专利摘要

本发明涉及一种新型冷阴极紧凑型放大器。其包括高频互作用系统、输入结构、输出结构、收集极和冷阴极电子枪；高频互作用系统包括壳体和周期慢波结构；壳体的一端与冷阴极电子枪密封连接，另一端与收集极密封连接；输入结构以贯穿壳体方式与壳体密封连接，输入结构设置在壳体上靠近冷阴极电子枪的一端；输出结构以贯穿壳体方式与壳体密封连接，输出结构设置在壳体上靠近收集极的一端。通过使用冷阴极电子枪作为电子源，配合周期慢波结构，利用高频场对电子注进行密度调制，调制后的电子注进入高频互作用系统与高频电磁场发生互作用，能量交换，实现信号的放大输出，从而极大的减少了周期结构的周期数，减少了电真空放大器件的体积和器件加工难度。

权利要求

1.一种新型冷阴极紧凑型放大器，其特征在于，其包括高频互作用系统(100)、输入结构(200)、输出结构(300)、收集极(400)和冷阴极电子枪(500)；

所述高频互作用系统(100)包括壳体(110)和设置于所述壳体(110)内的周期慢波结构(120)；

所述壳体(110)的一端与所述冷阴极电子枪(500)密封连接，使所述冷阴极电子枪(500)直接集成于所述高频互作用系统(100)中，所述壳体(110)的另一端与所述收集极(400)密封连接；

所述输入结构(200)以贯穿所述壳体(110)方式与所述壳体(110)密封连接，并且所述输入结构(200)设置在所述壳体(110)上靠近所述冷阴极电子枪(500)的一端；

所述输出结构(300)以贯穿所述壳体(110)方式与所述壳体(110)密封连接，并且所述输出结构(300)设置在所述壳体(110)上靠近所述收集极(400)的一端。

2.根据权利要求1所述的一种新型冷阴极紧凑型放大器，其特征在于，所述周期慢波结构(120)包括多个膜片(111)，多个所述膜片(111)以上下交替的方式设置于所述壳体(110)形成的腔体内，使在所述壳体(110)形成的腔体内形成慢波传输通道(700)；

在每个所述膜片(111)上均设置有漂移管(112)，并且相邻所述漂移管(112)之间间隔且同轴设置，使在所述壳体(110)形成的腔体内形成电子注通道(600)。

3.根据权利要求2所述的一种新型冷阴极紧凑型放大器，其特征在于，冷阴极电子枪(500)包括电子枪底座(510)、电子枪壳体(520)、阴极板(530)和冷阴极(540)；

所述电子枪壳体(520)一端与所述电子枪底座(510)密封连接，另一端与所述高频互作用系统(100)中的壳体(110)密封连接；

所述阴极板(530)一端与所述电子枪底座(510)相连接，另一端设置所述冷阴极(540)；

所述冷阴极(540)位于所述高频互作用系统(100)中的壳体(110)形成的腔体内，且对准所述电子注通道(600)。

4.根据权利要求1所述的一种新型冷阴极紧凑型放大器，其特征在于，所述输入结构(200)包括第一矩形波导(210)和输入窗(220)；

所述第一矩形波导(210)一端以贯穿所述壳体(110)方式插入所述壳体(110)内，并在与所述壳体(110)接触处密封连接；

所述输入窗(220)与所述第一矩形波导(210)的另一端密封连接；

并且在所述第一矩形波导(210)内设置有与所述壳体(110)形成的腔体连通的输入腔(211)。

5.根据权利要求1所述的一种新型冷阴极紧凑型放大器，其特征在于，所述输出结构(300)包括第二矩形波导(310)和输出窗(320)；

所述第二矩形波导(310)一端以贯穿所述壳体(110)方式插入所述壳体(110)内，并在与所述壳体(110)接触处密封连接；

所述输出窗(320)与所述第二矩形波导(310)的另一端密封连接；

并且在所述第二矩形波导(310)内设置有与所述壳体(110)形成的腔体连通的输出腔(311)。

6.根据权利要求2所述的一种新型冷阴极紧凑型放大器，其特征在于，所述收集极(400)包括收集极本体(410)、收集极底板(420)和收集极绝缘壳体(430)；

所述收集极绝缘壳体(430)一端与所述收集极底板(420)密封连接，所述收集极绝缘壳体(430)的另一端与所述高频互作用系统(100)中的壳体(110)密封连接；

