专利摘要

专利摘要

本发明提供电子照相感光体，所述电子照相感光体具有合适的电特性，长期反复使用也可形成良好的图像，不会产生记忆现象等图像缺陷，能形成高品质的图像。本发明还提供使用该电子照相感光体的电子照相处理盒和使用该电子照相感光体的成像装置。所述电子照相感光体的特征在于，在感光层含有氧钛酞菁和下述通式(1)表示的腙化合物，所述氧钛酞菁是对酞菁结晶前体进行化学处理后使其接触有机溶剂得到的，其在对CuKα特征X射线(波长)的布拉格角(2θ±0.2°)为9.6°、24.1°以及27.2°处具有主衍射峰。

权利要求

1.一种电子照相感光体，其是在导电性支持体上具有感光层的感光体，其特征在于，

所述感光层含有下述的氧钛酞菁和下述通式(1)表示的腙化合物，

所述氧钛酞菁是由氯含量为0.4重量％以下的氧钛酞菁或者以质谱强度比计算的氯化氧钛酞菁与无取代氧钛酞菁的比例为0.05以下的氧钛酞菁经结晶转换得到的，并且是对酞菁结晶前体进行化学处理后使其接触有机溶剂得到的，该氧钛酞菁在对CuKα特征X射线(波长 )的布拉格角(2θ±0.2°)为9.6°、24.1°以及27.2°处具有主衍射峰，

通式(1)中，Ar¹、Ar²均表示4-甲基苯基，Ar³、Ar⁴表示带有取代基或不带有取代基的苯基，Ar⁵表示带有取代基或不带有取代基的亚芳基。

2.一种电子照相感光体，其是在导电性支持体上具有感光层的感光体，其特征在于，

所述感光层含有下述的氧钛酞菁和下述通式(1)表示的腙化合物，

所述氧钛酞菁是由氯含量为0.4重量％以下的氧钛酞菁或者以质谱强度比计算的氯化氧钛酞菁与无取代氧钛酞菁的比例为0.05以下的氧钛酞菁经结晶转换得到的，并且是对酞菁结晶前体进行化学处理后使其接触有机溶剂得到的，并且在对CuKα特征X射线(波长 )的布拉格角(2θ±0.2°)为9.5°、9.7°、24.2°以及27.2°处具有主衍射峰，

通式(1)中，Ar¹、Ar²均表示4-甲基苯基，Ar³、Ar⁴表示带有取代基或不带有取代基的苯基，Ar⁵表示带有取代基或不带有取代基的亚芳基。

3.一种电子照相处理盒，其特征在于，其具有权利要求1或2所述的电子照相感光体，并且该电子照相处理盒的结构使得在成像装置上装卸自由。

4.一种成像装置，其特征在于，其具有权利要求1或2所述的电子照相感光体并具有对该电子照相感光体充电的充电部、对充电后的该电子照相感光体曝光而形成静电潜像的曝光部以及对该电子照相感光体上形成的静电潜像进行显影的显影部之中的至少一个。

5.如权利要求4所述的成像装置，其特征在于，不进行静电消除步骤。

说明书

技术领域

本发明涉及使用特定材料组合的电子照相感光体、电子照相感光体盒以及成像装置。特别是涉及用于激光打印机、复印机、传真机等的电子照相感光体中对LED(发光二极管)光或半导体激光非常有效且耐久性也优异的电子照相感光体、电子照相感光体盒以及成像装置。

背景技术

因即时性优异、能得到高品质的图像等，近年来，电子照相技术不再局限于复印机领域，其还广泛被用于各种打印机、印刷机的领域。

作为电子照相技术的核心的感光体，以往使用的是使用硒、砷-硒合金、氧化锌这样的无机类光导电材料的感光体。但是，最近感光体的主流变成了使用有机类光导电材料的感光体，有机类光导电材料具有无公害、容易成膜/制造、材料的选择/组合的自由度高等优点。

从有机感光体的层构成分类，已知有单层型感光体和层积型感光体，所谓单层型感光体是将电荷产生物质(本说明书中，有时将“电荷产生物质”称作“电荷产生材料”)与电荷传输物质(本说明书中，有时将“电荷传输物质”称作“电荷移动物质”或“电荷传输材料”)分散在粘合剂树脂中；而层积型感光体则具有电荷产生层和电荷传输层。层积型感光体将效率高的电荷产生物质以及电荷移动物质分别分布于不同的层，通过组合最适的物质，可以得到高敏感度且稳定的感光体，并且其材料选择范围宽，特性的调整容易，所以大多使用层积型感光体。

另外，对于采用电子照相法的复印机、打印机以及普通纸传真机等，已知有的为了简化步骤、低价格化等而省略了转印工序后的静电消除工序。即，相对于通常包括充电、曝光、显影、转印、清洁以及静电消除等步骤的普通电子照相法，已知有不包含交流(AC)电晕放电、曝光等进行静电消除工序的电子照相法。

但是，使用省略了该静电消除工序的复印机、打印机以及普通纸传真机等在印刷图像后继续印刷中间色调图像的情况下，有时产生在中间色调图像部出现先前印刷的图像的现象，即所谓的记忆(重影)现象。该记忆现象包括以更高浓度出现的正型记忆现象和浓度变淡的负型记忆现象。

上述图像的记忆现象的具体产生机理尚不能完全解释清楚，有众多不明之处，有观点认为，特别是电子照相感光体在电子照相过程中的转印步骤受到逆充电的情况下，电荷被注入感光层，该注入的电荷的影响是产生记忆现象的重要原因之一。

另外，近年来，复印机、打印机均由单色向全色化发展。这种全色成像方法中，主要包括串联方式、4循环方式，在向印刷介质的转印方式方面，包括直接转印方式、转印鼓方式、中间转印方式、多重显影一步转印方式等。这些之中，串联方式(即以不同色别的成像单元形成各色图像，进行逐次转印)的彩色成像装置可使用的记录材料的种类丰富，全色的品质也高，能以高速度得到全色图像，所以是优异的成像方法。其中，能够以高速形成全色图像的特征是其他方式中未见的优点。

但是，对于串联方式来说，虽然速度快，由于是以多个成像单元形成各色图像，并进行逐次转印，所以越是后面的成像单元，其转印在非转印介质(中间转印介质或记录材料)上的调色剂像的厚度越厚，为了转印电子照相感光体上形成的调色剂层，需要施加更大的转印电压。其结果是，在上述加载反极性电荷的情况下，电荷向感光层的注入更明显，产生更清晰的记忆现象。

随着近年的电子照相过程的高速化，高敏感度化、高速响应化成为了电子照相感光体必须的特性。为了实现高敏感度化，需要对电荷产生材料进行优化，并开发与其匹配良好的电荷传输材料，对于高速响应性，需要开发高迁移率且低剩余电位的电荷传输材料。

为了实现高敏感度，需要使用产生电荷的能力高的电荷产生材料。其中，特别是对于作为现在的主流的600～850nm单色曝光具有高敏感度的氧钛酞菁的研究日趋成熟。已知上述氧钛酞菁具有多结晶型。其中已知，在对CuKα特征X射线(波长 )的布拉格角(2θ±0.2°)为27.2°处具有主衍射峰的结晶型表现出高的量子效率，并表现出高敏感度(例如，参见非专利文献1)。

这种结晶型主要是由无定形或者低结晶性氧钛酞菁经结晶转换制造的。已知，这些结晶型是准稳定型的结晶型，由于制造方法的不同，表现出多种结晶型和颗粒形状，产电荷的能力、充电性以及暗衰减等电子照相感光体的特性也因制造方法而不同。另外，制作感光体，将感光体装载在复印机、打印机以及普通纸传真机等实际的机器上的情况下，得到的画质也不同，难以根据制造方法预测各种性能。

另外，为了实现高速响应，需要开发一种电荷传输材料，该电荷传输材料具有高迁移率，曝光时表现出足够低的剩余电位，且与电荷产生材料匹配良好。为了实现高迁移率，已经明确，电荷传输材料的分子设计方针是使分子的偶极距、极化率等为一定的值以上，等等(例如，参见专利文献1)，以此为开端，一直在开发各种高迁移率、低剩余电位的电荷传输材料。但是，即使满足高迁移率、低剩余电位等电子照相感光体特性，根据电荷传输材料的基本分子骨架、取代基的取代位置的不同，有时实际的复印机、激光打印机得到的画质或者转印等受到周围程序的影响也不同，这种不同的起因尚不清楚。

专利文献1：日本特开平10-312070号公报

非专利文献1：电子照相学会志1990年第29卷第3号p.250～258

发明内容

组合显示高敏感度的已知的电荷产生材料和高迁移率低剩余电位的电荷传输材料而成的电子照相感光体能够满足作为电子照相感光体的基本特性(敏感度、剩余电位、充电性、暗衰减等)的性能。但是，对于简单地组合高敏感度的电荷产生材料和高迁移率低剩余电位的电荷传输材料而成的电子照相感光体，将其安装在上述的串联型全色成像装置上，或者安装在打印机、复印机以及普通纸传真机等(其特征是在至少包括充电、曝光、显影以及转印步骤的电子照相法中，省略了转印步骤后的静电消除步骤)成像装置上的情况下，有时记忆现象等图像缺陷变得更明显。

