的上基板的表面上的电极层之一或两者可为根据本申请的示例性实施方式的导电结构体。在仅任一电极层为根据本申请的示例性实施方式的导电结构体的情况下，另一个电极层可具有本领域已知的导电图案。
在将电极层设置在上基板和下基板两者各自的一个表面上以形成双层电极层的情况下，可以在下基板和上基板之间设置绝缘层或隔离片，以便恒定地保持电极层之间的间隔并防止它们之间的连接。绝缘层可包括粘合剂或者UV或热固性树脂。触屏面板可进一步包含与上述导电结构体的导电层的图案连接的接地部。例如，接地部可以在其上形成基板的导电层图案的表面的边缘部分形成。此外，可以在包括导电结构体的层压体的至少一个表面上设置减反射膜、偏振膜和防指纹膜中的至少一种。除了上述功能性膜，根据设计规范还可以进一步包括其他种类的功能膜。所述触屏面板可应用于显示器，如OLED显示面板、液晶显示器(LCD)、阴极射线管(CRT)和PDP。
在根据本申请的示例性实施方式的触屏面板中，图案化的导电层和图案化的暗化层可以分别设置在基板的两个表面。
根据本申请的示例性实施方式的触屏面板可在导电结构体上进一步包含电极部或衬垫部。在此情况下，可以由相同的导体形成有效屏幕部、电极部和衬垫部。
在根据本申请的示例性实施方式的触屏面板中，图案化的暗化层可以设置在用户看到的一侧上。
本申请的示例性实施方式提供包含导电结构体的显示装置。在所述显示装置中，根据本申请的示例性实施方式的导电结构体可以用于滤色片板、薄膜晶体管板等。
本申请的示例性实施方式提供含导电结构体的太阳能电池。太阳能电池的范例可包含阳极电极、阴极电极、感光层、空穴传输层和/或电子传输层，并且根据本申请的示例性实施方式的导电结构体可以作为阳极电极和/或阴极电极使用。
所述导电结构体可以在显示装置或太阳能电池中代替已知的ITO来使用，并且可以灵活地应用。此外，所述导电结构体可以与CNT、导电聚合物和石墨烯等共同作为下一代透明电极使用。
以下，将参考实施例详细描述本申请。但是，以下实施例用于说明本申请，但是本申请的范围不局限于此。
<实验实施例1>
通过由活性溅射法改变CuOx(0<x，Cu和O的原子百分比时95:5)的厚度来使中间层沉积在作为导电层的厚度为100nm的Cu电极上，然后测量在中间层的表面上的薄层电阻。此时所述薄层电阻的值在下表1中显示。
[表1]
参考表1，能够确定作为导电层的铜电极的薄层电阻值与沉积中间层之后中间层的表面上的薄层电阻值之间没有差异，并且因此中间层不会削弱下部电极的薄层电阻值。
此外，根据中间层的厚度对可见光区波长的反射率在图4中显示。
<实验实施例2>
通过由活性溅射法改变AlOxNy(0<x,0.3≤y<1)的厚度而使中间层沉积在作为导电层的厚度为80nm的Al电极上。根据中间层的厚度对300nm～800nm可见光区波长的反射率在图5中显示。能够确定在包含中间层的500nm以下的短波长区反射率降低。
<实施例1～4>
由通过活性溅射法使由CuOx(0<x，Cu和O的原子百分比时95:5)形成的厚度为15nm的中间层沉积在作为导电层的厚度为100nm的Cu电极上来制造导电结构体，然后在所述中间层上沉积由CuOx(0<x，Cu和O的原子百分比时60:40)形成的厚度为43nm(实施例1)、54nm(实施例2)、65nm(实施例3)和75nm(实施例4)的暗化层。测量在实施例1～4中对可见光区波长的反射率，并且在图6中显示。参考图6，能够确定在实施例1～4中，在300nm～800nm的可见光的整个波长区内平均反射率是20％以下。
<实施例5～6>
由通过活性溅射法改变厚度为8nm(实施例5)和25nm(实施例6)使由CuOx(0<x，Cu和O的原子百分比时95:5)形成的中间层沉积在作为导电层的厚度为100nm的Cu电极上来制造导电结构体，然后在所述中间层上沉积由CuOx(0<x，Cu和O的原子百分比时60:40)形成的厚度为65nm的暗化层。测量在实施例5和6中对可见光区波长的反射率，并且随实施例4和对比实施例1的对可见光区波长的反射率在图7中显示。参考图7，能够确定在实施例5～6中，在300nm～800nm的可见光的整个波长区内平均反射率是20％以下。当对比实施例1和实施例4～6相比较时，能够确定在600nm以上的长波长区包含中间层的导电结构体的反射率明显降低。