所述收集极本体(410)位于所述收集极底板(420)、所述收集极绝缘壳体(430)和所述高频互作用系统(100)中的壳体(110)形成的空间内，并以对准所述电子注通道(600)的方式设置于所述收集极底板(420)上。

7.根据权利要求3所述的一种新型冷阴极紧凑型放大器，其特征在于，所述冷阴极(540)为Spindt冷阴极、石墨烯冷阴极或碳纳米管冷阴极。

8.根据权利要求1至7之一所述的一种新型冷阴极紧凑型放大器，其特征在于，所述周期慢波结构(120)为休斯耦合腔慢波结构、直线排列耦合孔耦合腔慢波结构、双耦合孔耦合腔慢波结构、直线式梯形耦合腔慢波结构、单交错梯形耦合腔慢波结构、双交错梯形耦合腔慢波结构或螺旋线慢波结构。

9.根据权利要求1至7之一所述的一种新型冷阴极紧凑型放大器，其特征在于，所述高频互作用系统(100)、所述输入结构(200)、所述输出结构(300)、所述收集极(400)和所述冷阴极电子枪(500)通过焊接密封连接。

说明书

技术领域

本发明属于微波、毫米波、亚毫米波、太赫兹频段的电真空器件技术领域，涉及一种放大器，具体地说是涉及一种新型冷阴极紧凑型放大器。

背景技术

微波、毫米波、亚毫米波、太赫兹电真空器件作为雷达、电子对抗、空间通讯等军事电子系统不可缺少的核心器件，一直受到广泛重视。

传统的真空器件一般采用热阴极，其缺点是体积大、工作效率低、反应速度慢、易损坏。

固态半导体辐射源器件相比热阴极电真空辐射源具有体积小，可集成，响应速度快等优点，但是其具有：抗干扰、耐辐射能力弱，功率低等缺点，特别是在太空环境下，固态辐射源器件可靠性很难得到保证。

发明内容

针对现有技术之不足，本发明提供了一种新型冷阴极紧凑型放大器。

本发明的一种新型冷阴极紧凑型放大器的具体技术方案如下：

一种新型冷阴极紧凑型放大器，其包括高频互作用系统、输入结构、输出结构、收集极和冷阴极电子枪；所述高频互作用系统包括壳体和设置于所述壳体内的周期慢波结构；所述壳体的一端与所述冷阴极电子枪密封连接，使所述冷阴极电子枪直接集成于所述高频互作用系统中，所述壳体的另一端与所述收集极密封连接；所述输入结构以贯穿所述壳体方式与所述壳体密封连接，并且所述输入结构设置在所述壳体上靠近所述冷阴极电子枪的一端；所述输出结构以贯穿所述壳体方式与所述壳体密封连接，并且所述输出结构设置在所述壳体上靠近所述收集极的一端。

通过使用微波调制冷阴极电子枪作为电子源，配合周期慢波结构，利用高频场对电子注进行密度调制，调制后的电子注进入高频互作用系统与高频电磁场发生互作用，能量交换，实现信号的放大输出，从而极大的减少了周期结构的周期数，减少了电真空放大器件的体积和器件加工难度；并且通过将冷阴极电子枪直接集成到高频互作用系统中，可以极大地减少放大器的体积。

根据一个优选的实施方式，所述周期慢波结构包括多个膜片，多个所述膜片以上下交替的方式设置于所述壳体形成的腔体内，使在所述壳体形成的腔体内形成慢波传输通道；在每个所述膜片上均设置有漂移管，并且相邻所述漂移管之间间隔且同轴设置，使在所述壳体形成的腔体内形成电子注通道。

根据一个优选的实施方式，冷阴极电子枪包括电子枪底座、电子枪壳体、阴极板和冷阴极；所述电子枪壳体一端与所述电子枪底座密封连接，另一端与所述高频互作用系统中的壳体密封连接；所述阴极板一端与所述电子枪底座相连接，另一端设置所述冷阴极；所述冷阴极位于所述高频互作用系统中的壳体形成的腔体内，且对准所述电子注通道。