为了解决上述课题，本发明人进行了深入研究，结果发现，通过组合以特定的电荷产生材料的制造方法得到的含有特定量的氯化物的氧钛酞菁和具有特定结构的电荷传输材料，能够得到一种电子照相感光体，该感光体不会产生记忆现象等图像缺陷，能形成高品质的图像，从而完成了本发明。

即本发明具有下述要点。

(1)一种电子照相感光体，其是在导电性支持体上具有感光层的电子照相感光体，所述感光层使用下述的氧钛酞菁和作为电荷传输材料的具有特定结构的腙化合物，所述氧钛酞菁是对酞菁结晶前体进行化学处理后使其接触有机溶剂得到的，其在CuKα特征X射线(波长 )的布拉格角(2θ±0.2°)为9.6°、24.1°以及27.2°处具有主衍射峰。

即，氧钛酞菁是对酞菁结晶前体进行化学处理后使其接触有机溶剂得到的，其在对CuKα特征X射线(波长 )的布拉格角(2θ±0.2°)为9.6°、24.1°以及27.2°处具有主衍射峰。更具体地说，通过对酞菁结晶前体进行化学处理后使其接触有机溶剂，从而使氧钛酞菁为特定的结晶型，然后进行使用。

(2)一种电子照相感光体，其是在导电性支持体上具有感光层的电子照相感光体，所述感光层使用下述的氧钛酞菁和作为电荷传输材料的具有特定结构的腙化合物，所述氧钛酞菁是对酞菁结晶前体进行化学处理后使其接触有机溶剂得到的，其在CuKα特征X射线(波长 )的布拉格角(2θ±0.2°)为9.5°、9.7°、24.2°以及27.2°处具有主衍射峰的氧钛酞菁。

即，氧钛酞菁是对酞菁结晶前体进行化学处理后使其接触有机溶剂得到的，其在CuKα特征X射线(波长 )的布拉格角(2θ±0.2°)为9.5°、9.7°、24.2°以及27.2°处具有主衍射峰。更具体地说，通过对酞菁结晶前体进行化学处理后使其接触有机溶剂，从而使氧钛酞菁成为特定的结晶型，然后使用该氧钛酞菁。

(3)一种电子照相感光体，其是在导电性支持体上具有感光层的电子照相感光体，所述感光层使用下述的氧钛酞菁和作为电荷传输材料的具有特定结构的腙化合物，所述氧钛酞菁由氯含量为0.4重量％以下的氧钛酞菁或者以质谱强度比计算的氯化氧钛酞菁与无取代氧钛酞菁的比例为0.05以下的氧钛酞菁经结晶转换得到，其在对CuKα特征X射线(波长 )的布拉格角(2θ±0.2°)为27.2°处具有主衍射峰。

即，氧钛酞菁是对具有规定的氯含量或质谱强度比的氧钛酞菁进行结晶转换得到的。更具体地说，对具有规定的氯含量或质谱强度比的氧钛酞菁进行结晶转换，将氧钛酞菁制成特定的结晶型后使用。

(4)一种电子照相处理盒，其具有上述(1)～(3)任一项所述的电子照相感光体，并且该电子照相处理盒的结构使得在成像装置上装卸自由。

(5)一种成像装置，其具有上述(1)～(3)任一项所述的电子照相感光体并具有对该电子照相感光体充电的充电部、对充电后的该电子照相感光体曝光而形成静电潜像的曝光部以及对该电子照相感光体上形成的静电潜像进行显影的显影部之中的至少一个。

(6)如上述(5)所述的成像装置，所述成像装置不进行静电消除步骤。

通过本发明的以下电子照相感光体，可以提供不产生记忆现象等图像缺陷并能形成高品质的图像的电子照相感光体、具有该电子照相感光体的电子照相处理盒以及具有该电子照相感光体的成像装置：(1)本发明的电子照相感光体，其中，对酞菁前体进行化学处理后使其接触有机溶剂，得到在对CuKα特征X射线(波长 )的布拉格角(2θ±0.2°)为9.6°、24.1°以及27.2°处具有主衍射峰的氧钛酞菁，所述电子照相感光体使用该氧钛酞菁和作为电荷传输材料的具有特定结构的腙化合物；(2)本发明的电子照相感光体，其中，对酞菁前体进行化学处理后使其接触有机溶剂，得到在对CuKα特征X射线(波长 )的布拉格角(2θ±0.2°)为9.5°、9.7°、24.2°以及27.2°处具有主衍射峰的氧钛酞菁，所述电子照相感光体使用该氧钛酞菁和作为电荷传输材料的具有特定结构的腙化合物；(3)本发明的电子照相感光体，其中，氯含量为0.4重量％以下的氧钛酞菁或者以质谱强度比计氯化氧钛酞菁与无取代氧钛酞菁的比例为0.05以下的氧钛酞菁经结晶转换，得到在对CuKα特征X射线(波长 )的布拉格角(2θ±0.2°)为27.2°处具有主衍射峰的氧钛酞菁，所述电子照相感光体使用该氧钛酞菁和作为电荷传输材料的具有特定结构的腙化合物；等等。

附图说明

图1是说明本发明的成像装置的一个实施方式的要部构成的示意图。

图2是合成例1得到的β型氧钛酞菁的X射线衍射图。

图3是合成例3得到的低结晶性氧钛酞菁的X射线衍射图。

图4是合成例3得到的氧钛酞菁的X射线衍射图。

图5是合成例4得到的氧钛酞菁的X射线衍射图。

图6是合成例5得到的低结晶性氧钛酞菁的X射线衍射图。

图7是合成例5得到的氧钛酞菁的X射线衍射图。

图8是比较合成例1得到的结晶转换前的氧钛酞菁的X射线衍射图。

图9是比较合成例1得到的氧钛酞菁的X射线衍射图。

符号说明

1感光体(电子照相感光体)

2充电装置(充电辊；充电部)

3曝光装置(曝光部)

4显影机(显影部)

5转印装置

6清洁装置(清洁部)

7定影装置

41显影槽

42搅拌器

43供给辊

44显影辊

45调整部件

71上部定影部件(加压辊)

72下部定影部件(定影辊)

73加热装置

T调色剂

P记录纸(纸张，介质)

具体实施方式

下面对本发明的实施方式进行详细说明，但本发明不受下述说明的限定，在不脱离本发明的要点的范围，实施时可作适当改变。

本发明通过合用氧钛酞菁和特定的腙化合物来得到高性能的电子照相感光体，所述氧钛酞菁是对酞菁前体进行化学处理后使其接触有机溶剂而得到的特定结晶型的氧钛酞菁。

另外，将具有预定的氯含量或质谱强度比的氧钛酞菁进行结晶转换而得到特定结晶型的氧钛酞菁，本发明通过合用该氧钛酞菁和特定的腙化合物来得到高性能的电子照相感光体。至于结晶转换前是否得到了具有这种特定物性值的氧钛酞菁，这可通过实施后述的氯含量的测定方法和质谱强度比的测定方法来进行确认。另外，对于结晶转换的方法没有特别限制，优选采用化学处理后使其接触有机溶剂的方法。

<化学处理后接触有机溶剂而得到的氧钛酞菁>

本发明的电子照相感光体的感光层含有特定的氧钛酞菁，该氧钛酞菁是对酞菁前体进行化学处理后使其接触有机溶剂而得到的。

本发明中，所谓化学处理是指在制备无定形氧钛酞菁、低结晶性氧钛酞菁的阶段使用的处理。

化学处理不是简单地利用物理力(例如机械磨碎等)得到无定形氧钛酞菁或者低结晶性氧钛酞菁的方法，而是利用溶解、反应等化学现象得到无定形或者低结晶性氧钛酞菁的处理方法。

作为化学处理的具体例子，可以举出将酞菁前体溶解在强酸中进行的酸溶胀法(本说明书中，有时将“酸溶胀法(acid pasting)”简称为“酸溶法”)、在强酸中经分散状态的酸浆法、在二氯钛氧酞菁上加成苯酚、醇后使其离去而得到氧钛酞菁的方法等。为了得到更稳定的无定形、低结晶性氧钛酞菁，优选酸溶法、酸浆法，更优选酸溶法。

酸溶法、酸浆法是下述方法：制备在强酸中溶解或悬浮、分散有颜料的溶液，将该制备的溶液与强酸混合均匀，投放到颜料基本不溶解的介质中(氧钛酞菁的情况下是例如水、甲醇、乙醇、丙醇、乙二醇等醇类；乙二醇单甲基醚、乙二醇二乙基醚、四氢呋喃等醚类等)中而进行再颜料化，由此对颜料进行改性。