<对比实施例1～4>
由通过活性溅射法改变厚度为65nm(对比实施例1)、43nm(对比实施例2)、54nm(对比实施例3)和75nm(对比实施例4)使由CuOx(0<x，Cu和O的原子百分比时60:40)形成的暗化层沉积在作为导电层的厚度为100nm的Cu电极上来制造导电结构体。测量对比实施例1～4中对可见光区波长的反射率，并且在图8中显示。
<实施例7>
使用光学透明粘合剂(OCA)通过层压实施例3的导电结构体和玻璃基板来制造实施例7的导电结构体。对可见光区波长实施例3和7的反射率在图9中显示。
参考图9，在层压后，在长波长的红色区域内反射率稍微增加，但是在波长600nm以下的区域内反射率稍微降低，并且因此确定平均大约10％的反射率。因此，当导电结构体应用于触屏面板、显示装置、太阳能电池等时，可以获得优异的可见性。
<对比实施例5>
使用光学透明粘合剂(OCA)通过层压对比实施例1的导电结构体和玻璃基板来制造对比实施例5的导电结构体。对可见光区波长对比实施例1和5的反射率在图10中显示。
参考图10，在层压基板后，在短波长的蓝色区域内光谱的强度下降，并且在长波长的红色区域内光谱的强度增加，并且因此，可看到样本显示红色。
<实验实施例3>根据蚀刻时间分析元素成分比
下表2是暗化层、中间层和作为导电层的Cu电极层的成分比的深度分布图，其通过X-射线电光子分光光谱(XPS)来测量，显示了根据蚀刻时间的各层原子百分成分比。参考下表2，能够确定在暗化层中铜:氧的原子百分比是60:39至94:6，并且在中间层中铜:氧的原子百分比是95:5至97:3。此外，图11显示根据暗化层、中间层和导电层的原子百分比。
[表2]
<实施例8～12>
通过由活性溅射法使由AlOxNy(0<x,0<y<0.3)形成的厚度为30nm的中间层沉积在作为导电层的厚度为80nm的Al电极上来制造导电结构体，然后在所述中间层上沉积由AlOxNy(0<x,0.3≤y<1)形成的厚度为40nm(实施例8)、50nm(实施例9)、60nm(实施例10)、70nm(实施例11)和80nm(实施例12)的暗化层。
测量在实施例8～12中对可见光区波长的反射率，并且在图12中显示。参考图12，能够确定在实施例8～12中，在300nm～800nm可见光的整个波长区中反射率是20％以下，并且在实施例8～10中，在300nm～800nm可见光的整个波长区中反射率是10％以下。
因此，应当理解的是上述实施方式没有限制性，但有全面解说性。
发明的范围通过所附权利要求界定而非通过其之前的说明界定，并且因此，落入权利要求的范围和界限内的、或等同于该范围和界限的所有改变和修改都将包括在所述权利要求中。
附图标记的描述
100:基板
200,220:暗化层
300:导电层
400,420:中间层
导电结构及其制造方法专利购买费用说明
Q：办理专利转让的流程及所需资料
A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。
1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2：按规定缴纳著录项目变更手续费。
3：同时提交相关证明文件原件。
4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q：专利转让变更，多久能出结果
A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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