根据一个优选的实施方式，所述输入结构包括第一矩形波导和输入窗；所述第一矩形波导一端以贯穿所述壳体方式插入所述壳体内，并在与所述壳体接触处密封连接；所述输入窗与所述第一矩形波导的另一端密封连接；并且在所述第一矩形波导内设置有与所述壳体形成的腔体连通的输入腔。

根据一个优选的实施方式，所述输出结构包括第二矩形波导和输出窗；所述第二矩形波导一端以贯穿所述壳体方式插入所述壳体内，并在与所述壳体接触处密封连接；所述输出窗与所述第二矩形波导的另一端密封连接；并且在所述第二矩形波导内设置有与所述壳体形成的腔体连通的输出腔。

根据一个优选的实施方式，所述收集极包括收集极本体、收集极底板和收集极绝缘壳体；所述收集极绝缘壳体一端与所述收集极底板密封连接，所述收集极绝缘壳体的另一端与所述高频互作用系统中的壳体密封连接；所述收集极本体位于所述收集极底板、所述收集极绝缘壳体和所述高频互作用系统中的壳体形成的空间内，并以对准所述电子注通道的方式设置于所述收集极底板上。

根据一个优选的实施方式，所述冷阴极为Spindt冷阴极、金刚石冷阴极或碳纳米管冷阴极。

根据一个优选的实施方式，所述周期慢波结构为休斯耦合腔慢波结构、直线排列耦合孔耦合腔慢波结构、双耦合孔耦合腔慢波结构、直线式梯形耦合腔慢波结构、单交错梯形耦合腔慢波结构、双交错梯形耦合腔慢波结构或螺旋线慢波结构。

根据一个优选的实施方式，所述高频互作用系统、所述输入结构、所述输出结构、所述收集极和所述冷阴极电子枪通过焊接密封连接。

与现有技术相比，本发明的新型冷阴极紧凑型放大器具有如下有益效果：

本发明新型冷阴极紧凑型放大器通过使用微波调制冷阴极电子枪作为电子源，配合周期慢波结构，利用高频场对电子注进行密度调制，调制后的电子注进入高频互作用系统与高频电磁场发生互作用，能量交换，实现信号的放大输出，从而极大的减少了周期结构的周期数，减少了电真空放大器件的体积和器件加工难度。

附图说明

图1是本发明新型冷阴极紧凑型放大器的剖面图；

图2是本发明新型冷阴极紧凑型放大器中周期慢波结构的剖面图。

附图标记列表

100-高频互作用系统

110-壳体

120-周期慢波结构

111-膜片

112-漂移管

123-耦合槽

200-输入结构

210-第一矩形波导

220-输入窗

211-输入腔

300-输出结构

310-第二矩形波导

320-输出窗

311-输出腔

400-收集极

410-收集极本体

420-收集极底板

430-收集极绝缘壳体

500-冷阴极电子枪

510-电子枪底座

520-电子枪壳体

530-阴极板

540-冷阴极

600-电子注通道

700-慢波传输通道

具体实施方式

下面结合附图对本发明的新型冷阴极紧凑型放大器进行详细的说明。

如图1、图2所示，一种新型冷阴极紧凑型放大器，其包括高频互作用系统100、输入结构200、输出结构300、收集极400和冷阴极电子枪500。

优选的，高频互作用系统100、输入结构200、输出结构300、收集极400和冷阴极电子枪500通过焊接密封连接。

高频互作用系统100包括壳体110和设置于壳体110内的周期慢波结构120。

优选的，壳体110可以为圆管或方管，使在壳体110内形成有一腔体。

优选的，周期慢波结构120为休斯耦合腔慢波结构、直线排列耦合孔耦合腔慢波结构、双耦合孔耦合腔慢波结构、直线式梯形耦合腔慢波结构、单交错梯形耦合腔慢波结构、双交错梯形耦合腔慢波结构或螺旋线慢波结构。本发明中的周期慢波结构120包括但不限于所列举周期慢波结构类型。

周期慢波结构120包括多个膜片111。多个膜片111以上下交替的方式设置于壳体110形成的腔体内，这样使得壳体110内相邻的膜片上的耦合槽之间就形成了一条呈“S”形的慢波传输通道700。