酸浆法、酸溶法中，使用浓硫酸、有机磺酸、有机膦酸、三卤乙酸等强酸。这些强酸可以单独使用，或者强酸之间混合使用，或者使用强酸与有机溶剂的组合等。考虑到酞菁前体的溶解性，强酸的种类优选为三卤乙酸、浓硫酸，考虑到生产成本，更优选为浓硫酸。

考虑到酞菁前体的溶解性，优选浓度为90重量％以上的浓硫酸，考虑到浓硫酸的含量低则生产效率降低，因此更优选为95重量％以上的浓硫酸。

至于使酞菁前体溶解于强酸中的温度，可以在公知文献披露的温度条件下进行溶解。温度过高时，前体的酞菁环开环，发生分解，所以优选为5℃以下，考虑到对所得到的电子照相感光体的影响，更优选为0℃以下。

强酸的用量是任意的，但用量过少时，酞菁前体的溶解性变差，所以，相对于1重量份酞菁前体，强酸的量为5重量份以上，溶液中的固体成分浓度过高时，搅拌效率降低，所以，优选相对于1重量份酞菁前体，强酸的量为15重量份以上，更优选为20重量份以上。另外，强酸用量过多时，废弃的酸量增加，所以优选相对于1重量份酞菁前体，强酸的量为100重量份以下，考虑到生产效率，更优选相对于1重量份酞菁前体，强酸的量为50重量份以下。

作为得到的酞菁前体的酸溶液所投放的介质的种类，可以举出例如水；甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇等醇；乙二醇、甘油等多元醇；四氢呋喃、二氧六环、二氧戊环、四氢吡喃等环状醚；乙二醇单甲醚、乙二醇二乙基醚等链状醚等。与公知的方法相同，投放介质可以单独使用一种，也可以两种以上混合使用。根据所用的介质种类的不同，进行再颜料化时的颗粒形状、结晶状态等发生变化，该经历对后面得到的最终结晶的电子照相感光体的特性有影响，所以优选水、甲醇、乙醇、1-丙醇以及2-丙醇等低级醇类，从生产率、成本方面考虑，更优选水。

将酞菁前体的浓硫酸溶液投放到投放介质中，对其再颜料化得到的氧钛酞菁被过滤成湿滤饼。该湿滤饼含有大量投放介质中存在的浓硫酸的硫酸根离子等杂质，所以，再颜料化后，用清洗介质进行清洗。进行清洗的介质可以举出例如氢氧化钠水溶液、氢氧化钾水溶液、碳酸氢钠水溶液、碳酸钠水溶液、碳酸钾水溶液、乙酸钠水溶液、氨水溶液等碱性水溶液；稀盐酸、稀硝酸、稀乙酸等酸性水溶液；离子交换水等水等。颜料中残存的离子性物质大多对电子照相感光体的特性有不良影响，所以优选离子交换水等除去了离子性物质的水。

通常，利用酸溶法、酸浆法得到的氧钛酞菁是没有明确的衍射峰的无定形氧钛酞菁，或者是具有的峰的强度非常弱且半峰宽非常大的具有峰的低结晶性氧钛酞菁。

通常，通过使利用酸溶法、酸浆法得到的无定形氧钛酞菁或者低结晶性氧钛酞菁接触有机溶剂，可得到能够用于本发明的电子照相感光体的氧钛酞菁，该氧钛酞菁在对CuKα特征X射线(波长 )的布拉格角(2θ±0.2°)为9.6°、24.1°以及27.2°或9.5°、9.7°、24.2°以及27.2处具有主衍射峰。本发明的氧钛酞菁结晶在对CuKα特征X射线(波长 )的布拉格角(2θ±0.2°)的峰可以利用任意的公知方法进行测定。

本发明的特定的氧钛酞菁是在进行化学处理后通过接触有机溶剂得到的。将化学处理后的无定形氧钛酞菁以及低结晶性氧钛酞菁统称为“低结晶性酞菁类”。

本发明中，“低结晶性酞菁类”是指在粉末X射线衍射(X-raydiffraction：以下有时简记为“XRD”)光谱中，在对CuKα特征X射线(波长 )的布拉格角(2θ±0.2°)为0～40°范围内没有半峰宽为0.30°以下的峰的酞菁类。该半峰宽过小时，固体中的酞菁分子某种程度上处于具有一定的规则性和长期的秩序的状态，通过接触有机溶剂来得到本发明的氧钛酞菁时，有时结晶型的可控性降低。因此，本发明中使用的低结晶性酞菁类优选没有半峰宽通常为0.35°以下、进一步说为0.40°以下、特别是0.45°以下的峰。

此外，本说明书中，在下述条件进行酞菁类的粉末X射线衍射光谱的测定、对CuKα特征X射线(波长 )的布拉格角(2θ±0.2°)的确定以及半峰宽的计算。

作为粉末X射线衍射光谱的测定装置，使用以CuKα(CuKα1+CuKα2)射线为X射线源的集中光学系的粉末X射线衍射计(例如PANalytical社生产，PW1700)。粉末X射线衍射光谱的测定条件如下：扫描范围(2θ)3.0～40.0°，扫描步宽0.05°，扫描速度3.0°/min，发散狭缝1°，散射狭缝1°，接受狭缝0.2mm。

半峰宽可以通过线形拟合(profile fitting)法算出。线形拟合可以使用例如MDI社生产的粉末X射线衍射图案解析软件JADE5.0+进行。其计算条件如下。

首先，根据全部测定范围(2θ＝3.0～40.0°)，将本底固定在理想的位置。作为拟合函数，使用考虑了CuKα2的贡献的Peason-VII函数。作为拟合函数的变量，将衍射角(2θ)、峰值高度以及半峰宽(βo)这三个变量精密化。除去CuKα2的影响，计算来自CuKα1的衍射角(2θ)、峰值高度以及半峰宽(βo)。进而，非对称固定在0，形常数固定在1.5。

利用在相同测定条件、相同线形拟合条件计算出的标准Si(NIST Si640b)的111峰(2θ＝28.442°)的半峰宽(βSi)，根据下式对根据上述的线形拟合法计算出的半峰宽(βo)进行校正，由此求出试样产生的半峰宽(β)。

β=βo2-βsi2]]>

此外，无定形氧钛酞菁与低结晶性氧钛酞菁的分界不清楚，但是本发明中无论以哪种为原料均能得到本发明的特定的氧钛酞菁。

如后所述，本发明的氧钛酞菁的结晶在对CuKα特征X射线(波长 )的布拉格角(2θ±0.2°)为9.6°、24.1°和27.2°、或者为9.5°、9.7°、24.2°和27.2°处具有主衍射峰。此外，在27.2°附近具有峰的低结晶性酞菁类具有与具有上述特定结晶型的氧钛酞菁某种程度上类似的规则性，向上述特定结晶型转换的结晶型可控性优异。这种情况下的低结晶性酞菁类通常没有半峰宽为0.30°以下的峰，优选没有半峰宽为0.35°以下的峰的低结晶性酞菁类，更优选没有半峰宽为0.40°以下的峰的低结晶性酞菁类，进一步优选没有半峰宽为0.45°以下的峰的低结晶性酞菁类。

另一方面，使用在27.2°附近没有峰的低结晶性酞菁类作为本发明的氧钛酞菁的原料的情况下，由于向具有上述特定结晶型的氧钛酞菁转换的结晶型可控性低，所以更优选结晶性低。这种情况下的低结晶性酞菁通常没有半峰宽为0.30°以下的峰，优选没有半峰宽为0.50°以下的峰的低结晶性酞菁，更优选没有半峰宽为0.70°以下的峰的低结晶性酞菁，进一步优选没有半峰宽为0.90°以下的峰的低结晶性酞菁。

通常，在水的存在下进行低结晶性酞菁类与有机溶剂的接触。水可以使用利用酸溶法、酸浆法得到的含水滤饼中所含有的水，除了含水滤饼中所含有的水以外，还可以使用后添加的水。另外，还可以将酸溶法、酸浆法后得到的含水滤饼暂时干燥，使用在结晶转换时重新追加的水。但是，由于进行干燥后，颜料与水的亲和性降低，所以优选不进行干燥，使用由酸溶法、酸浆法得到的含水滤饼中所含有的水或者在含水滤饼中所含有的水中进一步添加水。

作为可以用于结晶转换的溶剂，与水具有相溶性的溶剂或与水不相溶的溶剂均可以使用。作为与水具有相溶性的溶剂的优选的例子，可以举出例如四氢呋喃、1，4-二氧六环以及1，3-二氧戊环等环状醚。另外，作为与水不相溶的溶剂的优选的例子，可以举出例如甲苯、萘以及甲基萘等芳香族烃类溶剂；一氯苯、二氯苯、氯甲苯、二氯甲苯、二氯氟苯以及1，2-二氯乙烷等卤化烃类溶剂；硝基苯、1，2-亚甲基二氧基苯以及苯乙酮等取代芳香族类溶剂。其中，优选环状醚、一氯苯、1，2-二氯苯、二氯氟苯、二氯甲苯等卤化烃类溶剂；芳香族烃类溶剂，使用这些溶剂时，所得到的结晶的电子照相特性好。特别是从所得到的结晶的分散时的稳定性方面考虑，更优选四氢呋喃、一氯苯、1，2-二氯苯、2，4-二氯甲苯、二氯氟苯、甲苯、萘。

