IPC分类号 : H01F1/01I,H01F1/00I,C22C22/00I,C22C1/04I
专利摘要
本发明公开了一种低热滞的Mn‑Fe‑P‑Si基磁制冷材料及其制备方法,属于磁制冷材料技术领域,材料成分为(Mn,Fe)2‑xNbx(P,Si),式中,其步骤为:将锰片、铁粉、铌粉、磷块、硅块按化学式中各元素的摩尔比称重,在氩气保护下,进行球磨;将球磨后的粉末装入模具中压制成圆片;将压好的试样在氩气下进行退火处理,之后快速淬入冷水中制得样品。本发明通过向(Mn,Fe)2(P,Si)材料中掺入适量的Nb,使相变温度在室温附近连续可调,并且大大减小热滞,同时保持较大磁熵变,有利于材料在室温磁制冷中的应用。
权利要求
1.一种低热滞的Mn-Fe-P-Si基磁制冷材料,其特征在于,该材料的化学通式为(Mn,Fe)
2.根据权利要求1所述的磁制冷材料,其特征在于,由如下步骤制备:
(1)将锰片、铁粉、铌粉、磷块、硅块按化学通式中各元素的摩尔比称重,在氩气保护下,进行球磨;
(2)将球磨后的粉末装入模具中,压制成圆片状试样;
(3)将上述试样封入在氩气保护下,在1100±5℃下烧结20小时以上,冷水淬火处理,制得样品。
3.如权利要求2所述的磁制冷材料,其特征在于,球磨工艺条件为:钢球与原料的质量比为6:1,球磨时间10小时,频率40赫兹。
4.如权利要求2所述的磁制冷材料,其特征在于,在750MPa压力下压制成圆片状试样,压制时间为5min。
5.一种低热滞的Mn-Fe-P-Si基磁制冷材料的制备方法,其特征在于,所述磁制冷材料的化学通式为(Mn,Fe)
(1)将锰片、铁粉、铌粉、磷块、硅块按化学通式中各元素的摩尔比称重,在氩气保护下,进行球磨;
(2)将球磨后的粉末装入模具中,压制成圆片状试样;
(3)将上述试样封入在氩气保护下,在1100±5℃下烧结20小时以上,冷水淬火处理,制得样品。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,球磨工艺条件为:钢球与原料的质量比为6:1,球磨时间10小时,频率40赫兹。
7.如权利要求5所述的方法,其特征在于,在750MPa压力下压制成圆片状试样,压制时间为5min。
说明书
技术领域
本发明涉及室温磁制冷领域,具体涉及一种锰铁磷硅基合金磁制冷材料及其制备方法。
背景技术
磁制冷技术是以磁性材料为工质,基于磁热效应来实现制冷的一种全新的固态制冷技术。相对于传统的气体压缩制冷等而言,磁制冷具有以下优点:(1)无污染,磁制冷工质为固体材料,且传热介质为水或水基溶剂,不会向大气排出任何有害气体,同时不存在泄露或易燃问题;(2)制冷设备振动及噪声小,磁制冷装置体积小,且不使用压缩机,结构简单,产生的振动及噪声小;(3)效率高,低能耗,磁制冷的制冷效率最高可达卡诺循环的60%。因此,磁制冷作为一种革命性的新型节能环保制冷技术,已成为世界各国的研究热点。
磁制冷技术的应用,关键在于选择和开发合适的磁制冷工质。至今已发现的室温磁制冷材料主要有稀土类磁制冷材料、LaFeSi系列合金、类钙钛矿型锰氧化物、Heusler型合金和(Mn,Fe)2(P,Si)系列合金等。其中,(Mn,Fe)2(P,Si)系列合金因其大熵变,原料丰富且成本低被认为是最具前景的磁制冷材料。但由于(Mn,Fe)2(P,Si)材料发生的是一级磁弹相变,所以相变过程伴随较大热滞,且机械稳定性较差易碎,不利于材料的实际应用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种工作温度在室温附近、居里温度连续可调,热滞小、在永磁体可以提供的磁场范围内有大的磁熵变,可以广泛应用于磁制冷技术的磁制冷材料及其制备方法。
本发明所涉及的磁制冷材料的化学通式为:(Mn,Fe)2-xNbx(P,Si),式中 。
本发明还提供了上述Mn-Fe-P-Si基磁制冷材料的方法,包括如下步骤:
(1)将锰片、铁粉、铌粉、磷块、硅块按化学通式中各元素的摩尔比称重,在氩气保护下,放入不锈钢球磨罐中进行球磨;
(2)将球磨后的粉末装入模具中,压制成圆片状试样;
(3)将上述试样封入充有氩气保护的石英管中,在1100±5℃下烧结20小时以上,冷水淬火处理,制得样品。
进一步,球磨工艺条件为:钢球与原料的质量比为6:1,球磨时间10小时,频率40赫兹。
进一步,在750MPa压力下压制成圆片状试样,压制时间为5min。
与现有技术相比,本发明具有以下优点:
1)本发明通过在(Mn,Fe)2(P,Si)基合金掺杂微量的Nb,调控(Mn,Fe)2(P,Si)基合金的居里温度和磁热效应;且合金的热滞明显减小,提高制冷效率。
2)该材料体系具有原料储备丰富,制备方法简单,易于实现,造价低廉,应用前景广泛等特点。可应用于涉及制冷和低温技术的众多领域,如高能物理,低温工程,航空航天,精密仪器,石油化工,超导电技术,医疗器械等。
附图说明
图1为本发明的磁制冷材料Mn1.1Fe0.90-xNbxP0.43Si0.57(x=0.02, 0.03, 0.04,0.05)与不含Nb原始成分的M-T图。