在每个膜片111上均设置有漂移管112，并且相邻漂移管112之间间隔且同轴设置，使在壳体110形成的腔体内形成电子注通道600。

冷阴极电子枪500包括电子枪底座510、电子枪壳体520、阴极板530和冷阴极540。

其中，电子枪壳体520一端与电子枪底座510密封连接，另一端与高频互作用系统100中的壳体110的一端密封连接，使冷阴极电子枪500与高频互作用系统100密封连接在一起。

优选的，电子枪底座510为圆柱或者长方体。其材料优选为无磁不锈钢。

优选的，电子枪壳体520呈圆形或者方形。其材料优选为99#陶瓷(99氧化铝陶瓷)。

优选的，电子枪壳体520是通过焊接与高频互作用系统100中的壳体110密封连接的。

其中，阴极板530一端与电子枪底座510相连接，另一端设置冷阴极540。并且冷阴极540位于高频互作用系统100中的壳体110形成的腔体内，且对准电子注通道600。

优选的，阴极板530为圆柱或者长方体。其材料优选为无磁不锈钢。

优选的，冷阴极540为Spindt冷阴极、金刚石冷阴极或碳纳米管冷阴极。本发明中的冷阴极540包括但不限于所列举冷阴极类型。

收集极400包括收集极本体410、收集极底板420和收集极绝缘壳体430。

收集极绝缘壳体430一端与收集极底板420密封连接，收集极绝缘壳体430的另一端与高频互作用系统100中的壳体110的另一端密封连接。优选的，收集极绝缘壳体430是通过焊接与高频互作用系统100中的壳体110密封连接的。

收集极本体410位于收集极底板420、收集极绝缘壳体430和高频互作用系统100中的壳体110形成的空间内，并以对准电子注通道600的方式设置于收集极底板420上。

输入结构200以贯穿壳体110方式与壳体110密封连接，并且输入结构200设置在壳体110上靠近冷阴极电子枪500的一端。

输入结构200包括第一矩形波导210和输入窗220。

第一矩形波导210的下端以贯穿壳体110方式插入壳体110内，并在与壳体110接触处通过焊接密封连接。在第一矩形波导210内设置有与壳体110形成的腔体连通的输入腔211。并且输入腔211与高频互作用系统100中的第一个谐振腔体相连。

输入窗220与第一矩形波导210的上端通过焊接密封连接。优选的，输入窗220为同轴窗或波导窗。其被制成为薄片盒型输出窗。

输出结构300以贯穿壳体110方式与壳体110密封连接，并且输出结构300设置在壳体110上靠近收集极400的一端。

输出结构300包括第二矩形波导310和输出窗320。

第二矩形波导310的下端以贯穿壳体110方式插入壳体110内，并在与壳体110接触处通过焊接密封连接。在第二矩形波导310内设置有与壳体110形成的腔体连通的输出腔311。并且输出腔311与高频互作用系统100中的最后一个谐振腔体相连。

输出窗320与第二矩形波导310的上端通过焊接密封连接。优选的，输出窗320为同轴窗或波导窗。其被制成为薄片盒型输出窗。

本发明的新型冷阴极紧凑型放大器，与传统真空器件最大的不同点在于：电子枪发射的电子注在发射过程中经过了高频场的调制，调制的电子注进入周期结构能够更加充分的与高频场发生互作用，能够极大的缩小真空器件的体积。而传统的电真空器件的电子枪发射的电子注没有经过高频场的调制而直接进入周期结构。

通过使用微波调制冷阴极电子枪作为电子源，配合周期慢波结构，利用高频场对电子注进行密度调制，调制后的电子注进入高频互作用系统与高频电磁场发生互作用，能量交换，实现信号的放大输出，从而极大的减少了周期结构的周期数，减少了电真空放大器件的体积和器件加工难度。