对结晶转换后得到的结晶进行干燥步骤。至于干燥方法，可以以例如送风干燥、加热干燥、真空干燥以及冷冻干燥等公知的方法进行干燥。

上述制造法得到的氧钛酞菁结晶是在对CuKα特征X射线(波长 )的布拉格角(2θ±0.2°)为9.6°、24.1°以及27.2°或为9.5°、9.7°、24.2°以及27.2°处具有主衍射峰的结晶。在26.2°附近具有衍射峰的结晶在分散时的结晶稳定性差，所以优选在26.2°附近没有峰的结晶。其中，从用作电子照相感光体时的暗衰减、剩余电位的角度出发，更优选在7.3°、9.6°、11.6°、14.2°、18.0°、24.1°和27.2°或者在7.3°、9.5°、9.7°、11.6°、14.2°、18.0°、24.2°和27.2°处具有主衍射峰的结晶。此外，布拉格角如以2θ±0.2°表示的那样，具有±0.2°的误差。因此，例如，“布拉格角(2θ±0.2°)为9.6°”是指9.4～9.8°的范围。该误差范围对于其他的角度也是同样的。

这些氧钛酞菁的粒径因制法、结晶转换方法的不同而有很大不同。但是，考虑到分散性，以SEM照片上观察到的任意10个颗粒的最大径的平均值为平均一次粒径的情况下，该平均一次粒径优选为500nm以下，从涂布成膜性的方面出发，该平均一次粒径优选为250nm以下。

本发明的氧钛酞菁结晶中的氯含量可利用公知的任何方法进行测定。更具体地说，例如可以利用下述的“氯含量的测定”项中记载的方法进行测定。另外，氯化氧钛酞菁与无取代氧钛酞菁的质谱的强度比也可以利用公知的任何方法进行测定。具体地说，氯化氧钛酞菁与无取代氧钛酞菁的质谱的强度比可以根据“质谱的测定”项记载的条件求得。

<氯含量的测定>

精确称量约100mg氧钛酞菁，放在石英板上，用三菱化学社生产的升温型电炉QF-02使其完全燃烧，用15ml水定量吸收燃烧气体。将该吸收液稀释成50ml，用离子层析法(Dionex社生产，DX-120)进行Cl分析。离子层析法的条件如下所示。

柱：Dionex IonPak AG12A+AS12A

洗脱液：2.7mM Na₂CO₃/0.3mM NaHCO₃的混合液

流量：1.3ml/min

注入量：50μl

<质谱的测定>

1.试样的制备

将0.50g氧钛酞菁与30g玻璃珠 10g环己酮一同装入50ml的玻璃容器，用染料分散试验机(涂料摇摆器)分散处理3小时，制成氧钛酞菁分散液。取1μl该分散液放入20ml样品瓶，加入5ml三氯甲烷。接着，用超声波分散1小时，制备10ppm分散液。

2.测定装置和条件

测定装置：JEOL社生产的JMS-700/MStation

离子化模式：DCI(-)

反应气体：异丁烷(离子化室压力1×10^-5Torr)

热丝速率(フイラメントレ一ト)：0→0.90A(1A/min)

质量分析能(m/z)：2000

扫描法：MF-Linear

扫描质量范围：500～600

全质量范围扫描时间：0.8秒

重复时间：0.5秒

3.氯化氧钛酞菁与无取代氧钛酞菁的质谱强度比的计算方法

将1μl测定用分散液涂布在DCI探针的热丝上，以上述的条件实施质谱的测定。以根据所得到的质谱中相当于氯化氧钛酞菁的分子离子的m/z＝610和相当于无取代氧钛酞菁的分子离子的m/z＝576的离子色谱得出的峰面积的比(“610”峰面积/“576”峰面积)为质谱强度比进行计算。

作为氧钛酞菁中含有的氯成分的种类，包括例如下述物质：反应中使用的溶剂的残存物；来自原料四氯化钛的作为离子种被含有的氯成分；或者使用四氯化钛作为中心金属源时，在反应过程中酞菁环上发生氯化，从而作为氯化氧钛酞菁而包含在结晶中的氯成分等。这些杂质之中，对于反应溶剂或离子种，几乎全部在反应后的清洗操作被洗去了。与此相对，对于氯化氧钛酞菁来说，反应体系中形成酞菁结晶时，由于氯化氧钛酞菁进入了该结晶中，所以不容易除去，一直残留到最后的阶段，形成残存的氯成分。这些残存的氯化氧钛酞菁以什么样的机制影响图像的记忆现象尚不清楚。但是，据推测，由于含有氯化氧钛酞菁，所以晶格发生了变形，另外，还对晶粒的表面电荷状态有影响，该影响可能参与电荷传输材料与电荷产生材料相接的界面附近的电荷的捕获。

基于上述元素分析方法测定的氯含量优选为0.4重量％以下。其理由尚不明确，作为杂质的在对CuKα特征X射线(波长 )的布拉格角(2θ±0.2°)为27.2°处具有主衍射峰的氧钛酞菁结晶是准稳定型的结晶型，经不起物理力等外部冲击，所以发生向稳定结晶型的转换。结晶中具有氯原子的化合物等大分子团时，结晶中的分子构造的变形变大，容易受到物理力的影响，结晶稳定性降低，所以优选氯含量为0.3重量％以下。另外，存在具有氯原子的化合物等时，结晶中的分子间距离增大，分子面间的π电子系的相互作用降低，对产生电荷的能力有不良影响，所以氯含量更优选为0.2重量％以下。

对于酞菁环被氯化产生的氯化氧钛酞菁的量，可以基于上述的质谱测定样品制备方法、测定方法以及质谱强度比的计算方法求得。与上述相同，结晶中含有氯化氧钛酞菁时，只有被氯原子取代的那部分单分子的体积变大，对结晶中的分子的构造造成影响，结晶的稳定性降低。因此，上述质谱强度比优选为0.05以下，更优选为0.04以下，氯化氧钛酞菁的含量过多时，敏感度趋于变差，所以进一步优选为0.03以下。

<腙化合物>

本发明的电子照相感光体中使用具有特定结构的腙化合物。具有后述的结构的腙化合物参与记忆现象的机制尚不清楚，据推测其原因如下，由于腙化合物具有特定的基本骨架，且在特定位置具有取代基，所以其与电荷产生材料的相互作用得到缓和，腙化合物与电荷产生材料的接触状态可能难以捕获与电荷产生材料接触时被注入的电荷。

本发明中的电子照相感光体中使用具有下述通式(1)的结构的腙化合物。

式(1)中，Ar¹、Ar²表示芳基，Ar¹、Ar²之中至少一个是具有取代基的芳基。Ar³、Ar⁴表示带有取代基或不带有取代基的苯基。Ar⁵表示带有取代基或不带有取代基的亚芳基。此外，对于Ar¹、Ar²，取代基间可以结合而形成环戊基环、环己基环等脂环式结构。但是，Ar¹与Ar²、Ar³与Ar⁴相互直接结合或者通过亚烷基等相互结合而形成环结构时，对电子照相感光体的特性有不良影响，发生敏感度变差，剩余电位上升等。所以，Ar¹与Ar²、Ar³与Ar⁴相互之间不直接结合或者不通过亚烷基等形成环结构。

作为Ar¹、Ar²表示的芳基，可以举出例如苯基、萘基、菲基以及蒽基等。带有稠环取代基时，共轭体系高度扩张，分子之间的相互作用增强，对溶剂的溶解性降低，所以优选为苯基。

作为Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴可以具有的取代基，可以举出例如甲基、甲氧基、乙氧基以及异丙基等碳原子数为5以下的低级烷基；甲氧基、乙氧基等碳原子数为5以下的烷氧基等。Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴具有取代基的情况下，考虑到制成电子照相感光体使用时对反复使用的耐久性、对臭氧的耐久性，优选取代基是碳原子数为3以下的烷基。其中，从作为电荷传输材料的迁移率的角度出发，更优选Ar¹与Ar²均为4-甲基苯基。另外，考虑到制成电子照相感光体使用时的剩余电位，更优选Ar³与Ar⁴是不带有取代基的苯基。

Ar⁵表示带有取代基或不带有取代基的亚芳基。作为亚芳基，可以举出例如亚苯基、亚萘基、亚蒽基等。作为可以具有的取代基，可以举出例如甲基、乙基、丙基以及异丙基等碳原子数为5以下的低级烷基；甲氧基、乙氧基等碳原子数为5以下的烷氧基等。Ar⁵是稠环结构的情况下，该化合物对涂布形成感光层时使用的有机溶剂的溶解性降低，所以优选Ar⁵是亚苯基。Ar⁵具有取代基的情况下，考虑到制成电子照相感光体使用时对反复使用的耐久性、对臭氧的耐久性，优选取代基是碳原子数为3以下的烷基。但是，Ar⁵具有取代基时，分子内产生扭曲，可能引起迁移率的降低，所以优选Ar⁵是不具有取代基的1，4-亚苯基。