图2为本发明的磁制冷材料Mn1.1Fe0.90-xNbxP0.43Si0.57(x=0.02, 0.03, 0.04) 与不含Nb原始成分在不同温度下的比热Cp。
图3 为本发明的磁制冷材料Mn1.1Fe0.90-xNbxP0.43Si0.57( x=0.02, 0.03, 0.04)与不含Nb原始成分的室温XRD衍射图。
图4 为本发明的磁制冷材料Mn1.1Fe0.90-xNbxP0.43Si0.57(x=0.04)的扫描电镜(SEM)图和元素分布(EDS)图。
图5为本发明的磁制冷材料Mn1.1Fe0.90xNbxP0.43Si0.57(x=0.02, 0.03, 0.04)在1T和1.5T磁场变化下的等温熵变曲线。
具体实施方式
下面对本发明的实施例作详细说明,本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施,给出了详细的实施方式和具体操作过程,但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
发明人在研究中发现,利用Nb元素的掺杂来部分取代(Mn,Fe)2(P,Si)中的金属元素,可以降低材料的居里温度TC,使居里温度在室温附近连续可调;同时随着Nb元素含量增多,热滞显著减小且保持较大的磁熵变。
实施例1
(1) 将锰片、铁粉、铌粉、磷块、硅块按Mn1.1Fe0.88Nb0.02P0.43Si0.57合金(x=0.02)的摩尔比称重,在氩气保护下,放入不锈钢球磨罐中进行球磨。球磨工艺条件为:钢球与原料的质量比为6:1,球磨时间10小时,频率40赫兹;
(2) 将球磨后的粉末装入直径为10mm的模具中,在750MPa压力下压制成 的圆片状试样,压制时间为5min。
(3) 将压好的试样封入充有氩气保护的石英管中,在1100℃下烧结20小时,冷水(自来水)淬火处理,制得样品。
实施例2
采用与实施例1类似的方法制备,除了Mn、Fe、Nb、P、Si之间的摩尔比变为1.1:0.87:0.03:0.43:0.57(x=0.03)外,其余均相同。
实施例3
采用与实施例1类似的方法制备,除了Mn、Fe、Nb、P、Si之间的摩尔比变为1.1:0.86:0.04:0.43:0.57(x=0.04)外,其余均相同。
实施例4
采用与实施例1类似的方法制备,除了Mn、Fe、Nb、P、Si之间的摩尔比变为1.1:0.85:0.05:0.43:0.57(x=0.05)外,其余均相同。
对上述实施例1-4制得的Mn1.1Fe0.90-xNbxP0.43Si0.57合金进行检测,图1为Mn1.1Fe0.90-xNbxP0.43Si0.57系列合金在0.1T磁场下的磁化强度随温度变化曲线。由图可知,向(Mn,Fe)2(P,Si)合金中掺入Nb后,居里温度下降,并且热滞快速下降,但当Nb含量x增加到0.05时,热滞反而增加。
图2为Mn1.1Fe0.90-xNbxP0.43Si0.57系列合金在不同温度下的比热Cp。向合金中掺入4at.%Nb后,热滞从10 K,降到了1 K,这将大大提高(Mn,Fe)2(P,Si)基磁制冷材料的制冷效率。
图3为Mn1.1Fe0.90-xNbxP0.43Si0.57系列合金的室温XRD衍射图。所有样品结晶度良好,x=0的样品呈明显的铁磁和顺磁两相,说明其相变温度在室温附近。而掺铌后的样品在室温只含有顺磁相,表明掺铌后样品的相变温度降到了室温以下,与图2中比热的测量结果保持一致。此外,掺入Nb后样品中没有出现新的杂相,表明Nb进入了(Mn,Fe)2(P,Si)合金的晶体结构中。
采用FEI场发射扫描电子显微镜进行分析,图4为Mn1.1Fe0.90-xNbxP0.43Si0.57(x=0.04)的扫描电镜(SEM)图和元素分布(EDS)图。从图中可以看出铌进入了主相的晶粒中,而非形成新相或者聚集于晶界处,进一步证明本发明所提供的降低(Mn,Fe)2(P,Si)合金热滞的方法是来源于铌的掺杂效应。
图5为合金样品在磁场变化为1 T和1.5 T时的等温熵变-温度曲线。随着Nb含量增加,最大熵变略有减少,但仍处于较高水平。
低热滞的Mn-Fe-P-Si基磁制冷材料及其制备方法专利购买费用说明
Q:办理专利转让的流程及所需资料
A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。
1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2:按规定缴纳著录项目变更手续费。
3:同时提交相关证明文件原件。
4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q:专利转让变更,多久能出结果
A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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