本发明的新型冷阴极紧凑型放大器工作原理过程如下：

对冷阴极紧凑型放大器进行抽气，使得整个放大器内部形成真空环境；

阴极板接地，周期慢波结构腔体接负直流电压，收集极接直流负电压；

将微波高频场从放大器的输入结构输入；此时，进入高频结构的微波有两个作用：一方面微波作用于碳纳米管冷阴极，冷阴极表面同时在静电场和高频场的作用下得到一个调制电子注，调制电子注直接进入周期慢波结构；另一方面，进入周期慢波结构的高频场与直接进入周期结构的调制电子注发生注波互作用，实现电子注与高频场的能量交换，使得高频信号实现放大输出。

具体的：

1.对冷阴极紧凑型放大器进行抽气，使得整个放大器内部形成真空环境。

2.将阴极板接直流负电压，高频互作用系统壳体接地，这样在冷阴极表面形成了水平向左的静电场，冷阴极表面产生稳定的场致发射电流，高频电磁场从输入结构进入高频互作用系统起到两个很重要的作用：

第一、高频电磁场以准平面波模式传播，且电场矢量方向与静电场平行。当高频电磁场传播到冷阴极表面，与静电场方向一致时，冷阴极表面电场增强，冷阴极表面产生的场致发射电流将增大；当高频电磁场传播到冷阴极表面，与静电场方向相反时，冷阴极表面电场削弱，冷阴极表面产生的场致发射电流将降低。冷阴极在静电场和高频场共同作用下产生经过调制的电子注，电子注的频率和高频电磁场的频率保持一致，当高频场的频率发生变化，电子注的频率也相应发生变化。同时电子注的调制幅度也受高频电磁场的功率影响，当高频电磁场的功率越大，其电子注的调制幅度也越大；

第二、高频互作用系统的慢波传输通道和电子注通道是分开的，电子注通道是漂移管承担，慢波传输通道由耦合槽组成。高频电磁场从输入结构进入高频互作用系统，电子注通道尺寸比较小，对电磁场是截止的；电磁场沿着耦合槽慢波传输通道进行传播，此时，轴向电场主要集中在漂移管端口与端口的间隙内，与此同时冷阴极产生的调制电子注沿着电子注通道传播，电子注与高频场在漂移管端口与端口之间的间隙内发生互作用，实现能量交换，最终使得高频场信号得到放大。

高频场进入高频互作用系统，最初对冷阴极产生的电子注进行调制，接着在互作用间隙与调制电子注发生互作用，这样可以极大的减少了电子枪的体积以及周期慢波结构的周期数，大大的减少了放大器的体积，实现了真空电子器件的小型化设计。

下面以Ka波段的新型冷阴极紧凑型放大器为例进行说明。

如图1、图2所示，一种新型冷阴极紧凑型放大器，其包括高频互作用系统100、输入结构200、输出结构300、收集极400和冷阴极电子枪500。高频互作用系统100、输入结构200、输出结构300、收集极400和冷阴极电子枪500通过焊接密封连接。

具体的，

高频互作用系统100包括圆形或方形壳体110和周期慢波结构120。

周期慢波结构120为休斯耦合腔慢波结构。其包括多个膜片111。多个膜片111以上下交替的方式设置于壳体110形成的腔体内，这样使得壳体110内相邻的膜片上的耦合槽之间就形成了一条呈“S”形的慢波传输通道700。在每个膜片111上均设置有漂移管112，并且相邻漂移管112之间间隔且同轴设置，使在壳体110形成的腔体内形成电子注通道600。

本实施例中，膜片111外直径为Φ4.80mm，内直径为Φ1.80mm，厚度为0.5mm，材质为铜。整个高频互作用系统100中有15个膜片111，并且在每个膜片111上开有外半径2.4mm，内半径为1.40mm的腰形的耦合槽123，相邻膜片111的耦合槽123相差180度。

漂移管112的外直径为Φ1.80mm，内直径为Φ0.96mm，长为1.03mm。并且相邻漂移管112端口与端口之间的间隙距离为0.37mm。电子注通道600的任务由所有漂移管112承担，漂移管112内直径刚好就是电子注通道600的直径Φ0.96mm。

冷阴极电子枪500包括电子枪底座510、电子枪壳体520、阴极板530和冷阴极540。

电子枪壳体520一端与电子枪底座510密封连接，另一端与高频互作用系统100中的壳体110的一端密封连接，使冷阴极电子枪500与高频互作用系统100密封连接在一起。