下面举出可以用于本发明的腙化合物的优选的结构。本例示是为了明确本发明的宗旨，只要不违反本发明的宗旨，可以用于本发明的腙化合物不限于下述例示的结构。

<电子照相感光体>

下面对本发明的电子照相感光体进行详细描述。

作为在导电性支持体上形成的感光层，其可以是单层结构，其中电荷产生物质与电荷传输物质存在于同一层并分散在粘合剂树脂中。另外，作为在导电性支持体上形成的感光层，其还可以是层积结构，按功能分为电荷产生层和电荷传输层(有时将该按功能分层的层积结构的感光体称为“功能分离型感光体”)，其中，电荷产生层中，电荷产生物质分散在粘合剂中，电荷传输层中，电荷传输物质分散在粘合剂树脂中。感光层具有层积结构的情况下，电荷产生层由含有上述氧钛酞菁作为至少一种电荷产生物质的电荷产生物质和粘结性树脂构成。

功能分离型感光体中的电荷产生层是如下形成的：将粘结性树脂溶解在有机溶剂中，在形成的溶液中分散含有至少一种上述氧钛酞菁的电荷产生物质，由此制备涂布液，将该涂布液涂布在导电性支持体上，通过将电荷产生物质的微粒与各种粘合剂树脂粘合，形成所述电荷产生层。

电荷产生物质可以单独使用氧钛酞菁，也可以以氧钛酞菁与若干染料/颜料的混合状态使用。

作为与氧钛酞菁形成混合状态使用的染料/颜料，可以举出例如酞菁颜料、偶氮颜料、二硫代酮基吡咯并吡咯颜料、三十碳六烯(方酸内鎓盐颜料)、喹吖啶酮颜料、靛蓝颜料、二萘嵌苯颜料、多环醌颜料、蒽嵌蒽酮颜料、苯并咪唑颜料等。

作为制成混合状态使用的染料/颜料，从光敏感度方面出发，优选使用酞菁颜料、偶氮颜料。

作为功能分离型感光体中的电荷产生层中使用的粘结性树脂的例子，可以举出例如聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚乙烯醇缩甲醛树脂、丁缩醛的一部分被甲缩醛、乙缩醛等改性的部分缩醛化聚乙烯醇缩丁醛树脂等聚乙烯醇缩醛类树脂；聚丙烯酸酯树脂、聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、改性醚系聚酯树脂、苯氧树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏二氯乙烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、聚苯乙烯树脂、丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚丙烯酰胺树脂、聚酰胺树脂、聚乙烯基吡啶树脂、纤维素类树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂、有机硅树脂、聚乙烯醇树脂、聚乙烯基吡咯烷酮树脂、酪蛋白、氯化乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、羟基改性氯化乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、羧基改性氯化乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯化乙烯-乙酸乙烯酯-马来酸酐共聚物等氯化乙烯-乙酸乙烯酯系共聚物；苯乙烯-丁二烯共聚物、偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、苯乙烯-醇酸树脂、硅-醇酸树脂、苯酚-甲醛树脂等绝缘性树脂；聚-N-乙烯基咔唑、聚乙烯基蒽、聚乙烯基二萘嵌苯等有机光导电性聚合物等。粘结性树脂可以从这些树脂之中选择使用，但不限于这些聚合物。另外，这些粘结性树脂可以单独使用，也可两种以上混合使用。

作为制作涂布液时用于溶解粘结性树脂的溶剂以及分散介质，可以举出例如戊烷、己烷、辛烷、壬烷等饱和脂肪族类溶剂；甲苯、二甲苯、苯甲醚等芳香族类溶剂；氯苯、二氯苯、氯萘等卤化芳香族类溶剂；二甲基甲酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮等酰胺类溶剂；甲醇、乙醇、异丙醇、正丁醇、苯甲醇等醇类溶剂；甘油、聚乙二醇等脂肪族多元醇类；丙酮、环己酮、丁酮等链状以及环状酮类溶剂；甲酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丁酯等酯类溶剂；二氯甲烷、三氯甲烷、1，2-二氯乙烷等卤化烃类溶剂；乙醚、二甲氧基乙烷、四氢呋喃、1，4-二氧六环、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂等链状以及环状醚类溶剂；乙腈、二甲亚砜、环丁砜、六甲基磷酸三酰胺等非质子性极性溶剂；正丁基胺、异丙醇胺、二乙基胺、三乙醇胺、乙二胺、三乙二胺、三乙胺等含氮化合物；石油醚等矿物油；水等。溶剂、分散介质优选使用不溶解后述的底涂层的物质。另外，这些物质可以单独使用，也可两种以上合用。

功能分离型感光体的电荷产生层中，上述粘结性树脂与电荷产生物质的配合比(重量)如下，相对于100重量份粘合剂树脂，电荷产生物质的范围是10～1000重量份，优选为30～500重量份，其膜厚的范围通常为0.1μm～10μm，优选为0.15μm～0.6μm。电荷产生物质的比例过高时，由于电荷产生物质的凝集等问题，涂布液的稳定性降低，另一方面，其比例过低时，导致感光体的敏感度降低，所以优选以上述范围的比例使用。作为分散上述电荷产生物质的方法，可以采用例如球磨机分散法、磨碎机分散法以及混砂机分散法等公知的分散方法。此时，将颗粒微细化到0.5μm以下、优选为0.3μm以下、更优选为0.15μm以下的颗粒尺寸是有效的。

作为用于感光体的导电性支持体，主要使用例如铝、铝合金、不锈钢、铜、镍等金属材料；通过添加金属、碳、氧化锡等导电性粉体而具有导电性的树脂材料；其表面蒸镀或涂布有铝、镍、ITO(氧化铟氧化锡)等导电性材料的树脂、玻璃以及纸等。至于形态，可以使用例如鼓状、片状、带状等。为了控制导电性/表面性等或者为了覆盖缺陷，可以在金属材料的导电性支持体上涂布具有适当电阻值的导电性材料。

使用铝合金等金属材料作为导电性支持体的情况下，可以在实施阳极氧化覆膜后使用。实施阳极氧化覆膜的情况下，优选利用公知的方法实施封孔处理。

阳极氧化覆膜是在例如铬酸、硫酸、草酸、硼酸以及氨基磺酸等酸性浴中进行阳极氧化处理形成的，在硫酸中的阳极氧化处理可提供较好的结果。在硫酸中进行阳极氧化的情况下，优选设定硫酸浓度为100～300g/l，溶解铝浓度为2～15g/l，液温为15～30℃，电解电压为10～20V，电流密度为0.5～2A/dm²，但不限于上述条件。

优选对如此形成的阳极氧化覆膜进行封孔处理。封孔处理可以是通常的方法，但优选实施在含有例如氟化镍作为主成分的水溶液中浸泡的低温封孔处理，或者在含有乙酸镍作为主成份的水溶液中浸泡的高温封孔处理。

上述低温封孔处理时，适当选择所使用的氟化镍水溶液浓度，在3～6g/l的浓度范围、优选为4～6g/l的范围使用时，可得到更理想的结果。另外，为了平稳地进行封孔处理，处理温度通常为25～40℃，优选为30～35℃，另外，氟化镍水溶液的pH的范围通常为4.5～6.5，优选为5.5～6.0。作为pH调节剂，可以使用例如草酸、硼酸、甲酸、乙酸、氢氧化钠、乙酸钠、氨水等。每1μm厚的覆膜的处理时间的范围为1～3分钟，优选为2～3分钟。此外，为了进一步改善覆膜物性，可以将例如氟化钴、乙酸钴、硫酸镍、表面活性剂等添加到氟化镍水溶液中。接着进行水洗、干燥，完成低温封孔处理。

作为上述高温封孔处理时的封孔剂，可以使用例如乙酸镍、乙酸钴、乙酸铅、乙酸镍-钴以及硝酸钡等金属盐水溶液，特别优选使用乙酸镍。使用乙酸镍水溶液时，其浓度范围优选为5～20g/l，特别优选为10～15g/l。进行处理时优选的是，处理温度通常为80～100℃，优选为90～98℃，并且，乙酸镍水溶液的pH为5.0～6.0。此处，作为pH调节剂，可以使用氨水、乙酸钠等。进行处理时，处理时间通常为10分钟以上，优选为20分钟以上。此外，这种情况下，为了改善覆膜物性，也可以将例如乙酸钠、有机羧酸、阴离子系表面活性剂、非离子系表面活性剂等添加到乙酸镍水溶液中。接着，进行水洗、干燥，完成高温封孔处理。平均膜厚较厚的情况下，需要通过封孔液的高浓度化、高温长时间处理，以形成更强的封孔条件。所以，生产率变差，同时，覆膜表面容易产生表面缺陷，例如斑点、污点、白霜。从这样的方面考虑，所形成的阳极氧化覆膜的平均膜厚通常为20μm以下，特别优选为7μm以下。

支持体表面可以是平滑的，但也可通过采用特别的切削方法或者实施研磨处理，从而对支持体表面实施粗面化处理。另外，也可在构成支持体的材料中混合适当粒径的颗粒，由此进行粗面化处理。另外，为了低成本化，还可以不实施切削处理，直接使用拉制管。特别是使用拉拔加工、冲击加工和减径挤压等的非切削铝基体的情况下，通过处理，得到的基体均匀、洁净，表面存在的污点或异物等附着物、小的伤痕等消失，所以是优选的。

为了改善粘结性/粘连性等，可以在导电性支持体和后述的感光层之间设置底涂层。作为底涂层，可以使用例如树脂、分散有金属氧化物等颗粒的树脂。

作为底涂层中使用的金属氧化物颗粒，可以举出例如二氧化钛、氧化铝、二氧化硅、氧化锆、氧化锌和氧化铁等含有一种金属元素的金属氧化物颗粒；钛酸钙、钛酸锶和钛酸钡等含有多种金属元素的金属氧化物颗粒。金属氧化物颗粒可以使用仅一种颗粒，也可将多种颗粒混合使用。这些金属颗粒中，优选二氧化钛和氧化铝，特别优选二氧化钛。对于二氧化钛颗粒，可以用例如氧化锡、氧化铝、氧化锑、氧化锆和二氧化硅等无机物或者硬脂酸、多元醇和硅酮等有机物对其表面实施处理。作为二氧化钛颗粒的结晶型，可以使用金红石、锐钛矿、板钛矿或无定形中的任一种。也可以包括多个结晶状态。

另外，作为金属氧化物颗粒的粒径，可以利用各种粒径，其中，从特性和液体的稳定性方面出发，以SEM照片上观察到的任意10个颗粒的最大径的平均值为平均一次粒径时，该平均一次粒径优选为10nm～100nm，特别优选为10nm～50nm。

底涂层优选由将上述金属氧化物颗粒分散在粘合剂树脂中的形式形成。作为底涂层所用的粘合剂树脂，可以使用例如环氧树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚酰胺树脂、氯化乙烯树脂、氯化乙烯树脂、乙酸乙烯酯树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、聚氨酯树脂、聚酰亚胺树脂、偏二氯乙烯树脂、聚乙烯醇乙缩醛树脂、氯化乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯醇树脂、聚氨酯树脂、聚丙烯酸树脂、聚丙烯酰胺树脂、聚乙烯基吡咯烷酮树脂、聚乙烯基吡啶树脂、水溶性聚酯树脂、硝基纤维素等纤维素酯树脂、纤维素醚树脂、酪蛋白、明胶、聚谷氨酸、淀粉、淀粉乙酸酯、氨基淀粉、锆螯合物、锆醇盐化合物等有机锆化合物、钛螯合物(チタニルキレ一ト化合物)、钛醇盐化合物(チタニルアルコキシド化合物)等有机钛化合物(有機チタニル化合物)以及硅烷偶联剂等公知的粘结性树脂。这些粘结性树脂可以单独使用，也可以与固化剂一起以固化后的形式使用。其中，醇可溶性的共聚聚酰胺、改性聚酰胺等具有良好的分散性、涂布性，所以是优选的。

底涂层中使用的无机颗粒相对于粘合剂树脂的添加量可以任意选择，从分散液的稳定性、涂布性方面考虑，优选在10～500重量％的范围、特别是50～400重量％的范围使用。

底涂层的膜厚可以任意选择，从感光体特性和涂布性考虑，通常在0.01～30μm、优选0.1～20μm的范围内使用。另外，为了防止图像缺陷等，可以在底涂层含有颜料颗粒、树脂颗粒等。

在形成具有电荷产生层和电荷传输层的功能分离型感光体的电荷传输层以及单层型感光体的感光层时，使用粘合剂树脂来确保膜强度。对于功能分离型感光体的电荷传输层，可以通过将电荷传输物质和各种粘合剂树脂溶解或分散在溶剂中，涂布所得到的涂布液并进行干燥来得到；另外，对于单层型感光体的感光层，可以通过将电荷产生物质、电荷传输物质和各种粘合剂树脂溶解或分散在溶剂中，涂布如此得到的涂布液并进行干燥来得到。作为粘合剂树脂，可以举出例如丁二烯树脂、苯乙烯树脂、乙酸乙烯酯树脂、氯化乙烯树脂、丙烯酸酯树脂、甲基丙烯酸酯树脂、乙烯醇树脂、乙基乙烯醚等乙烯基化合物的聚合物和共聚物；聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚乙烯醇缩甲醛树脂、部分改性聚乙烯醇缩乙醛、聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、聚丙烯酸酯树脂、聚酰胺树脂、聚氨酯树脂、纤维素酯树脂、苯氧基树脂、有机硅树脂、硅-醇酸树脂、聚-N-乙烯基咔唑树脂等。这些粘合剂树脂可以用硅试剂等进行修饰。上述粘合剂树脂之中，特别优选聚碳酸酯树脂、聚丙烯酸酯树脂。

从敏感度、剩余电位方面考虑，聚碳酸酯树脂、聚丙烯酸酯树脂之中，优选含有具有下述结构式的双酚或者联苯酚成分的聚碳酸酯树脂、聚丙烯酸酯树脂，其中从迁移率方面出发，更优选聚碳酸酯树脂。

下面给出可以用于聚碳酸酯树脂的双酚、联苯酚的结构。本例示是为了明确本发明的宗旨，只要不违反本发明的宗旨，其结构不限于例示的结构。

此外，这些结构成分可以使用适当的固化剂在热、光等的作用下交联后使用。此外，粘合剂树脂还可以两种以上混合使用。对聚碳酸酯树脂和聚丙烯酸酯树脂的粘均分子量没有特别的限制，通常为10,000以上，优选为15,000以上，进一步优选为20,000以上，且通常为300,000以下，优选为200,000以下，更优选为100,000以下。粘均分子量过小时，感光层的机械强度降低而不实用。另外，粘均分子量过大时，难以涂布形成适当厚度的感光层。

使用上述腙化合物作为电荷传输物质。上述腙化合物可以单独使用，也可以与其他的电荷传输性物质合用。作为合用的电荷传输性物质，只要是公知的物质，则没有特别的限定，可以举出例如2，4，7-三硝基芴酮等芳香族硝基化合物；四氰基醌二甲烷等氰基化合物；联苯醌等醌化合物等吸电子性物质；咔唑衍生物、吲哚衍生物、咪唑衍生物、噁唑衍生物、吡唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并呋喃衍生物等杂环化合物；苯胺衍生物、腙衍生物、芳香族胺衍生物、茋衍生物、丁二烯衍生物以及烯胺衍生物等给电子性物质等。还可以举出多种这些化合物结合形成的物质或者在主链或者侧链具有这些化合物形成的基团的聚合物等给电子性物质等。这些之中，优选咔唑衍生物、芳香族胺衍生物、茋衍生物、丁二烯衍生物、烯胺衍生物或者多种这些化合物结合形成的物质。

粘合剂树脂和电荷传输物质的比例如下，无论单层型感光体还是层积型感光体(功能分离型感光体)，相对于100重量份粘合剂树脂，电荷传输物质均通常为20重量份以上，从剩余电位减小的角度出发，优选电荷传输物质为30重量份以上，另外，从反复使用时的稳定性、电荷迁移率的角度出发，更优选电荷传输物质为40重量份以上。另一方面，从感光层的热稳定性的角度出发，电荷传输物质通常为150重量份以下，从电荷传输物质与粘合剂树脂的相溶性的角度出发，优选电荷传输物质为120重量份以下，从耐刷性的角度出发，更优选电荷传输物质为100重量份以下，从耐擦伤性的角度出发，特别优选电荷传输物质为80重量份以下。

另外，对于层积型感光体来说，膜厚通常在5～50μm的范围使用，从长寿命、图像稳定性的角度出发，膜厚优选为5～45μm，从高分辨率的角度出发，膜厚更优选为5～30μm。

此外，为了提高成膜性、挠性、涂布性、耐污染性、耐气体性以及耐光性等，可以在感光层含有公知的抗氧化剂、增塑剂、紫外线吸收剂、吸电子性化合物、流平剂以及可见光遮光剂等添加物。

对于单层型感光体来说，在上述的配合比的电荷传输层中进一步分散有上述的氧钛酞菁。这种情况下的氧钛酞菁的体积平均粒径必须足够小，所使用的氧钛酞菁的体积平均粒径优选为1μm以下、更优选为0.5μm以下。感光层内分散的氧钛酞菁过少时，不能得到足够的敏感度，过多时，存在充电性降低、敏感度降低的弊端，所以优选在0.1～50重量％的范围、更优选为1～20重量％的范围使用氧钛酞菁。单层型感光体的膜厚通常为5～100μm，优选为10～50μm。