具体的，电子枪底座510由2.9mm×2.9mm×0.2mm长方体构成，材料为无磁不锈钢，它与阴极板530相连。碳纳米冷阴极540的直径为Φ0.56mm，厚为1um，材料为碳纳米管，嵌在阴极板530上。阴极板530由直径为Φ0.56mm，高为1.5mm的圆柱构成，材料为无磁不锈钢。电子枪壳体520有外直径Φ5.2mm，内直径为Φ4.8mm，高为1mm的空心圆柱构成，材料为99#陶瓷，其右端与周期慢波结构120密封成真空环境，左端与电子枪底座510密封成真空环境。

输入结构200包括第一矩形波导210和输入窗220。第一矩形波导210为厚度0.1mm，高4.5mm，长边4.8mm，窄边0.7mm的矩形波导，其材质为铜。并且其与高频互作用系统100中的第一个谐振腔体相连。输入窗220采用蓝宝石窗片，其与第一矩形波导210上端密封连接。

输出结构300包括第二矩形波导310和输出窗320。第二矩形波导310为厚度0.1mm，高4.5mm，长边4.8mm，窄边0.7mm的矩形波导，其材质为铜。并且其与高频互作用系统100中的最后一个谐振腔体相连。输出窗采用蓝宝石窗片，其与第二矩形波导310上端密封连接。

收集极400包括收集极本体410、收集极底板420和收集极绝缘壳体430。

收集极绝缘壳体430一端与收集极底板420通过焊接密封连接，收集极绝缘壳体430的另一端与高频互作用系统100中的壳体110的另一端通过焊接密封连接。

收集极本体410位于收集极底板420、收集极绝缘壳体430和高频互作用系统100中的壳体110形成的空间内，并以对准电子注通道600的方式设置于收集极底板420上。

利用微波电真空器件工艺将放大器的各个部件焊接成为一个整体，并对其进行抽气，使得整个微波电真空器件内部形成绝对的真空环境。

Ka波段冷阴极放大器在工作过程中，将电子枪底座接-10000V的直流负电压，收集极底座接-5000V，高频互作用系统壳体接地，这样冷阴极表面就形成了静电场。当频率为35GHz，功率为50mW的高频电磁场信号从输入结构进入高频互作用系统，冷阴极表面在静电场和高频场的共同作用下产生调制的电子注，与此同时高频场经慢波传输通道在高频互作用系统中进行传输，并且在互作用间隙与调制的电子注发生互作用，进行能量交换，实现高频信号的放大，高频信号能量经由输出结构进行输出。

真空微电子器件是利用微细加工技术制作场致发射阴极并利用这种阴极的器件。这种器件可以在室温下工作，启动速度快，发射电流密度大，可以直接产生调制电流。与传统的热阴极相比，冷阴极在室温下不用加热就能发射电子。并且它有以下几个特征：一，非线性的电流电压关系；二，对温度和辐射起伏的抵抗能力；三，对电场瞬时反应。薄膜场致发射阵列为真空微电子器件的产生奠定基础，在真空电子器件中采用大规模集成电路技术和微细加工技术，可以使得微波电真空器件更加紧凑，更加小型化。

本发明的一种冷阴极紧凑型放大器充分利用场致发射冷阴极。与热电子发射相比，场致发射冷阴极具有功耗低、可集成、尺寸小、响应速度快等一系列优点，与固态器件相比具有抗干扰，耐辐射能力强，功率大的优点。因此，它是真空放大器件的理想电子发射源。本发明可以解决传统电真空辐射源器件和固态半导体辐射源器件两类器件存在的问题，相比热阴极电真空器件它具有体积小、可集成等特点，相比固态辐射源器件它具有抗干扰、耐辐射能力强，同时，输出功率大等特点。

需要注意的是，本说明书中公开的所有特征，或公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和步骤以外，均可以以任何方式组合。

另外，上述具体实施例是示例性的，本领域技术人员可以在本发明公开内容的启发下想出各种解决方案，而这些解决方案也都属于本发明的公开范围并落入本发明的保护范围之内。本领域技术人员应该明白，本发明说明书及其附图均为说明性而并非构成对权利要求的限制。本发明的保护范围由权利要求及其等同物限定。

一种新型冷阴极紧凑型放大器专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。