对于层积型感光体或者单层型感光体，为了防止感光层的损耗，或者防止/减轻由从充电器等产生的放电物质等造成的感光层的老化，可以在感光体的最表层设置保护层。保护层通常通过在适当的粘结性树脂中含有导电性材料来形成，或者可以使用下述的共聚物，所述共聚物使用了日本特开平9-190004号公报所记载的那样的三苯胺骨架等具有电荷传输能的化合物。作为导电性材料，可以使用例如TPD(N，N’-二苯基-N，N’-二(间甲苯基)联苯胺)等芳香族氨基化合物；氧化锑、氧化铟、氧化锡、二氧化钛、氧化锡-氧化锑、氧化铝以及氧化锌等金属氧化物等，但并不限于此。作为保护层所用的粘结性树脂，可以使用例如聚酰胺树脂、聚氨酯树脂、聚酯树脂、环氧树脂、聚酮树脂、聚碳酸酯树脂、聚乙烯基酮树脂、聚苯乙烯树脂、聚丙烯酰胺树脂以及硅氧烷树脂等公知的树脂。另外，还可以使用日本特开平9-190004号公报所记载的含有三苯胺骨架等具有电荷传输能的化合物的共聚物。上述保护层优选构成为电阻为109～10¹⁴Ω·cm的形式。电阻高于10¹⁴Ω·cm时，剩余电位升高，形成了非常模糊的图像，而电阻低于10⁹Ω·cm时，产生图像的混乱、分辨率降低。另外，保护层必须构成为实质上不妨碍图像曝光所照射的光的透过。

另外，基于降低感光体表面的摩擦阻抗、磨损，提高调色剂从感光体向转印带以及纸的转印效率等目的，可以在表面层含有含氟树脂、有机硅树脂、聚乙烯树脂等。另外，还可以含有由这些树脂形成的颗粒、无机化合物的颗粒。

对于单层型感光体以及功能分离型感光体的电荷传输层来说，由上述方法得到的涂布液通常在固体成分浓度为5～40重量％的范围使用，优选在固体成分浓度为10～35重量％的范围使用。涂布液的粘度通常为10～500mPa·s，优选为50～400mPa·s。对于功能分离型感光体的电荷产生层来说，涂布液的固体成分浓度通常为0.1～15重量％，优选为1～10重量％。涂布液的粘度通常为0.01～20mPa·s，优选为0.1～10mPa·s。

构成这些感光体的各层可如下形成：利用公知的涂布方法在支持体上依次涂布上述方法得到的涂布液，依照各个层重复涂布、干燥的步骤，从而形成各层。

作为涂布液的涂布方法，可以举出例如浸涂法、喷涂法、旋涂法、线性涂布法(bead coating)、绕线棒涂布法、刮刀涂布法、辊涂法、气刀涂布法、幕涂法等，也可以使用其他公知的涂布法。

涂布液的干燥优选在室温指触干燥后，在30～200℃的温度范围，无风或送风下加热干燥1分钟～2小时。另外，加热温度可以是恒定的，也可以在干燥时改变加热温度进行干燥。

<成像装置/处理盒>

下面，使用给出了装置的要部构成的图1对使用本发明的电子照相感光体的成像装置(本发明的成像装置)的实施方式进行说明。但实施方式不限于下述的说明，只要不脱离本发明的要点，实施时可以任意变化。

如图1所示，所构成的成像装置具有电子照相感光体1、充电装置2、曝光装置3以及显影机4，根据需要还设置有转印装置5、清洁装置6以及定影装置7。

电子照相感光体1只要是上述的本发明的电子照相感光体则没有特别限制，图1中，作为其一个例子，给出了圆筒状导电性支持体的表面形成有上述的感光层的鼓状感光体。沿该电子照相感光体1的外周面，分别配置有充电装置2、曝光装置3、显影机4、转印装置5以及清洁装置6。

充电装置2使电子照相感光体1带电，使电子照相感光体1的表面均匀带有预定电位。作为充电装置，通常使用例如电晕管、栅式电晕管(scorotron)等电晕充电装置、将施加了电压的直接充电部件接触感光体表面而对其充电的直接充电装置(接触型充电装置)等。作为直接充电装置的例子，可以举出充电辊、充电刷等接触充电器等。此外，图1中，作为充电装置2的一例，给出了辊型的充电装置(充电辊)。作为直接充电单元，可进行伴有空气中放电的充电或者不伴有空气中放电的注入充电。另外，作为充电时施加的电压，可以仅使用直流电压，也可以在直流上叠加交流电压来使用。

曝光装置3只要是能对电子照相感光体1进行曝光从而在电子照相感光体1的感光面形成静电潜像的装置即可，对其种类没有特别限制。作为具体例，可以举出卤灯、荧光灯、半导体激光器、He-Ne激光器等激光器、LED等。另外，还可以通过感光体内部曝光方式进行曝光。进行曝光时的光是任意的，例如可以以波长为780nm的单色光、波长600nm～700nm的稍短波长附近的单色光、波长380nm～500nm的短波长的单色光等进行曝光。但是，利用不足500nm的短波长的光时，本申请发明的腙化合物吸收该光，所以存在不能写入足够的光的情形，因而优选用500～800nm的单色光进行曝光。

对显影装置4的种类没有特别限制，可以使用瀑布显影、单成分绝缘调色剂显影、单成分导电调色剂显影、双组分磁刷显影等干式显影方式或湿式显影方式等的任意装置。图1中，显影装置4由显影槽41、搅拌器42、供给辊43、显影辊44以及调整部件45构成，显影槽41的内部存放有调色剂T。另外，必要时，显影装置4还可以附带有补充调色剂T的补充装置(未图示)。该补充装置的构成为可以从瓶、处理盒等容器补充调色剂T。

供给辊43由导电性海绵等形成。显影辊44由例如铁、不锈钢、铝和镍等金属辊构成，或者由在这样形成的金属辊上覆盖有有机硅树脂、聚氨酯树脂、氟树脂等的树脂辊等构成。根据需要，还可以对该显影辊44的表面实施平滑加工或粗面加工。

显影辊44配置在电子照相感光体1与供给辊43之间，分别与电子照相感光体1和供给辊43抵接。供给辊43和显影辊44在旋转驱动机构(未图示)的作用下旋转。供给辊43装载存放的调色剂T后将其供给到显影辊44。显影辊44装载由供给辊43供给的调色剂T后，使其接触电子照相感光体1的表面。

调整部件45由例如有机硅树脂或聚氨酯树脂等的树脂刮刀；不锈钢、铝、铜、黄铜和磷青铜等金属刮刀；或者在这样的金属刮刀上覆盖有树脂的刮刀等形成。该调整部件45与显影辊44抵接，通过弹簧等被以预定的力挤压在显影辊44侧(通常的刮刀线性压力为5～500g/cm²)。根据需要，该调整部件45可以具有通过与调色剂T的摩擦带电来对调色剂T充电的功能。

搅拌器42在旋转驱动机构的作用下各自旋转，搅拌调色剂T的同时，将调色剂T运送至供给辊43侧。可以设置桨叶形状、大小等不同的多个搅拌器42。

调色剂T的种类是任意的，除了粉状调色剂之外，还可以使用利用悬浮造粒法、悬浮聚合法、乳液聚合凝集法等得到的化学调色剂等。特别是使用化学调色剂的情况下，优选直径为4μm～8μm左右的小粒径调色剂，另外，所使用调色剂的颗粒的形状也可以是各种各样的，从近球形到马铃薯状的偏离了球形的形状均可使用。特别是聚合调色剂，其带电均一性、转印性优异，适用于高画质化。

对转印装置5的种类没有特别限制，可以使用采用例如电晕转印、辊转印、带转印等静电转印法、压力转印法和粘合转印法等任意方式的装置。此处，转印装置5由与电子照相感光体1对向配置的转印充电器(transfer charger)、转印辊、转印带等构成。该转印装置5以与调色剂T的带电电位的相反极性施加预定电压值(转印电压)，将在电子照相感光体1上形成的调色剂图像转印到记录纸(纸张、介质)P上。

对于清洁装置6没有特别限制，可以使用刷清洁器、磁刷清洁器、静电刷清洁器、磁辊清洁器和刮刀清洁器等任意的清洁装置。清洁装置6利用清洁部件刮落附着在感光体1的残余调色剂，并回收残余调色剂。但是，感光体表面残留的调色剂少或者几乎没有的情况下，也可以没有清洁装置6。

定影装置7由上部定影部件(定影辊)71和下部定影部件(定影辊)72构成，在定影部件71或72的内部设有加热装置73。图1给出了在上部定影部件71的内部设有加热装置73的例子。上部和下部的各定影部件71和72可以使用例如不锈钢、铝等金属管坯上被覆有硅橡胶的定影辊以及用特氟龙(注册商标)树脂被覆的定影辊、定影片等公知的热定影部件。另外，为了提高防粘性，各定影部件71和72可以制成供给硅油等防粘剂的构成，也可制成利用弹簧等相互强制性地施加压力的构成。

转印在记录纸P上的调色剂通过加热到预定温度的上部定影部件71和下部定影部件72之间时，调色剂被加热到熔融状态，通过后，调色剂被冷却而定影在记录纸P上。

此外，对于定影装置的种类没有特别限定，以此处使用的定影装置为例，可以设置热辊定影、闪光定影、烘烤定影和压力定影等任意方式的定影装置。

对于如上构成的成像装置，根据下述的方法(本发明的成像方法)进行图像的记录。

首先感光体1的表面(感光面)被充电装置2充电到预定的电位(例如-600V)。此时，可以通过直流电压进行充电，也可以在直流电压上叠加交流电压进行充电。

接着，将带电的感光体1的感光面用曝光装置3对应于要记录的图像进行曝光，在感光面形成静电潜像。接着，将在该感光体1的感光面形成的静电潜像用显影装置4进行显影。

显影装置4将由供给辊43供给来的调色剂T用调整部件(显影刮刀)45进行薄层化，同时摩擦使其带有预定极性(此处与感光体1的带电电位同极性，为负极性)的电，装载在显影辊44上进行运送，使其接触感光体1的表面。

显影辊44上装载的带电调色剂T接触感光体1的表面后，在感光体1的感光面形成了对应于静电潜像的调色剂像。接着，该调色剂像由转印装置5转印到记录纸P上。此后，未被转印而残留在感光体1的感光面的调色剂被清洁装置6除去。

调色剂像转印到记录纸P上后，使其通过定影装置7，从而将调色剂像热定影在记录纸P上，由此得到最终的图像。

此外，成像过程是重复进行的过程，所以前一次形成的图像有时在后一次的成像时出现。例如，在打印字符图像后打印中间色调图像的情况下，有时存在在中间色调图像部出现先前印刷的文字的现象，即所谓的记忆(重影)现象。该记忆现象包括以更高浓度出现的正型记忆现象和浓度变淡的负型记忆现象。

该图像的记忆现象的具体产生机理尚不能完全解释清楚，有众多不明之处，但是在上述的构成的基础上，设置成能进行例如静电消除步骤的构成时，可以改善这种问题，所以大多的成像装置采用静电消除步骤。静电消除步骤是通过对电子照相感光体进行曝光来进行电子照相感光体的静电消除的步骤，作为静电消除装置，可以使用荧光灯、LED等。另外，静电消除步骤中使用的光大多是强度具有曝光光的3倍以上的曝光能量的光。但是，本发明的电子照相感光体具有记忆现象极难生成的特征，所以特别是对于没有静电消除步骤的成像装置，能够形成良好的图像。

另外，成像装置还可以进一步改变构成，例如设置成能够进行前曝光步骤、補助充电步骤等步骤的构成，也能够设置成进行胶版印刷的构成，还能够设置成使用多种调色剂的全色串联方式的构成。

此外，可以用电子照相感光体1单独构成一体型的处理盒，也可将其与充电装置2、曝光装置3、显影机4、转印装置5、清洁装置6以及定影装置7之中的一个或两个以上的要素组合来构成一体型的处理盒(为了方便，有时将其称作“电子照相感光体盒”)。可以将该电子照相感光体盒设置成相对于复印机、激光束印刷机等成像装置主体可装卸的构成。这种情况下，使用对成像装置可装卸的构成的处理盒壳，在其中仅装入电子照相感光体1或者与上述的要素组合后装进壳内，并支持装入的电子照相感光体1，由此可以制成电子照相感光体盒。通过如此的构成，例如电子照相感光体1或其他的部件老化时，可以将该电子照相感光体盒从成像装置主体上取下，将其他新的电子照相感光体盒装在成像装置主体上，因此，成像装置的保养和管理变得容易。

实施例

下面举出制造例、实施例以及比较例来更详细地说明本发明。此外，给出下述的实施例是为了详细说明本发明，只要不违反本发明的宗旨，本发明不限于下述的实施例。

<粉末X射线衍射光谱的测定方法>

对于本发明中特定的氧钛酞菁结晶在对CuKα特征X射线(波长 )的布拉格角(2θ±0.2°)处的峰，可以利用任何公知的方法确定。本发明的实施例中，通过下述的方法进行测定，由此进行氧钛酞菁结晶的峰的确定。为了测定粉末的X射线衍射光谱，测定装置使用以CuKα射线为射线源的集中光学系的粉末X射线衍射计PW1700(PANalytical社生产)。测定条件如下：X射线输出为40kV、30mA；扫描范围(2θ)3～40.0°，扫描步宽0.05°，扫描速度3.0°/min，发散狭缝1.0°，散射狭缝1.0°，以及接受狭缝0.2mm。

<氧钛酞菁的合成>

合成例1

按照日本特开平10-7925号报中记载的“粗TiOPc的制造例”、“实施例1”的顺序制备β型氧钛酞菁。

得到的氧钛酞菁的粉末X射线衍射光谱见图2。使用上述的“氯含量的测定”中所记载的方法分析TiOPc结晶中含有的氯的量，结果氯的含量为0.20重量％以下，在检测下限以下。另外，根据上述“质谱的测定”中所记载的方法计算出氯化氧钛酞菁与氧钛酞菁的质谱强度比，该比值为0.002。

合成例2

基于日本特开昭62-67094号公报中记载的制造例1的方法，制备钛氧酞菁。使用上述的“氯含量的测定”中所记载的方法分析TiOPc结晶中含有的氯的量，结果氯的含量为0.51重量％。另外，根据上述“质谱的测定”中所记载的方法计算出氯化氧钛酞菁与氧钛酞菁的质谱强度比，该比值为0.055。

合成例3

以合成例1得到的氧钛酞菁为酞菁结晶前体，进行下述的操作。首先，将18重量份合成例1得到的氧钛酞菁添加到720重量份冷却到-10℃以下的95重量％浓硫酸中。添加时，缓慢添加，以使硫酸溶液的内温不超过-5℃。添加结束后，在-5℃以下对浓硫酸溶液搅拌2小时。搅拌后，用玻璃过滤器过滤浓硫酸溶液，过滤不溶组分后，将浓硫酸溶液投放到10800重量份冰水中，由此使氧钛酞菁析出，投放后搅拌1小时。搅拌后，过滤溶液，将所得到的湿滤饼再次在900重量份水中清洗1小时，然后进行过滤。重复该清洗操作，直至滤液的离子传导度为0.5mS/m，由此得到185重量份低结晶性氧钛酞菁湿滤饼(氧钛酞菁含量为9.5重量％)，该低结晶性氧钛酞菁具有图3所示的粉末X射线衍射光谱。

将93重量份所得到的低结晶性氧钛酞菁湿滤饼添加到190重量份水中，在室温搅拌30分钟。其后，添加39重量份邻二氯苯，进而在室温搅拌1小时。搅拌后，分离水，添加134重量份甲醇，室温搅拌清洗1小时。清洗后，进行过滤，然后再次使用134重量份甲醇搅拌清洗1小时，其后进行过滤，然后用真空干燥机进行加热干燥，由此得到7.8重量份氧钛酞菁，如图4所示，在对CuKα特征X射线(波长 )的粉末X射线衍射光谱中，该氧钛酞菁在布拉格角(2θ±0.2°)为7.3°、9.5°、11.6°、14.2°、18.0°、24.3°和27.2°处具有主衍射峰。

合成例4

进行与合成例3相同的操作直到得到低结晶性氧钛酞菁的湿滤饼。将46份这样得到的低结晶性氧钛酞菁湿滤饼添加到400重量份四氢呋喃中，在室温搅拌5小时。搅拌后，进行过滤，然后用真空干燥机加热干燥，由此得到3.9重量份氧钛酞菁，如图5所示，在对CuKα特征X射线(波长 )的粉末X射线衍射光谱中，该氧钛酞菁在布拉格角(2θ±0.2°)为7.3°、9.5°、9.7°、11.6°、14.2°、18.0°、24.2°和27.2°处具有主衍射峰。

合成例5

除了以合成例2得到的氧钛酞菁为酞菁结晶前体之外，进行与合成例3中得到低结晶性氧钛酞菁湿滤饼的步骤相同的操作，由此得到142重量份的图6所示的低结晶性氧钛酞菁湿滤饼(氧钛酞菁含量为12.8重量％)。

将24.8重量份得到的低结晶性氧钛酞菁湿滤饼添加到100重量份水中，在室温搅拌30分钟。其后，添加6.2重量份邻二氯苯，进一步于室温搅拌1小时。搅拌后，分离水，添加79重量份甲醇，于室温搅拌清洗1小时。清洗后，进行过滤，然后再次使用79重量份甲醇搅拌清洗1小时，过滤后用真空干燥机进行加热干燥，由此得到2.5重量份氧钛酞菁，如图7所示，在对CuKα特征X射线(波长 )的粉末X射线衍射光谱中，该氧钛酞菁在布拉格角(2θ±0.2°)为7.3°、9.5°、11.6°、14.2°、18.0°、24.0°和27.2°处具有主衍射峰。

比较合成例1

电子照相感光体、电子照相感光体盒以及成像装置专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。